KR20040000185A - 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
종래 방법 | 본 발명의 방법 | 비교 | |
빔폭(mm) | 365 ×0.4 | 372 ×0.06 | |
이동 피치(pitch)(㎛) | 20 | 60 | 3배 |
소요 숏수/Glass | 23500 | 7833 | 65% 감소 |
결정화 시간/Glass | 102 | 34 | 65% 감소 |
Claims (8)
- 절연 기판,상기 기판 위에 형성되어 있으며 결정립의 지름이 1000Å 이하인 다결정 규소층,상기 다결정 규소층 위에 형성되어 있는 게이트 절연막,상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 게이트 배선,상기 게이트 배선 위에 형성되어 있는 제1 층간 절연막,상기 제1 층간 절연막 위에 형성되어 있는 데이터 배선,상기 데이터 배선 위에 형성되어 있는 제2 층간 절연막,상기 제2 층간 절연막 위에 형성되어 있는 화소 전극,을 포함하는 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서,상기 화소 전극 위에 형성되어 있으며 화소 영역을 구획하는 격벽,상기 격벽에 의하여 구획된 각 화소 영역 안에 형성되어 있는 유기 EL층,상기 유기 EL층 위에 형성되어 있는 기준 전극을 더 포함하는 박막 트랜지스터 기판.
- 제2항에서,상기 다결정 규소층은 제1 및 제2 채널부와 유지 전극부를 포함하고,상기 게이트 배선은 상기 제1 및 제2 채널부 및 유지 전극과 각각 중첩하는 제1 및 제2 게이트 전극 및 유지 전극을 포함하고,상기 데이터 배선은 제1 및 제2 데이터선, 상기 제1 데이터선 및 상기 제1 채널부의 소스 영역과 연결되어 있는 제1 소스 전극, 상기 제1 채널부의 드레인 영역 및 상기 제2 게이트 전극과 연결되어 있는 제1 드레인 전극, 상기 제2 데이터선 및 상기 제2 채널부의 소스 영역과 연결되어 있는 제2 소스 전극 및 상기 제2 채널부의 드레인 영역 및 상기 화소 전극과 연결되어 있는 제2 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 기판.
- 절연 기판 위에 비정질 규소층을 형성하는 단계,상기 비정질 규소층을 완전 용융시킬 수 있는 에너지 밀도를 가지며 소정의 빔폭을 가지는 레이저로 스캐닝하여 열처리함으로써 다결정 규소층으로 변환하는 단계,게이트선을 형성하는 단계,데이터선을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 다결정 규소층으로 변환하는 단계에서 레이저 스캐닝은 상기 데이터선을 따라 진행하며 상기 소정의 빔폭은 상기 데이터선간의 거리의 정수배에 해당하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 절연 기판 위에 비정질 규소층을 형성하는 단계,상기 비정질 규소층을 완전 용융시킬 수 있는 에너지 밀도를 가지며 소정의 빔폭을 가지는 레이저로 스캐닝하여 열처리함으로써 다결정 규소층으로 변환하는 단계,게이트선을 형성하는 단계,데이터선을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 다결정 규소층으로 변환하는 단계에서 레이저 스캐닝은 상기 게이트선을 따라 진행하며 상기 소정의 빔폭은 상기 게이트선간의 거리의 정수배에 해당하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제4항 또는 제5항에서,상기 레이저의 에너지 밀도는 280mJ/cm2이상인 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제4항 또는 제5항에서,상기 레이저 스캐닝시 레이저가 조사될 부분만을 노출시키는 마스크를 사용하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 절연 기판 위에 비정질 규소층을 형성하는 단계,상기 비정질 규소층을 완전 용융시킬 수 있는 에너지 밀도를 가지는 레이저로 스캐닝하여 열처리함으로써 다결정 규소층으로 변환하는 단계,게이트선을 형성하는 단계,데이터선을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 다결정 규소층으로 변환하는 단계에서는 상기 비정질 규소층을 부분적으로 가리는 마스크를 덮고 레이저 스캐닝을 진행하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
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