KR20030080975A - 유기 전계 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

유기 전계 발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20030080975A
KR20030080975A KR1020020058785A KR20020058785A KR20030080975A KR 20030080975 A KR20030080975 A KR 20030080975A KR 1020020058785 A KR1020020058785 A KR 1020020058785A KR 20020058785 A KR20020058785 A KR 20020058785A KR 20030080975 A KR20030080975 A KR 20030080975A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
insulating layer
electrode layer
substrate
ink
Prior art date
Application number
KR1020020058785A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100537611B1 (ko
Inventor
베르너훔브스
알브레히트울리히
마르쿠스쉐디히
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Publication of KR20030080975A publication Critical patent/KR20030080975A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100537611B1 publication Critical patent/KR100537611B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 홀 수송층이나 고분자 발광층이 균일한 막 두께를 갖도록 하기 위한 것으로, 상부에 소정 패턴의 제 1 전극층이 형성된 기판과, 상기 제 1 전극층이 형성된 기판의 상부를 소정의 패턴으로 구획하는 절연층과, 상기 절연층에 의해 구획된 패턴을 따라 형성된 고분자 유기막층과, 상기 절연층에 의해 구획된 각 패턴의 양 단부에서 상기 고분자 유기막층의 흐름을 차단하는 차단벽과, 상기 고분자 유기막층의 상부에 형성된 제 2 전극층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

Description

유기 전계 발광소자 및 그 제조방법{Organic light emitting diode and method for producing thereof}
본 발명은 풀 칼라 표시 장치를 구현할 수 있는 유기 전계 발광 소자(OLED:organic light emitting diode)에 관한 것으로, 고분자 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
풀 칼라 표시 장치를 구현할 수 있는 유기 전계 발광 소자는 크게 두 가지로 분류할 수 있다. 그 중 하나는 저분자 발광물질을 사용하는 유기 전계 발광 소자이고, 다른 하나는 폴리머 고분자 발광물질을 사용하는 고분자 유기 전계 발광 소자이다.
이 중 고분자 유기 전계 발광 소자는 일반적으로 기판 상에 서로 대향된 애노오드와 캐소오드의 두 전극을 갖고, 이 애노오드 및 캐소오드의 사이에 홀 수송층(Hole Transport Layer: HTL) 및 발광층(Emission Layer)으로 구비된 구조를 갖는다. 이 때, 상기 고분자 유기 전계 발광 소자는 상기 정공 수송층 및 발광층을 고분자 유기물질로 형성한다. 이러한 고분자 유기 전계 발광 소자는 저분자 유기 전계 발광 소자에 비해 구동전압 및 소비전력이 낮고, 대면적 풀 칼라 표시장치를 구현하기가 더 용이하여 최근 그 연구가 활발히 진행 중에 있다.
한편, 상기 고분자 유기 전계 발광 소자의 유기막 형성은 능동 구동(Active Matrix: AM) 방식이나, 수동 구동(Passive Matrix: PM) 방식 모두 잉크젯 프린팅(ink-jet printing)과 같은 종래 알려진 프린팅 방법에 의해 제조될 수 있다.
이러한 종래의 잉크젯 프린팅 방법은 고분자로 된 발광 물질을 용매에 의해 소위 폴리머 잉크로 액화시키고, 이 폴리머 잉크를 잉크젯 프린팅 헤드를 통해 기판 상에 인쇄하는 방식이다.
가장 간단한 예로서, 수동 구동 방식의 고분자 유기 전계 발광 소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
우선, 글라스나 플라스틱재로 이루어진 투명한 기판 상에 ITO와 같은 투명한 도전 물질로 소정 패턴의 애노오드를 형성한다.
다음 단계에서, 유기물질로 홀 수송층을 형성한다. 이 홀 수송층은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜 (PEDOT: poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나, 폴리아닐린(PANI: polyaniline) 등을 사용하여 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅의 방법에 의해 상기 기판의 애노오드 상부에 형성된다.
다음으로, 상기 유기 홀 수송층 상에 고분자 발광층을 상술한 바와 같은 잉크젯 프린팅 방법에 의해 형성한다. 이 때, 풀 칼라를 구현하기 위하여, 적색, 녹색, 및 청색 고분자 발광 물질이 인쇄된다. 그 다음으로는, 통상 Ca 및 Al 층으로 캐소오드가 진공 증착된다.
마지막으로, 상기와 같은 소자 전체를 밀봉하고, 상기 캐소오드와 애노오드는 구동 전자 시스템에 연결되도록 한다.
상기와 같은 유기 전계 발광 소자의 제조함에 있어서, 상기 고분자 물질을 화소별로, 즉, 소정의 격자상이나 라인상으로 인쇄하기 위해, 포토 레지스트와 같은 유기물 또는 무기물로 도 1a 및 도 1b에서 볼 수 있는 바와 같은 구조물을 형성한다. 이 포토 레지스트 구조는 상기 화소가 격자상으로 형성될 경우는 이 격자의 주변 경계를 한정하고, 상기 화소가 라인상으로 형성될 경우에는 각 라인의 좌우 경계를 한정한다.
도 1a 및 도 1b에는 글라스 기판(1)의 상부로 고분자 유기막이 형성되기 전의 상태를 나타낸 것으로, 상기 글라스 기판(1)에는 소정 패턴의 제 1 전극층(2)이 형성되어 있고, 그 상부로 상기 포토 레지스트에 의해 형성된 제 1 절연층(3)과, 채널(40)을 형성하는 제 2 절연층(4)이 형성되어 있다. 상기 제 1 절연층(3)에는 노광 및 현상에 의해 소정의 개구부(31)를 형성해 이 개구부(31)를 통해 상기 제 1 전극층(2)의 소정 부분이 노출되도록 해 화소를 구획 한정한다.
그 다음에는 도 2a 및 도 2b에서 볼 수 있듯이, 상기 채널(40)에 고분자 물질, 즉, 홀 수송층(5)과 고분자 발광층(6)을 형성한다.
한편, 상기와 같은 고분자 물질의 인쇄에 있어서, 보다 효과적으로 인쇄하기 위해 소위 다중 채널 프린팅 헤드가 사용된다. 이 프린팅 헤드에 의하면, 복수개의 화소를 동시에 인쇄할 수 있으며, 이를 위해, 복수개의 분사구가 구비되어 있다. 예컨대, 피에조 방식의 프린팅 헤드에 의하면 각 분사구의 피에조 액추에이터가 순차로 잉크 방울을 형성하여 분사하고, 인쇄 시에, 상기 기판은 상기 프린팅 헤드에 반대되는 방향으로 일정한 속도로 움직인다. 이 때, 상기 화소를 형성하는 라인 또는 격자는 상기 프린팅 헤드의 가동 분사구의 수에 따라 상기 기판 상에 프린트된다. 상기 격자 또는 라인들은 도 2a 및 도 2b에서 볼 수 있듯이, 제 2 절연층(4)에 의해 미리 형성된 채널을 따라 프린트된다. 이 제 2 절연층(4)은 상기 폴리머 잉크가 인접한 채널로 흐르지 않도록 하는 기능을 갖는다. 이러한 방법으로, 적, 녹, 청 발광 고분자 물질은 인접하는 발광 고분자 물질과 혼색을 일으키지 않고 격자 또는 라인 형상으로 프린트될 수 있는 것이다.
이러한 고분자 유기 전계 발광 소자의 제조는 특허 EP 0423283호, WO 9013148호에 개시되어 있고, 잉크젯 프린팅과 같은 인쇄 방법에 의한 유기 발광 표시소자의 제조는 특허 EP 908,725호, EP 0940796호, EP 0940797호, EP 0989778호, WO 9943031호, WO 9966483호, WO 9828946호, US 6087196호, WO 0012226호, WO 0019776호에 개시되어 있다.
또한 포토 레지스트 구조의 제조는 EP 09963314호에 개시되어 있다.
포토 레지스트와 같은 절연층이, 풀 칼라 표시장치의 화소를 이루는 다양한 행 또는 열들의 경계선을 형성함에 따라, 상기 폴리머 잉크 뿐 아니라 홀 수송층 잉크도 상기 미리 형성된 채널에 인쇄될 수 있다. 상기와 같은 방법에 의해, 적, 녹, 청색의 발광 고분자 물질들이 인접하는 채널로 흐르거나 공정 중에 혼색을 일으키는 일 없이 격자 형상 또는 라인 형상으로 인쇄될 수 있는 것이다. 즉, 상기 잉크들은 이 포토 레지스트의 장벽을 넘어 인접한 격자 또는 라인으로 흐르지 못한다. 이들 포토 레지스트 구조는 상기 채널을 형성함과 아울러 풀 칼라 표시 장치로 만들어진 후에는 기판 상에 격자 또는 라인 구조를 형성한다.
한편, 현재 사용되고 있는 포토 레지스트 구조는 예컨대 라인상의 채널을 형성한 경우 도 2a 및 도 2b에서 볼 수 있듯이, 상기 채널(40)에 단지 측면 한계만을 제공하고, 이 채널들은 기판의 양단부에서는 개구된다. 이에 따라, 상기 홀 수송층 잉크(5) 및 폴리머 잉크(6)는 상기 채널의 개구된 양단부에서 그 바깥 방향으로 쉽게 넘쳐 흐를 수 있게 된다. 따라서, 상기 채널의 개구된 양단부에서의 잉크의 부피는 상기 채널의 중앙부에서의 부피보다 더 적게 된다. 이에 따라, 홀 수송층 잉크 및 폴리머 잉크가 건조된 후에 상기 홀 수송층 및 발광층은 화상의 유효영역인 상기 양단부에서 그 층 두께가 불균일하게 나타나게 된다. 이것은 상기 홀 수송층 및 고분자 발광층의 층 두께가 점진적으로 얇아지고, 상기 홀 수송층 잉크 및 폴리머 잉크가 상기 채널로부터 넘치기 때문이다.
따라서, 본 발명의 주된 목적은 상술한 종래기술의 단점들을 벗어나고, 홀 수송층 잉크나 폴리머 잉크가 상기 채널 밖으로 흐를 수 없도록 하며, 상기 홀 수송층이나 고분자 발광층이 균일한 막 두께를 갖도록 하는 것이다.
도 1a 및 도 1b는 각각 고분자 유기 전계 발광 소자의 형성을 위한 수동 구동 방식의 기판 구조를 나타내는 평면도 및 A-A 단면도,
도 2a 및 도 2b는 각각 상기 도 1a 및 도 1b의 기판에 홀 수송층 잉크 및 폴리머 잉크를 인쇄하였을 때의 상태를 나타내는 평면도 및 B-B 단면도,
도 3a 및 도 3b는 각각 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라 고분자 유기 전계 발광 소자의 형성을 위한 기판 구조 및 상기 기판에 홀 수송층 잉크 및 폴리머 잉크를 인쇄하였을 때의 상태를 나타내는 평면도 및 C-C 단면도,
도 4a 및 도 4b는 각각 상기 도 3a 및 도 3b의 기판에 제 2 전극층을 형성한 상태를 나타내는 평면도 및 D-D 단면도,
도 5a 및 도 5b는 각각 상기 도 4a 및 도 4b의 기판을 밀봉한 상태를 나타내는 평면도 및 E-E 단면도.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 상부에 소정 패턴의 제 1 전극층이 형성된 기판과, 상기 제 1 전극층이 형성된 기판의 상부를 소정의 패턴으로 구획하는 절연층과, 상기 절연층에 의해 구획된 패턴을 따라 형성된 고분자 유기막층과, 상기 절연층에 의해 구획된 각 패턴의 양 단부에서 상기 고분자 유기막층의 흐름을 차단하는 차단벽과, 상기 고분자 유기막층의 상부에 형성된 제 2 전극층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 절연층은 상기 제 1 전극층의 상부에 형성되어 상기 제 1 전극층의 일부가 노출되도록 개구부를 구비한 제 1 절연층과, 상기 제 1 절연층의 상부에 형성된 것으로, 상기 절연층에 의해 구획된 패턴을 형성하는 제 2 절연층으로 구비될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 차단벽의 형상은 육면체 형상, 원통형상 및 피라미드 형상 중 어느 하나로 되도록 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 차단벽의 너비는 상기 제 2 절연층의 패턴의 폭과 같거나, 이보다 작게 형성되도록 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 차단벽의 높이는 50㎚이상이 되도록 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 차단벽의 높이는 1㎛ 이상, 상기 절연층의 높이 이하가 되도록 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 차단벽은 절연성 물질로 구비된 것일 수 있다.
본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 기판 상에 소정 패턴의 제 1 전극층을 형성하는 공정과, 상기 제 1 전극층이 형성된 기판의 상부에 절연성 물질로 측벽에 의해 한정되는 채널을 형성하되, 상기 채널의 양단부는 차단벽에 의해 한정되도록 하는 공정과, 상기 채널 내에 액상의 고분자 유기물을 도포하고 건조시켜 유기막층을 형성하는 공정과, 상기 유기막층의 상부로 제 2 전극층을 형성하는 공정과, 상기 기판을 밀봉하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 채널 내에 액상의 고분자 유기물을 도포하는 공정은 잉크젯 인쇄방법에 의해 이루어지도록 할 수 있으며, 상기 차단벽의 너비는 상기 채널의 폭과 같거나, 이보다 작게 형성되도록 할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 바람직한 실시예에 따른 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
이하, 설명하게 될 본 발명의 바람직한 일 실시예는 수동 구동(PM) 방식의 고분자 유기 전계 발광소자를 나타내며, 이는 비록 그림을 통해 설명하지는 않았지만, 능동 구동(AM) 방식의 고분자 유기 전계 발광 소자에도 그대로 적용될 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라 기판 상부로 홀 수송층 잉크 및 폴리머 잉크를 인쇄하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 3a 및 도 3b에 나타난 기판 구조는 도 1a 및 도 1b와 같은 종래의 기판 구조를 일부 그대로 채용할 수 있는 것으로, 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
도 3a 및 도 3b를 참조로 할 때, 일반적인 글라스판으로 구비된 기판(1)의 상부로 제 1 전극층(2)이 형성된다. 상기 제 1 전극층(2)은 투명한 도전체인 ITO로 형성될 수 있으며, 도면에 나타나지는 않았지만 소정 패턴으로 패터닝될 수 있다. 이 때, 제 1 전극층(2)의 인접한 패턴 간의 거리는 80㎛정도가 되도록 할 수 있다. 상기 제 1 전극층(2)은 애노오드로서의 기능을 할 수 있다.
상기와 같은 제 1 전극층(2)이 형성된 기판(1)의 상부로 유기 절연물 또는 무기 절연물에 의해 절연층이 형성된다. 이 절연층은 상기 제 1 전극층(2)이 형성된 기판(1)의 상부를 소정의 패턴으로 구획한다. 이 절연층에 의해 구획된 패턴을 따라 고분자 유기막층을 형성하는 것이다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자에 있어서, 상기절연층은 도 3a 및 도 3b에서 볼 수 있듯이, 상기 제 1 전극층(2)의 상부에 형성되어 이 제 1 전극층(2)의 일부가 노출되도록 개구부(31)를 구비한 제 1 절연층(3)과, 상기 제 1 절연층(3)의 상부에 형성된 것으로, 상기 절연층에 의해 구획된 패턴을 형성하는 제 2 절연층(4)으로 구비될 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어서, 상기 제 1 절연층(3)은 아크릴 포토 레지스트를 스핀 코팅 등의 방법에 의해 상기 기판 상부로 형성하고, 순차로 노광 및 현상해서 소정의 개구부(31)를 형성해 이 개구부(31)를 통해 상기 제 1 전극층(2)의 소정 부분이 노출되도록 해 화소를 구획 한정한다.
상기 제 1 절연층(3)은 100 내지 500㎚의 두께를 갖도록 할 수 있으며, 상기 제 1 절연층(3)에 형성된 개구부(31)는 반경은 약 20㎛ 정도 되는 원형으로 하거나 면적이 40×140㎛ 정도 되는 장방형으로 할 수 있다.
상기와 같이 제 1 절연층(3)을 형성한 후에는 다음 단계로 역시 포토 레지스트로 구비된 제 2 절연층(4)을 스핀 코팅 등의 방법에 의해 도포하고, 순차로 노광 및 현상하여 직육면체의 구조를 형성한다. 이 직육면체의 제 2 절연층(4)의 구조는 그 높이를 1 내지 5㎛, 폭을 5 내지 20㎛로 하고, 길이는 소자의 길이에 따라 수 ㎜ 내지 수 ㎝로 한다. 이들 제 2 절연층(4)은 서로 평행하게 배열되고, 상기 제 1 절연층(3)의 개구부(31)들의 각 열들 사이의 중심에 위치한다. 이러한 방법으로, 상기 홀 수송층 잉크(5)나 폴리머 잉크(6)의 채널(40) 구조가 형성된다.
이들 채널은 적색, 녹색, 및 청색 화소의 개개의 열들을 한정하고, 인접한 라인으로 잉크가 흘러 넘치는 것을 방지한다. 본 발명에 따르면, 상기 채널의 길이방향의 양단부(41)(42)에 차단벽(8)이 형성된다. 이 차단벽(8)도 포토 레지스트로 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 차단벽(8)은 그 높이를 홀 수송층 잉크(5)나 폴리머 잉크(6)가 채널(40)의 양 단부(41)(42) 방향으로 흘러 넘치지 않는 정도의 높이이면 충분하다. 따라서, 홀 수송층 잉크(5)를 약 50 ㎚ 정도 형성하고, 폴리머 잉크(6)를 약 100㎚ 정도 형성하였을 경우, 상기 차단벽(8)의 높이는 50㎚ 이상이면 충분하다.
또한, 상기 차단벽(8)은 상기 채널(40)의 높이에 대응되는 높이를 갖도록 할 수 있으나, 반드시 그 높이를 동일하게 할 필요는 없다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 상기 차단벽(8)은 도 3a 및 도 3b에서 볼 수 있는 바와 같이, 그 높이 H가 1㎛ 이상으로 하되 제 2 절연층(4)의 높이보다 크지 않도록 하는 것이 바람직하다. 따라서, 그 높이 H를 1㎛ 내지 5㎛가 되도록 할 수 있다. 이 때, 상기 차단벽(8)의 높이는 그리고, 상기 차단벽(8)의 세로길이를 V라 했을 때, 이를 5㎛ ≤ V ≤ 20㎛가 되도록 할 수 있다. 또, 상기 차단벽의 폭을 W라 하고, 인접한 제 2 절연층(4)간의 거리를 a라 했을 때, 상기 W는 5㎛ ≤ W < a가 되도록 할 수 있다.
그리고, 비록 도면으로 도시하지는 않았지만, 상기 차단벽(8)의 원형의 형상을 가질 때에는 높이 H가 1㎛ ≤H ≤5㎛를 만족하도록 하고, 직경 D가 5㎛ ≤ D < a를 만족하도록 할 수 있다.
이렇듯, 상기 차단벽(8)의 높이와 너비는 개별적으로 적용될 수 있다. 즉, 상기 차단벽(8)의 너비가 인쇄되는 라인의 전체 너비보다 좁도록 할 수도 있다. 이는 후속 공정에서 도 4a 및 도 4b에서 볼 수 있는 바와 같이 금속막으로 형성된 제 2 전극층(10)이 상기 인쇄된 잉크층들(5,6)의 상부로 증착되도록 하는 데 더 수월하기 때문이다.
도 4a 및 도 4b에서 볼 수 있듯이, 상기 제 2 전극층(10)은 대략 50㎚ 내지 수 ㎛의 막 두께를 갖는 금속 막으로 구성된다. 이 금속 막은 상기 인쇄된 라인 밖의 구동소자(미도시)에 접촉된다. 만일 상기 차단벽(8)의 너비가 인쇄된 잉크 라인과 같고, 상기 제 2 전극층(10)이 상기 차단벽(8)의 바깥측 단부에서 끝난다면, 이 부분에서, 즉, 차단벽(8)이 형성된 부분에서 상기 제 2 전극층(10)은 상기 인쇄된 잉크 라인과는 접촉되지 않게 된다.
이는 이 라인과 관련된 발광 손실을 초래하며, 상기 라인은 표시장치 상에 잘못된 블랙 라인으로 보이게 된다. 그러나, 상기 차단벽(8)이 채널(40)과 차단벽(8) 사이가 떨어져 있는 방식으로 정열됨에 따라, 상기 제 2 전극층(10)은 이 위치에서 떨어지지 않으며, 구동소자와 인쇄된 라인간의 접촉이 보증된다. 상기 잉크는 상기 차단벽(8)의 표면에 소정의 처리를 함으로써 상기 채널 밖으로 넘치지 않게 되는 데, 즉, 상기 차단벽(8)과 잉크의 접촉각을 30도 이상이 되도록 한 상태에서, 예컨대 플라즈마 처리에 의해 제 2 절연층(4)과 차단벽(8) 사이의 누출이 방지된다.
상기 차단벽(8)은 도 3a 및 도 3b에서 볼 수 있는 바와 같이, 포토 레지스트 육면체 구조로 형성되어 각 채널(40)의 양 단부(41)(42)에 위치하며, 따라서, 상기 채널의 양 단부에서의 한계선을 형성한다. 이 때, 차단벽(8)은 인접한 제 2절연층(4)과 직접 접촉하지는 않으며, 틈(9)을 갖는다. 또한, 상기 차단벽(8)은 각 채널(40)의 인접한 개구부(31)와도 간격을 유지한다.
차단벽(8)뿐 아니라 채널(40)의 제 2 절연층(4)의 상기 홀 수송층 잉크(5) 및 폴리머 잉크(6)에 대한 반발효과를 형성하기 위해 상술한 기판(1)은 다음 단계에서 표면처리된다. 즉, 상기 기판(1)을 CF4/O2 혼합 가스 분위기에서 30 내지 120 초 동안 마이크로파 플라즈마 처리를 함에 따라 상기 반발효과를 얻을 수 있다.
상기 홀 수송층 잉크(5) 및 폴리머 잉크(6)는 피에조 방식의 잉크젯 인쇄법에 의해 인쇄될 수 있다. 이 때, 잉크젯 헤드는 일단의 차단벽(8)으로부터 잉크 1방울 직경 정도의 틈에 상기 홀 수송층 잉크(5) 및 폴리머 잉크(6)의 첫 번째 방울이 채널의 중앙에 위치하도록 하는 방식으로 상기 기판(1)의 반대편에 위치한다.
상기 헤드에 대한 기판의 연속적인 가압과 이동에 의해 상기 채널은 상기 홀 수송층 잉크(5) 및 폴리머 잉크(6)로 채워진다. 이러한 인쇄는 잉크의 마지막 방울이 타단의 차단벽으로부터 잉크 1방울 직경 정도의 틈을 가질 때 멈춰진다. 상기 홀 수송층 잉크(5) 및 폴리머 잉크(6)의 형성 사이에, 상기 기판(10)은 상기 홀 수송층 잉크(5)를 건조하기 위해 대략 130℃의 오븐에서 10분 정도 열처리된다.
다음으로, 이렇게 잉크가 인쇄된 기판(1)의 상부로 도 4a 및 도 4b에서 볼 수 있듯이, 금속에 의해 제 2 전극층(10)이 진공 증착된다. 상기 제 2 전극층(10)으로는 칼슘/알루미늄이 사용될 수 있으며, 통상의 방법인 열기상증착으로 통상적인 두께인 1-100㎚(Ca) 및 200-2000㎚(Al)를 갖도록 할 수 있다. 상기 제 2전극층(10)은 캐소오드로서 기능을 할 수 있다.
마지막으로 상기 기판(1)은 도 5a 및 도 5b에서 볼 수 있는 바와 같이, 통상의 접합 기술에 의해 글라스 기판(11)에 의해 밀봉된다. 이 때, 고분자 유기 전계 발광 소자의 기능을 제한하는 산소, 수분, 기타 물질의 접근은 차단된다.
상술한 바와 같은 본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 채널 전체에서 막 두께의 편차가 대략 ±10% 정도로 됨으로써, 상기 차단벽을 형성하지 않았을 경우에 외부 영역에서 막 두께의 편차가 50%를 상회했던 것에 비해 우수한 효과가 있음을 알 수 있다.
둘째, 동일한 전력 및/또는 전류를 인가했을 때의 유기 전계 발광 소자의 유기 발광막의 광도는 홀 수송층과 고분자 발광층의 두께에 좌우되므로, 상기 차단벽에 의해 채널에서의 광도가 향상되었다.
셋째, 채널 전체에서 막의 균일도 및 광도의 균일도가 향상되었다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 상부에 소정 패턴의 제 1 전극층이 형성된 기판;
    상기 제 1 전극층이 형성된 기판의 상부를 소정의 패턴으로 구획하는 절연층;
    상기 절연층에 의해 구획된 패턴을 따라 형성된 고분자 유기막층;
    상기 절연층에 의해 구획된 각 패턴의 양 단부에서 상기 고분자 유기막층의 흐름을 차단하는 차단벽; 및
    상기 고분자 유기막층의 상부에 형성된 제 2 전극층;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 절연층은,
    상기 제 1 전극층의 상부에 형성되어 상기 제 1 전극층의 일부가 노출되도록 개구부를 구비한 제 1 절연층; 및
    상기 제 1 절연층의 상부에 형성된 것으로, 상기 절연층에 의해 구획된 패턴을 형성하는 제 2 절연층;으로 구비된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 차단벽의 형상은 육면체 형상, 원통 형상 및 피라미드 형상 중 어느 하나로 된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 차단벽의 너비는 상기 제 2 절연층의 패턴의 폭과 같거나, 이보다 작게 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 차단벽의 높이는 50㎚이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 차단벽의 높이는 1㎛ 이상, 상기 절연층의 높이 이하인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  7. 제 1항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 차단벽은 절연성 물질로 구비된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  8. 기판 상에 소정 패턴의 제 1 전극층을 형성하는 공정;
    상기 제 1 전극층이 형성된 기판의 상부에 절연성 물질로 측벽에 의해 한정되는 채널을 형성하되, 상기 채널의 양단부는 차단벽에 의해 한정되도록 하는 공정;
    상기 채널 내에 액상의 고분자 유기물을 도포하고 건조시켜 유기막층을 형성하는 공정;
    상기 유기막층의 상부로 제 2 전극층을 형성하는 공정; 및
    상기 기판을 밀봉하는 공정;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 채널 내에 액상의 고분자 유기물을 도포하는 공정은 잉크젯 인쇄방법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 차단벽의 너비는 상기 채널의 폭과 같거나, 이보다 작게 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
KR10-2002-0058785A 2002-04-10 2002-09-27 유기 전계 발광소자 및 그 제조방법 KR100537611B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10215702 2002-04-10
DE10215702.2 2002-04-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030080975A true KR20030080975A (ko) 2003-10-17
KR100537611B1 KR100537611B1 (ko) 2005-12-19

Family

ID=28684886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0058785A KR100537611B1 (ko) 2002-04-10 2002-09-27 유기 전계 발광소자 및 그 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6774392B2 (ko)
KR (1) KR100537611B1 (ko)
DE (1) DE10311097B4 (ko)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3608614B2 (ja) 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
KR100528910B1 (ko) * 2003-01-22 2005-11-15 삼성에스디아이 주식회사 고분자 유기 전계 발광 소자
CN1574214A (zh) * 2003-06-03 2005-02-02 国际商业机器公司 用于制造电子器件的基于熔化的图案化工艺
US7022534B2 (en) * 2004-01-14 2006-04-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optimal bank height for inkjet printing
US20050282308A1 (en) * 2004-06-22 2005-12-22 Albrecht Uhlig Organic electroluminescent display device and method of producing the same
US7856116B2 (en) 2004-11-09 2010-12-21 Digimarc Corporation Authenticating identification and security documents
TWI254027B (en) * 2004-12-07 2006-05-01 Ind Tech Res Inst Micro device and manufacturing method thereof
US7759856B2 (en) * 2004-12-17 2010-07-20 Honeywell International Inc. Organic light emitting diode (OLED) having improved stability, luminance, and efficiency
CN100359368C (zh) * 2004-12-29 2008-01-02 财团法人工业技术研究院 微元件及其制造方法
KR100685811B1 (ko) * 2005-01-04 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP4745062B2 (ja) 2005-06-02 2011-08-10 三星モバイルディスプレイ株式會社 平板表示装置及びその製造方法
EP1729358B1 (en) 2005-06-02 2016-03-02 Samsung SDI Germany GmbH Substrate for inkjet printing
US7829147B2 (en) 2005-08-18 2010-11-09 Corning Incorporated Hermetically sealing a device without a heat treating step and the resulting hermetically sealed device
US20070040501A1 (en) * 2005-08-18 2007-02-22 Aitken Bruce G Method for inhibiting oxygen and moisture degradation of a device and the resulting device
US7722929B2 (en) 2005-08-18 2010-05-25 Corning Incorporated Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device
US20080206589A1 (en) * 2007-02-28 2008-08-28 Bruce Gardiner Aitken Low tempertature sintering using Sn2+ containing inorganic materials to hermetically seal a device
JP4706845B2 (ja) * 2006-02-15 2011-06-22 凸版印刷株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
US8884511B2 (en) * 2006-07-10 2014-11-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Luminescent materials having nanocrystals exhibiting multi-modal energy level distributions
US20080048178A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Bruce Gardiner Aitken Tin phosphate barrier film, method, and apparatus
EP2141964B1 (en) * 2007-05-31 2011-09-07 Panasonic Corporation Organic EL element and manufacturing method thereof
US8434904B2 (en) 2010-12-06 2013-05-07 Guardian Industries Corp. Insulated glass units incorporating emitters, and/or methods of making the same
CN107546249B (zh) * 2017-08-01 2020-03-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示面板
CN108461041A (zh) * 2018-02-02 2018-08-28 云谷（固安）科技有限公司 一种显示装置、显示装置的色偏调整方法、和显示装置的制造方法
CN110262190B (zh) * 2019-06-19 2023-09-01 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体结构及其制作方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US6013982A (en) 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
EP0940797B1 (en) 1997-08-21 2005-03-23 Seiko Epson Corporation Active matrix display
JP3580092B2 (ja) * 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JP2000033712A (ja) 1997-09-30 2000-02-02 Seiko Epson Corp マイクロセンサーデバイス作成方法及びそれを用いた液体機能評価方法
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
GB9803763D0 (en) 1998-02-23 1998-04-15 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
CN1293784C (zh) 1998-03-17 2007-01-03 精工爱普生株式会社 薄膜构图衬底、薄膜形成方法和薄膜元件
GB9813326D0 (en) 1998-06-19 1998-08-19 Cambridge Display Tech Ltd Backlit displays
WO2000012226A1 (en) 1998-08-28 2000-03-09 Fed Corporation Full color organic light emitting diode display and method for making the same using inkjet fabrication
JP3927323B2 (ja) * 1998-09-11 2007-06-06 パイオニア株式会社 有機ｅｌフルカラーディスプレイパネルおよびその製造方法
US6153254A (en) 1998-09-30 2000-11-28 U.S. Philips Corporation Method and device for manufacturing an electroluminescent display screen
JP2001185351A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Sanyo Electric Co Ltd 有機発光素子およびその製造方法
JP4478274B2 (ja) * 2000-02-17 2010-06-09 東北パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法
TW490997B (en) * 2000-03-31 2002-06-11 Seiko Epson Corp Method of manufacturing organic EL element, and organic EL element

Also Published As

Publication number Publication date
US6924504B2 (en) 2005-08-02
KR100537611B1 (ko) 2005-12-19
DE10311097A1 (de) 2003-11-06
US6774392B2 (en) 2004-08-10
US20050012093A1 (en) 2005-01-20
DE10311097B4 (de) 2013-09-26
US20030193057A1 (en) 2003-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100537611B1 (ko) 유기 전계 발광소자 및 그 제조방법
KR100528910B1 (ko) 고분자 유기 전계 발광 소자
KR101325577B1 (ko) 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
JP4925566B2 (ja) シャドーマスク
KR100424731B1 (ko) 유기 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법 및 유기일렉트로루미네선스 장치 및 전자기기
JP4237501B2 (ja) エレクトロルミネセント装置及びその製造方法
KR100508002B1 (ko) 노즐코팅을 이용한 유기 전계 발광 소자 제조 방법
KR100919352B1 (ko) 유기 ｅｌ 디스플레이 패널 및 그 제조 방법
CN100346481C (zh) 有机电致发光显示器及其制造方法
US20080238295A1 (en) Electroluminescent device, method of manufacturing the device, electronic device, thin-film structure, and method of forming thin film
JP5880638B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
KR20050051550A (ko) 전기 광학 장치, 반도체 장치, 전기 광학 장치용 기판,이들의 제조 방법 및 전자 기기
JP6358946B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置
KR20180077718A (ko) 전계 발광 표시 장치
US7833612B2 (en) Substrate for inkjet printing and method of manufacturing the same
KR101084166B1 (ko) 픽셀 구조 및 이를 구비한 유기 전계 발광소자
KR101160840B1 (ko) 디스플레이 장치와 그 제조방법
JP2005158584A (ja) パターン形成方法及び表示装置の製造方法
JP4241670B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置
US7619243B2 (en) Color organic electroluminescent display and method for fabricating the same
KR100827617B1 (ko) 유기전계 발광소자 제조방법 및 이의 고분자 유기막 패턴 형성방법
JP2009302016A (ja) 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法
KR100407537B1 (ko) 유기전계발광소자와 그 제조방법
KR20050063159A (ko) 유기 전계발광 소자 및 그의 제조방법
CN115377316A (zh) 显示器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
E801 Decision on dismissal of amendment
E902 Notification of reason for refusal
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121130

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131129

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141128

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee