KR20030077013A - 내부의 열 스프레더를 도금하는 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
연장된 상부 채널(122)과 연장된 하부 채널(121)을 형성하는 다수의 비-전도성 실드들(130); 소정의 도금 용액이 유입구들을 통해 상기 하부 채널속으로 그리고 상기 상부 채널쪽으로 흐르도록 방향지어진 일련의 유입구들을 포함하는 도금 용액 스파저; 상기 상부 및 하부 채널들의 길이를 따라 외부에 위치된 다수의 애노드들을 포함하는 도금 시스템(100)이 개시되고, 공작물(900)을 도금 용액속에 잠그는 단계; 상기 공작물을 상기 채널들 내에 적어도 부분적으로 위치시키는 단계; 전류가 상기 애노드들 사이에 흐르도록 하는 단계; 및 상기 공작물을 상기 채널 길이를 따라 이동시키는 단계를 포함하는 도금 방법이 개시된다.
Description
일반적인 연속 도금 시스템은 부품이 도금되는 동안 셀의 길이를 따라 부품을 이동시키도록 설계된 운동 메커니즘 및 연장된 도금 챔버/셀을 포함한다. 한쪽 끝에서 상기 챔버로 들어가고 다른쪽 끝에서 나오는 부품의 도금은 상기 부품이 상기 챔버의 길이를 가로지르는 시간까지 완료되도록 하기 위해서 상기 챔버는 충분히 길어야 한다.
도 1을 참조하면, Technic Inc.로부터 이용가능한 MP 300과 같은 공지의 도금 시스템은 도금 용액(80)을 도금 구획으로 유입시키고 들어오는 용액(80)을 도금될 부품(90)쪽으로 인도하기 위해서 수직의 용액 스파저(sparger)를 이용한다. 공지의 시스템은 또한 캐소드/부품(90)과 하나 이상의 애노드 바스켓(basket)(14) 사이로 전류가 흐르도록 다루기 위해 전기적 절연 실드(shield)를 사용한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 실드(13)와 도금될 부품(90) 사이의 거리(D1)는 상기 부품(90)을 부품(90)과 실드(13)사이에 위치되는 수직 스파저들(11) 사이로 이동시키기에충분히 크다. 도 1의 것과 유사한 시스템은, 도금될 에지(edge)(91)가 도금 용액(80)내에 잠기고 반대쪽 에지(92)가 도금 용액(80)의 밖에 위치되는, 인쇄 회로 기판(90)의 단일 에지(91)를 도금시키기 위해 전형적으로 사용된다. 도 1의 것과 유사한 시스템은 전형적으로 도금하기 위해 사용되는 내부 셀(15), 용액 복귀(return)를 위한 외부 셀(16), 하나 이상의 유체 유입구(inlet)(15A) 및 하나 이상의 유체 배출구(outlet)(16A)를 포함한다. 유체는 전형적으로 유체 유입구(15A)를 통해 내부 셀(15)로 들어와서, 내부 셀(15)의 밖으로 나와서 외부 셀(16)로 흘러들어가고, 그리고 나서 유체 배출구(16A)를 통해 외부 셀(16)의 밖으로 흘러나간다.
불행히도, 이전에 인식하였든 아니든, 도 1의 것과 유사한 시스템은 공작물(work piece)에 최적의 금속 분포(distribution)를 항상 제공하는 것은 아니다. 따라서, 금속 분포를 향상시킬 도금 시스템이 필요하다.
본 발명은 반도체 장치의 열 관리를 위해 설계된 다른 부품 및 열 스프레더를 도금하는 방법에 관한 것이다.
도 1은 종래 기술의 도금 시스템의 투시도이다.
도 2는 본 발명을 구현하는 도금 시스템의 투시도이다.
도 2a는 도 2의 시스템에서 도금될 부품(part)의 상세도이다.
도 3a는 도 1의 시스템에서 사용하기에 적당한 클립(clip)의 최상부도이다.
도 3b는 도 2의 시스템에서 사용하기에 적당한 클립의 최상부도이다.
도 4는 본 발명을 구현하는 방법의 개략도이다.
본 발명은 연장된 상부 채널과 연장된 하부 채널, 및 도금 용액이 유입구(inlet)를 통해 상기 하부 채널안으로 그리고 상기 상부 채널쪽으로 흐르도록 방향지어진(oriented) 일련의 유입구를 포함하는 도금 용액 스파저(sparger)를 포함하는 개선된 도금 시스템 및 이에 관한 방법을 개시한다. 상기 시스템의 바람직한 실시예는 연장된 상부 채널 및 연장된 하부 채널을 형성하는 다수의 전기적 절연 실드(shield)로서, 상기 상부 및 하부 채널은 각각 1 인치 이하의 폭을 가지는 절연 실드; 전력 공급원에 전기적으로 결합되고 상기 상부 채널 또는 상기 하부채널내에 위치된 다수의 부품 홀딩(holding) 클램프(clamp); 소정의 도금 용액이 유입구를 통해 상기 하부 채널안으로 그리고 상기 상부 채널쪽으로 흐르도록 방향지어진 일련의 유입구를 포함하는 도금 용액 스파저(sparger); 및 상기 상부 및 하부 채널을 따라 외부에 위치된 다수의 애노드들을 포함한다.
공작물을 도금하는 개선된 방법은, 도금될 공작물(work piece)을 충분한 도금 용액에 잠그는 단계; 도금될 공작물을 상부 도금 채널 및 하부 도금 채널 내에 적어도 부분적으로 위치시키는 단계로서, 상기 상부 및 하부 도금 채널은 비 전기적 전도성 측면들을 포함하고, 상기 채널들은 서로 대향하여 위치되고 서로 분리되어 있으며, 상기 채널들 사이의 분리은 도금될 공작물의 대략적인 중심 위에 위치되는 한쌍의 용액 배출 슬롯(slot)을 형성하는 단계; 상기 공작물과 하나 이상의 애노드들 사이에 전류가 흐르도록 하는 단계로서, 상기 전류는 상기 용액 배출 슬롯을 통해 흐르는 단계; 및 상기 실드에 본질적으로 평행한 공작물의 표면상에 하나 이상의 내부 열 스프레더(spreader)를 형성하도록 상기 도금될 공작물을 상기 도금 채널의 길이를 따라 이동시키는 단계를 포함한다.
용액이 난류 흐름을(turbulent) 갖고 본 명세서에서 기술된 시스템에서 캐소드-애노드 제한(restriction)이 덜 발견될수록 증착 비율은 더 크게 증가될 수 있다고 예상된다.
공작물을 도금하기 위해 본 명세서에서 기술된 도금 시스템을 사용하면 공작물 사이에 더 균일하게 도금이 되게 하고 각 부품이 셀내에서 같은 깊이로 배치되고 같은 실드 분포를 가짐으로써 과-도금 (overplating)이 적어지는 것이 예상된다.
본 명세서에서 기술된 방법 및 장치는 별개의 부품들의 전체표면을 도금하기에, 그리고 더 특정해서는, 내부 열 스프레더(IHS) 또는 반도체 장치의 열 관리(thermal management)를 위해 설계된 다른 부품들을 도금하기에 특히 적절하다고 예상된다.
본 발명의 다양한 목적들, 특징들, 형상들 및 장점들은 본 발명의 바람직한 실시예들에 대한 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것인데, 상세한 설명은 유사한 숫자는 유사한 구성부품을 나타내는 첨부된 도면들에 따라 행해질 것이다.
공작물(900) 위에 개선된 금속 분포를 제공하는 개선된 도금 시스템(100)이 도 2에서 도시된다. 상기 개선된 시스템(100)에서, 종래기술의 도금 시스템에서 보여지는 수직 스파저(sparger)들(도 1의 스파저들(11))이 제거되어 있고유체(800)가 수평 스파저(110)로 작용하는 챔버 최하부를 가진 챔버의 최하부를 통해 챔버(120)로 들어간다. 상기 수직 스파저들을 제거함으로서, 도금될 부품(900)과 실드(130)사이의 거리(D2)는 (채널의 측면을 형성하는 필드(field)사이의 거리(D4)에서 상응하는 감소만큼) 감소될 수 있다. 도금될 부품(900)과 실드(130)사이의 거리(D2)는 1 인치 이하인, 더욱 바람직하게는 0.5 인치 이하인, 것이 바람직하다.
도 2의 시스템은 다음 방법에 따라 도 1의 시스템(Technic Inc. MP 300)을 수정함으로서 얻어질 수 있는데: 이 방법은 (1) 도금 용액이 상기 부품들의 ,측면으로부터가 아닌, 최하부로부터 최상부로 도금될 부품들 주위에 난류 흐름으로 흘러가도록 관 모양의 수직 용액 스파저들을 제거하고 하부 플레넘(plenum)에 만들어진 홀(hole)(111)들로서 그것들을 대체하는 단계; (2) 상기 용액의 속도를 증가시키는 단계; (3) 도금될 부품들(캐소드들)에 더 가까이 상기 실드(shield)들을 이동시키는 단계; (4) 상기 클램프들과 부품들을 상기 실드들 사이에 여전히 이동시키는 동안에 상기 부품들을 적절히 유지하기에 충분히 좁은 부품 유지(part holding) 클램프를 사용하는 단계; 및 상기 도금/부품 유지 고정물(fixture)이 먼저 수세(rinse)되고 건조(dry)되는 이중 수세 및 건조 공정을 사용하고, 상기 고정물의 하반부 및 상기 도금된 부품이 후속하여 수세되고 건조되는 단계로 이루어진다.
도 2 및 도 2a에 도시된 바와 같은 채널들 사이의 갭(131)에 대해 위치된 부품(900)쪽으로 흐르도록 하기 위해, 상부 채널(122) 및 하부 채널(121)에 의해 적어도 부분적으로 형성된 챔버(120)의 단부에 위치되고 홀/유입구(111)을 가지는 하나 이상의 수평 스파저(110)를, 제 1 채널을 통해 제 2 채널쪽으로 유체가 흐르도록, 사용하는 것은 더 거센 난류 흐름과 이에 상응하는 더 높은 증착 비율을 제공할 것이라고 예상된다. 원하는 난류흐름을 얻기 위해, 상기 상부과 하부 채널들 사이의 거리(D5)(갭들(131)의 폭)는 공작물(900) 높이(D6)의 20 퍼센트 이하인 것이 바람직하다.
필연적으로, 도 2의 실드는 좁은 상부 및 하부 도금 채널(121 및 122)을 형성하고, 상기 채널들을 통하여 도금될 부품들이 상기 상부 도금 채널(122)내에 위치된 하나의 에지(902)와 상기 하부 도금 채널(121)내에 위치된 대향(opposite) 에지(901)를 가진 각각의 부품(900)과 함께 이동한다. 상기 실드(130)는 전기적으로 절연되었기 때문에, 공작물(900)과 애노드 바스켓(basket)(140)사이의 전류는 상기 상부 및 하부 실드들 사이의 갭(131)을 통과하도록 강요된다. 채널(120)내의 부품(900)의 배치 및 이동은 부품(900)을 클립(clip)(170)에 고정시키고 클립(170)을 이동시킴으로서 이루어진다.
도 3a는 도 1의 시스템에 의해 이용된 부품 유지 클램프/클립의 본래의 디자인(design)을 도시하고 도 3b는 도 2의 시스템에서 사용하기 위한 개선된 클립(170)을 도시한다. 상기 클램프 디자인은 클립(170)의 두께(D5)를 감소시킴으로서 클램프에 의해 유지된 공작물과 실드들 사이의 거리(D2)가 0.5 인치 이하로 감소되도록 수정되었다는 것을 유의해야 한다.
도금될 부품들에 보다 상기 애노드들에 더 가까이 상기 실드들을 이동시킴으로서 상기 애노드들을 차폐하는 실드들을 사용하는 것보다 상기 실드에 의해 형성된 좁은 채널내에 공작물을 이동시킴으로서 도금 시스템의 공작물/캐소드를 차폐(shield)하는 것이 공작물 상에 증착된 금속의 더 좋은 분포를 이룬다는 것이 예상된다. 상기와 같이, 실드들(130)과 애노드들(140)사이의 거리(D3)가 도금될 부품(900)과 실드들(130)사이의 거리보다 크게 되는 것이 예상된다.
도 2의 시스템을 사용하는 방법(1000)은 다음의 단계들을 포함할 수 있는데(도 4를 보라): 단계(1010), 도금될 공작물(900)을 충분한 도금 용액(800)에 잠그는 단계; 단계(1020), 도금될 공작물(900)을 상부 도금 채널(122)과 하부 도금 채널(121)내에 적어도 부분적으로 위치시키는 단계로서, 상기 상부 및 하부 도금 채널은 전기적으로 비-전도성 측면들(실드(130))을 포함하고, 상기 채널(121 및 122)은 서로 대향하여 위치되고 서로 분리되어 있고, 상기 채널들 사이의 분리는 도금될 공작물(900)의 대략적인 중심의 위에 위치되는 한쌍의 용액 배출 슬롯(slot)(131)을 형성하는 단계; 단계(1030), 공작물(900)과 하나 이상의 애노드(140) 사이에 전류가 흐르도록 하는 단계로서, 상기 전류는 상기 용액 배출 슬롯(131)을 통해 흐르는 단계; 및 단계(1040), 도금될 공작물(900)을 도금 채널(121 및 122)의 길이를 따라 이동시켜서 전착된(electrodeposited) 층을 하나 이상의 내부 열 스프레더(911, 921) 상에 형성하는 단계를 포함한다. 공작물(900)의 표면(910, 920)은 이러한 작동 동안에 실드들(130)에 본질적으로 평행하다.
전술한 방법은 하나 이상의 다음 단계를 더 포함할 수 있는데: 단계(1005), 도금 동안에 공작물을 유지하고 이동시키기에 적당한 프레임(frame)에 상기 공작물을 결합시키는 단계; 단계(1050), 도금한 후에, 공작물이 습기가 있는 동안에 상기프레임의 적어도 일부분이 수세(rinse)되고 건조(dry)되는 제 1 수세 및 건조 사이클(cycle)을 수행하는 단계; 및 단계(1060), 상기 제 1 수세 및 건조 사이클 후에, 공작물이 내부 셀(150)으로부터 제거되고 수세되고 건조되는 제 1 수세 및 건조 사이클을 수행하는 단계를 포함할 수 있다. 프레임이 먼저 건조되는 상기 두 단계 공정의 사용은 상기 클립으로부터의 잠재적으로 오염된 수세 물(rinsewater)이 공작물상에 재 증착 및/또는 공작물 얼룩을 허용되지 않기 때문에 공작물을 얼룩없이 건조할 것이라고 예상된다.
다음의 단계가 또한 전술한 방법에서 사용될 때 바람직하다고 판명날 수 있는데: a) 공작물/부품 및 클립을 깨끗한 물로 수세하는 단계; b) 얼룩에 관계없이 단지 상기 클립만을 건조하는 단계; c) 상기 클립을 건조하는 동안에, 매우 순수한 물로서 상기 부품만을 수세하는 단계; 및 d) 상기 부품을 건조하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 건조 방법은 열 스프레더의 얼룩을 유발하는 건조 동안에 상기 클립으로부터의 오염된 수세물이 상기 부품 상으로 튈(splashing) 가능성을 방지한다.
본 방법의 변형들은 공작물(900) 상에 최적의 또는 적어도 더 균일한 도금 분포를 얻기 위해 채널들 사이의 슬롯들(131)의 폭을 조정하는 단계 및/또는 1인치 이하 폭을 가진 채널들의 사용을 포함할 수 있다.
바람직한 실시예에서는, 수평 스파저(110)가 채널 내의 난류 흐름을 제공하도록 적절히 사이징(sizing)될 수 있을 것이다. 셀이 흘러 넘치지 않도록 하기 위해서 충분히 배수가 되도록 주의가 기울여져야 한다. 셀 위의 클립들의 부품에 도금 유체가 조금도 튀지 않으면서 클립의 잠긴 부품 위로 난류 흐름을 이루는 것은 또한 어렵다. 클립에 튀는 어떤 용액도 이전에 언급된 수세-건조 문제를 일으킨다.
챔버(120)는 표면 튐(splashing)을 최소화면서 공작물에 걸쳐 난류 흐름을 허용하는 것이 바람직하다. 이것은 일반적으로 소정의 직경을 가진 일련의 홀들을 가진 방전 플러넘(plenum)(수평 스파저(110))을 설계함으로써 이루어진다. 상기 홀들은 클립내에 포함된 부품으로 유체를 인도하는 방식으로 드릴링된다. 도금 용액은 밸브 형 한정부(restrictor)를 통해 상기 플레넘으로 펌핑되고(pumped), 상기 밸브는 도금 용액의 표면에서 튐을 일으키지 않고 최대의 흐름을 이루도록 조정된다. 상기 방전 플레넘과 상기 부품사이의 거리, 방전 플레넘의 홀 직경 및 플레넘을 통한 유량비는 모두 용액 표면에서 튐을 최소화하면서 공작물에 난류 흐름을 최대화하도록 설정된다.
실드들(120)은 현재의 흐름을 허용하도록 안에 슬록이 만들어진 전기적 절연 물질 시트를 포함하는데, 상기 슬롯은 도금될 부품상에 중심을 둔다. 상기 슬롯의 길이는 전류가 그 길이로부터 저항을 받는 애노드의 길이와 같아야 하고, 상기 슬롯의 높이는 전기도금된 구성품 상에 가장 좋은 금속 분포를 제공하도록 선택된다. 경험적으로, 약 1/4"의 슬롯은 일측면상에 정사각형의 열 스프레더 1 1/4"를 도금하기에 충분한 전류를 허용한다. 본 실시예에서, 상기 실드는 도금할 부품을 포함하는 클립의 1/2"내로 이동되었다.
바람직한 실시예에서, 용액 속도는 분명히 난류 흐름의 영역내에 있도록 될것이다. 이것은 공작물 표면에 도금 전해질을 보충하기 위해서 중요하고, 이는 금속 증착률을 증가시키기 위해 필요하다. 상기 서술된 셀을 사용하여, 분당 2 미크론(micron)을 초과하는 증착률이 설파민산(sulfamate) 베이스의 전해질로부터 니켈을 도금할때 이루어져 왔다.
시스템(100)은 금속들인, Ni, Au, Ag, Sn, Cu, Pb, In, Bi 또는 이들의 합금, 중 하나 이상이 증착시키기 위해 설계된 금속 전해질(800)과 함께 사용하기에 특히 적당하다는 것이 예상된다.
시스템(100)은 공작물(900)이 반도체 장치로부터 열을 없애거나 소비하도록 특별히 설계된 하나 이상의 구리 열 스프레더들을 포함하여 바람직하게 사용될 수 있다. 택일적으로, 상기 구리는 알루미늄, 알루미늄-실리콘 합금, 코바(kovar) 합금 42 또는 그들의 합금으로 대체될 수 있다.
바람직한 시스템 및/또는 방법의 사용은 증착된 금속의 두께가 도금될 공작물의 표면 위에서 1미크론 이하로 변동하도록 금속의 균일한 분포를 유지하면서 적어도 분당 2미크론의 증착률을 나오게 한다고 예상된다. 약 4미크론의 니켈로서 전기도금된 31mm 정사각형 열 스프레더들 샘플(31)은 상기 부품에 걸쳐서 3.5미크론 내지 4.5미크론의 막 균일성을 가졌다. 최적화된 실딩 입구(approach)없이 도금된 동일한 부품들은 전형적으로 낮은 지점에서 3미크론 내지 높은 지점에서 6미크론 이상이다.
그래서, 개선된 도금 시스템의 특정 실시예와 응용예들이 개시된다. 그러나, 여기에 개시된 것 외에 더 많은 변형들이 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않으면서 가능하다는 것은 당업자에 명백할 것이다. 그래서, 본 발명과 관련된 문제가 첨부된 청구범위의 사상내에서 제외되는 것으로 제한되어서는 안된다. 나아가, 명세서와 청구범위를 해석할때, 모든 용어는 문장과 일치하는 가능한 가장 넓은 식으로 해석되어야 한다. 특히, 용어 "포함한다(comprises)" 및 "포함하는(comprising)" 는 부재들, 구성품들, 또는 단계들을 비-배타적인 방식으로 언급하는 것으로 이해되어야 하는데, 상기 언급된 부재들, 구성품들, 또는 단계들은 다른 부재들, 구성품들, 또는 명백히 언급되지는 않은 단계들과 조합되거나, 이용되거나, 존재할 수 있다는 것을 나타낸다.
Claims (18)
- 도금 시스템으로서,연장된 상부 채널과 연장된 하부 채널; 및유입구(inlet)들을 통해 상기 상부 채널 및 상기 하부 채널 중 어느 하나내로 그리고 다른 하나쪽으로 소정의 도금 용액이 흘러가도록 방향지어진(oriented) 일련의 유입구들을 포함하는 도금 용액 스파저(sparger)를 포함하는 도금 시스템.
- 제 1항에 있어서,하나의 애노드(anode); 및제 1 전도성 표면, 제 2 전도성 표면, 및 주변(perimeter) 에지(edge)를 포함하는 실질적으로 평면인 캐소드(cathode)으로서, 상기 제 1 전도성 표면 및 상기 제 2 전도성 표면이 서로 실질적으로 평행하고 상기 캐소드의 대향측에 위치되는 캐소드를 포함하고,상기 스파저는 제 1 또는 제 2 전도성 표면 중 어느 하나쪽으로 적어도 상기 캐소드의 주변 에지만큼 가까이에 위치되는 도금 시스템.
- 제 2항에 있어서,상기 스파저는 소정의 도금 용액이 상기 유입구(inlet)들을 통해 상기 캐소드과 실질적으로 동일 평면에서 캐소드 쪽으로 흐르도록 하는 도금 시스템.
- 제 3항에 있어서,각각의 상기 상부 채널 및 상기 하부 채널은 두개의 실질적으로 평면이고 평행한 비-전도성인, 상기 캐소드에 실질적으로 평행한, 측면들을 포함하고;상기 캐소드은 상기 비-전도성인 측면들 사이에 각각의 상기 상부 채널 및 상기 하부 채널내에 적어도 부분적으로 위치되는 도금 시스템.
- 제 4항에 있어서,상기 상부 채널 및 상기 하부 채널은 서로 대향하여 위치되고 서로 분리되어 있으며, 상기 채널들 사이의 분리가 한쌍의 용액 배출 슬롯들을 형성하고;상기 채널들은 상기 배출 슬롯들을 통하는 것 외에 상기 애노드과 상기 캐소드 사이로 전류 흐름을 막기에 적당한 도금 시스템.
- 제 5항에 있어서,상기 배출 슬롯들은 상기 캐소드의 중심 라인에 거의 평행하게 위치되는 도금 시스템.
- 제 6항에 있어서,상기 캐소드은 유전체 기판을 포함하고 상기 전도성 표면들은 상기 유전체 기판상의 열 스프레더(thermal spreader)들의 형성을 촉진하기에 적당한 도금 시스템.
- 제 1항에 있어서,각각의 상기 상부 채널 및 상기 하부 채널은 1인치 이하의 폭을 가지는 도금 시스템.
- 제 1항에 있어서,상기 스파저는 수평으로 위치되어 소정의 도금 용액이 상기 유입구들을 통해 상기 하부 채널속으로 그리고 상기 상부채널쪽으로 흐르도록 하는 도금 시스템.
- 제 1항에 있어서,각각의 상기 상부 채널 및 상기 하부 채널은 0.5인치 이하의 폭을 가지는 도금 시스템.
- 제 1항에 있어서,각각의 상기 상부 채널 및 상기 하부 채널은 0.5인치 이하의 폭을 가지며, 전력원에 전기적으로 결합되고 상기 상부 채널 또는 상기 하부 채널 사이에 위치된 다수의 부품 유지 클램프(holding clamp)들을 더 포함하는 도금 시스템.
- 제 1항에 있어서,상기 상부 및 상기 하부 채널의 길이를 따라 외부에 위치된 다수의 애노드들을 더 포함하는 도금 시스템.
- 제 1항에 있어서,상기 상부 채널 및 상기 하부 채널은 소정의 거리로 분리되고 상기 상부 채널 및 상기 하부 채널중 적어도 하나는 상기 거리를 변동시키도록 이동하기에 적당한 도금 시스템.
- 제 1항에 있어서,채널 벽에 도금될 부품으로부터 가장 짧은 거리는 상기 채널 벽과 애노드 사이의 가장 짧은 거리보다 작은 도금 시스템.
- 도금 시스템으로서,하나의 애노드, 하나의 평면 캐소드, 하나의 스파저, 및 다수의 전기적 절연 실드들을 포함하는데,상기 다수의 실드들 각각은 상기 스파저와 상기 캐소드 사이가 아닌 상기 애노드과 상기 캐소드에 위치되고, 상기 캐소드에 실질적으로 평행한 두개의 기준 평면들 중 하나와 대략적으로 동일 평면이고;상기 스파저는 상기 캐소드과 실질적으로 동일 평면에서 상기 캐소드의 에지 쪽으로 도금 유체를 흘리기에 적당한 도금 시스템.
- 공작물(work piece)을 도금하는 방법으로서,도금될 공작물을 충분한 도금 용액에 잠기게 하는 단계;도금될 공작물을 상부 도금 채널과 하부 도금 채널 내에 적어도 부분적으로 위치시키는 단계로서, 상기 상부 및 하부 도금 채널은 비-전도성 측면들을 포함하고, 상기 채널들은 서로 대향하여 위치되고 서로 분리되어 있으며, 상기 채널들 사이의 분리는 도금될 공작물의 대략적인 중심 위에 위치된 한쌍의 용액 배출 슬롯들을 형성하는 단계;전류를 상기 공작물과 하나 이상의 애노드들 사이로 흘리는 단계로서, 상기 전류는 상기 용액 배출 슬롯들을 통과한 후에야 상기 상부 및 하부 채널내로 흐르게 되는 단계; 및상기 실드들에 본질적으로 평행한 상기 공작물의 표면상에 하나 이상의 내부 열 스프레더들을 형성하도록 상기 도금 채널들의 길이를 따라 상기 도금될 공작물을 이동시키는 단계를 포함하는 공작물 도금 방법.
- 제 16항에 있어서,상기 공작물을 도금 동안에 상기 공작물을 유지하고 이동시키도록 적당하 프레임(frame)에 결합시키는 단계;도금한 후에, 제 1 수세(rinse) 및 건조(dry) 사이클(cycle)을 수행하는 단계로서, 상기 프레임중 적어도 일부는 상기 공작물이 습기가 있는 동안에 수세되고건조되는 단계;상기 제 1수세 및 건조 사이클 후에, 제 2 수세 및 건조 사이클을 수행하는 단계로서, 상기 공작물이 수세되고 건조되는 단계를 포함하는 공작물 도금 방법.
- 제 17항에 있어서,물이 상기 제 1 수세 및 상기 제 2 수세 사이클에 사용되고, 상기 제 2 수세 사이클은 제 1 수세 사이클에 사용되는 물보다 적은 불순물을 가진 물을 이용하는 공작물 도금 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US27280501P | 2001-03-02 | 2001-03-02 | |
US60/272,805 | 2001-03-02 | ||
PCT/US2002/005536 WO2002070144A1 (en) | 2001-03-02 | 2002-02-21 | Internal heat spreader plating methods and devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030077013A true KR20030077013A (ko) | 2003-09-29 |
KR100801825B1 KR100801825B1 (ko) | 2008-02-11 |
Family
ID=23041368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020037010304A KR100801825B1 (ko) | 2001-03-02 | 2002-02-21 | 내부의 열 스프레더를 도금하는 방법 및 장치 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7678243B2 (ko) |
EP (1) | EP1381474A4 (ko) |
JP (2) | JP2004519558A (ko) |
KR (1) | KR100801825B1 (ko) |
CN (2) | CN1285419C (ko) |
CA (1) | CA2433031A1 (ko) |
TW (1) | TWI247824B (ko) |
WO (1) | WO2002070144A1 (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4711805B2 (ja) * | 2005-11-08 | 2011-06-29 | 上村工業株式会社 | めっき槽 |
NL1032540C2 (nl) * | 2006-09-19 | 2008-03-20 | Meco Equip Eng | Inrichting voor het elektrolytisch neerslaan van materiaal op een plaatvormig substraat. |
WO2008097218A1 (en) * | 2007-02-05 | 2008-08-14 | Honeywell International, Inc. | Heat spreader plating methods and devices |
CN101457379B (zh) * | 2007-12-14 | 2012-05-30 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 在半导体工件上电镀金属的电镀装置 |
CN114959806B (zh) * | 2022-06-02 | 2024-05-07 | 江苏理工学院 | 一种阵列通孔电铸加工装置及二维材料改性方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2859166A (en) * | 1955-09-15 | 1958-11-04 | Pennsalt Chemicals Corp | Shielding means for effecting uniform plating of lead dioxide in the formation of lead dioxide electrodes |
US4372825A (en) * | 1981-11-06 | 1983-02-08 | Micro-Plate, Inc. | Plating sparger and method |
JPS5924767A (ja) | 1982-08-02 | 1984-02-08 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 架橋性接着剤 |
US4443304A (en) * | 1982-10-01 | 1984-04-17 | Micro-Plate, Inc. | Plating system and method |
JPS59125975A (ja) | 1983-01-06 | 1984-07-20 | 住友化学工業株式会社 | 沈降安定性、貯蔵安定性に優れた処理液を用いた繊維の表面処理方法 |
US4534832A (en) * | 1984-08-27 | 1985-08-13 | Emtek, Inc. | Arrangement and method for current density control in electroplating |
US4772371A (en) | 1987-03-12 | 1988-09-20 | Vanguard Research Associates, Inc. | Electroplating apparatus |
US4879007B1 (en) * | 1988-12-12 | 1999-05-25 | Process Automation Int L Ltd | Shield for plating bath |
JPH08296086A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-12 | Hitachi Cable Ltd | 電気メッキ装置 |
US5516412A (en) * | 1995-05-16 | 1996-05-14 | International Business Machines Corporation | Vertical paddle plating cell |
JPH09256194A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-09-30 | Kawasaki Steel Corp | 電気めっき装置および電気めっき方法 |
JPH09265194A (ja) | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体及びそれを用いた画像形成方法 |
JPH1096097A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Hitachi Cable Ltd | 電気めっき装置 |
JPH10168600A (ja) | 1996-12-09 | 1998-06-23 | Marunaka Kogyo Kk | 電気めっき処理装置のワーク支持具 |
US6132583A (en) * | 1997-05-16 | 2000-10-17 | Technic, Inc. | Shielding method and apparatus for use in electroplating process |
JPH11106989A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-04-20 | Hitachi Cable Ltd | 電気めっき装置 |
JPH11330326A (ja) | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 半導体装置用放熱基板及びその製造方法 |
US6402923B1 (en) * | 2000-03-27 | 2002-06-11 | Novellus Systems Inc | Method and apparatus for uniform electroplating of integrated circuits using a variable field shaping element |
-
2002
- 2002-02-21 EP EP02707865A patent/EP1381474A4/en not_active Withdrawn
- 2002-02-21 CN CNB028057988A patent/CN1285419C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-21 KR KR1020037010304A patent/KR100801825B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-02-21 WO PCT/US2002/005536 patent/WO2002070144A1/en active Application Filing
- 2002-02-21 CA CA002433031A patent/CA2433031A1/en not_active Abandoned
- 2002-02-21 CN CNA2006101423263A patent/CN101016644A/zh active Pending
- 2002-02-21 JP JP2002569305A patent/JP2004519558A/ja active Pending
- 2002-03-01 TW TW091103788A patent/TWI247824B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-01-26 US US10/765,782 patent/US7678243B2/en active Active
-
2007
- 2007-11-21 JP JP2007301343A patent/JP2008057049A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1381474A1 (en) | 2004-01-21 |
CN1285419C (zh) | 2006-11-22 |
WO2002070144A1 (en) | 2002-09-12 |
CA2433031A1 (en) | 2002-09-12 |
TWI247824B (en) | 2006-01-21 |
EP1381474A4 (en) | 2007-10-31 |
WO2002070144A8 (en) | 2003-12-24 |
JP2004519558A (ja) | 2004-07-02 |
KR100801825B1 (ko) | 2008-02-11 |
US20040154927A1 (en) | 2004-08-12 |
US7678243B2 (en) | 2010-03-16 |
CN1494462A (zh) | 2004-05-05 |
JP2008057049A (ja) | 2008-03-13 |
WO2002070144A9 (en) | 2003-03-20 |
CN101016644A (zh) | 2007-08-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |