KR20030081970A - 액정표시소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 검사공정시 투명도전막의 단선을 방지할 수 있는 액정표시소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 액정표시소자는 다수의 신호라인들과, 신호라인들의 끝단으로부터 소정 거리만큼 이격된 위치에서 신호라인들 각각에 형성되며 접촉홀이 형성되는 접속부와 상기 접촉홀이 배제된 비접속부를 가지는 테스트단자와, 비접속부 상에 접촉되어 신호라인들의 전기적 특성검사를 실시하는 측정단자를 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

액정표시소자{Liquid Crystal Display Device}
본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 검사공정시 투명도전막의 단선을 방지할 수 있는 액정표시소자에 관한 것이다.
액정표시소자는 소형 및 박형화와 저전력 소모의 장점을 가지며, 노트북 PC, 사무 자동화 기기, 오디오/비디오 기기 등으로 이용되고 있다. 특히, 스위치 소자로서 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하 "TFT"라 함)가 이용되는 액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자는 동적인 이미지를 표시하기에 적합하다.
액정표시소자는 도 1에 도시된 바와 같이 데이터라인(4)과 게이트라인(2)의 교차부에 위치하는 TFT와, TFT의 드레인전극(10)에 접속되는 화소전극(20)과, 데이터라인(4) 및 게이트라인(2)의 일측단에 형성되는 게이트패드부(GP) 및 데이터패드부(DP)와, 게이트라인(2) 및 데이터라인(4)의 시작점과 끝점에 각각 위치하는 제1 및 제2 테스트패드부(TP1,TP2)를 구비한다.
TFT는 게이트라인(2)에 연결되는 게이트전극(6)과, 데이터라인(4)에 연결되는 소스전극(10)과, 화소전극(20)에 접속되는 드레인전극(10)을 구비한다. 이러한 TFT는 게이트라인(2)으로부터의 스캔신호에 응답하여 데이터라인(4)으로부터 액정셀쪽으로 전송될 데이터신호를 절환하는 역할을 하게 된다.
화소전극(20)은 데이터라인(4)과 게이트라인(2)에 의해 분할된 셀 영역에 위치하며 광투과율이 높은 투명전도성물질로 이루어진다. 이러한 화소전극(20)은 TFT를 경유하여 공급되는 데이터신호에 의해 상부기판(도시하지 않음)에 형성되는 공통 투명전극(도시하지 않음)과 전위차를 발생시키게 된다. 이 전위차에 의해 하부기판(1)과 상부기판(도시하지 않음) 사이에 위치하는 액정은 유전율이방성에 기인하여 회전하게 된다. 이렇게 회전되는 액정에 의해 광원으로부터 화소전극(20)을 경유하여 상부기판 쪽으로 투과되는 광량이 조절된다.
게이트패드부(GP)는 게이트 구동 IC(도시하지 않음)로부터 공급되는 게이트신호를 게이트링크(도시하지 않음)를 통해 게이트라인(2)들에 공급한다. 이 게이트패드부(GP)는 도 2에 도시된 바와 같이 기판(1) 상에 형성되는 게이트패드(24)와, 게이트패드(24)를 덮도록 형성되는 게이트절연막(12)과, 게이트절연막(12) 상에 형성되는 보호막(18)과, 게이트절연막(12) 및 보호막(18)을 관통하는 다수의 게이트접촉홀(30)과, 게이트접촉홀(30)을 통해 게이트패드(24)와 접촉되는 게이트단자전극(26)을 구비한다. 이러한 게이트패드(24)와 연결되는 게이트라인(2)의 시작부분과, 하부기판(1)의 우단부에 위치하는 게이트라인(2)의 끝부분에 제1 테스트패드부(TP1)가 형성된다.
제1 테스트패드부(TP1)는 게이트라인(2)에서 돌출된 제1 테스트전극(32)과, 제1 테스트전극(32)을 덮도록 형성되는 게이트절연막(12)과, 게이트절연막(12) 상에 형성되는 보호막(18)과, 게이트절연막(12) 및 보호막(18)을 관통하는 다수의 제1 테스트접촉홀(36a)과, 제1 테스트전극(32)과 접촉되는 제1 투명전극패턴(28)으로 이루어진다.
데이터패드부(DP)는 데이터 구동 IC(도시하지 않음)로부터 공급되는 데이터신호를 데이터링크(도시하지 않음)를 통해 데이터라인들(4)에 공급된다. 데이터패드부(DP)는 도 3에 도시된 바와 같이 게이트절연막(12) 상에 형성되는 데이터패드(34)와, 데이터패드(34)를 덮도록 형성되는 보호막(18)과, 보호막(18)을 관통하는 다수의 데이터접촉홀(50)과, 데이터접촉홀(50)을 통해 데이터패드(34)와 접촉되는 데이터단자전극(40)을 구비한다. 이러한 데이터패드부(DP)와 연결되는 데이터라인(4)의 시작부분과, 데이터라인(4)의 마지막부분에 제2 테스트패드부(TP2)가 형성된다.
제2 테스트패드부(TP2)는 데이터라인(4)에서 돌출된 제2 테스트전극(44)과, 제2 테스트전극(44)을 덮도록 형성되는 보호막(18)과, 보호막(18)을 관통하는 다수의 제2 테스트접촉홀(36b)과, 제2 테스트접촉홀(36b)을 통해 제2 테스트전극(44)과 접촉되는 제2 투명전극패턴(44)으로 이루어진다.
이러한 구성의 액정표시소자는 게이트라인(2) 및 데이터라인(4)의 라인저항을 검사하기 위해 검사과정을 거치게 된다. 검사과정시 외부로부터 검사부의 측정단자를 통해 전기적 신호가 패드부들(GP,DP)과 제1 및 제2 테스트패드부(TP1,TP2)에 인가된다. 즉, 측정단자를 투명도전막으로 이루어진 게이트단자전극(26), 데이터단자전극(40), 제1 및 제2 투명전극패턴(28,42)에 접촉시킨 후 전기적 신호를 인가하면 패드부들(GP,DP,TP1,TP2)과 신호라인(2,4)을 통해 TFT로 전달된다. 이에 따라, 각 신호라인들과 TFT의 불량 유무를 판별하게 된다.
그러나, 종래의 게이트패드부(GP), 데이터패드부(DP), 제1 및 제2 테스트패드부(TP1,TP2)의 접촉홀들을 다수개 형성함으로써 투명도전막과 측정단자의 접촉면적이 상대적으로 적다. 이에 따라, 검사과정시 검사부의 측정단자에 가해지는 소정의 힘으로 인해 투명도전막이 단선되어 정확한 측정데이터를 얻을 수 없는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 검사공정시 투명도전막의 단선을 방지할 수 있는 액정표시소자에 관한 것이다.
도 1은 종래 액정표시소자를 나타내는 평면도.
도 2는 도 1에서 선"A-A'"를 따라 절취한 액정표시소자를 나타내는 단면도.
도 3은 도 1에서 선"B-B'"를 따라 절취한 액정표시소자를 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 액정표시소자를 나타내는 평면도.
도 5는 도 4에서 선"C-C'"를 따라 절취한 액정표시소자를 나타내는 단면도.
도 6a 내지 도 6e는 도 5에 도시된 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 단면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
1,51 : 기판2,52 : 게이트라인
4,54 : 데이터라인6,56 : 게이트전극
8,58 : 소스전극10,60 : 드레인전극
12,62 : 게이트절연막14,64 : 활성층
16,66 : 오믹접촉층18,68 : 보호막
20,70 : 화소전극
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정표시소자는 다수의 신호라인들과, 신호라인들의 끝단으로부터 소정 거리만큼 이격된 위치에서 신호라인들 각각에 형성되며 접촉홀이 형성되는 접속부와 상기 접촉홀이 배제된 비접속부를 가지는 테스트단자와, 비접속부 상에 접촉되어 신호라인들의 전기적 특성검사를 실시하는 측정단자를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 신호라인들의 일측단에 형성되는 패드단자들을 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 패드단자들은 접촉홀이 형성되는 접속부와 접촉홀이 배제된 비접속부가 형성되며, 비접속부에 상기 측정단자가 접속되는 것을 특징으로 한다.
상기 패드단자는 신호라인들과 연결되는 패드전극과, 패드전극을 덮도록 형성되는 절연막과, 절연막 상에 형성되는 단자전극을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 테스트단자는 신호라인들에서 돌출된 테스트전극들과, 테스트전극들을 덮도록 형성되는 절연막과, 절연막 상에 형성되는 투명전극패턴을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 접속부는 측정단자의 넓이보다 크거나 같게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 접촉홀은 패드전극들의 양측을 노출시키는 것을 특징으로 한다.
상기 접촉홀은 테스트전극들의 일측을 노출시키도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부 도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 4 내지 도 6e를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명에 따른 액정표시소자를 나타내는 평면도이며, 도 5는 도 4에서 선"C-C'"를 따라 절취한 액정표시소자를 나타내는 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 액정표시소자는 데이터라인(54)과 게이트라인(52)의 교차부에 위치하는 TFT와, TFT의 드레인전극(60)에 접속되는 화소전극(70)과, 데이터라인(54) 및 게이트라인(52)의 일측단에 형성되는 게이트패드부(GP) 및 데이터패드부(DP)와, 게이트라인(52) 및 데이터라인(54)의 시작점과 끝점에 각각 위치하는 제1 및 제2 테스트패드부(TP1,TP2)를 구비한다.
TFT는 게이트라인(52)에서 접속된 게이트전극(56), 데이터라인(54)에서 접속된 소스전극(58) 및 드레인접촉홀(96)을 통해 화소전극(70)에 접속된 드레인전극(60)을 구비한다. 또한, TFT는 게이트전극(56)에 공급되는 게이트전압에 의해 소스전극(58)과 드레인전극(60)간에 도통채널을 형성하기 위한 반도체층들(64,66)을 더 구비한다. 이러한 TFT는 게이트라인(52)으로부터의 게이트신호에 응답하여 데이터라인(54)으로부터의 데이터신호를 선택적으로 화소전극(70)에 공급한다.
화소전극(70)은 데이터라인(54)과 게이트라인(52)에 의해 분할된 셀 영역에 위치하며 광투과율이 높은 투명전도성물질로 이루어진다. 화소전극(70)은 기판(51) 전면에 도포되는 보호층(68) 상에 형성되며, 보호층(68)을 관통하는 드레인접촉홀(96)을 통해 드레인전극(60)과 전기적으로 접속된다. 이러한 화소전극(70)은 TFT를 경유하여 공급되는 데이터신호에 의해 상부기판(도시하지 않음)에 형성되는 공통 투명전극(도시하지 않음)과 전위차를 발생시키게 된다. 이 전위차에 의해 하부기판(51)과 상부기판(도시하지 않음) 사이에 위치하는 액정은 유전율이방성에 기인하여 회전하게 된다. 이렇게 회전되는 액정에 의해 광원으로부터 화소전극(70)을 경유하여 상부기판 쪽으로 투과되는 광량이 조절된다.
게이트패드부(GP)는 게이트 구동 IC(Integrated Circuit)로부터 공급되는 게이트신호를 게이트링크(도시하지 않음)를 통해 게이트라인(52)에 공급한다. 게이트패드부(GP)의 게이트패드(74)는 게이트패드(74)의 양끝부분을 노출시키는 게이트접촉홀(80)을 통해 게이트단자전극(76)과 전기적으로 접촉된다. 이게이트패드(74)와 연결되는 게이트라인(52)의 시작부분과, 하부기판(51)의 하단부에 위치하는 게이트라인(52)의 끝부분에 제1 테스트패드부(TP1)들이 형성된다.
제1 테스트패드부(TP1)들은 게이트라인(52)의 전기적특성을 검사하기 위해 형성된다. 제1 테스트패드부(TP1) 중 게이트패드(GP)와 게이트라인(52)의 시작부분 사이에 위치하는 제1 테스트패드부(TP1)는 제1 테스트패드부(TP1)는 게이트링크의 전기적특성을 검사하기 위해 형성된다.
제1 테스트패드부(TP1)는 게이트라인(52)에서 돌출된 제1 테스트전극(82)과, 제1 테스트전극(82)을 덮도록 형성되는 게이트절연막(62)과, 게이트절연막(62) 상에 형성되는 보호막(68)과, 제1 테스트전극(82)의 일측을 노출시키도록 게이트절연막(62) 및 보호막(68)을 관통하는 제1 테스트접촉홀(86a)과, 제1 테스트전극(82)과 접촉되는 제1 투명전극패턴(78)으로 이루어진다.
데이터패드부(DP)는 데이터구동 IC(Integrated Circuit)로부터 공급되는 데이터신호를 데이터링크(도시하지 않음)를 통해 데이터라인(54)에 공급한다. 데이터패드부(DP)의 데이터패드(84)는 데이터패드(84)의 양끝부분을 노출시키는 데이터접촉홀(100)을 통해 데이터단자전극(90)과 전기적으로 접촉된다. 이러한 데이터패드부(DP)와 연결되는 데이터라인(54)의 시작부분과, 데이터라인(54)의 마지막부분에 제2 테스트패드부(TP2)가 형성된다.
제2 테스트패드부(TP1)은 데이터라인(54)의 전기적특성을 검사하기 위해 형성된다. 제2 테스트패드부(TP2) 중 데이터패드(DP)와 데이터라인(54)의 시작부분 사이에 위치하는 제2 테스트패드부(TP2)는 데이터링크의 전기적특성을 검사하기 위해 형성된다.
제2 테스트패드부(TP2)는 데이터라인(54)에서 돌출된 제2 테스트전극(94)과, 제2 테스트전극(94)을 덮도록 형성되는 보호막(68)과, 제2 테스트전극(94)의 일측을 노출시키도록 보호막(68)을 관통하는 제2 테스트접촉홀(86b)과, 제2 테스트접촉홀(86b)을 통해 제2 테스트전극(94)과 접촉되는 제2 투명전극패턴(92)으로 이루어진다.
이와 같은 본 발명에 따른 액정표시소자의 데이터패드부(DP), 게이트패드부(GP), 제1 및 제2 테스트패드부(TP1,TP2)는 검사부의 측정단자(104)와 접촉하도록 소정의 면적으로 형성되는 제1 내지 제4 측정부(102a,102b,102c,102d)를 갖는다.
제1 측정부(102a)는 게이트패드부(GP)의 게이트단자전극(76)과 검사부의 측정단자(104)가 접촉되는 영역으로써, 검사부의 측정단자(104)가 게이트접촉홀(80)까지 넘어가지 않을 정도로 형성된다. 즉, 제1 측정부(102a)는 게이트절연막(62)과 보호막(68)의 가운데 부분이 남도록 게이트접촉홀(80)을 패터닝함으로써 형성된다. 제2 측정부(102b)는 제1 테스트부(TP1)의 제1 투명전극패턴(82)과 검사부의 측정단자(104)가 접촉되는 영역으로써, 검사부의 측정단자(104)가 제1 테스트접촉홀(86a)까지 넘어가지 않을 정도로 형성된다. 즉, 제2 측정부(102b)는 게이트절연막(62)과 보호막(68)의 일측이 남도록 제1 테스트접촉홀(86a)을 패터닝함으로써 형성된다. 제3 측정부(102c)는 데이터패드부(DP)의 데이터단자전극(90)과 검사부의 측정단자(104)가 접촉되는 영역으로써, 검사부의 측정단자(104)가데이터접촉홀(100)까지 넘어가지 않을 정도로 형성된다. 즉, 제3 측정부(102c)는 보호막(68)의 가운데 부분이 남도록 데이터접촉홀(100)을 패터닝함으로써 형성된다. 제4 측정부(102d)는 제2 테스트부(TP2)의 제2 투명전극패턴(90)과 검사부의 측정단자(104)가 접촉되는 영역으로써, 검사부의 측정단자(104)가 제2 테스트접촉홀(86b)까지 넘어가지 않을 정도로 보호막(68)의 일측이 남도록 제2 테스트접촉홀(86b)을 패터닝함으로써 형성된다.
이와 같이 제1 내지 제4 측정부(102a,102b,102c,102d)는 접촉홀들이 형성되지 않는 영역으로써, 검사부의 측정단자(104)가 접촉홀(80,86a,86b,100)까지 넣어가지 않을 정도의 넓이를 갖도록 형성한다. 이에 따라, 상대적으로 넓은 면적을 갖는 측정부(102a,102b,102c,102d)에 검사부의 측정단자(104)가 닿게 되므로 보호막(68), 게이트단자전극(76), 데이터단자전극(90), 제1 및 제2 투명전극패턴(78,92)이 단선되는 현상을 방지할 수 있다.
도 6a 내지 도 6e는 도 5에 도시된 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 도면이다.
도 6a를 참조하면, 기판(51) 상에 스퍼터링(sputtering) 등의 증착방법으로 게이트금속층이 증착된다. 여기서, 게이트금속층은 알루미늄(Al) 또는 몰리브덴(Mo)으로 형성된다. 이어서, 게이트금속층을 식각공정을 포함하는 포토리쏘그래피 공정으로 패터닝함으로써 제1 테스트전극(82), 게이트패드(74) 및 게이트전극(56)이 형성된다.
도 6b를 참조하면, 제1 테스트전극(82), 게이트패드(74) 및 게이트전극(56)이 형성된 기판(51) 상에 게이트절연막(62)이 형성된다. 게이트절연막(62)은 무기절연물질인 산화실리콘(SiOx) 또는 질화실리콘(SiNx)이 사용된다. 게이트절연막(62)상에는 제1 및 제2 반도체층이 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition) 방법으로 연속 증착된다. 제1 반도체층은 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리콘으로 형성되며, 제2 반도체층은 N형 또는 P형의 불순물이 도핑된 비정질실리콘으로 형성된다. 이어서, 제1 및 제2 반도체층이 건식식각(Dry Etching) 공정을 포함하는 포토리쏘그래피 방법으로 패터닝됨으로써 활성층(64) 및 오믹접촉층(66)이 형성된다.
도 6c를 참조하면, 활성층(64) 및 오믹접촉층(66)이 형성된 게이트절연막(62) 상에 CVD방법 또는 스퍼터링(sputtering) 등의 증착방법으로 데이터금속층이 증착된다. 데이터금속층으로는 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo)등으로 형성된다. 이어서, 데이터금속층은 습식식각 공정을 포함하는 포토리쏘그래피 공정으로 패터닝됨으로써 제2 테스트전극(94), 데이터패드(84)와 소스전극(58) 및 드레인전극(60)이 형성된다. 그 다음, 소스전극(58)과 드레인전극(60) 사이로 노출된 오믹접촉층(66)이 건식식각 공정으로 제거되어 소스전극(58)과 드레인전극(60)을 분리시킨다. 오믹접촉층(66)이 일부 제거됨으로써 활성층(64)에서 소스 및 드레인전극(58,60)사이의 게이트전극(56)과 대응하는 부분은 채널이 된다.
도 6d를 참조하면, 제2 테스트전극(94), 데이터패드(84), 소스전극(58) 및 드레인전극(60)이 형성된 기판(51) 상에 절연물질이 증착된다. 절연물질의 재질로는 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiOx) 등의 무기절연물질, 또는아크릴(Acryl)계 유기화합물, BCB(benzocyclobutene), PFCB(perfluorocyclobutane) 등의 유기 절연물질을 이용한다. 이어서, 절연물질을 포토리쏘그래피공정을 이용하여 패터닝함으로써 보호막(68), 데이터접촉홀(100), 드레인접촉홀(96) , 게이트접촉홀(80), 제1 및 제2 테스트접촉홀(86a,86b)이 형성된다. 이 때, 접촉홀들(80,86a,86b,96,100)을 제외한 영역에는 추후에 형성되는 투명도전막과 측정단자(104)가 접촉할 수 있을 정도의 소정영역을 갖는 측정부(102a,102b,102c,102d)가 형성된다. 이 측정부를 제외한 영역(102a,102b,102c,102d)에는 각각 다수개의 접촉홀들이 형성될 수 있다.
도 6e를 참조하면, 보호막(84) 상에 스퍼터링(sputtering) 등과 같은 증착방법으로 투명도전층이 형성된다. 투명도전층은 인듐-틴-옥사이드(Indium-Tin-Oxide : ITO), 인듐-징크-옥사이드(Indium-Zinc-Oxide : IZO) 또는 인듐-틴-징크-옥사이드(Indium-Tin-Zinc-Oxide : ITZO)으로 사용된다. 이어서, 투명도전층이 식각공정을 포함하는 포토리쏘그래피 공정으로 패터닝됨으로써 화소전극(70), 게이트단자전극(76), 데이터단자전극(90), 제1 및 제2 투명전극패턴(78,92)이 형성된다. 화소전극(70)은 보호막(68)을 관통하는 드레인접촉홀(96)을 통해 드레인전극(60)과 접속된다. 게이트단자전극(76)은 게이트절연막(62) 및 보호막(68)을 관통하는 게이트접촉홀(80)을 통해 게이트패드(74)와 접속된다. 데이터단자전극(90)은 보호막(68)을 관통하는 데이터접촉홀(100)을 통해 데이터패드(84)와 접속된다. 제1 투명전극패턴(78)은 게이트절연막(62) 및 보호막(68)을 관통하는 제1 테스트접촉홀(86a)을 통해 제1 테스트전극(82)과 접속된다. 제2 투명전극패턴(92)은 보호막(68)을 관통하는 제2 테스트접촉홀(86b)을 통해 제2 테스트전극(94)과 접속된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시소자는 게이트패드부, 데이터패드부, 제1 및 제2 테스트패드부의 접촉홀을 단일구조로 패터닝하여 상대적으로 넓은 면적의 측정부를 형성한다. 이 측정부는 측정단자가 접촉홀까지 넘어가질 않을 정도의 넓이를 가지도록 형성한다. 이에 따라, 측정단자와 접촉되는 투명도전막으로 이루어진 게이트단자전극, 데이터단자전극, 제1 및 제2 투명전극패턴의 단선을 방지할 수 있어 정확한 측정데이터를 얻을 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (8)

  1. 다수의 신호라인들과,
    상기 신호라인들의 끝단으로부터 소정 거리만큼 이격된 위치에서 상기 신호라인들 각각에 형성되며 접촉홀이 형성되는 접속부와 상기 접촉홀이 배제된 비접속부를 가지는 테스트단자와,
    상기 비접속부 상에 접촉되어 상기 신호라인들의 전기적 특성검사를 실시하는 측정단자를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 신호라인들의 일측단에 형성되는 패드단자들을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 패드단자들은 접촉홀이 형성되는 접속부와 상기 접촉홀이 배제된 비접속부가 형성되며,
    상기 비접속부에 상기 측정단자가 접속되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 패드단자는
    상기 신호라인들과 연결되는 패드전극과,
    상기 패드전극을 덮도록 형성되는 절연막과,
    상기 절연막 상에 형성되는 단자전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 테스트단자는
    상기 신호라인들에서 돌출된 테스트전극들과,
    상기 테스트전극들을 덮도록 형성되는 절연막과,
    상기 절연막 상에 형성되는 투명전극패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 접속부는 상기 측정단자의 넓이보다 크거나 같게 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 접촉홀은 상기 패드전극들의 양측을 노출시키는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 접촉홀은 상기 테스트전극들의 일측을 노출시키도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101023276B1 (ko) * 2003-12-17 2011-03-18 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법과 검사방법
US9747825B2 (en) 2013-06-13 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
CN110137154A (zh) * 2019-04-04 2019-08-16 惠科股份有限公司 一种测试结构、基板及其制造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100968589B1 (ko) 2008-08-27 2010-07-08 하이디스 테크놀로지 주식회사 표시장치의 인쇄회로기판
CN106646953A (zh) * 2017-02-28 2017-05-10 武汉华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04316344A (ja) * 1991-04-15 1992-11-06 Nikon Corp コンタクト抵抗測定素子
KR100244449B1 (ko) * 1997-02-11 2000-02-01 구본준 박막 트랜지스터 검사용 단락 배선을 갖는 액정 표시 장치와 그 제조 방법(liquid crystal display having shorting bar for testing tft and method for manufacturing the same)
JP3295025B2 (ja) * 1997-10-06 2002-06-24 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP2001168112A (ja) * 1999-12-03 2001-06-22 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101023276B1 (ko) * 2003-12-17 2011-03-18 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법과 검사방법
US9747825B2 (en) 2013-06-13 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
US10102785B2 (en) 2013-06-13 2018-10-16 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
CN110137154A (zh) * 2019-04-04 2019-08-16 惠科股份有限公司 一种测试结构、基板及其制造方法

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