KR20030062362A - 웨이퍼 연마장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- 유체층을 개재해서 웨이퍼를 연마패드에 억압하여 연마하는 웨이퍼 연마장치에 있어서,웨이퍼 지지헤드와,상기 웨이퍼 지지헤드에 부착되어 연마패드에 당접하는 리테이너링과,상기 리테이너링의 내측에 배설되는 시이트제를 가지고,상기 시이트제를 개재해서 웨이퍼를 연마패드에 억압해서 연마하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치.
- 제1항에 있어서, 상기 리테이너링의 내측에 상기 리테이너링에 대하여 유동상태로 배설되는 링형상 부재를 추가로 가지고,상기 시이트제는 그 주연부가 상기 링형상 부재에 설치되는 웨이퍼 연마장치.
- 제2항에 있어서, 상기 링형상 부재가 상기 리테이너링과 계합함으로서 상기 웨이퍼 지지헤드로부터의 탈락방지가 이루어지고 있는 웨이퍼 연마장치.
- 제1항에 있어서, 상기 시이트제에는 복수의 관통구멍이 형성되어 있는 웨이퍼 연마장치.
- 제1항에 있어서, 상기 유체층은 공기 및 물의 어느 한쪽의 층인 웨이퍼 연마장치.
- 제5항에 있어서, 상기 리테이너링의 내측에서 또한 상기 시이트제의 상측에 배설되는 백플레이트를 추가로 가지고,상기 백플레이트의 외주부와 상기 리테이너링의 내주부에 의해 형성되는 간극으로부터 상기 공기 및 물의 어느 한쪽이 누설되도록 되어 있는 웨이퍼 연마장치.
- 제6항에 있어서, 상기 백플레이트의 하부면이 오목형상으로 되어 있는 웨이퍼 연마장치.
- 제1항에 있어서, 상기 리테이너링의 상부에 감합부가 형성되고, 상기 웨이퍼 지지헤드는 홀더를 포함하고, 상기 홀더의 하부에는 피감합부가 형성되고,상기 리테이너링의 감합부가 상기 홀더의 피감합부에 감합됨으로서 상기 리테이너링이 상기 홀더에 부착되고,상기 시이트제는 그 주연부가 상기 리테이너링의 감합부와 상기 홀더의 피감합부 사이에 지지되어서 설치되는 웨이퍼 연마장치.
- 제8항에 있어서, 상기 리테이너링의 감합부 및 상기 홀더의 피감합부는 테이퍼 부분을 가진 웨이퍼 연마장치.
- 제8항에 있어서, 상기 리테이너링의 감합부는 볼록부이고, 상기 홀더의 피감합부는 오목부인 웨이퍼 연마장치.
- 제10항에 있어서, 상기 리테이너링의 감합부 및 상기 홀더의 피감합부는 테이퍼 부분을 가진 웨이퍼 연마장치.
- 제8항에 있어서, 상기 시이트제에 복수의 관통구멍이 형성되어 있는 웨이퍼 연마장치.
- 제8항에 있어서, 상기 유체층은 공기 및 물의 어느 한쪽의 층인 웨이퍼 연마장치.
- 제13항에 있어서, 상기 리테이너링의 내측에서 또한 상기 시이트제의 상측에 배설되는 백플레이트를 추가로 가지고,상기 백플레이트의 외주부와 상기 리테이너링의 내주부에 의해 형성되는 간극으로부터 상기 공기 및 물의 어느 한쪽이 누설되도록 되어 있는 웨이퍼 연마장치.
- 제14항에 있어서, 상기 백플레이트의 하부면이 오목형상으로 되어 있는 웨이퍼 연마장치.
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US6494774B1 (en) * | 1999-07-09 | 2002-12-17 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with pressure transfer mechanism |
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US6540590B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-04-01 | Multi-Planar Technologies, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus and method having a rotating retaining ring |
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