KR20030066887A - 액정표시소자의 제조방법 - Google Patents

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KR20030066887A
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Abstract

본 발명은 하부기판 및 상부기판을 준비하는 공정; 상기 양 기판 중 어느 하나의 기판 상에 UV경화형 씨일재를 형성하는 공정; 상기 양 기판 중 어느 하나의 기판 상에 액정을 적하하는 공정; 상기 양 기판을 합착하는 공정; 상기 씨일재가 형성된 영역 이외의 영역을 가리도록 마스크를 상기 합착기판과 얼라인(align)하는 공정; 및 상기 마스크로 가려진 합착기판에 UV를 조사하여 UV경화형 씨일재를 경화시키는 공정을 포함하는 액정표시소자의 제조방법에 관한 것으로서,
본 발명에 따르면 기판 상에 형성된 배향막 및 박막트랜지스터 등의 소자특성에 악영향을 미치지 않고 씨일재를 경화시킬 수 있다.

Description

액정표시소자의 제조방법{Method of manufacturing Liquid Crystal Display Device}
본 발명은 액정표시소자(Liquid Crystal Display : LCD)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로, 액정적하방식에 의한 액정표시소자의 제조방법에 관한 것이다.
표시화면의 두께가 수 센치미터(cm)에 불과한 초박형의 평판표시소자(Flat Panel Display), 그 중에서도 액정표시소자는 동작 전압이 낮아 소비 전력이 적고 휴대용으로 쓰일 수 있는 등의 이점으로 노트북 컴퓨터, 모니터, 우주선, 항공기 등에 이르기까지 응용분야가 넓고 다양하다.
이와 같은 액정표시소자는 일반적으로 그 위에 박막트랜지스터와 화소전극이 형성되어 있는 하부기판과, 상기 하부기판과 대향되도록 형성되며 그 위에 차광막, 칼라필터층, 및 공통전극이 형성되어 있는 상부기판과, 그리고 상기 양 기판 사이에 형성되어 있는 액정층으로 구성되어 있으며, 상기 화소전극과 공통전극에 의해 양 기판 사이에 전기장이 형성되어 액정층이 구동되고, 그 구동되는 액정층을 통해서 광투과도가 조절되어 화상이 디스플레이되게 된다.
이와 같은 구조의 액정표시소자에 있어서, 상기 하부기판과 상부기판 사이에 액정층을 형성하는 방법으로서, 종래에는 모세관 현상과 압력차를 이용한 진공주입방식을 사용하였는데, 이하 진공주입방식에 의한 종래의 액정표시소자의 제조방법에 대해서 설명한다.
우선, 박막트랜지스터와 화소전극을 구비한 하부기판과, 차광막, 칼라필터층 및 공통전극을 구비한 상부기판을 제조한다.
그리고, 양 기판 사이의 균일한 셀갭을 유지하기 위해서 어느 하나의 기판에 스페이서를 형성하고, 액정이 바깥으로 새는 것을 방지하고 양 기판을 접착할 수 있도록 어느 하나의 기판 가장자리에 씨일재를 형성하게 된다. 이때, 상기 씨일재로는 에폭시 씨일재와 같은 열경화형 씨일재가 주로 사용된다.
그리고, 상기 양 기판을 합착한다. 이때 상기 에폭시 씨일재는 에폭시 수지와 개시제가 혼합된 것으로서, 가열되면 개시제에 의해 활성화된 에폭시 수지가 가교 결합을 통해 고분자화되어 접착력이 뛰어난 씨일재로 작용한다.
그리고, 상기 합착된 양 기판을 진공챔버에 위치시켜 기판 내부를 진공상태로 유지한 후 액정에 담근다. 이와 같이 기판 내부가 진공이 되면 모세관 현상에 의해 액정이 기판 내부로 빨려 올라가게 된다.
그리고, 액정이 기판 내부에 어느 정도 채워졌을 때 서서히 질소(N2)를 진공챔버 내로 주입하면 기판 내부와 주위와의 압력차가 발생하여 액정이 기판 내부의 빈공간을 채우게 되어 결국 양 기판 사이에 액정층이 형성되게 된다.
그러나, 이와 같은 진공주입방식은 표시화면이 대면적화 됨에 따라 액정주입시간이 장시간 소요되어 생산성이 떨어지는 문제점이 발생하였다.
따라서, 상기 문제점을 해결하기 위해서 액정적하방식이라는 새로운 방법이 제안되었는데, 이하 첨부된 도면을 참조로 종래의 액정적하방식에 의한 액정표시소자의 제조방법을 설명한다.
도 1a 내지 도 1d는 종래의 액정적하방식에 의한 액정표시소자의 제조공정을 도시한 사시도이다.
우선, 도 1a와 같이, 하부기판(1)과 상부기판(3)을 준비한다. 도면에는 도시하지 않았으나, 하부기판(1) 상에는 종횡으로 교차하여 화소영역을 정의하는 복수개의 게이트배선과 데이터배선을 형성하고, 상기 게이트배선과 데이터배선의 교차점에 박막트랜지스터를 형성하며, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소전극을 상기 화소영역에 형성한다.
또한, 상부기판(3) 상에는 상기 게이트배선, 데이터배선, 및 박막트랜지스터 형성영역에서 광이 누설되는 것을 차단하기 위한 차광막을 형성하고, 그 위에 적색, 녹색, 및 청색의 칼라필터층을 형성하고, 그 위에 공통전극을 형성한다. 또한, 상기 하부기판(1)과 상부기판(3) 중 적어도 하나의 기판 위에 액정의 초기배향을 위한 배향막을 형성한다.
그리고, 도 1b와 같이, 상기 하부기판(1) 위에 씨일재(7)를 형성하고, 액정(5)을 적하하여 액정층을 형성한다. 그리고, 상기 상부기판(3) 위에 셀갭유지를 위한 스페이서를 산포한다.
그리고, 도 1c와 같이, 상기 하부기판(1)과 상부기판(3)을 합착한다.
이때, 전술한 진공주입방식에 의한 액정표시소자는 액정이 주입되기 전에 양 기판의 합착공정이 수행되지만, 액정적하방식에 의한 액정표시소자는 액정(5)이 적하된 후 양 기판(1,3)의 합착공정이 수행되므로, 상기 씨일재(7)로서 열경화형 씨일재를 사용하게 되면 씨일재(7)가 가열되는 동안 흘러나와 액정(5)이 오염되는 문제점이 발생된다.
따라서, 액정적하방식에 의한 액정표시소자에서는 상기 씨일재(7)로서 UV(Ultra Violet)경화형 씨일재를 사용하게 된다.
그리고, 도 1d와 같이, UV조사장치(9)를 통해 UV를 조사하여 상기 씨일재(7)를 경화시킨다.
그러나, 상기 UV가 상기 씨일재(7) 형성 영역 안쪽의 액티브 영역에 조사되게 되면, 기판 상에 형성된 박막트랜지스터 등의 소자 특성에 악영향을 미치게 되며, 액정의 초기배향을 위해 형성된 배향막의 프리틸트각(pretilt angle)이 변하게 되는 문제점이 발생된다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 배향막 및 박막트랜지스터 등의 특성에 악영향을 미치지 않고 씨일재를 경화시키기 위한 액정표시소자의 제조방법을 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 액정적하방식에 의한 액정표시소자의 제조공정을 도시한 사시도이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시소자의 제조공정을 도시한 사시도이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 액정표시소자의 제조공정을 도시한 사시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 다양한 형태의 얼라인마크를 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 액정표시소자의 제조공정에 대한 개략적인 레이아웃이다.
<도면의 주요부에 대한 부호의 설명>
1, 10 : 하부기판 3, 30 : 상부기판
5, 50 : 액정 7, 70 : UV경화형 씨일재
20 : 제1얼라인마크 80 : 제1마스크
82 : 제2얼라인마크 85 : 제2마스크
87 : 제3얼라인마크 9, 90 : 광조사 장치
95 : 화상장치
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 하부기판 및 상부기판을 준비하는 공정; 상기 양 기판 중 어느 하나의 기판 상에 UV경화형 씨일재를 형성하는 공정; 상기 양 기판 중 어느 하나의 기판 상에 액정을 적하하는 공정; 상기 양 기판을 합착하는 공정; 상기 씨일재가 형성된 영역 이외의 영역을 가리도록 마스크를 상기 합착기판과 얼라인(align)하는 공정; 및 상기 마스크로 가려진 합착기판에 UV를 조사하여 UV경화형 씨일재를 경화시키는 공정을 포함하는 액정표시소자의 제조방법을 제공한다.
즉, 본 발명은 배향막 및 박막트랜지스터 등의 특성에 악영향을 미치지 않고 씨일재를 경화시키기 위해서, 씨일재가 형성된 영역 이외의 영역을 마스크로 가림으로써 그 영역으로 UV가 조사되는 것을 방지한 것이다.
이때, 상기 씨일재가 형성된 영역 이외의 영역을 마스크로 가리는 공정은 마스크와 합착기판에 얼라인 마크를 형성하여 화상으로 양자의 위치를 조절하면서 수행되므로 다른 영역으로 UV가 조사되는 것이 최소화된다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시소자의 제조공정을 도시한 사시도이다. 도면에는 하나의 단위셀만이 도시되어 있으나, 기판의 크기에 따라 기판 상에 복수개의 단위셀이 형성될 수 있다.
우선, 도 2a와 같이, 제1얼라인마크(20)가 형성된 하부기판(10), 및 상부기판(30)을 준비한다. 도면에는 하부기판(10)에 얼라인마크를 형성한 경우를 도시하였으나, 상부기판(30)에 얼라인마크를 형성할 수도 있다.
또한, 상기 제1얼라인마크(20)는 기판 상에 대각선 방향으로 두 개를 형성할 수도 있고, 도면과 같이 기판의 모서리 영역에 네 개를 형성할 수도 있다.
이때, 상기 제1얼라인마크(20)는 도 4와 같이 +형, ×형, 사각형, 원형 등 다양한 형태로 변경하여 형성할 수 있다.
그 외에, 도면에는 도시하지 않았으나, 하부기판(10) 상에는 종횡으로 교차하여 화소영역을 정의하는 복수개의 게이트배선과 데이터배선을 형성하고, 상기 게이트배선과 데이터배선의 교차점에 게이트전극, 게이트절연막, 반도체층, 오믹콘택층, 소스/드레인 전극, 및 보호막으로 이루어진 박막트랜지스터를 형성하며, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소전극을 상기 화소영역에 형성한다.
또한, 상기 화소전극 위에 액정의 초기배향을 위한 배향막을 형성한다. 이때, 상기 배향막은 폴리아미드(polyamide) 또는 폴리이미드(polyimide)계 화합물, PVA(polyvinylalcohol), 폴리아믹산(polyamic acid)등의 물질을 러빙 배향 처리하여 형성할 수도 있고, PVCN(polyvinylcinnamate), PSCN(polysiloxanecinnamate), 또는 CelCN(cellulosecinnamate)계 화합물과 같은 광반응성 물질을 광 배향 처리하여 형성할 수도 있다.
그리고, 상부기판(30) 상에는 상기 게이트배선, 데이터배선, 및 박막트랜지스터 형성영역에서 광이 누설되는 것을 차단하기 위한 차광막을 형성하고, 상기 차광막 위에 적색, 녹색, 및 청색의 칼라필터층을 형성하고, 상기 칼라필터층 위에 공통전극을 형성한다. 또한, 상기 칼라필터층과 공통전극 사이에 오버코트층을 추가로 형성할 수도 있다. 또한, 상기 공통전극 상에는 전술한 배향막을 형성한다.
또한, 상기 하부기판(30)에는 은(Ag)을 도트(dot)형상으로 형성하여 상기 양 기판(10, 30)의 합착 후 상기 상부기판(30) 위의 공통전극에 전압을 인가할 수 있도록 한다.
한편, IPS(In Plane Switching) 모드 액정표시소자의 경우는 공통전극을 화소전극과 동일한 하부기판 상에 형성하여 횡전계를 유도하게 되며, 상기 은(Ag) 도트는 형성하지 않는다.
그리고, 도 2b와 같이, 상기 하부기판(10) 위에 액정(50)을 적하하여 액정층을 형성하고, 상기 상부기판(30)의 가장자리에 스크린 인쇄법(Screen Printing Method)이나 디스펜서법(Dispensing Method)에 의해 주입구 없는 폐쇄된 패턴으로 UV경화형 씨일재(70)를 형성한다.
이때, 후공정에서 상기 씨일재(70)가 경화되기 전에 상기 액정(50)이 씨일재(70)와 만나게 되면 액정(50)이 오염되므로 상기 하부기판(10)의 중앙부에 액정(50)을 적하한다. 이와 같이 중앙부에 적하된 액정(50)은 상기 씨일재(70)가 경화된 후까지 서서히 퍼져나가 기판 전체에 동일한 밀도로 분포되게 된다.
한편, 이에 한정되지 않고, 상기 액정(50)을 상부기판(30)상에 형성할 수 있으며, 상기 UV경화형 씨일재(70)를 하부기판(10)상에 형성할 수도 있다. 또한, 상기 액정(50)과 UV경화형 씨일재(70)를 동일기판에 형성할 수도 있다. 다만, 상기 액정(50)과 UV경화형 씨일재(70)를 동일기판에 형성할 경우, 액정과 UV경화형 씨일재가 형성되는 기판과 그렇지 않은 기판과의 공정간에 불균형이 발생되어 공정시간이 많이 소요되며, 액정과 씨일재가 동일기판에 형성되므로 합착전에 씨일재에 오염물질이 형성된다 하더라도 기판 세정을 할 수 없게 되므로, 상기 액정과 씨일재는 서로 다른 기판에 형성하는 것이 바람직하다.
따라서, 도 2b와 같이 상기 상부기판(30)위에 UV경화형 씨일재(70)를 형성한 후 후공정인 합착 공정전에 상기 상부기판(30)을 세정하는 세정공정을 추가로 할 수 있다.
이때, 상기 UV경화형 씨일재(70)로는 양 말단에 아크릴기가 결합된 모노머 또는 올리고머를 개시제와 혼합하여 사용하거나, 한쪽 말단에는 아크릴기가 다른 쪽 말단에는 에폭시기가 결합된 모노머 또는 올리고머를 개시제와 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 양 기판(10,30) 중 어느 하나의 기판, 바람직하게는 상기 상부기판(30) 위에 셀갭유지를 위한 스페이서를 형성할 수 있다.
상기 스페이서는 볼 스페이서를 적정농도로 용액속에 혼합한 후 분사노즐에서 고압으로 기판상에 산포하여 형성할 수도 있고, 칼럼 스페이서를 상기 게이트배선 또는 데이터배선 형성영역에 대응하는 기판상에 부착하여 형성할 수도 있으나, 볼 스페이서는 대면적에 적용할 경우에 셀갭이 불균일하게 되는 단점이 있으므로 대면적 기판에는 칼럼 스페이서를 형성하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 칼럼 스페이서로는 감광성 유기수지를 사용하는 것이 바람직하다.
그리고, 도 2c와 같이, 상기 하부기판(10)과 상부기판(30)을 합착한다. 합착공정은 상기 양기판 중 액정이 적하되어 있는 일 기판을 하면에 고정하고, 나머지 다른 일 기판을 레이어(layer) 형성면이 상기 일 기판을 향하도록 180도 회전하여 상면에 위치시킨 후, 상면에 위치된 일 기판에 압력을 가하여 양 기판을 합착하거나, 또는 상기 이격되어 있는 양 기판 사이를 진공으로 형성한 후 진공을 해제하여 양 기판을 합착할 수도 있다.
그리고, 도 2d와 같이, 제2얼라인마크(82)가 형성되어 있는 마스크(80)를 상기 제1얼라인마크(20)가 형성되어 있는 합착기판 상측에 위치시키고, 화상장치(95)를 통해 상기 제1 및 제2얼라인마크(20, 82)의 일치여부를 확인하면서 마스크(80)와 합착기판을 얼라인(align)한다.
즉, 상기 얼라인 공정은 상기 마스크(80) 또는 합착기판을 x축, y축, 또는 θ축으로 이동시켜 제1 및 제2얼라인마크(20, 82)를 일치시킨 후 다시 z축으로 이동시켜 마스크(80)와 합착기판 사이의 간격을 조절한다.
한편, 도면에는 상기 마스크(80)를 합착기판의 상측에 형성한 경우만 도시하였으나, 하측에 형성할 수도 있다.
이때, 상기 제2얼라인마크(82)는 상기 제1얼라인마크(20)에 대응하도록 2개 또는 4개의 개수로 원형, 사각형, +형, ×형 등의 형태로 형성한다.
그리고, 도 2e와 같이, 상기 마스크(80)로 가려진 합착기판에 UV조사장치(90)로 UV를 조사한다.
도면에는 합착기판의 상부기판(30)면으로 UV조사하는 경우만 도시되어 있으나, 합착기판을 회전하여 하부기판(10)면으로 UV조사하도록 하는 것도 가능하다.
한편, 기판의 레이어(layer) 형성시 상기 차광막과 씨일제(70)의 형성 위치에 따라 상기 합착기판의 하부기판면 또는 상부기판 면에서 UV조사를 하여야 상기 씨일제(70)를 경화시킬 수 있는 경우가 있다. 다시 말하면, 차광막 형성영역의 외곽에 씨일제를 형성하는 경우는 차광막이 형성되어 있는 상부기판 면에서 UV를 조사할 수 있으나, 차광막 형성영역에 씨일제를 형성하는 경우는 상부기판면에서 UV를 조사하면 차광막에 의해 UV가 차단되므로 이 경우는 하부기판면에서 UV를 조사하여야 한다.
따라서, 상술한 바와 같이, 상기 마스크(80)와 UV조사장치(90)의 위치를 변경하여 UV를 조사하거나, 또는 상기 마스크(80)와 UV조사장치(90)는 고정하고 합착기판의 UV조사면을 변경할 수도 있다.
한편, 이와 같이 합착기판의 상측 또는 하측에만 마스크를 형성하고 UV를 조사하게 되면 마스크가 형성되지 않은 반대측에서 UV가 반사되어 배향막 및 박막트랜지스터 등의 특성이 악화될 수 있으므로, UV가 합착기판면으로만 조사되도록 장비를 구성하는 것이 바람직하다.
이와 같이 UV를 조사하면 상기 UV경화형 씨일재를 구성하는 개시제에 의해 활성화된 모노머 또는 올리고머가 중합 반응하여 고분자화 됨으로써 하부기판(10)과 상부기판(30)이 접착되게 된다.
이때, 상기 UV경화형 씨일재로서 한쪽 말단에는 아크릴기가 다른 쪽 말단에는 에폭시기가 결합된 모노머 또는 올리고머를 개시제와 혼합하여 사용한 경우는, 이와 같은 UV조사에 의해 에폭시기가 반응하지 않으므로, 상기 UV조사공정 후에 추가로 가열공정을 행하여 씨일재를 완전 경화한다. 상기 가열공정은 약 120℃에서 1시간 정도 수행하는 것이 바람직하다.
그리고, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 UV조사공정 후에 단위셀로 기판을 절단하는 공정 및 최종 검사 공정을 수행하게 된다.
상기 단위셀로 기판을 절단하는 공정은 유리보다 경도가 높은 다이아몬드 재질의 펜으로 기판의 표면에 절단선을 형성(스크라이브 공정 : scribing process)한 후 기계적 힘을 가해 상기 절단선을 따라서 기판을 절단(브레이크 공정 : break process)하여 수행할 수도 있고, 다이아몬드 재질의 펜을 톱니형태로 형성시켜 스크라이브 및 브레이크 공정을 하나의 공정으로 수행할 수도 있다.
상기 최종 검사 공정은 상기 셀단위로 절단된 기판이 액정모듈로 조립되기 전에 불량유무를 확인하는 공정으로, 전압 인가시 또는 무인가시 각각의 화소가 올바르게 구동하는지 여부를 검사하게 된다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 액정표시소자의 제조공정을 도시한 사시도로서, 이는 씨일재가 형성된 영역 이외의 영역으로의 UV조사를 방지하기 위한 마스크를 합착기판의 상측 및 하측에 이중으로 형성한 것을 제외하고, 전술한 실시예와 동일하다. 따라서, 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략하기로 한다.
우선, 도 3a와 같이, 제1얼라인마크(20)가 형성된 하부기판(10), 및 상부기판(30)을 준비한다.
그리고, 도 3b와 같이, 상기 하부기판(10) 위에 액정(50)을 적하하여 액정층을 형성하고, 상기 상부기판(30)의 가장자리에 스크린 인쇄법(Screen Printing Method)이나 디스펜서법(Dispensing Method)에 의해 주입구 없는 폐쇄된 패턴으로 UV경화형 씨일재(70)를 형성한다.
또한, 상기 양 기판(10,30) 중 어느 하나의 기판위에 셀갭유지를 위한 스페이서를 형성한다.
그리고, 도 3c와 같이, 상기 하부기판(10)과 상부기판(30)을 합착한다.
그리고, 도 3d와 같이, 제2얼라인마크(82)가 형성되어 있는 제1마스크(80) 및 제3얼라인마크(87)가 형성되어 있는 제2마스크(85)를 상기 제1얼라인마크(20)가 형성되어 있는 합착기판의 상측 및 하측에 위치시키고, 화상장치(95)를 통해 상기 제1, 제2, 및 제3얼라인마크(20, 82, 87)의 일치여부를 확인하면서 제1 및 제2마스크(80, 85)와 합착기판을 얼라인(align)한다.
그리고, 도 3e와 같이, 상기 제1 및 제2마스크(80, 85)로 가려진 합착기판에 UV조사장치(90)로 UV를 조사한다.
이때, 상기 UV조사장치(90)는 합착기판의 상측 또는 하측에 형성될 수 있다.
이와 같이 합착기판의 상측 및 하측에 이중으로 마스크를 형성하게 되면 비록 UV조사장치에서 조사된 UV가 반대편에서 반사된다 하더라도 기판상의 배향막이나 박막트랜지스터 등의 특성에 영향을 미치지 않게 된다.
또한, 상기 UV조사를 합착기판면 뿐아니라 그 이외의 영역으로도 수행하여 의도적으로 조사한 UV가 일부 반사될 수 있도록 장비를 구성함으로써, UV조사효율을 높여 상기 UV경화형 씨일재(70)의 경화를 촉진시킬 수 있다.
그리고, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 UV조사공정 후에 단위셀로 기판을 절단하는 공정 및 최종 검사 공정을 수행하게 된다.
도 5는 상술한 본 발명에 따른 액정표시소자의 제조공정을 도시한 개략적인 레이아웃이다.
도 5와 같이, 본 발명은 상부기판을 준비하고 그 위에 배향막을 형성한 후그 위에 씨일재를 형성하여 상부기판을 완성한다. 또한, 하부기판을 준비하고 그 위에 배향막을 형성한 후 그 위에 액정을 적하하여 하부기판을 완성한다. 이때, 상기 상부기판과 하부기판의 제조공정은 동시에 진행되게 되며, 상기 액정 및 씨일재가 기판에 선택적으로 형성될 수 있음은 전술한 바와 같다.
그리고, 상기 완성된 양기판을 합착한 후, UV를 조사하여 씨일재를 경화시키고, 셀단위로 기판을 절단한 후, 최종 검사공정을 수행하여 하나의 액정셀을 완성하게 된다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 범위내에서 변경 실시될 수 있을 것이다.
본 발명은 씨일재가 형성된 영역 이외의 영역을 가리는 마스크를 합착기판과 화상으로 정밀하게 얼라인함으로써, 씨일재 형성 영역 이외의 영역으로의 UV조사가 최소화되어 기판 상에 형성된 배향막이나 박막트랜지스터 등의 특성이 저하되지 않는다.
또한, 본 발명은 합착 기판의 상측 및 하측에 이중으로 마스크를 형성하고 UV를 합착 기판면 및 그 이외의 영역에 조사하여 일부 조사된 UV가 반사되도록 함으로써, UV조사효율을 높여 UV경화형 씨일재의 경화를 촉진시킬 수 있다.

Claims (14)

  1. 하부기판 및 상부기판을 준비하는 공정;
    상기 양 기판 중 어느 하나의 기판 상에 UV경화형 씨일재를 형성하는 공정;
    상기 양 기판 중 어느 하나의 기판 상에 액정을 적하하는 공정;
    상기 양 기판을 합착하는 공정;
    상기 씨일재가 형성된 영역 이외의 영역을 가리도록 마스크를 상기 합착기판과 얼라인하는 공정; 및
    상기 마스크로 가려진 합착기판에 UV를 조사하여 UV경화형 씨일재를 경화시키는 공정을 포함하는 액정표시소자의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 얼라인 공정은 상기 마스크 및 합착 기판에 얼라인마크를 형성하여 화상으로 조절하면서 수행하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 마스크를 상기 합착 기판의 상측 또는 하측에 위치시키고 얼라인하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 UV를 합착 기판면에만 조사하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 마스크를 상기 합착 기판의 상측 및 하측에 위치시키고 얼라인하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 UV를 합착 기판면 및 그 이외의 영역에 조사하여 조사된 일부 UV가 반사되도록 하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 씨일재는 양 말단에 아크릴기가 결합된 모노머 또는 올리고머를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 씨일재는 한쪽 말단에는 아크릴기가, 다른 쪽 말단에는 에폭시기가 결합된 모노머 또는 올리고머를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 UV조사 공정후 가열공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 UV를 합착기판의 상부기판면으로 조사하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 UV를 합착기판의 하부기판면으로 조사하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 양 기판 중 어느 하나의 기판 상에 칼럼 스페이서를 형성하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 칼럼 스페이서를 상기 상부기판 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 UV경화형 씨일재를 상기 상부기판 위에 형성하고, 상기 액정을 상기 하부기판 위에 적하하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
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