KR20030083729A - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

플라즈마 처리 장치 Download PDF

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KR20030083729A
KR20030083729A KR10-2003-7011849A KR20037011849A KR20030083729A KR 20030083729 A KR20030083729 A KR 20030083729A KR 20037011849 A KR20037011849 A KR 20037011849A KR 20030083729 A KR20030083729 A KR 20030083729A
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baffle plate
processing apparatus
plasma processing
chamber
electrode
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아오키마코토
요시타카히카루
가토요시히로
아시가키시게오
아베쇼이치
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동경 엘렉트론 주식회사
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Abstract

평행 평판형의 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 배플판(28)을 챔버(2)의 천정(2b)과 측벽(2a)의 사이에 삽입하여 설치한다. 배플판(28)은 챔버(2)의 상부에 플라즈마를 밀폐시키는 동시에, 고주파 전원(27)으로의 리턴 전류의 리턴 경로를 구성한다. 배플판(28)을 흐르는 리턴 전류는 챔버(2)의 천정(2b)을 거쳐 고주파 전원(27)으로 되돌아간다.

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA TREATMENT DEVICE}
반도체 장치, 액정 표시 장치 등의 제조 프로세스에는, 플라즈마를 사용하여 기판에 표면 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치가 사용되고 있다. 플라즈마 처리 장치로는, 예컨대 기판에 에칭 처리를 실시하는 플라즈마 에칭 장치나, 화학적 기상 성장(Chemical Vapor Deposition : CVD) 처리를 실시하는 플라즈마 CVD 장치 등을 들 수 있다. 플라즈마 처리 장치 중에서도, 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치는 처리의 균일성이 우수하고, 또한 장치 구성도 비교적 간단하기 때문에,　　널리 사용되고 있다.
평행 평판형의 플라즈마 처리 장치는, 상하에 평행하게 대향하는 2개의 평판 전극을 구비한다. 하방의 전극(하부 전극)상에는 피처리체인 기판이 탑재된다. 또한, 상방의 전극(상부 전극)에는 고주파 전원이 접속된다. 상부 전극으로의 고주파 전압의 인가에 의해, 상하의 전극 사이의 공간(플라즈마 형성 공간)에 고주파전계가 형성된다. 에칭 가스 등의 처리 가스는 2개의 전극 사이에 공급되어, 고주파 전계에 의해 플라즈마 상태로 된다. 처리 가스의 플라즈마 중의 활성종에 의해, 기판 표면에 소정의 처리가 실시된다.
상기 구성의 플라즈마 처리 장치에 있어서, 처리 가스는 처리중에 항상 공급되고 있고, 발생한 플라즈마는 플라즈마 형성 공간으로부터 유출한다. 플라즈마가 플라즈마 형성 공간에서 신속하게 유출하면, 생성된 플라즈마의 기판으로의 노출 시간이 짧아, 플라즈마의 이용 효율이 저하한다. 이 때문에, 이러한 플라즈마의 유출을 방지하기 위해, 플라즈마를 플라즈마 형성 공간에 밀폐시키는, 소위 배플판이 사용된다.
배플판은 플라즈마 형성 공간으로부터 유출된 가스의 유로를 막도록 설치된다. 배플판에는 슬릿 등의 형상을 갖는 세공(細孔)이 설치되어 있다. 세공은 기체를 도통시키지만, 플라즈마의 통과를 방해한다. 이렇게 하여, 생성된 플라즈마는 배플판에 의해 플라즈마 형성 공간에 밀폐된다.
배플판은 도체로 구성된다. 배플판은 상기한 바와 같이 플라즈마를 밀폐시킬 뿐만 아니라 고주파 전류의 유로로도 기능한다. 즉, 고주파 전원으로부터 흐르는 전류의 일부는 상부 전극, 플라즈마, 배플판, 및 접지된 챔버를 순차적으로 흘러 고주파 전원으로 되돌아간다.
그러나, 통상 배플판은 하부 전극의 하방의 챔버의 측벽에 설치된다. 이러한 챔버 측벽을 경유하는 리턴 경로는 길고, 챔버 부재 사이의 접합부라고 하는 계면(접합면)이 대부분 존재한다. 이와 같이 리턴 경로에 계면이 많으면, 표피 효과에 의한 고주파 전력의 손실이 크다. 이와 같이, 종래의 배플판이 챔버 측벽에 설치된 플라즈마 처리 장치에는 고주파 전력의 이용 효율이 낮다는 문제가 있었다.
발명의 요약
상기 문제를 해결하기 위해서, 본 발명의 목적은 고주파 전력 특성이 높은 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 고주파 전력의 손실의 저감이 가능한 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는, 서로 전기적으로 접속되는 복수의 도전성 부재(2a, 2b)로 구성되는 챔버(2)와, 상기 챔버(2)내에 설치되어, 피처리체가 탑재되는 스테이지(7)와, 상기 스테이지(7)와 대향하도록 상기 복수의 도전성 부재중 1개(2b)에 설치되어, 고주파 전원(27)의 한쪽 단에 접속되는 전극(18)과, 상기 스테이지(7)의 외주를 포위하도록, 상기 전극(18)이 설치된 상기 도전성 부재(2b)에 지지되어 설치되고, 상기 전극(18)으로의 고주파 전압의 인가에 의해 생성된 플라즈마를 상기 피처리체의 근방에 밀폐시키는, 도전성 재료로 구성된 배플판(28)을 구비한다.
상기 구성에 있어서, 상기 배플판(28)은 상기 전극(18)을 지지하는 상기 도전성 부재(2b)와, 상기 도전성 부재(2b)와 인접하는 다른 도전성 부재(2a) 사이에 삽입되어 설치될 수도 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 전극(18)이 설치된 상기 도전성 부재(2b)는 상기 고주파 전원(27)의 다른쪽 단에 접속되고, 상기 배플판(28)은 상기 도전성부재(2b)에 접촉하여 지지될 수도 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는, 서로 전기적으로 접속되는 복수의 도전성 부재(2a, 2b)로 구성되는 챔버(2)와, 상기 챔버(2)내에 설치되어 피처리체가 탑재되는 스테이지(7)와, 상기 스테이지(7)와 대향하도록 상기 복수의 도전성 부재중 1개(2b)에 설치되며, 고주파 전원(27)의 한쪽 단에 접속되는 전극(18)과, 상기 스테이지(7)의 외주를 포위하도록, 상기 전극(18)이 설치된 상기 도전성 부재(2b)에 지지되어 설치되고, 상기 전극(18)으로의 고주파 전압의 인가에 의해 생성된 플라즈마를 상기 피처리체의 근방에 밀폐시키는, 도전성 재료로 구성된 배플판(28)을 구비하며, 상기 전극(18)이 설치된 상기 도전성 부재(2b)는 상기 고주파 전원(27)의 다른쪽 단에 접속되고, 상기 배플판(28)은 상기 도전성 부재(2b)에 접촉하여 지지된다.
상기 구성에 있어서, 상기 배플판(28)은 중심에 상기 스테이지(7)가 관통하는 개구(28b)가 설치된 바닥이 있는 통 형상 부재로 구성될 수도 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 바닥있는 통 형상 부재는 대략 L자 형상의 단부 단면 형상을 갖고, 상기 개구(28b)의 내주는 상기 피처리체의 가장자리의 근방에 배치될 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 바닥있는 통 형상 부재는 대략 J자 형상의 단부 단면 형상을 갖고, 상기 J자형 단부의 바닥부는 상기 전극(18)으로부터 상기 피처리체보다도 이격되어 배치될 수도 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 배플판(28)은 상기 피처리체의 주면에 대하여 대략 수직한 방향으로 연신되는 슬릿(28a)이 형성된 통 형상 부재로 구성될 수도 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 스테이지(7)는 상기 슬릿(28a)의 근방에 단차 부분(31)을 가질 수도 있다.
상기 플라즈마 처리 장치는 또한 상기 배플판(28)과 상기 스테이지(7)를 막도록 설치된 절연 부재(30)를 구비할 수도 있다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 피처리체에 성막 처리, 에칭 처리 등의 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성을 나타내는 도면,
도 2a는 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 배플판의 평면도를 나타내는 도면,
도 2b는 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 배플판의 단면 구성을 나타내는 도면,
도 3은 도 2에 나타내는 배플판을 장착한 상태를 나타내는 도면,
도 4a는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 배플판의 단면 구성을 나타내는 도면,
도 4b는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 배플판을 장착한 상태를 나타내는 도면,
도 5a는 본 발명의 제 2 실시 형태에 따른 배플판의 단면 구성을 나타내는도면,
도 5b는 본 발명의 제 2 실시 형태에 따른 배플판을 장착한 상태를 나타내는 도면,
도 6은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 배플판을 장착한 상태를 나타내는 도면.
본 발명의 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 대하여, 이하 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시 형태에서는, 플라즈마 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치를 예로서 설명한다.
제 1 실시 형태
도 1에 제 1 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)의 구성도가 도시되어 있다.
본 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)는 상하 평행하게 대향하는 전극을 갖는, 소위 평행 평판형 플라즈마 처리 장치로서 구성되고, 반도체 웨이퍼[이하, 웨이퍼(W)]의 표면에 SiOF막 등을 성막하는 기능을 갖는다.
도 1을 참조하면, 플라즈마 처리 장치(1)는 챔버(2)를 갖는다. 챔버(2)는 원통 형상으로 형성되어 있다. 또한, 챔버(2)의 측벽(2a)과 천정(2b)은 분리 가능하고, 나사 등에 의해 일체화된다. 챔버(2)는 알루마이트 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄 등의 도전성 재료로 이루어진다. 또한, 챔버(2)는 접지되어 있다.
챔버(2)의 바닥부에는 배기구(3)가 설치되어 있다. 배기구(3)에는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 구비하는 배기 장치(4)가 접속되어 있다. 배기 장치(4)는 챔버(2)내를 소정의 감압 분위기, 예컨대 0.01㎩ 이하의 소정의 압력까지 배기한다. 또한, 챔버(2)의 측벽(2a)에는 게이트 밸브(5)가 설치되어 있다. 게이트 밸브(5)를 개방한 상태에서, 챔버(2)와 인접하는 로드록실(도시하지 않음)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반입출이 이루어진다.
챔버(2)내의 바닥부에는 대략 원기둥 형상의 서셉터 지지대(6)가 설치되어 있다. 서셉터 지지대(6)상에는 서셉터(7)가 설치되어 있다. 서셉터(7)는 후술하는 바와 같이, 하부 전극으로서 기능한다. 또한, 서셉터 지지대(6)와 서셉터(7)의 사이는 세라믹 등의 절연체(8)에 의해 절연되어 있다. 또한, 서셉터 지지대(6)는 챔버(2)의 하방에 설치된 승강 기구(도시하지 않음)에 샤프트(9)를 거쳐 접속되어, 승강 가능하게 되어 있다.
서셉터 지지대(6)의 하방은 스테인리스 강, 니켈 등으로 이루어지는 벨로우즈(10)로 피복되어 있다. 벨로우즈(10)는 챔버(2)내의 진공 부분과, 대기에 노출되는 부분으로 분리한다. 벨로우즈(10)는 그 상단과 하단이 각각 서셉터 지지대(6)의 하면 및 챔버(2)의 바닥에 나사 고정되어 있다.
서셉터(7)의 내부에는 하부 냉매 유로(11)가 설치되어 있다. 하부 냉매 유로(11)에는 냉매가 순환하고 있다. 하부 냉매 유로(11)를 냉매가 순환함으로써, 서셉터(7) 등은 소망하는 온도로 제어된다.
서셉터(7)는 알루미늄 등의 도체로 구성되어 있다. 서셉터(7)에는 제 1 고주파 전원(12)이 제 1 정합기(13)를 거쳐 접속되어 있다. 제 1 고주파 전원(12)은 0.1~13㎒ 범위의 주파수의 고주파 전압을 서셉터(7)에 인가한다. 이와 같이 구성된 서셉터(7)는 하부 전극으로서 기능한다.
서셉터(7)상에는 히터층(14)이 설치되어 있다. 히터층(14)은 세라믹 등의 판 형상의 절연체로 구성된다. 히터층(14)의 내부에는 도시하지 않은 저항체가 내장되고, 저항체에 전압을 인가함으로써 가열 가능하게 되어 있다. 히터층(14)에 의해 웨이퍼(W)는 소정의 프로세스 온도로 가열된다.
히터층(14)상에는 판 형상의 정전 척(15)이 설치되어 있다. 정전 척(15)은 웨이퍼(W)의 탑재면을 구성한다. 정전 척(15)은 도시하지 않은 전극이 유전체가 피복된 구성을 갖는다. 전극으로의 직류 전압의 인가에 의해, 정전 척(15)상의 웨이퍼(W)는 정전기력에 의해 흡착 유지된다.
서셉터(7)의 가장자리에는, 정전 척(15) 및 히터층(14)을 둘러싸도록 링 형상의 포커스 링(16)이 설치되어 있다. 포커스 링(16)은 질화 알루미늄 등의 세라믹 절연체로 구성되어 있다. 포커스 링(16)은 플라즈마를 그 내측에 집적하여, 웨이퍼(W) 표면으로의 플라즈마 활성종의 입사 효율을 높인다.
여기서, 포커스 링(16)의 상부는 정전 척(15)의 웨이퍼(W)의 탑재면보다도 낮게 구성되어 있다. 이로써, 후술하는 배플판의 주요면과 웨이퍼(W)의 탑재면은 거의 동일 평면상에 배치된다.
서셉터(7), 히터층(14), 정전 척(15) 등은 이것들을 관통하여 리프트 핀(17)이 승강 가능하게 구성되어 있다. 리프트 핀(17)은 정전 척(15)의 탑재면 위로 돌출하고, 또한 탑재면 밑으로 매몰 가능하게 되어 있다. 리프트 핀(17)의 승강 동작에 의해 웨이퍼(W)의 주고받음이 실행된다.
서셉터(7)의 상방에는, 이 서셉터(7)와 평행하게 대향하여 상부 전극(18)이 설치되어 있다. 상부 전극(18)의 서셉터(7)와의 대향면에는 다수의 가스 구멍(19)을 갖는다. 알루미늄 등으로 이루어지는 원판 형상의 전극판(20)이 구비되어 있다. 전극판(20)은 그 가장자리에 있어서 도시하지 않은 나사에 의해 고정되어 있다.
전극판(20)의 나사 고정 부분은 세라믹 등의 절연체로 구성되는 고리 형상의 실드 링(21)에 의해 피복되어 있다. 실드 링(21)은 그 대략 중앙에 전극판(20)이 노출되고, 그 이외의 챔버(2)의 천정(2b) 거의 전체를 피복하도록 형성되어 있다. 실드 링(21)은 챔버(2)의 천정(2b)의 주변부에 고정되어 있다. 실드 링(21)은 나사 고정 부분을 포함하는 챔버(2)의 천정(2b) 부근에 평탄면을 형성하여, 이상 방전의 발생을 방지한다.
또한, 상부 전극(18)은 절연재(22)를 거쳐 챔버(2)의 천정(2b) 부분에 지지되어 있다. 상부 전극(18)의 내부에는 상부 냉매 유로(23)가 설치되어 있다. 상부 냉매 유로(23)에는 냉매가 도입되어 순환하여, 상부 전극(18)은 소망하는 온도로 제어된다.
또한, 상부 전극(18)에는 가스 공급부(24)가 구비되고, 가스 공급부(24)는 챔버(2)의 외부의 처리 가스 공급원(25)과 접속되어 있다. 처리 가스 공급원(25)으로부터의 처리 가스는 가스 공급부(24)를 거쳐 상부 전극(18)의 내부에 형성된중공부(도시하지 않음)에 공급된다. 상부 전극(18)내에 공급된 처리 가스는 중공부에서 확산되어, 상부 전극(18)의 하면에 구비된 가스 구멍(19)으로부터 웨이퍼(W)로 토출된다. 처리 가스로는 SiOF막의 성막에 종래 사용되고 있는 각종의 것을 채용할 수 있고, 예컨대 SiF4, SiH4, O2, NF3, NH3가스와 희석 가스로서의 Ar 가스를 사용할 수 있다.
상부 전극(18)에는 제 2 정합기(26)를 거쳐 제 2 고주파 전원(27)이 접속되어 있다. 제 2 고주파 전원(27)은 13~150㎒ 범위의 주파수를 갖고 있고, 이와 같이 높은 주파수를 인가함으로써, 챔버(2)내에 바람직한 해리 상태이며, 또한 고밀도의 플라즈마를 형성한다.
또한, 챔버(2)의 천정(2b)과 측벽(2a)의 결합 부분에는 배플판(28)이 삽입되고, 예컨대 삽입 설치되어 있다. 배플판(28)은 알루마이트 처리된 알루미늄 등의 도체로 구성된다. 배플판(28)은 미세한 폭을 갖는 세공(28a)을 구비한다. 세공(28a)은 기체 도통 가능하지만, 플라즈마의 통과를 방해한다. 따라서, 서셉터(7)와 상부 전극(18)의 사이에 생성된 처리 가스의 플라즈마는, 챔버(2)의 상부와 배플판(28)의 사이[웨이퍼(W)의 근방]에 밀폐된다.
도 2a 및 도 2b는 배플판(28)의 상면도 및 단면도를 각각 나타낸다. 도 2a에 도시하는 바와 같이, 배플판(28)의 중심에는 개구(28b)가 설치되고, 그 주위에는 세공(28a)이 방사상으로 복수개 설치되어 있다. 여기서, 세공(28a)은 배플판(28)의 주면에 대하여 수직 방향으로 뚫린, 가늘고 긴 형상의 세공이다. 또한, 세공(28a)의 폭은 플라즈마의 통과를 방해하면서 기체 도통 가능하도록, 0.8㎜~1㎜ 정도로 되어 있다.
또한, 도 2b에 도시하는 바와 같이, 배플판(28)은 단부의 단면이 L자형의 바닥있는 원통 형상 부재로 구성되어 있다. 여기서, 개구(28b)는 웨이퍼(W)의 면적과 거의 동일한 면적을 갖는다. 처리 동작시에는, 개구(28b)의 내주 가장자리는 서셉터(7)상에 탑재된 웨이퍼(W)의 외주 가장자리에 근접한 위치에 배치된다. 또한, 배플판(28)의 세공(28a)의 형성면은 웨이퍼(W)의 탑재면과 거의 동일 평면상에 있도록 배치된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 처리면은, 배플판(28)의 개구(28b)에 있어서 노출하고, 서셉터(7)와 상부 전극(18)의 사이에서 생성된 플라즈마에 노출된다. 이 때, 플라즈마의 생성하는 공간은 챔버(2)의 천정(2b)과, 전극판(20)과, 웨이퍼(W)와, 배플판(28)에 의해 획정된다.
도 3에 배플판(28)을 플라즈마 처리 장치(1)내에 장착한 상태를 나타낸다. 도면에 도시되는 바와 같이, 배플판(28)은 챔버(2)의 측벽(2a)과 천정(2b)에 삽입되고, 나사(도시하지 않음)로 고정되어 있다. 이로써, 챔버(2)의 측벽(2a)과, 천정(2b)과, 배플판(28)은 전기적으로 접속된다.
또한, 배플판(28)의 L자형 단부의 측면은 챔버(2)의 측벽(2a)을 따라 배치되어 있고, 이 때문에 챔버(2)의 측벽(2a)은 플라즈마로부터 보호된다. 한편, L자형 단부의 바닥부[세공(28a)의 형성면]는, 정전 척(15)상의 웨이퍼(W)와 거의 동일 평면상에 있도록 배치된다. 또한, 바닥부는 정전 척(15) 및 포커스 링(16)으로부터 1~3㎜ 정도 이격되어 있다. 또한, 배플판(28)은 포커스 링(16)과 접하고 있을 수도 있다.
배플판(28)은 도체로 이루어지고, 상부 전극(18)에 인가된 고주파 전력에 의해 생성된 고주파 전류의 리턴 전류의 일부는, 표피 효과에 의해 배플판(28)의 표면을 흐른다. 배플판(28)을 경유하는 제 2 고주파 전원(27)으로의 리턴 전류의 경로를 도 3의 화살표(I)로 나타낸다. 화살표(I)로 도시하는 바와 같이, 리턴 전류는 배플판(28)의 표면을 흘러, 챔버(2)의 측벽(2a)과 천정(2b)의 결합부로 흐른다. 챔버(2)는 접지 전위로 되어 있고, 리턴 전류는 글랜드(gland)로부터 제 2 고주파 전원(27)으로 되돌아간다.
상기한 배플판(28)을 통과하는 리턴 전류의 경로는 상부 전극(18)과 동일한 챔버(2)의 천정(2b), 즉 제 2 고주파 전원(27)의 근처에 직접 접속되기 때문에, 예컨대 종래와 같이 챔버(2)의 측벽(2a)에 배플판을 설치한 경우에 있어서보다도 실질적으로 짧다.
또한, 챔버(2)의 측벽(2a)에 배플판(28)을 설치한 경우에는, 통상 배플판(28)은 챔버(2)의 측벽(2a)을 상하로 분할하여 삽입 설치되고, 배플판(28)의 설치 부분에는 계면이 형성된다. 이 때문에, 리턴 경로상의 계면이 증가한다. 경로상에 존재하는 계면이 적을수록 표피 효과에 의한 고주파 전력의 손실이 적기 때문에, 배플판(28)을 챔버(2)의 천정(2b)과 측벽(2a)의 사이에 설치한 구성에 의하면, 고주파 전력의 이용 효율이 높은 플라즈마 처리가 가능해진다. 또한, 배플판(28)에 의해 챔버(2)의 측벽(2a)은 플라즈마로부터 보호할 수 있다.
이하, 상기 구성의 플라즈마 처리 장치(1)의 웨이퍼(W)에 SiOF막을 성막하는경우의 동작에 대하여, 도 1을 참조하여 설명한다.
우선, 도시하지 않은 승강 기구에 의해 서셉터 지지대(6)는 웨이퍼(W)의 반입이 가능한 위치로 이동되고, 게이트 밸브(5)의 개방 후, 웨이퍼(W)는, 도시하지 않은 반송 아암에 의해 챔버(2)내로 반입된다. 웨이퍼(W)는 서셉터(7)를 관통하여 돌출된 상태의 리프트 핀(17)상에 탑재된다. 이어서, 리프트 핀(17)의 강하에 의해 웨이퍼(W)는 정전 척(15)상에 탑재되고, 그 후 정전 흡착된다. 이어서, 게이트 밸브(5)는 폐쇄되고, 배기 장치(4)에 의해 챔버(2)내는 소정의 진공도까지 배기된다. 그 후, 서셉터 지지대(6)는 도시하지 않은 승강 기구에 의해 처리 위치까지 상승한다.
이 상태에서, 하부 냉매 유로(11)에 냉매를 통류시켜서 서셉터(7)를 소정의 온도, 예컨대 50℃로 제어하는 동시에, 배기 장치(4)에 의해 배기구(3)를 거쳐 챔버(2)내를 배기하여 고진공 상태, 예컨대 0.01㎩로 한다.
그 후, 처리 가스 공급원(25)으로부터 처리 가스, 예컨대 SiF4, SiH4, O2, NF3, NH3가스, 희석 가스로서의 Ar 가스가 소정의 유량으로 제어되어 챔버(2)내에 공급된다. 상부 전극(18)에 공급된 처리 가스 및 캐리어 가스는 전극판(20)의 가스 구멍(19)으로부터 웨이퍼(W)를 향해 균일하게 토출된다.
그 후, 제 2 고주파 전원(27)으로부터, 예컨대 50~150㎒의 고주파 전력이 상부 전극(18)에 인가된다. 이로써, 상부 전극(18)과 하부 전극으로서의 서셉터(7)의 사이에 고주파 전계가 발생되어, 상부 전극(18)으로부터 공급된 처리 가스가 플라즈마화된다. 그 밖에, 제 1 고주파 전원(12)으로부터는, 예컨대 1~4㎒의 고주파 전력이 하부 전극인 서셉터(7)에 인가된다. 이로써, 플라즈마중의 활성종이 서셉터(7)측으로 인입되고, 웨이퍼(W) 표면 근방의 플라즈마 밀도가 높여진다. 이러한 상하 전극(7, 18)으로의 고주파 전력의 인가에 의해, 처리 가스의 플라즈마가 생성되어, 이 플라즈마에 의한 웨이퍼(W)의 표면에서의 화학 반응에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 SiOF막이 형성된다.
이상 설명한 바와 같이, 제 1 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서는 플라즈마를 웨이퍼(W)의 근방에 밀폐시키기 위한 배플판(28)을, 챔버(2)의 천정(2b)과 측벽(2a)의 사이에 설치하고 있다. 이로써, 배플판(28)상을 흐르는 제 2 고주파 전원(27)으로의 리턴 전류는 실질적으로 짧고, 계면이 적은 경로를 통과하여 제 2 고주파 전원(27)으로 리턴될 수 있다. 따라서, 표피 효과에 의한 고주파 전력의 손실을 저감시킨, 고주파 전력의 이용 효율이 높은 플라즈마 처리가 가능해진다.
상기 제 1 실시 형태에서는, 배플판(28)의 바닥부는 정전 척(15)상에 탑재된 웨이퍼(W)와 거의 동일 평면을 구성하는 것으로 했다. 그러나, 이에 한정하지 않고, 배플판(28)의 하면 위치는 웨이퍼(W)에 근접하여 플라즈마를 효과적으로 웨이퍼(W)의 근방에 밀폐시키는 구성이면 어떤 것이어도 무방하다.
상기 제 1 실시 형태에서는, 배플판(28)은, 도 2a에 도시하는 바와 같은, 단부의 단면이 L자형인 것으로 했다. 그러나, 배플판(28)의 형상은 이에 한정하지 않고, 챔버(2)의 천정(2b)에 고정 가능하고, 고주파 전류의 리턴 전류의 경로가 짧은 것이면 어떤 것이어도 무방하다.
예컨대, 도 4a에 도시하는 바와 같은, 단부의 단면 형상이 J자형을 나타내는 배플판(28)도 가능하다. 배플판(28)은, 상술한 L자형 배플판(28)과 같이, 단부에 세공(28a)을 구비하고, 중심에 개구(28b)가 설치된 구조를 갖는 바닥이 있는 원통 형상 부재이다. 배플판(28)은, 예컨대 챔버(2)의 천정(2b)과 측벽(2a)의 사이에 나사 고정된다.
도 4b에는 도 4a에 도시하는 배플판(28)을 장착한 도면이 도시되어 있다. 도 4b에 도시하는 구성에서는, 서셉터(7)의 상방은 얇은 판 형상의 세라믹 등으로 구성되는 절연 부재(30)에 의해 피복되어 있다. 절연 부재(30)는 바닥이 있는 원통 형상으로 형성되어 있다. 절연 부재(30)의 바닥부에는 웨이퍼(W)와 거의 동일한 직경의 개구가 형성되고, 또한 원통부의 내경은 서셉터(7)의 외경과 거의 동일하게 되어 있다. 절연 부재(30)는 개구내에 웨이퍼(W)가 노출하도록, 서셉터(7)의 상방에 덮여지게 설치된다.
배플판(28)의 개구(28b)는 절연 부재(30)의 외경보다도 큰 직경으로 되고, 단부의 J자형 구조의 내측 측벽(2a)은 서셉터(7)의 외주로부터 1㎜~3㎜ 정도 이격되어 배치되어 있다. J자형 부분의 2개의 측벽(2a)에 둘러싸인 바닥부에는 세공(28a)이 형성되어 있다. 세공(28a)의 형성면은 웨이퍼(W)의 탑재 위치보다도 하방의 배기측에 배치되어 있다.
이와 같이, 단부 단면을 J자형으로 함으로써, 플라즈마 생성 공간을 넓힐 수 있어, 소망하는 플라즈마 밀도 또는 반응 압력을 얻을 수 있다.
또한, J자형 배플판(28)에 있어서도, 챔버(2)의 천정(2b)과 측벽(2a)의 사이에 설치되기 때문에, 고주파 전류의 리턴 경로는 짧고 또한 계면이 적은 것으로 된다. 따라서, 고주파 전력의 이용 효율이 높은 것을 비롯하여 L자형 배플판(28)과 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 절연 부재(30)에 의해 배플판(28)과 서셉터(7)의 사이의 단락은 방지된다.
또한, 상기 제 1 실시 형태에서는, 피처리체인 웨이퍼(W)는 처리시에 회전하지 않는 것이지만, 이 경우, 서셉터(7) 또는 서셉터(7) 지지대에 배플판(28)을 설치하도록 할 수도 있다.
상기 제 1 실시 형태에서는, 배플판(28)에 형성되는 세공(28a)은 가늘고 긴 형상(슬릿 형상)의 것으로 했다. 그러나, 세공(28a)의 형상은 이에 한정하지 않고, 기체 도통 가능한 동시에, 플라즈마의 밀폐가 가능한 것이면 어떤 것이어도 무방하다. 예컨대, 세공(28a)은 원형 홀 형상, 벌집 형상 등일 수도 있다.
제 2 실시 형태
이하, 본 발명에 따른 제 2 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 도면중 도 4b와 동일한 것에는 동일한 부호를 붙인다.
도 5a에 제 2 실시 형태에 따른 배플판(28)의 구조를 나타낸다. 도 5a에 도시하는 바와 같이, 배플판(28)은 알루미늄 등의 도체로 이루어지는 원통 형상 부재로 구성되어 있다. 배플판(28)은 세공(28a)을 구비하는 원통부(28b)를 갖는다.
세공(28a)은 배플판(28)의 주면에 대하여 수직 방향으로 뚫린 가늘고 긴 형상을 갖는다. 또한, 세공(28a)의 폭은 플라즈마의 통과를 방해하면서 기체 도통가능하도록 0.8㎜~1㎜ 정도로 되어 있다. 세공(28a)은 원통부(28b)의 측면상에 원통부(28b)의 원통의 형성 방향[후술하는 바와 같이, 서셉터(7)의 주면에 수직한 방향]으로, 예컨대 5㎝ 정도 형성되어 있다.
도 5b에 배플판(28)을 플라즈마 처리 장치(1)에 설치한 예를 나타낸다. 도면에 도시하는 구성에서는, 도 4b에 도시하는 구성과 같이, 서셉터(7)의 상방은 바닥이 있는 원통 형상의 절연 부재(30)에 의해 피복되어 있다. 절연 부재(30)는 배플판(28)과 서셉터(7)의 사이의 단락을 방지하는 등의 기능을 갖는다.
배플판(28)은 챔버(2)의 측벽(2a)과 천정(2b)의 사이의 결합 부분에 삽입 설치된다. 원통 형상의 배플판(28)은 마찬가지로 절연 부재(30)의 외주를 둘러싸도록 배치된다. 원통부(28b)는 절연 부재(30)의 외경보다도 1㎜~3㎜ 정도 대직경으로 되어 있다.
고주파 전류의 리턴 전류는 배플판(28)을 흘러 챔버(2)의 천정(2b)과 측벽(2a)의 결합 부분으로부터 글랜드로 흐른다. 이와 같이, 리턴 전류는 실질적으로 짧고 또한 계면이 적은 경로를 거쳐 제 2 고주파 전원(27)으로 리턴된다.
또한, 서셉터(7)의 상부의 세공(28a)이 형성되어 있는 영역의 근방에서는, 서셉터(7)의 하방 부분과 비교하여 외경이 작은 단차 부분(31)이 설치되어 있다. 단차 부분(31)은 세공(28a)이 서셉터(7) 등에 의해 밀폐되지 않도록 설치되어 있다.
여기서, 세공(28a)의 원통부(28b)의 연신 방향[서셉터(7)의 주면에 수직한 방향]에 어떤 길이라도 형성할 수 있다. 따라서, 단차 부분(31)의 형성 영역을 적절히 조정함으로써, 세공(28a)을 통과하는 기체의 도통성(컨덕턴스)을 소망하는 바와 같이 충분히 확보할 수 있다.
이와 같이, 상기 제 2 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서는, 배플판(28)상을 흐르는 제 2 고주파 전원(27)으로의 리턴 전류는 실질적으로 짧고 계면이 적은 경로를 통과하여 제 2 고주파 전원(27)으로 리턴될 수 있다. 따라서, 표피 효과에 의한 고주파 전력의 손실을 저감시킨 고주파 전력의 이용 효율이 높은 플라즈마 처리가 가능해진다.
또한, 배플판(28)이 구비하는 세공(28a)의 길이는 원통부(28b)를 따라 소망하는 바와 같이 길게 할 수 있다. 따라서, 서셉터(7)의 주면에 대하여 수평 방향에 슬릿을 설치한 경우 등과 같이, 슬릿의 길이가 챔버(2)의 측벽(2a)과 절연 부재(30)[혹은 서셉터(7)]의 사이의 거리로 한정되지 않는다. 이와 같이, 슬릿을 수직 방향으로 형성하여 구성함으로써, 슬릿 길이를 적절한 길이로 하여, 플라즈마 생성 영역을 소망하는 압력으로 할 수 있다.
상기 제 2 실시 형태에 있어서는, 배플판(28)의 형상을 다른 형상, 예컨대 도 6에 도시하는 바와 같은 형상으로 할 수도 있다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 배플판(28)은 그 세공(28a)의 하방 부분이 단차 부분(31)으로 굴절하는 형상으로 되어 있다. 이 구성에 의하면, 배플판(28)의 세공(28a) 부분의 강도가 높아지는 등의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 단차 부분(31)의 형성 영역에 대해서도, 상기 예에 한정되지 않고, 웨이퍼(W)의 근방에 소망하는 컨덕턴스가 얻어지는 공간을 형성하는 것이 가능하면,어떻게 형성하여도 무방하다.
상기 제 1 및 제 2 실시 형태에서는, 배플판(28)은 챔버의 측벽(2a)과 천정(2b)의 사이에 삽입되는 구성으로 했다. 그러나, 배플판(28)이 챔버(2)의 천정(2b)과 직접 접촉하는 구성이면, 배플판(28)은 어떻게 지지되어 있어도 무방하다.
상기 제 1 및 제 2 실시 형태에서는, 슬릿 형상의 세공 또는 슬릿은 배플판의 주면에 대하여 수직으로 뚫려 있는 것으로 했다. 그러나, 이에 한정하지 않고, 주면에 대하여 경사지게 뚫린 것, 테이퍼 형상으로 뚫린 것 등, 플라즈마의 통과를 억제하는 동시에 소망하는 컨덕턴스를 얻을 수 있는 것이면 어떤 구성이어도 무방하다.
상기 제 1 및 제 2 실시 형태에서는, 서셉터(7)의 상방에 절연 부재(30)를 설치하는 구성으로 했다. 그러나, 절연 부재(30)를 설치하지 않는 구성으로 할 수도 있다.
상기 제 1 및 제 2 실시 형태에 있어서, 배플판(28)은 챔버(2)의 측벽(2a)에 직접 접하는 구조로 했다. 그러나, 배플판(28)의 측면과 챔버(2)의 측벽(2a)의 사이에 세라믹 등의 절연재를 구비한 구조로 할 수도 있다. 이와 같이, 챔버(2)의 측벽(2a)과 배플판(28)의 전기적 접촉을 제한함으로써, 또한 고주파 전력의 손실을 저감시킬 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 실시 형태에서는, 배플판(28)은 알루마이트 처리된 알루미늄으로 구성되는 것으로 했지만, 배플판(28)의 재질은 이에 한정되지 않고, 알루미나, 이트리아 등, 플라즈마 내성이 높은 도체 재료이면 어떤 것이어도 무방하다. 이로써, 배플판(28)의 높은 플라즈마 내성이 얻어져, 플라즈마 처리 장치(1) 전체의 높은 보수성이 얻어진다.
상기 실시 형태에서는, 반도체 웨이퍼에 SiOF막을 성막하는 처리를 실시하는 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치에 대하여 설명했다. 그러나, 피처리체는 반도체 웨이퍼에 한정하지 않고, 액정 표시 장치 등에 사용할 수도 있다. 또한, 성막되는 막은 SiO2, SiN, SiC, SiCOH, CF막 등 어떤 것이어도 무방하다. 또한, 성막에 사용하는 가스에 대해서도, 상기 예에 한정되지 않는다.
또한, 피처리체에 실시되는 플라즈마 처리는 성막 처리에 한정하지 않고, 에칭 처리 등에도 사용할 수 있다. 또한, 플라즈마 처리 장치로는 평행 평판형에 한정하지 않고, 마그네트론형, ECR형, ICP형 등 어떤 것이어도 무방하다.
본 발명은 플라즈마를 사용하여 피처리체에 플라즈마 에칭, 플라즈마 CVD 등의 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치에 적절히 적용 가능하다.

Claims (10)

  1. 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    서로 전기적으로 접속되는 복수의 도전성 부재(2a, 2b)로 구성되는 챔버(2)와,
    상기 챔버(2) 내에 설치되어, 피처리체가 탑재되는 스테이지(7)와,
    상기 스테이지(7)와 대향하도록 상기 복수의 도전성 부재중 1개(2b)에 설치되고, 고주파 전원(27)의 한쪽 단에 접속되는 전극(18)과,
    상기 스테이지(7)의 외주를 포위하도록, 상기 전극(18)이 설치된 상기 도전성 부재(2b)에 지지되어 설치되고, 상기 전극(18)으로의 고주파 전압의 인가에 의해 생성된 플라즈마를 상기 피처리체의 근방에 밀폐시키는, 도전성 재료로 구성된 배플판(28)을 구비하는
    플라즈마 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 배플판(28)은 상기 전극(18)을 지지하는 상기 도전성 부재(2b)와, 상기 도전성 부재(2b)와 인접하는 다른 도전성 부재(2a)의 사이에 삽입되어 설치되는
    플라즈마 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극(18)이 설치된 상기 도전성 부재(2b)는 상기 고주파 전원(27)의 다른쪽 단에 접속되고, 상기 배플판(28)은 상기 도전성 부재(2b)에 접촉하여 지지되는
    플라즈마 처리 장치.
  4. 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    서로 전기적으로 접속되는 복수의 도전성 부재(2a, 2b)로 구성되는 챔버(2)와,
    상기 챔버(2)내에 설치되고, 피처리체가 탑재되는 스테이지(7)와,
    상기 스테이지(7)와 대향하도록 상기 복수의 도전성 부재중 1개(2b)에 설치되어, 고주파 전원(27)의 한쪽 단에 접속되는 전극(18)과,
    상기 스테이지(7)의 외주를 포위하도록, 상기 전극(18)이 설치된 상기 도전성 부재(2b)에 지지되어 설치되고, 상기 전극(18)으로의 고주파 전압의 인가에 의해 생성된 플라즈마를 상기 피처리체의 근방에 밀폐시키는, 도전성 재료로 구성된 배플판(28)을 구비하고,
    상기 전극(18)이 설치된 상기 도전성 부재(2b)는 상기 고주파 전원(27)의 다른쪽 단에 접속되고, 상기 배플판(28)은 상기 도전성 부재(2b)에 접촉하여 지지되는
    플라즈마 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 배플판(28)은 중심에 상기 스테이지(7)가 관통하는 개구(28b)가 설치된 바닥이 있는 통 형상 부재로 구성되는
    플라즈마 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 바닥이 있는 통 형상 부재는 대략 L자 형상의 단부 단면 형상을 갖고, 상기 개구(28b)의 내주는 상기 피처리체의 가장자리의 근방에 배치되는
    플라즈마 처리 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 바닥이 있는 통 형상 부재는 대략 J자 형상의 단부 단면 형상을 갖고, 상기 J자형 단부의 바닥부는 상기 전극(18)으로부터 상기 피처리체보다도 이격되어 배치되는
    플라즈마 처리 장치.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 배플판(28)은 상기 피처리체의 주면에 대하여 대략 수직한 방향으로 연신하는 슬릿(28a)이 형성된 통 형상 부재로 구성되는
    플라즈마 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 스테이지(7)는 상기 슬릿(28a)의 근방에 단차 부분(31)을 갖는
    플라즈마 처리 장치.
  10. 제 4 항에 있어서,
    상기 배플판(28)과 상기 스테이지(7)를 막도록 설치된 절연 부재(30)를 구비하는
    플라즈마 처리 장치.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008120946A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-09 Sosul Co., Ltd. Apparatus for supporting substrate and plasma etching apparatus having the same
KR100984776B1 (ko) * 2007-07-26 2010-10-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 전기적 우회 요소를 이용하여 감소된 전기적 스큐를 갖는플라즈마 반응기
KR101063197B1 (ko) * 2004-06-25 2011-09-07 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 제조용 플라즈마 화학기상증착장치
KR101276565B1 (ko) * 2006-05-19 2013-06-19 주식회사 원익아이피에스 진공처리장치
KR20200077680A (ko) * 2018-12-20 2020-07-01 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시 장치 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100465877B1 (ko) * 2002-08-23 2005-01-13 삼성전자주식회사 반도체 식각 장치
US7578945B2 (en) * 2004-09-27 2009-08-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for tuning a set of plasma processing steps
JP2006128529A (ja) * 2004-11-01 2006-05-18 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
DE102006022799A1 (de) * 2006-05-10 2007-11-15 Forschungs- Und Applikationslabor Plasmatechnik Gmbh Dresden Vorrichtung zur plasmagestützten chemischen Oberflächenbehandlung von Substraten im Vakuum
US7722778B2 (en) * 2006-06-28 2010-05-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for sensing unconfinement in a plasma processing chamber
JP4961948B2 (ja) * 2006-10-27 2012-06-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びに記憶媒体
US7780866B2 (en) * 2006-11-15 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Method of plasma confinement for enhancing magnetic control of plasma radial distribution
US20080110567A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-15 Miller Matthew L Plasma confinement baffle and flow equalizer for enhanced magnetic control of plasma radial distribution
US7968469B2 (en) * 2007-01-30 2011-06-28 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece in a plasma reactor with variable height ground return path to control plasma ion density uniformity
KR101374583B1 (ko) * 2007-03-01 2014-03-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ｒｆ 셔터
US20090025879A1 (en) * 2007-07-26 2009-01-29 Shahid Rauf Plasma reactor with reduced electrical skew using a conductive baffle
US20090188625A1 (en) * 2008-01-28 2009-07-30 Carducci James D Etching chamber having flow equalizer and lower liner
US8438990B2 (en) * 2008-09-30 2013-05-14 Applied Materials, Inc. Multi-electrode PECVD source
JPWO2010079740A1 (ja) * 2009-01-09 2012-06-21 株式会社アルバック プラズマ処理装置
US9337004B2 (en) * 2009-04-06 2016-05-10 Lam Research Corporation Grounded confinement ring having large surface area
KR102285582B1 (ko) * 2009-08-31 2021-08-03 램 리써치 코포레이션 무선 주파수 (ｒｆ) 접지 복귀 장치들
US8802545B2 (en) 2011-03-14 2014-08-12 Plasma-Therm Llc Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer
CN102747339A (zh) * 2011-04-22 2012-10-24 英属开曼群岛商精曜有限公司 等离子体辅助式化学气相沉积装置
US9184029B2 (en) * 2013-09-03 2015-11-10 Lam Research Corporation System, method and apparatus for coordinating pressure pulses and RF modulation in a small volume confined process reactor
JP6438320B2 (ja) * 2014-06-19 2018-12-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6523714B2 (ja) 2015-03-05 2019-06-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6570993B2 (ja) * 2015-12-16 2019-09-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR101771901B1 (ko) * 2016-05-11 2017-08-28 주식회사 테스 기판처리장치
JP6683575B2 (ja) * 2016-09-01 2020-04-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10388558B2 (en) 2016-12-05 2019-08-20 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP2019009185A (ja) * 2017-06-21 2019-01-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN108807127B (zh) * 2018-06-01 2020-03-31 北京北方华创微电子装备有限公司 上电极组件、反应腔室以及原子层沉积设备
US11127572B2 (en) * 2018-08-07 2021-09-21 Silfex, Inc. L-shaped plasma confinement ring for plasma chambers
CN111326389B (zh) * 2018-12-17 2023-06-16 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种电容耦合等离子体刻蚀设备
KR20220039789A (ko) * 2019-08-02 2022-03-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 라디오 주파수 전력 리턴 경로
CN113707528B (zh) 2020-05-22 2023-03-31 江苏鲁汶仪器股份有限公司 一种离子源挡片、离子刻蚀机及其使用方法
WO2022211816A1 (en) * 2021-04-01 2022-10-06 Applied Materials, Inc. Ground return for thin film formation using plasma

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3029494B2 (ja) * 1991-10-31 2000-04-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ装置
US5900103A (en) * 1994-04-20 1999-05-04 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
TW434745B (en) * 1995-06-07 2001-05-16 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus
KR100197649B1 (ko) * 1995-09-29 1999-06-15 김영환 박막 증착장치
EP0821395A3 (en) * 1996-07-19 1998-03-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP2001077088A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101063197B1 (ko) * 2004-06-25 2011-09-07 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 제조용 플라즈마 화학기상증착장치
KR101276565B1 (ko) * 2006-05-19 2013-06-19 주식회사 원익아이피에스 진공처리장치
WO2008120946A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-09 Sosul Co., Ltd. Apparatus for supporting substrate and plasma etching apparatus having the same
US8980049B2 (en) 2007-04-02 2015-03-17 Charm Engineering Co., Ltd. Apparatus for supporting substrate and plasma etching apparatus having the same
KR100984776B1 (ko) * 2007-07-26 2010-10-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 전기적 우회 요소를 이용하여 감소된 전기적 스큐를 갖는플라즈마 반응기
US7988815B2 (en) 2007-07-26 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with reduced electrical skew using electrical bypass elements
KR20200077680A (ko) * 2018-12-20 2020-07-01 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시 장치 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법

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