KR20030079457A - 유기 전자발광소자 - Google Patents

유기 전자발광소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20030079457A
KR20030079457A KR1020020018500A KR20020018500A KR20030079457A KR 20030079457 A KR20030079457 A KR 20030079457A KR 1020020018500 A KR1020020018500 A KR 1020020018500A KR 20020018500 A KR20020018500 A KR 20020018500A KR 20030079457 A KR20030079457 A KR 20030079457A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cathode
organic
electroluminescent device
organic electroluminescent
metal
Prior art date
Application number
KR1020020018500A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100473283B1 (ko
Inventor
이일한
Original Assignee
삼성 엔이씨 모바일 디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성 엔이씨 모바일 디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성 엔이씨 모바일 디스플레이 주식회사
Priority to KR10-2002-0018500A priority Critical patent/KR100473283B1/ko
Priority to US10/394,066 priority patent/US6803128B2/en
Priority to EP20030252092 priority patent/EP1351324B1/en
Priority to CN03110203A priority patent/CN1449227A/zh
Priority to JP2003102009A priority patent/JP2003303691A/ja
Publication of KR20030079457A publication Critical patent/KR20030079457A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100473283B1 publication Critical patent/KR100473283B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
    • Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 캐소드, 애노드 및 상기 캐소드와 애노드 사이에 형성된 유기막을 구비하고 있는 유기 전자 발광소자에 있어서, 상기 캐소드가, 알루미늄(Al)을 포함하는 제1캐소드와, 상기 제1캐소드 하부에 위치하며 유기막과 인접되어 있고, 일함수가 3.5 내지 5.0eV인 금속과, 화학식 1로 표시되는 금속 카르복실레이트를 포함하는 제2캐소드를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 발광소자를 제공한다.
RCOOM
상기식중, M은 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속이고, R은 C1-C10의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기이다. 본 발명의 유기 전자 발광소자는, 전자수송층과 캐소드간의 에너지 장벽 차이를 감소시켜 전자 주입 효율을 향상시킴으로써 발광효율, 색좌표, 휘도 특성이 우수하면서 구동전압이 줄어들게 된다.

Description

유기 전자 발광 소자{Organic electroluminescence device}
본 발명은 유기 전자 발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하기로는 캐소드로부터 유기막으로의 전자 주입 효율이 개선된 유기 전자 발광소자에 관한 것이다.
전자발광소자는 능동 발광형 표시 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 표시 소자로서 주목을 받고 있다. 특히 발광층 형성재료가 유기물로 이루어진 유기 전자 발광소자는, 발광층 형성용 재료로서 무기물을 이용하는 무기 전자발광소자에 비하여 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.
유기 전자발광소자는 기본적으로 기판 상부에 애노드가 형성되어 있고, 이 애노드 상부에 홀 수송층, 발광층, 전자수송층 및 캐소드가 순차적으로 적층되어 있는 구조를 갖고 있다. 여기에서 상기 홀수송층, 발광층 및 전자수송층은 유기물로 이루어진 유기막들이다.
이와 같은 구조를 갖는 유기 전자발광소자의 구동원리를 살펴보면 다음과 같다.
상기 애노드와 캐소드간에 전압을 인가하면 애노드로부터 주입된 홀은 홀수송층을 경유하여 발광층에 이동된다. 한편, 전자는 캐소드로부터 전자수송층을 경유하여 발광층에 주입되고, 홀수송층과 발광층 또는 전자수송층 자체가 발광층이될 수도 있음)의 계면에서 캐리어들이 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 변화되고, 이로 인하여 발광층의 형광성 분자가 발광함으로써 화상이 형성된다.
상술한 바와 같은 유기 전자 발광소자에 있어서, 소자의 구동전압 하강과 전자와 정공의 전하 평형(charge balence)을 향상시키기 위해서는 캐소드로부터 전자수송층과 같은 유기막으로의 전자 주입 효율을 향상시켜야 한다. 이와 같이 전자주입을 향상시키기 위한 방법으로서, 캐소드 형성물질로서 일함수가 작은 리튬, 마그네슘 등과 같은 알칼리 금속을 사용하거나, 상기 알칼리 금속과 알루미늄, 은 등과 같은 금속을 공증착하거나 또는 상기 알칼리 금속과 알루미늄, 은 등과 같은 금속의 합금을 이용하는 방법이 제안되었다(미국 특허 제5,429,884호, 미국 특허 제5,059,862호, 미국 특허 제4,885,211호).
그러나, 상술한 일함수가 작은 금속을 사용하는 경우에는 그 금속 자체가 불안정하고 반응성이 강하기 때문에 공정상 취급의 어려움과 소자 안정성 측면에서 불리하며, 공증착방법의 경우는 합금 형성용 재료의 비율을 실질적으로 제어하기가 어렵고, 합금을 이용하는 경우에도 재현성이 떨어진다.
캐소드로부터 유기막으로의 전자 주입 효율을 향상시키기 위한 다른 방법으로서, 캐소드와 유기막 사이에 LiF, CsF, SrO, Li2O와 같은 무기물을 포함하는 전자주입층을 5-20Å 두께로 형성하는 방법이 제안되었다(미국 특허 5,776,622, 5,776,623, 5,937,272, 5,739,635, Appl. Phys Lett. 73(1998) 1185).
그러나, 상술한 방법에 따르면, 전자주입층 형성시 무기물의 높은 성막 온도와 5-20Å 두께 정도의 박막을 균일하게 성막하는데 실질적으로 공정상 많은 어려움이 따른다.
최근에는 CH3COOLi, C6H5COOLi과 같은 알칼리 금속 아세테이트를 캐소드와 유기막 사이에 5∼40Å 두께로 형성하는 방법이 제안되었다(Materials Science and Engineering B85(2001) 140-143). 이 방법 역시 5∼40Å 두께 정도의 균일한 박막을 성막시키기가 어려워서 대면적 증착시 많은 공정상의 어려움이 따른다.
상술한 바와 같이, 종래의 유기 전자 발광소자는 캐소드로부터의 전자 주입 효율을 향상시키기 위하여 다양한 방법을 시도하였으나, 이들 방법 모두 공정에서 다루기가 용이하지 않거나 또는 그 구동전압 및 효율 특성 개선 효과가 만족할 만한 수준에 이르지 못하였다.
이에 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 문제점을 해결하여 캐소드로부터 유기막으로의 전자 주입 효율이 개선됨으로써 구동전압이 감소되고 발광 효율 및 색좌표 특성이 개선된 유기 전자 발광소자를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 유기 전자 발광소자의 구조를 나타낸 도면이고,
도 2a는 IDE 406(Idemitsu사)으로 이루어진 홀주입층과, NPB로 이루어진 홀 수송층과, Alq3로 이루어진 전자수송층과, LiF로 이루어진 전자주입층과, Al으로 이루어진 캐소드를 갖는 유기 전자 발광소자에 있어서, 전자수송층의 HOMO와, 캐소드의 LUMO간의 에너지갭을 나타내는 에너지 밴드 다이아그램을 나타낸 도면이고,
도 2b는 IDE 406(Idemitsu사)으로 이루어진 홀주입층과, NPB로 이루어진 홀 수송층과, Alq3로 이루어진 전자수송층과, 이 전자수송층에 인접되어 있고 세슘 아세테이트와 Al으로 이루어진 제2캐소드를 갖는 유기 전자 발광소자에 있어서, 전자수송층의 HOMO와, 캐소드의 LUMO간의 에너지갭을 나타내는 에너지 밴드 다이아그램을 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명의 실시예 1-2 및 비교예 1에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 구동전압 및 효율 특성을 나타낸 도면이고,
도 4는 본 발명의 실시예 1-2 및 비교예 1에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 색좌표 특성을 나타낸 도면이고,
도 5는 본 발명의 실시예 1-2 및 비교예 1에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 전압에 따른 전류밀도 변화를 나타낸 그래프이고,
도 6은 본 발명의 실시예 7-8 및 비교예 2에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 구동전압 및 효율 특성을 나타낸 도면이고,
도 7은 본 발명의 실시예 7-8 및 비교예 2에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 색좌표 특성을 나타낸 도면이고,
도 8은 본 발명의 실시예 7-8 및 비교예 2에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 전압에 따른 전류밀도 변화를 나타낸 그래프이고,
도 9는 본 발명의 실시예 7-8 및 비교예 2에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 전압에 따른 휘도 변화를 나타낸 그래프이고,
도 10은 본 발명의 실시예 7-8 및 비교예 2에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 수명 특성을 나타낸 도면이고,
도 11은 본 발명의 실시예 1-2 및 비교예 3에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 구동전압 및 효율 특성을 나타낸 도면이고,
도 12은 본 발명의 실시예 1-2 및 비교예 3에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 전압에 따른 전류밀도 변화를 나타낸 그래프이고,
도 13은 본 발명의 실시예 1-2 및 비교예 3에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 수명 특성을 나타낸 도면이다.
<도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명>
11... 기판12... 애노드
23... 홀 수송층14... 발광층
15... 전자 수송층16... 제2캐소드
17... 제1캐소드
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명에서는, 캐소드, 애노드 및 상기 캐소드와 애노드 사이에 형성된 유기막을 구비하고 있는 유기 전자 발광소자에 있어서,
상기 캐소드가,
알루미늄(Al)을 포함하는 제1캐소드와,
상기 제1캐소드 하부에 위치하며 유기막과 인접되어 있고, 일함수가 3.5 내지 5.0eV인 금속과, 화학식 1로 표시되는 금속 카르복실레이트를 포함하는 제2캐소드를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 발광소자를 제공한다.
<화학식 1>
RCOOM
상기식중, M은 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속이고,
R은 C1-C10의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기이다.
상기 일함수가 3.5 내지 5.0eV인 금속은 알루미늄(Al), 인듐(In), 크롬(Cr), 은(Ag)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이다.
상기 화학식 1의 금속 카르복실레이트에서 금속은 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb) 또는 세슘(Cs)인 것이 바람직하며, 상기 화학식 1의 R은 메틸기, 에틸기, 페닐기인 것이 바람직하다.
상기 화학식 1의 금속 카르복실레이트가 리튬 아세테이트(CH3COOLi), 리튬 벤조에이트(C6H5COOLi), 칼륨 아세테이트(CH3COOK), 칼륨 벤조에이트(C6H5COOK), 세슘 벤조에이트(C6H5COOCs), 세슘 아세테이트(CH3COOCs), 나트륨 벤조에이트(C6H5COONa), 나트륨 아세테이트(CH3COONa), 루비듐 벤조에이트(C6H5COORb), 루비듐 아세테이트(CH3COORb)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이다.
상기 제2캐소드에서 알루미늄과 화학식 1의 금속 카르복실레이트의 혼합중량비가 1:1 내지 10:0.1인 것이 바람직하며, 특히 5:1 내지 10:1인 것이 바람직하다.
상기 제1캐소드의 두께는 5 내지 100nm이고, 상기 제2캐소드의 두께가 10 내지 150nm이다.
본 발명의 유기 전자 발광소자에서, 상기 유기막은 전자수송층, 발광층, 홀 수송층, 홀 주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함한다.
본 발명의 캐소드는, 알루미늄(Al)으로 된 제1캐소드와, 일함수가 3.5 내지 5.0eV인 캐스드 형성용 금속과 화학식 1의 금속 카르복실레이트를 함유하는 제2캐소드로 구성된 2층 구조를 갖는다. 여기에서 제2캐소드는 제1캐소드 하부에 위치하며, 유기막과 인접되게 배치된다. 그리고 상기 일함수가 3.5 내지 5.0eV인 금속으로는, 인듐(In)(일함수: 3.8-4.2eV), 크롬(Cr)(일함수: 4.3eV), 알루미늄(Al)(일함수: 4.3eV), 은(Ag)(4.6eV)이 있고, 그중에서 알루미늄이 공정 적용 측면에서 가장 바람직하다. 만약 캐소드 형성용 금속의 일함수가 3.5 eV 미만이면 불안정하여 취급이 어렵고, 5.0eV를 초과하면 전자 주입 특성이 저하되므로 바람직하지 못하다.
상기 화학식 1의 금속 카르복실레이트는 금속(M)이 카르복실레이트 관능기에 반대 이온으로 작용하는 유기물로서, 상기 금속은 일함수가 4.0eV 이하, 특히 1 내지 4.0eV인 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속이다. 바람직하게는 상기 금속은 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb) 또는 세슘(Cs)과 같은 알칼리 금속이다.
<화학식 1>
RCOOM
상기식중, M은 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속이고,
R은 C1-C10의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기이다.
상기 화학식 1의 R에서 C1-C10의 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 등이 있고, C6-C20의 아릴기의 구체적인 예로는 페닐기 등인 것이 바람직하다.
본 발명의 금속 카르복실레이트는 특히 리튬 아세테이트(CH3COOLi), 리튬 벤조에이트(C6H5COOLi), 칼륨 아세테이트(CH3COOK), 칼륨 벤조에이트(C6H5COOK), 세슘 벤조에이트(C6H5COOCs), 세슘 아세테이트(CH3COOCs), 나트륨 벤조에이트(C6H5COONa), 나트륨 아세테이트(CH3COONa), 루비듐 벤조에이트(C6H5COORb), 루비듐 아세테이트(CH3COORb) 등이 보다 바람직하다.
상기 제2캐소드에서 캐소드 형성용 금속과 금속 카르복실레이트의 혼합중량비에 대하여 살펴보면, 1:1 내지 10: 0.1인 것이 바람직하며, 5:1 내지 15:1인 것이 보다 바람직하며, 10:1인 것이 가장 바람직하다.
이하, 본 발명의 원리를 살펴보기로 하되, 홀주입층 형성시 IDE 406(Idemitsu사)을 이용하고, 홀 수송층 형성시 NPB를 이용하고, 전자수송층 형성시 Alq3를 이용하고, 전자수송층에 인접된 제2캐소드가 Al과 세슘 아세테이트로 이루어진 경우를 예를 들어 설명하기로 한다.
도 2a-b를 참조하면, 전자수송층(Alq3)에 인접한 전자주입층(LiF)과 캐소드(Al)으로 이루어진 도 2a의 유기 전자 발광소자는 유기막으로의 전자 주입이 Alq3의 LUMO 레벨이 LiF 계면 부분에서 낮아지는 밴드 밴딩 현상에 의한 게면에서의 에너지 장벽 감소 또는 전자 터널링에 의하여 전자 주입이 개선된다. 이러한 경우, Alq3의 LUMO(3.0eV)와 캐소드의 일함수(4.3eV) 에너지 차이가 크기 때문에 밴드 벤딩(band bending) 또는 전자터널링에 의하여 효율적으로 전자 주입이 되지 않다. 그러나, 도 2b의 유기 전자 발광소자는 전자수송층(Alq3)에 인접된 제2캐소드가 Al과 세슘 아세테이트로 이루어져 있고, Alq3의 LUMO(3.0eV)와 캐소드의 일함수(약 3.0eV) 에너지 차이가 거의 없으므로 낮은 전압을 인가해도 캐소드에서 유기막으로의 전자 주입이 향상된다.
본 발명에 따른 유기 전자 발광소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 기판상에 애노드를 형성한 다음, 이 애노드 상부에 홀 주입층을 선택적으로 형성한다. 이 때 홀 주입층은 애노드와 홀수송층간의 접촉저항을 감소시키는 동시에, 발광층(또는 전자수송층)에 대한 애노드의 홀 수송능력이 향상되어 소자의 특성이 전반적으로 개선되는 효과를 얻을 수 있다. 이러한 홀주입층 형성재료는, 스타버스트(starbust) 아민계 화합물을 이용하며, 홀주입층의 두께는 30 내지 100nm이다. 만약 홀주입층의 두께가 상기 범위를 벗어나는 경우에는 정공 주입 특성이 불량하므로 바람직하지 못하다.
이어서, 상기 홀 주입층 상부에 홀 수송층을 형성한다. 이 때 홀수송층을 형성하는 홀수송성 물질로는 N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘{N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: α-NPB}, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민(TPD) 등을 이용한다. 그리고 홀수송층의 막두께는 10 내지 50nm 범위이다. 만약 홀수송층의 두께가 상기 범위를 벗어나는 경우에는 정공 주입 특성이 저하되므로 바람직하지 못하다.
이러한 홀수송층에는 홀수송성 물질이외에 전자-홀 결합에 대하여 발광할 수 있는 도펀트를 부가하기도 한다. 이러한 도펀트로는 하기 구조식의 4-(디시아노메틸렌)-2-터트-부틸-6-(1,1,7,7-테트라메틸줄로리딜-9-에닐)-4H-피란(4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran: DCJTB), 쿠마린 6(Coumarin 6), 루브레네(Rubrene), DCM, DCJTB, 페닐렌(Perylene), 퀴나크리돈(Quinacridone) 등을 이용하며, 그 함량은 홀수송층 형성용 물질 총중량에 대하여 0.1 내지 5중량%를 사용한다. 이와 같이 홀수송층 형성시 도펀트를 부가하면, 발광색을 도펀트 종류 및 함량에 따라 조절가능하며, 홀수송층의 열적 안정성을 개선하여 소자의 수명을 향상시키는 잇점이 있다.
그 후, 상기 홀 수송층 상부에 발광층 및/또는 전자수송층을 형성한다. 본 발명의 바람직한 일실시예에서는 발광층을 별도로 형성하지 않고 전자수송층만을 형성하며, 이 전자수송층은 발광층 역할도 동시에 한다.
전자수송층을 형성하는 전자수송성 물질로는 하기 구조식의 트리스(8-퀴놀리놀라토)-알루미늄(tris(8-quinolinolate)-aluminium: Alq3), 하기 구조식의 Almq3을 이용하며, 상술한 홀수송층과 마찬가지로 전자-홀 결합에 대하여 발광할 수 있는도펀트를 더 함유하기도 한다. 이 때 도펀트 종류 및 함량은 홀수송층의 경우와 거의 동일한 수준이다. 그리고 전자수송층의 막두께는 30 내지 100nm 범위인 것이 바람직하다. 만약 전자수송층의 두께가 상기 범위를 벗어나는 경우에는 효율 저하 및 구동전압이 상승하여 바람직하지 못하다.
그리고 나서, 상기 발광층 및/또는 전자수송층 상부에 일함수가 3.5 내지 5.0 eV인 캐소드 형성용 금속과 화학식 1의 금속 카르복실레이트를 공증착하여 제2캐소드를 형성한다. 이 때 공증착방법은 특별히 제한되지는 않으나, 본 발명에서는 열증착방법을 사용한다.
제2캐소드에서 캐소드 물질과 화학식 1의 금속 카르복실레이트의 혼합중량비는 1:1 내지 10:0.1, 특히 5:1 내지 10:1인 것이 바람직하다. 만약 캐소드 물질에 대한 금속 카르복실레이트의 함량이 상기 범위를 초과하는 경우에는 구동전압이 상승하고, 상기 범위 미만인 경우에는 캐소드에서 유기막으로의 전자 주입 효율이 하강하여 바람직하지 못하다.
상술한 바와 같이 형성된 제2캐소드 상부에 알루미늄을 증착하여 제1캐소드를 형성한 다음, 이를 밀봉하면 도 1과 같은 본 발명의 유기 전자발광소자가 완성된다.
도 1을 참조하면, 기판(11) 상부에 애노드(12)가 형성되어 있고, 이 애노드(12) 상부에 홀 수송층(13), 발광층(14), 전자수송층(15) 및 상기 애노드(12)와 직교하도록 소정 패턴의 제2캐소드(16)와 제1캐소드(17)가 순차적으로 적층되어 있다.
상기 제2캐소드(16)의 두께는 5 내지 100nm이고, 제1캐소드(17)의 두께는 10 내지 150nm이다. 제2캐소드(16)의 두께에 따른 특성 변화는 거의 없지만, 만약 제2캐소드(16)의 두께가 5nm 미만이면, 전자 주입 특성이 저하되고, 100nm를 초과하면 구동에 의한 열화에 의하여 바람직하지 못하다. 그리고 제1캐소드(17)의 두께가 10 nm 미만이면, 면저항이 증가하여 구동열화가 발생되고, 150nm를 초과하면 소자 박막화가 곤란하여 바람직하지 못하다.
유기 전자발광소자는 상술한 바와 같은 순서 즉, 애노드/홀수송층/발광층/전자수송층/캐소드 순으로 제조하여도 되고, 그 반대의 순서 즉, 캐소드/전자수송층/발광층/홀수송층/애노00드 순으로도 제조하여도 무방하다. 후자와 같은 순서로 적층된 경우에는 기판 재질이 반드시 투명성 재질일 필요가 없고 개구율이 높아지는 잇점이 있다.
본 발명의 유기 전자발광소자에 있어서, 기판으로는 통상적인 유기 EL 소자에서 사용되는 기판을 사용하는데, 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 그리고 애노드 전극용 물질으로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화주석(SnO2),산화아연(ZnO) 등을 사용하며, 그 막 두께는 100 내지 200nm 범위이다. 만약 애노드의 두께가 상기 범위를 벗어나는 경우에는 면저항 특성에 의한 구동열화 및 광학적 특성 변화로 인하여 바람직하지 못하다.
이하, 본 발명을 하기 실시예를 들어 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
유리 기판상에 15nm 두께로 ITO 전극을 형성한 다음, 이 상부에 IDE 406(Idemitsu사)를 진공증착하여 홀주입층을 50nm 두께로 형성하였다. 이어서, 상기 홀주입층 상부에 NPB를 진공증착하여 15nm 두께의 홀수송층을 형성하였다.
그 후, 상기 홀수송층 상부에 Alq3를 진공증착하여 70nm 두께의 전자수송층을 형성하였다. 이 전자수송층 상부에 10:1 혼합중량비의 알루미늄과 세슘 아세테이트를 함께 열증착하여 제2캐소드를 30nm 두께로 형성하였다. 이어서, 상기 제2캐소드 상부에 알루미늄을 진공증착하여 70nm 두께의 제1캐소드를 형성하였다.
그 후, 상기 결과물을 밀봉하여 유기 전자 발광소자를 완성하였다.
<실시예 2>
알루미늄과 세슘 아세테이트의 혼합 중량비가 5:1인 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 유기 전자 발광소자를 완성하였다.
<실시예 3>
제2캐소드 제조시알루미늄과 세슘 아세테이트 대신 인듐과 세슘 아세테이트를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 유기 전자발광소자를 완성하였다.
<실시예 4>
제2캐소드 제조시 알루미늄과 세슘 아세테이트 대신 크롬과 세슘 아세테이트를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 유기 전자 발광소자를 완성하였다.
<실시예 5>
제2캐소드 제조시 알루미늄과 세슘 아세테이트 대신 은과 세슘 아세테이트를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 유기 전자 발광소자를 완성하였다.
<실시예 6>
제2캐소드 제조시 알루미늄과 세슘 아세테이트 대신 알루미늄과 세슘 벤조에이트를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 유기 전자 발광소자를 완성하였다.
<실시예 7>
유리 기판상에 15nm 두께로 ITO 전극을 형성한 다음, 이 상부에 IDE 406(Idemitsu사)를 진공증착하여 홀주입층을 15nm 두께로 형성하였다. 이어서, 상기 홀주입층 상부에 NPB를 진공증착하여 15nm 두께의 홀수송층을 형성하였다.
그 후, 상기 홀수송층 상부에 97:3 혼합중량비의 IDE 120(Idemitsu사)과 IDE 105(Idemitsu사)를 함께 진공증착하여 30nm 두께의 홀주입층을 형성하였다. 상기 홀주입층 상부에 Alq3를 진공증착하여 30nm 두께의 전자수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 전자수송층 상부에 94:6 혼합중량비의 알루미늄과 세슘 아세테이트를 함께 열증착하여 제2캐소드를 30nm 두께로 형성하였다. 이어서, 상기 제2캐소드 상부에 알루미늄을 진공증착하여 70nm 두께의 제1캐소드를 형성하였다.
그 후, 상기 결과물을 밀봉하여 유기 전자 발광소자를 완성하였다.
<실시예 8>
알루미늄과 세슘 아세테이트의 혼합 중량비가 92:8인 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 유기 전자 발광소자를 완성하였다.
<비교예 1>
유리 기판상에 150nm 두께로 ITO 전극을 형성한 다음, 이 상부에 IDE 406(Idemitsu사)를 진공증착하여 홀주입층을 50nm 두께로 형성하였다. 이어서, 상기 홀주입층 상부에 NPB를 진공증착하여 15nm 두께의 홀수송층을 형성하였다.
그 후, 상기 홀수송층 상부에 Alq3를 진공증착하여 70nm 두께의 전자수송층을 형성하였다. 이 전자수송층 상부에 LiF를 진공증착하여 1nm 두께의 LiF 전자주입층을 형성한 다음, 이 LiF 전자주입층 상부에 Al을 진공증착하여 150nm 두께로 Al 전극을 형성하였다. 이어서, 상기 결과물을 밀봉하여 유기 전자 발광소자를 완성하였다.
<비교예 2>
유리 기판상에 15nm 두께로 ITO 전극을 형성한 다음, 이 상부에 IDE 406(Idemitsu사)를 진공증착하여 홀주입층을 15nm 두께로 형성하였다. 이어서, 상기 홀주입층 상부에 NPB를 진공증착하여 15nm 두께의 홀수송층을 형성하였다.
그 후, 상기 홀수송층 상부에 97:3 혼합중량비의 IDE 120(Idemitsu사)과 IDE 105(Idemitsu사)를 함께 진공증착하여 30nm 두께의 홀주입층을 형성하였다. 상기 홀주입층 상부에 Alq3를 진공증착하여 30nm 두께의 전자수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 전자수송층 상부에 이 전자수송층 상부에 LiF를 진공증착하여 1nm 두께의 LiF 전자주입층을 형성한 다음, 이 LiF 전자주입층 상부에 Al을 진공증착하여 150nm 두께로 Al 전극을 형성하였다. 이어서, 상기 결과물을 밀봉하여 유기 전자 발광소자를 완성하였다.
<비교예 3>
유리 기판상에 15nm 두께로 ITO 전극을 형성한 다음, 이 상부에 IDE 406(Idemitsu사)를 진공증착하여 홀주입층을 15nm 두께로 형성하였다. 이어서, 상기 홀주입층 상부에 NPB를 진공증착하여 15nm 두께의 홀수송층을 형성하였다.
그 후, 상기 홀수송층 상부에 Alq3를 진공증착하여 30nm 두께의 전자수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 전자수송층 상부에 이 전자수송층 상부에 리튬 아세테이트를 열증착하여 전자주입층을 형성하였다. 그리고 나서, 상기 전자주입층 상부에 Al을 진공증착하여 150nm 두께로 Al 전극을 형성하였다. 이어서, 상기 결과물을 밀봉하여 유기 전자 발광소자를 완성하였다.
상기 실시예 1-2 및 비교예 1에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 구동전압, 최대휘도, 발광효율, 색좌표 특성을 조사하였다. 여기에서 상기 특성들은 10 내지 100mA/cm2의 전류밀도를 인가하여 평가하였다.
상기 특성 평가 결과는 하기 표 1 및 도 3 및 4에 나타난 바와 같다.
구분 구동전압(V) 최대휘도(cd/㎡) 발광효율(cd/A) C.I.E.
x y
실시예 1 13.24 4349 4.35 0.340 0.539
실시예 2 10.29 4109 4.11 0.348 0.539
비교예 1 14.25 4221 4.22 0.342 0.530
상기 표 1 및 도 3-4로부터 알 수 있듯이, 실시예 1-2의 유기 전자 발광소자는 비교예 1의 경우와 비교하여 구동전압은 줄어들고, 최대휘도, 발광효율 및 색좌표 특성은 거의 유사한 수준을 나타냈다.
또한, 상기 실시예 3-6의 유기 전자 발광 소자는 구동전압, 최대휘도, 발광효율 및 색좌표 특성이 실시예 1과 유사한 결과를 나타냈다.
상기 실시예 1-2 및 비교예 1에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 전압에 따른 전류 밀도 변화를 조사하여 도 5에 나타내었다.
도 5를 참조하면, 실시예 1-2의 유기 전자 발광소자는 비교예 1의 경우와 비교하여 동일 전압에서 전류밀도가 크므로 전자 주입 특성이 향상되었다는 사실을 확인할 수 있었다.
또한, 상기 실시예 7-8 및 비교예 2에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 구동전압, 최대휘도, 발광효율, 전력효율 및 색좌표 특성을 조사하였다. 여기에서 상기 특성들은 10 내지 100mA/cm2의 전류밀도를 인가하여 평가하였다
상기 특성 평가 결과는 하기 표 2 및 도 5 및 6에 나타난 바와 같다.
구분 구동전압(V) 최대휘도(cd/㎡) 발광효율(cd/A) 전력효율(lm/W) C.I.E.
x y
실시예 7 8.01 4277 4.28 1.66 0.151 0.144
8.03 4257 4.26 1.65 0.151 0.144
실시예 8 7.94 4305 4.31 1.70 0.151 0.145
8.00 4344 4.34 1.71 0.152 0.148
비교예 2 8.07 4192 4.19 1.63 0.154 0.147
8.05 4205 4.21 1.64 0.155 0.150
상기 표 2 및 도 6-7로부터 알 수 있듯이, 실시예 7-8의 유기 전자 발광소자는 비교예 2의 경우와 비교하여 구동전압은 줄어들고, 최대휘도, 발광효율, 전력효율 및 색좌표 특성은 개선되었다.
상기 실시예 7-8 및 비교예 2에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 전압에 따른 전류 밀도 변화를 조사하여 도 8에 나타내었다.
도 8을 참조하면, 실시예 7-8의 유기 전자 발광소자는 비교예 2의 경우와 비교하여 동일 전압에서 전류밀도가 크므로 전자 주입 특성이 향상되었다는 사실을 확인할 수 있었다.
상기 실시예 7-8 및 비교예 2에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 전압에 따른 휘도 변화를 조사하였고, 그 결과는 도 9에 나타내었다. 이를 참조하면, 실시예 7-8의 유기 전자 발광소자는 비교예 2의 경우와 비교하여 동일 전압하에서 휘도 특성이 보다 우수하였다.
상기 실시예 7-8 및 비교예 2에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 수명 특성을 조사하였고, 그 결과는 도 10과 같다. 이 때 수명 특성은 동일 전류밀도(45.45mA/㎠)을 가하여 측정한 것이다.
이를 참조하면, 동일전류밀도에서 수명 특성이 거의 동일함을 알 수 있으나, 이는 동일 전압하에서 비교예 2의 경우보다 실시예 7-8의 휘도 특성이 우수하므로 동일 휘도를 기준으로 한다면 비교예 2의 경우보다 수명이 길다는 것을 알 수 있었다.
한편, 상기 실시예 1-2 및 비교예 3에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 구동전압, 최대휘도, 발광효율, 색좌표 특성을 조사하였다. 여기에서 상기 특성들은 10 내지 100mA/cm2의 전류밀도를 인가하여 평가하였다.
상기 특성 평가 결과는 하기 표 3 및 도 11에 나타난 바와 같다.
구분 구동전압(V) 최대휘도(cd/㎡) 발광효율(cd/A) 전력효율(lm/W) C.I.E.
x y
실시예 1 8.01 4277 4.28 1.66 0.151 0.144
8.03 4257 4.26 1.65 0.151 0.144
실시예 2 7.94 4305 4.31 1.70 0.151 0.145
8.00 4344 4.34 1.71 0.152 0.148
비교예 3 7.92 4016 4.02 1.59 0.151 0.148
7.94 4026 4.03 1.59 0.151 0.151
상기 표 3 및 도 11로부터 알 수 있듯이, 실시예 1-2의 유기 전자 발광소자는 비교예 3의 경우와 비교하여 구동전압 및 색좌표 특성은 유사하나, 최대휘도 및 발광효율은 우수하였다.
상기 실시예 1-2 및 비교예 3에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 전압에 따른 전류 밀도 변화를 조사하여 도 12에 나타내었다.
도 12를 참조하면, 실시예 1-2의 유기 전자 발광소자는 비교예 1의 경우와비교하여 동일 전압에서 전류밀도가 크므로 전자 주입 특성이 향상되었다는 사실을 확인할 수 있었다.
또한, 상기 실시예 1-2 및 비교예 3에 따라 제조된 유기 전자 발광소자에 있어서, 수명 특성을 조사하였고, 그 결과는 도 12와 같다. 이 때 수명 특성은 동일 전류밀도(45.45mA/㎠)을 가하여 측정한 것이다.
이를 참조하면, 동일 휘도하에서 실시에 1-2의 경우가 비교예 3의 경우보다 수명이 길어진다는 것을 확인할 수 있었다.
본 발명의 유기 전자 발광소자는, 전자수송층과 캐소드간의 에너지 장벽 차이를 감소시켜 전자 주입 효율을 향상시킴으로써 발광효율, 색좌표, 휘도 특성이 우수하면서 구동전압이 줄어들게 된다.
본 발명에 대해 상기 실시예를 참고하여 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명에 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (9)

  1. 캐소드, 애노드 및 상기 캐소드와 애노드 사이에 형성된 유기막을 구비하고 있는 유기 전자 발광소자에 있어서,
    상기 캐소드가,
    알루미늄(Al)을 포함하는 제1캐소드와,
    상기 제1캐소드 하부에 위치하며 유기막과 인접되어 있고, 일함수가 3.5 내지 5.0eV인 금속과, 화학식 1로 표시되는 금속 카르복실레이트를 포함하는 제2캐소드를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 발광소자.
    <화학식 1>
    RCOOM
    상기식중, M은 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속이고,
    R은 C1-C10의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 일함수가 3.5 내지 5.0eV인 금속은 알루미늄(Al), 인듐(In), 크롬(Cr), 은(Ag)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전자 발광소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 금속 카르복실레이트에서 금속이 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb) 또는 세슘(Cs)인 것을 특징으로 하는 유기 전자 발광소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 R이 메틸기, 에틸기 또는 페닐기인 것을 특징으로 하는 유기 전자 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 금속 카르복실레이트가 리튬 아세테이트(CH3COOLi), 리튬 벤조에이트(C6H5COOLi), 칼륨 아세테이트(CH3COOK), 칼륨 벤조에이트(C6H5COOK), 세슘 벤조에이트(C6H5COOCs), 세슘 아세테이트(CH3COOCs), 나트륨 벤조에이트(C6H5COONa), 나트륨 아세테이트(CH3COONa), 루비듐 벤조에이트(C6H5COORb), 루비듐 아세테이트(CH3COORb)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전자 발광소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2캐소드에서 알루미늄과 화학식 1의 금속 카르복실레이트의 혼합중량비가 1:1 내지 10:0.1인 것을 특징으로 하는 유기 전자 발광소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2캐소드에서 알루미늄과 화학식 1의 금속 카르복실레이트의 혼합중량비가 5:1 내지 10:1인 것을 특징으로 하는 유기 전자 발광소자.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1캐소드의 두께가 10 내지 150nm이고,
    상기 제2캐소드의 두께가 5 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 유기 전자 발광소자.
  9. 제1항에 있어서, 상기 유기막이 전자수송층, 발광층, 홀 수송층, 홀 주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 발광 소자.
KR10-2002-0018500A 2002-04-04 2002-04-04 유기 전자발광소자 KR100473283B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0018500A KR100473283B1 (ko) 2002-04-04 2002-04-04 유기 전자발광소자
US10/394,066 US6803128B2 (en) 2002-04-04 2003-03-24 Organic electroluminescent device
EP20030252092 EP1351324B1 (en) 2002-04-04 2003-04-02 Organic electroluminescent device comprising a metallic carboxylate
CN03110203A CN1449227A (zh) 2002-04-04 2003-04-04 有机电致发光器件
JP2003102009A JP2003303691A (ja) 2002-04-04 2003-04-04 有機電子発光素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0018500A KR100473283B1 (ko) 2002-04-04 2002-04-04 유기 전자발광소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030079457A true KR20030079457A (ko) 2003-10-10
KR100473283B1 KR100473283B1 (ko) 2005-03-08

Family

ID=28036196

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0018500A KR100473283B1 (ko) 2002-04-04 2002-04-04 유기 전자발광소자

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6803128B2 (ko)
EP (1) EP1351324B1 (ko)
JP (1) JP2003303691A (ko)
KR (1) KR100473283B1 (ko)
CN (1) CN1449227A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101986434B1 (ko) * 2017-12-08 2019-06-05 재단법인대구경북과학기술원 투명 발광체, 무기발광소자 및 유기발광소자

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8796670B2 (en) 2003-12-26 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
US7270894B2 (en) * 2004-06-22 2007-09-18 General Electric Company Metal compound-metal multilayer electrodes for organic electronic devices
US8026510B2 (en) 2004-10-20 2011-09-27 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic electronic device and method for producing the same
US20070108900A1 (en) * 2005-11-15 2007-05-17 Boek Heather D Method and apparatus for the elimination of interference fringes in an OLED device
US20070236140A1 (en) * 2006-04-05 2007-10-11 Hsiang-Lun Hsu System for displaying images including electroluminescent device and method for fabricating the same
US20080024059A1 (en) * 2006-07-27 2008-01-31 Tpo Displays Corp. System for displaying images incluidng electroluminescent device and method for fabricating the same
JP4629715B2 (ja) * 2006-12-06 2011-02-09 韓國電子通信研究院 Ｏｌｅｄ素子
US20090176010A1 (en) * 2008-01-04 2009-07-09 M Zwick Lucy Method of manufacturing organic light emitting display
JP2009205985A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
WO2011024671A1 (ja) * 2009-08-26 2011-03-03 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN102005537A (zh) * 2010-09-17 2011-04-06 天津理工大学 一种以苯甲酸锂为阴极修饰层的有机光伏电池及其制备方法
KR101846410B1 (ko) 2011-07-29 2018-04-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20130032675A (ko) * 2011-09-23 2013-04-02 삼성디스플레이 주식회사 듀얼 모드 유기발광소자 및 이를 포함하는 화소 회로
CN103187540B (zh) * 2011-12-31 2019-07-09 昆山维信诺显示技术有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4885211A (en) 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US5059862A (en) * 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US5059861A (en) * 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer
US5429884A (en) 1992-01-17 1995-07-04 Pioneer Electronic Corporation Organic electroluminescent element
JPH07122177A (ja) * 1993-10-25 1995-05-12 Noritake Co Ltd 酸化物陰極
JP3529543B2 (ja) 1995-04-27 2004-05-24 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5677572A (en) * 1996-07-29 1997-10-14 Eastman Kodak Company Bilayer electrode on a n-type semiconductor
US5776622A (en) 1996-07-29 1998-07-07 Eastman Kodak Company Bilayer eletron-injeting electrode for use in an electroluminescent device
US5776623A (en) 1996-07-29 1998-07-07 Eastman Kodak Company Transparent electron-injecting electrode for use in an electroluminescent device
US5937272A (en) 1997-06-06 1999-08-10 Eastman Kodak Company Patterned organic layers in a full-color organic electroluminescent display array on a thin film transistor array substrate
US6140763A (en) * 1998-07-28 2000-10-31 Eastman Kodak Company Interfacial electron-injecting layer formed from a doped cathode for organic light-emitting structure
US6545359B1 (en) * 1998-12-18 2003-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring line and manufacture process thereof, and semiconductor device and manufacturing process thereof
US6924594B2 (en) * 2000-10-03 2005-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100579172B1 (ko) * 2000-10-11 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 유기 전자 발광 소자
DE60132450T2 (de) * 2001-09-04 2008-04-17 Sony Deutschland Gmbh Solarzelle und Herstellungsmethode
US6794061B2 (en) * 2002-01-31 2004-09-21 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device having an adhesion-promoting layer for use with a magnesium cathode

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101986434B1 (ko) * 2017-12-08 2019-06-05 재단법인대구경북과학기술원 투명 발광체, 무기발광소자 및 유기발광소자

Also Published As

Publication number Publication date
EP1351324A2 (en) 2003-10-08
KR100473283B1 (ko) 2005-03-08
EP1351324B1 (en) 2012-12-12
EP1351324A3 (en) 2004-12-22
US6803128B2 (en) 2004-10-12
CN1449227A (zh) 2003-10-15
US20030190494A1 (en) 2003-10-09
JP2003303691A (ja) 2003-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100329571B1 (ko) 유기 전자 발광소자
JP4741577B2 (ja) 安定性が改善された有機発光デバイス
EP1794255B1 (en) Organic light-emitting device comprising buffer layer and method for fabricating the same
US7002293B2 (en) Organic light emitting diode with improved light emission through the cathode
US6797129B2 (en) Organic light-emitting device structure using metal cathode sputtering
KR100669717B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
KR100473283B1 (ko) 유기 전자발광소자
JP2004335468A (ja) Ｏｌｅｄデバイスの製造方法
KR100515827B1 (ko) 유기 전계 발광소자
US20030129447A1 (en) Sputtered cathode having a heavy alkaline metal halide-in an organic light-emitting device structure
US6359384B1 (en) Organic electroluminescent device with electron injecting electrode containing ALLi alloy
JP4770699B2 (ja) 表示素子
US8969864B2 (en) Organic light emitting device having a bulk layer comprising a first and second material
JP2004014512A (ja) 有機発光ダイオードデバイス
KR100669718B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
JPH11121172A (ja) 有機ｅｌ素子
JPH1126164A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20040094078A (ko) 백색 유기발광소자
KR19980081742A (ko) 유기 전계발광 소자
KR101589744B1 (ko) 유기전계발광소자
KR100579172B1 (ko) 유기 전자 발광 소자
JP2003229264A (ja) 有機ｅｌ素子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130205

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140129

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150130

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee