KR20030088252A - 가스 공급 시스템 및 이의 가스 배출 방법 - Google Patents

가스 공급 시스템 및 이의 가스 배출 방법 Download PDF

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강형돈
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최원석
이금희
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서정석
권순홍
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Abstract

반도체 제조에 필요한 공정가스의 제공 및 배출시키는 가스 공급 시스템 및 이의 가스 배출 방법이 기재되어 있다. 시스템에서는 챔버 내로 공정가스를 제공하는 가스 제공부와 캐리어가스를 제거하는 가스 제거부가 구비되어 있고, 가스 제공부에서 제공되는 액화가스를 배출시키는 통로를 제공하는 진공라인이 구비되어 있다. 반도체 공정의 이상시 공정가스를 탐지하여 경보를 제공하기 위한 가스 탐지부 및 진공도를 유지하기 위한 진공펌프가 구비되어 있다. 또한, 배출되는 액화가스의 배출량을 컨트롤하기 위한 유량제어밸브가 구비되어 있고, 액화가스를 여과하는 여과부가 구비되어 있다. 진공펌프에 의해 배출되는 공정가스를 수거하고, 배출량을 컨트롤하기 위한 버퍼탱크를 포함하고 있다. 상기와 같은 구성요소를 포함하는 가스 공급 시스템은 누출되는 액화가스를 완전히 여과하여 환경오염을 방지할 수 있다.

Description

가스 공급 시스템 및 이의 가스 배출 방법{Gas Supply System and methode for gas exhausting thereof}
본 발명은 가스 공급 시스템 및 이의 가스 배출 방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 반도체 제조 공정의 이상시 챔버로 제공되는 가스를 배출시키는 가스 공급 시스템 및 이의 가스 배출 방법에 관한 것이다.
근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이에 따라 상기 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. 이와 같이, 상기 반도체 제조 기술이 발전함에 따라 웨이퍼 상에 여러 가지 화학반응을 유발하여 전기적 물성을 갖는 막 형성 및 회로를 구성하는 미세 패턴를 구성하는 일련의 과정들이 중요시되고 있다.
이러한 반도체 소자 제조에 있어서 화학적 친화력이 놓은 극히 민감한 반응가스들을 취급하게 되므로 반도체 제조 공정이 이루어지는 공정챔버 내로 반응가스를 공급하는 가스 공급 시스템은 정확한 공급 기능과 더불어 가스 공급부로부터 공정챔버에 이르는 가스 공급 라인의 가스 누출을 막는 밀폐의 기능이 매우 중요하다.
상기 반도체 가스공급 시스템의 일 예로서, 한국공개특허 1998-074910에는 가스누출센서, 누출가스를 배기시키는 배기라인, 상기 누출가스를 정화시키는 정화부를 포함하는 반도체 가스 공급 시스템이 개시되어 있고, 일본 공개특허 평6-132238에는 불활성 가스와 희석가스의 도입부 사이에 바이패스 통로 및 니들밸브를 마련하여, 피 희석가스 방출 측에 막대한 압력을 제거하는 가스 배기 장치가 개시되어있다.
또한, 한국공개특허 1998-021930에는 진공라인의 기체투과막을 통해 유출된 액상 화학 물질을 가두어둘 수 있는 버퍼탱크를 구비하는 반도체 설비의 배기 시스템이 개시되어있다.
도 1은 종래의 가스 공급 시스템의 레이아웃을 개략적으로 나타내는 블록도 이다.
도 1에 의하면, 먼저 액화가스 제공부(10)로 부터 제공되는 액화가스가 가스 혼합부(Ampule;14)로 유입되고, 캐리어가스 제공부(12)로부터 제공된 헬륨가스(H2)가 가스 혼합부(14)로 유입된다. 상기 유입된 액화가스와 헬륨가스(H2)는 혼합되어 가스 제거부(Degas box;16)로 유입된다. 이어서, 가스 제거부(16)로 유입된 액화가스와 헬륨가스(H2)중에서 상기 헬륨가스(H2)는 가스 제거부(16) 내부에서진공펌프(18)로 인해 진공상태로 형성된 진공라인(26a,26b)을 통하여 배출구(22)로 배출된다. 그리고, 상기 액화가스는 챔버(24) 내로 유입되는 공정 시스템을 갖는다. 그러나 상기 액화가스 대신에 압축가스를 사용할 경우에는 가스 혼합부(Ampule;14)와 가스 제거부(Degas box;16)를 거치지 않고, 또한 헬륨가스를 사용하지 않고도 챔버(24) 내로 유입이 가능하다.
도 1에서 나타내는 종래의 가스 공급 시스템의 레이아웃(Lay-out)은 반도체 제조 공정의 이상시 상기 액화가스가 정상적인 순서인 챔버(24)를 통하여 배출되지 않고, 정상적인 순서가 아닌 진공라인(26a,26b)을 통해 액화가스가 통과되어 다량의 가스가 유출될 경우 아무런 제어 없이 방출됨으로 사고의 위험이 매우 높다.
실제로 연구소 라인에서 상기와 같은 사고가 발생하곤 하는데 사고의 주요 원인은 챔버를 통해 배출되지 않은 액화가스가 진공라인(26a,26b)을 통해 배출되고, 배출된 다량의 액화가스가 가스 여과기(20)에서 처리되면서 상기 많은 액화가스 잔유물이 발생하게된다. 상기 가스 여과기(20) 내부에서 처리되지 못한 액화가스 잔유물은 배출구(Over drain Line;22)을 통하여 외부로 배출되면서 공정 장치의 오염 및 독성물질로 인한 환경 오염을 초래할 수 있는 문제점이 발생한다.
이에, 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제1 목적은, 반도체 제조 공정의 이상시 바이패스되는 액화가스의 배출량을 조절하여 가스 잔유물의 외부 배출을 최소화하는 가스 공급 시스템을 제공하는데 있다.
또한, 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제2 목적은, 반도체제조 공정의 이상시 바이패스되는 액화가스의 배출량을 조절하여 가스 잔유물의 외부 배출을 최소화하는 가스 공급 시스템의 가스 배출 방법을 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 가스 공급 시스템의 레이아웃을 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 가스 공급 시스템의 레이아웃을 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 가스 공급 시스템의 레이아웃을 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가스 공급 시스템의 레이아웃을 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 가스 공급 시스템의 레이아웃을 개략적으로 나타낸 블록도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
50 :가스 제공부52 : 액화가스 제공부
54 : 캐리어가스 제공부 56 : 가스 혼합부
58 : 가스 제거부 60 : 챔버
62 : 진공펌프64 : 가스 여과기
66 : 배출구70 : 가스 배출부
72 : 가스 탐지부74 : 유량제어밸브
76 : 버퍼탱크78 : 가스라인
80a : 제1 진공라인 80b : 제2 진공라인
82 : 연동밸브
이에, 본 발명의 제1 목적을 달성하기 위한 가스 공급 시스템은,
반도체 제조 공정에 사용되는 액화 가스를 캐리어 가스와 혼합시켜 챔버로 제공하기 위한 가스 제공부;
상기 챔버와 가스 제공부를 연결하는 가스라인에 구비되고, 상기 혼합된 캐리어 가스를 제거하기 위한 가스 제거부;
상기 반도체 제조 공정의 이상 발생시 상기 가스라인 및 가스 제거부에서 분기된 진공라인과 연결되고, 상기 진공라인을 통하여 바이패스(by-pass)되는 액화가스를 여과하여 배출시키기 위한 가스 배출부;
상기 진공라인 상에 구비되고, 상기 바이패스되는 액화가스를 탐지하여 작업자에게 경보를 제공하기 위한 가스 탐지부; 및
상기 진공라인 상에 구비되고, 상기 바이패스되는 액화가스 유량을 제어하기 위한 유량제어밸브를 포함하고있다.
또한, 본 발명의 제2 목적을 달성하기 위한 가스 공급 시스템의 가스 배출 방법은,
반도체 제조 공정의 이상시 챔버로 제공되는 액화가스를 진공라인을 통해 배출시키는 단계;
상기 배출되는 액화가스를 탐지하여 경보를 제공하는 단계;
상기 경보를 감지하여 진공라인을 통해 배출되는 액화가스의 배출량 조절하는 단계;
상기 배출량이 조절된 액화가스를 여과하여 액화가스 잔유물을 제거하는 단계: 및
상기 여과된 액화가스를 수거하여 상기 여과된 액화가스를 조절하면서 배출시키는 단계를 포함한다.
이러한 가스 공급 시스템에 의하면, 바이패스되는 액화가스의 배출량을 효과적으로 제어하여 가스 여과기 내부에서의 가스 잔유물을 효과적으로 처리할 수 있고, 상기 가스 잔유물의 배출을 방지하여 환경 오염을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명을 도면에 따라서 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 가스 공급 시스템의 레이아웃을 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 가스 공급 시스템은 가스 제공부(50), 가스 제거부(58), 연동밸브(82) 진공라인(80a, 80b), 가스 탐지부(72), 유량제어밸브(74) 및 가스 배출부(70)를 포함하고있다.
상기 가스 제공부(50)는 반도체 제조 공정에 필요한 액화가스를 챔버로 제공하기 위한 액화가스 제공부(52)와 상기 액화가스를 챔버(60)로 제공할 수 있도록 상기 액화가스를 운반하기 위한 캐리어가스를 제공하기 위한 캐리어가스 제공부(54) 및 상기 액화가스와 캐리어가스를 제공받아 혼합하는 역할을 하는 가스 혼합부(56)를 포함하고있다.
상기 가스 제거부(58)는 챔버(60)와 가스 제공부(50)를 연결하는 가스라인(78) 사이에 위치하여 액화가스를 이송하는 캐리어가스를 분리하여 제거하는 역할을 한다. 상기 가스 제공부(50)와 가스 제거부(58)를 연결하는 가스라인(78) 사이에는 연동밸브(82)가 위치하여 액화가스의 입 및 유출을 상황에 따라 선택적으로 제어하고, 상기 가스 제공부(50)에서 제공되는 액화가스를 차단하는 역할을 한다.
상기 진공라인(80a,80b)은 상기 가스라인(78) 및 가스제거부(58)에서 분기되어 있고, 반도체 제조 공정의 이상 발생시 가스 제공부(50)로부터 유입된 액화가스 및 가스 제거부(58)에서 챔버(60)로 유입된 액화가스를 가스 배출부(70)로 바이패스되는 통로를 제공하는 역할을 한다.
또한, 진공라인(80a,80b)은 가스 제공부(50) 및 가스 제거부(58)를 연결하는 가스라인(78) 상에서 분기되어, 가스 제공부(50)의 가스 혼합부(56)에 제공된 액화가스를 바이패스되는 통로를 제공하는 제1 진공라인(80a)과 가스 제거부(58) 상에서 분기되어, 상기 가스 제거부(58)에서 바이패스되는 액화가스를 배출하기 위한 통로를 제공하는 제2 진공라인(80b)으로 구성되어있다.
상기 가스 배출부(70)는 상기 가스라인(78) 및 가스 제거부(58)에서 분기된 진공라인(80a,80b)과 연결되어 있다. 그리고, 상기 진공라인(80a,80b) 내부의 진공을 유지하고, 상기 액화가스를 배출시키기 위한 진공펌프(62) 및 배출되는 액화가스를 여과하는 가스여과기(64)를 포함하고있다. 또한, 배출되는 액화가스 및 액화가스의 잔유물을 수거하고, 여과된 액화가스의 배출량을 컨트롤하기 위한버퍼탱크(76) 및 배출구(66)를 더 포함하고있다.
상기 가스 탐지부(72)는 가스 배출구(70)와 연결된 진공라인(80a,80b) 상에 구비되고, 상기 진공라인(80a,80b)을 통해 바이패스되어 배출되는 액화가스를 감지하여 작업자에게 경보를 제공하는 역할을 한다. 또한 액화가스를 배출시키는 라인 상에 위치한 밸브등을 제어하는 역할을 한다.
상기 유량제어밸브(74)는 진공라인(80a,80b)상에 구비되고, 바이패스되어 배출되는 액화가스의 유량을 조절하여 가스 배출부(70)로 제공하는 역할을 한다.
액화가스의 흐름으로 상기 가스 공급 시스템 및 이의 가스 배출 방법의 관계를 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 액화가스 제공부(52)에서 제공된 액화가스가 가스 혼합부(Ampule;56)로 유입된다. 이어서, 캐리어가스 제공부(54)로부터 제공된 캐리어가스(H2)는 가스 혼합부(56)로 유입된다. 유입된 액화가스와 캐리어가스(H2)는 가스 혼합부(56)에서 혼합되어 가스 제거부(Degas box;58)로 유입된다.
상기 가스 제거부(58)로 유입된 액화가스와 캐리어가스(H2)는 반도체 제조 공정에 필요한 액화가스만을 챔버로 제공하기 위해 상기 캐리어가스를 분리하고, 분리된 캐리어가스는 가스 제거부(58)와 연결된 제2 진공라인(80b)을 통하여 배기부(70)로 유입되어 배출된다.
그리고, 상기 액화가스는 챔버(60) 내로 유입되어, 반도체 제조 공정에 이용된 후 배기부(70)를 통과하여 외부로 배출된다.
그러나. 반도체 제조 공정 또는 가스공급 시스템에 이상이 생길 때, 상기 가스 제공 시스템은 챔버(60) 내부로 제공되는 액화가스를 가스 배출부(70)로 배출된다. 즉 가스 제공부(50)와 가스 제거부(58)를 연결하는 가스라인(78)에서 분기된 제1 진공라인(80a)을 통하여 가스 제공부(50)에서 제공된 액화가스는 가스 배출부(70)를 통과하여 배출된다.
그리고 가스 제거부(58)와 연결된 제2 진공라인(80b)을 통하여 가스 제거부(58)로 유입된 액화가스는 가스 배출부(70)를 통과하여 배출된다.
그리고, 제1 진공라인(80a)과 제2 진공라인(80b)이 만나는 지점과 가스 배출부(70) 사이에 가스 탐지부(72)가 구비되어 배출되는 액화가스를 탐지하여 경보를 제공하고, 액화가스의 배출라인 상에 존재하는 밸브 등을 제어한다.
이어서, 상기 가스 탐지부(72)를 통과한 액화가스는 유량제어밸브(74)에 의해 일정한 배출량을 갖고, 진공펌프(62)를 통하여 가스 여과기(64)로 유입된다.
이어서, 가스 여과기(64)로 유입된 액화가스는 효과적으로 여과되어, 액화가스 잔유물이 제거된다.
이어서, 가스 여과기(64)에 유입되어진 액화가스를 수거하면서 상기 여과된 액화가스를 조절하면서 배출구로 배출된다. 상기와 같은 공정으로 인해 여과되지 않은 액화가스 잔유물의 유출을 방지하여 환경 오염을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명을 하기의 실시예를 첨부한 도면과 함께 구체적으로 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 가스 공급 시스템 레이아웃을 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 3에 의하면, 먼저, 액화가스 제공부(52)에서 제공된 액화가스가 가스 혼합부(Ampule;56)로 유입된다. 이어서, 캐리어가스 제공부(54)로부터 제공된 캐리어가스(H2)는 가스 혼합부(56)로 유입된다. 유입된 액화가스와 캐리어가스(H2)는 가스 혼합부(56)에서 혼합되어 가스 제거부(Degas box;58)로 유입된다.
상기 가스 제거부(58)로 유입된 액화가스와 캐리어가스(H2)는 반도체 제조 공정에 필요한 액화가스만을 챔버로 제공하기 위해 상기 캐리어가스를 분리하고, 분리된 캐리어가스는 가스 제거부(58)와 연결된 제2 진공라인(80b)을 통하여 배기부(70)로 유입되어 배출된다.
그리고, 상기 액화가스는 챔버(60) 내로 유입되어, 반도체 제조 공정에 이용된 후 배기부(70)를 거쳐서 외부로 배출된다.
그러나, 반도체 제조 공정 또는 가스공급 시스템에 이상이 생길 때, 상기 가스 제공 시스템은 챔버(60) 내부로 제공되는 액화가스를 가스 배출부(70)로 배출된다. 즉 가스 제공부(50)와 가스 제거부(58)를 연결하는 가스라인(78)에서 분기된 제1 진공라인(80a)을 통하여 가스 제공부(50)에서 제공된 액화가스는 가스 배출부(70)를 통과하여 배출된다.
그리고 가스 제거부(58)와 연결된 제2 진공라인(80b)을 통하여 가스 제거부(58)로 유입된 액화가스는 가스 배출부(70)를 통과하여 배출된다.
그리고, 제2 진공라인(80b) 상에 가스 탐지부(72)가 구비되어 가스제공부(50)에서 바이패스되는 액화가스의 배출을 중점적으로 탐지하여 경보를 제공하고, 액화가스의 배출라인 상에 밸브 등을 제어한다.
이어서, 제1 진공라인(80a)과 제2 진공라인(80b)의 교착지점 상에 유량제어밸브(74)가 위치하여 제2 진공라인 상에 위치한 가스 탐지부(72) 및 제1 진공라인(80a)을 통과한 액화가스의 유량을 제어하고, 일정한 배출량을 갖는 액화가스는, 진공펌프(62)를 통하여 가스 여과기(64)로 유입된다.
이어서, 가스 여과기(64)로 유입된 액화가스는 효과적으로 여과되어, 액화가스 잔유물이 제거된다.
이어서, 가스 여과기(64)에 유입되어진 액화가스는 버퍼탱크(76)에서 수거되고, 상기 수거된 액화가스는 조절되어 배출구를 통하여 배출된다. 이로 인해 상기와 같은 공정으로 여과되지 않은 액화가스 잔유물의 유출을 방지하여 환경 오염을 방지할 수 있다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가스 공급 시스템 레이아웃을 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 4에 의하면, 먼저, 액화가스 제공부(52)에서 제공된 액화가스가 가스 혼합부(Ampule;56)로 유입된다. 이어서, 캐리어가스 제공부(54)로부터 제공된 캐리어가스(H2)는 가스 혼합부(56)로 유입된다. 유입된 액화가스와 캐리어가스(H2)는 가스 혼합부(56)에서 혼합되어 가스 제거부(Degas box;58)로 유입된다.
상기 가스 제거부(58)로 유입된 액화가스와 캐리어가스(H2)는 반도체 제조공정에 필요한 액화가스만을 챔버로 제공하기 위해 상기 캐리어가스를 분리하고, 분리된 캐리어가스는 가스 제거부(58)와 연결된 제2 진공라인(80b)을 통하여 배기부(70)로 유입되어 배출된다.
그리고, 상기 액화가스는 챔버(60) 내로 유입되어, 반도체 제조 공정에 이용된 후 배기부(70)를 거쳐 외부로 배출된다.
그러나, 반도체 제조 공정 또는 가스공급 시스템에 이상이 생길 때, 상기 가스 제공 시스템은 챔버(60) 내부로 제공되는 액화가스를 가스 배출부(70)로 배출된다. 즉 가스 제공부(50)와 가스 제거부(58)를 연결하는 가스라인(78)에서 분기된 제1 진공라인(80a)을 통하여 가스 제공부(50)에서 제공된 액화가스는 가스 배출부(70)를 통과하여 배출된다.
그리고 가스 제거부(58)와 연결된 제2 진공라인(80b)을 통하여 가스 제거부(58)로 유입된 액화가스는 가스 배출부(70)를 통과하여 배출된다.
그리고, 제1 진공라인(80b) 상에 가스 탐지부(72)가 구비되어 가스 제거부(58)에서 바이패스되어 배출되는 액화가스를 중점적으로 탐지하여 경보를 제공하고, 액화가스의 배출라인 상의 밸브 등을 제어한다.
그리고, 제1 진공라인(80a) 상에 유량제어밸브(74)가 위치하여 제1 진공라인(80a)을 통하여 배출되는 액화가스의 유량을 중심적으로 제어하고, 일정한 배출량을 갖고, 진공펌프(62)를 통하여 버퍼탱크(76)로 유입한다.
이어서, 진공펌프(62)를 통하여 유입되어진 액화가스는 버퍼탱크(76)에서 수거되고, 상기 수거된 액화가스의 배출량이 조절되어 가스 여과기(64)로 유입된다.
이어서, 배출량이 조절된 액화가스는 가스 여과기(64)에서 효과적으로 여과되고, 액화가스 잔유물이 제거상태로 배출구(66)를 통하여 배출된다. 이와 같은 공정으로 여과되지 않은 액화가스 잔유물의 유출을 방지하여 환경 오염을 방지할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 가스 공급 시스템 레이아웃을 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 5에 의하면, 먼저, 액화가스 제공부(52)에서 제공된 액화가스가 가스 혼합부(Ampule;56)로 유입된다. 이어서, 캐리어가스 제공부(54)로부터 제공된 캐리어가스(H2)는 가스 혼합부(56)로 유입된다. 유입된 액화가스와 캐리어가스(H2)는 가스 혼합부(56)에서 혼합되어 가스 제거부(Degas box;58)로 유입된다.
상기 가스 제거부(58)로 유입된 액화가스와 캐리어가스(H2)는 반도체 제조 공정에 필요한 액화가스만을 챔버로 제공하기 위해 상기 캐리어가스를 분리하고, 분리된 캐리어가스는 가스 제거부(58)와 연결된 제2 진공라인(80b)을 통하여 배기부(70)로 유입되어 배출된다.
그리고, 상기 액화가스는 챔버(60) 내로 유입되어, 반도체 제조 공정에 이용된 후 배기부(70)를 거쳐서 외부로 배출된다.
그러나, 반도체 제조 공정 또는 가스공급 시스템에 이상이 생길 때, 상기 가스 제공 시스템은 챔버(60) 내부로 제공되는 액화가스를 가스 배출부(70)로 배출된다. 즉 가스 제공부(50)와 가스 제거부(58)를 연결하는 가스라인(78)에서 분기된제1 진공라인(80a)을 통하여 가스 제공부(50)에서 제공된 액화가스는 가스 배출부(70)를 통과하여 배출된다.
그리고 가스 제거부(58)와 연결된 제2 진공라인(80b)을 통하여 가스 제거부(58)로 유입된 액화가스는 가스 배출부(70)를 통과하여 배출된다.
그리고 제1 진공라인(80a) 및 제2 진공라인(80b)상에 유량제어밸브(74a,74b)가 각 각 위치하여 제1 진공라인(80a) 및 제2 진공라인(80b)을 통하여 바이패스되는 액화가스의 유량을 중심적으로 제어하고, 이로 인해 일정한 배출량을 갖는 액화가스는 가스 탐지부(72)가 위치해 있는 가스라인 상으로 유입된다.
이어서, 일정한 량으로 배출되는 액화가스를 가스 탐지부(72)가 탐지하여 작업자에게 경보를 제공하고, 액화가스의 배출 라인 상의 밸브 등을 제어한다.
이어서, 상기 가스 탐지부(72)를 통과한 액화가스는 유량제어밸브(74c)에 의해 다시 일정한 배출량을 갖고, 진공펌프를 통하여 가스 여과기(64)로 유입된다.
이어서, 가스 여과기(64)로 유입된 액화가스는 효과적으로 여과되어, 액화가스 잔유물이 제거된다.
이어서, 가스 여과기(64)에 유입되어진 액화가스를 수거하면서 상기 여과된 액화가스를 조절하면서 배출구로 배출한다. 상기와 같은 공정으로 여과되지 않은 액화가스 잔유물의 유출을 방지하여 환경 오염을 방지할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 제어 밸브, 가스 탐지부 및 버퍼탱크를 포함하는 가스공급 시스템으로서, 반도체 제조공정의 이상으로 인해 발생되는액화가스의 배출을 효과적으로 탐지하고, 작업자에게 배출되는 액화가스 조절할 수 있도록 경보신호를 제공한다. 그리고, 유량제어밸브를 통과하여 일정 양으로 배출되는 액화가스를 효과적으로 여과할 수 있다. 또한, 액화가스 잔유물이 과다할 경우 수거하여 외부로 방출되는 것을 방지하여 공정 장치의 오염 및 독성물질의 배출로 인한 환경 오염을 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (7)

  1. 반도체 제조 공정에 사용되는 액화 가스를 캐리어 가스와 혼합시켜 챔버로 제공하기 위한 가스 제공부;
    상기 챔버와 가스 제공부를 연결하는 가스라인 상에 구비되고, 상기 혼합된 캐리어 가스를 제거하기 위한 가스 제거부;
    상기 반도체 제조 공정의 이상 발생시 상기 가스라인 및 가스 제거부에서 분기된 진공라인과 연결되고, 상기 진공라인을 통하여 바이패스(by-pass)되는 액화가스를 여과하여 배출시키기 위한 가스 배출부;
    상기 진공라인 상에 구비되고, 상기 바이패스되는 액화가스를 탐지하여 작업자에게 경보를 제공하기 위한 가스 탐지부; 및
    상기 진공라인 상에 구비되고, 상기 바이패스되는 액화 가스 유량을 제어하기 위한 유량제어밸브를 포함하는 가스 제공 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가스 제공부는 반도체 제조 공정에 사용되는 액화가스를 제공하는 액화가스 제공부, 상기 액화가스를 챔버로 이송하기 위한 캐리어가스를 제공하는 캐리어가스 제공부 및 상기 액화가스와 캐리어가스를 혼합하는 가스 혼합부를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 가스 제공 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 진공라인은 상기 가스 제공부 및 가스 제거부를 연결하는 가스라인 상에서 분기되어 있는 제1 진공라인과 상기 가스 제거부 상에서 분기되어 있는 제2 진공라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 제공 시스템.
  4. 제3항에 있어서, 상기 가스라인에는 상기 가스 제공부에서 제공되는 액화가스를 선택적으로 유입 및 유출시키고, 상기 액화가스를 제어하기 위한 연동 밸브가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 가스 제공 시스템.
  5. 제1항에 있어서, 상기 가스 배출부는,
    상기 진공라인의 진공을 유지하고, 상기 액화가스를 배출시키기 위한 진공펌프; 및
    배출되는 액화가스를 여과하는 가스 여과기를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 제공 시스템.
  6. 제6항에 있어서, 상기 가스 배출부는 상기 진공펌프에 의해 배출되는 액화가스를 수거하고, 액화가스의 배출량을 조절하기 위한 버퍼탱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 제공 시스템.
  7. 반도체 제조 공정의 이상시 챔버로 제공되는 액화가스를 진공라인을 통하여 배출시키는 단계;
    상기 배출되는 액화가스를 탐지하여 경보를 제공하는 단계;
    상기 경보를 감지하여 진공라인을 통해 배출되는 액화가스의 배출량 조절하는 단계;
    상기 배출량이 조절된 액화가스를 여과하여 액화가스 잔유물을 제거하는 단계: 및
    상기 여과된 액화가스를 수거하면서 상기 여과된 액화가스를 조절하면서 배출시키는 단계를 포함하는 가스 공급 시스템의 배출 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112051012A (zh) * 2019-06-06 2020-12-08 Asm Ip私人控股有限公司 包括气体检测器的气相反应器系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244120A (ja) * 1993-02-19 1994-09-02 Sony Corp ウエハ処理装置におけるガス供給装置
JPH07299321A (ja) * 1994-05-09 1995-11-14 Niigata Eng Co Ltd ガス回収循環装置
KR0166777B1 (ko) * 1994-11-23 1999-02-01 문정환 가스 배출관 및 그 제어시스템

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244120A (ja) * 1993-02-19 1994-09-02 Sony Corp ウエハ処理装置におけるガス供給装置
JPH07299321A (ja) * 1994-05-09 1995-11-14 Niigata Eng Co Ltd ガス回収循環装置
KR0166777B1 (ko) * 1994-11-23 1999-02-01 문정환 가스 배출관 및 그 제어시스템

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112051012A (zh) * 2019-06-06 2020-12-08 Asm Ip私人控股有限公司 包括气体检测器的气相反应器系统
CN112051013A (zh) * 2019-06-06 2020-12-08 Asm Ip私人控股有限公司 包括分析排出气体的使用气相反应器系统的方法
CN112051013B (zh) * 2019-06-06 2023-09-26 Asm Ip私人控股有限公司 包括分析排出气体的使用气相反应器系统的方法
CN112051012B (zh) * 2019-06-06 2024-04-09 Asmip私人控股有限公司 包括气体检测器的气相反应器系统

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