KR20030045464A - 플래쉬 메모리 셀의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법에 관한 것으로, SMPS(Select Metastable Poly Si)를 이용하여 플로팅 게이트의 상부면에 요철 형태의 버블을 형성함으로써 플로팅 게이트를 트랜치 절연막과 중첩시키지 않고도 플로팅 게이트의 높이와 표면적을 원하는 만큼 증가시켜 셀 크기의 축소 및 커플링비를 개선할 수 있는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법을 제시한다.
Description
본 발명은 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 플래쉬 메모리 셀의 자기 정렬 플로팅 게이트(Self aligned floating gate) 형성 방법에 관한 것이다.
플래쉬 메모리 셀(Flash memory cell)은 소자 분리 공정으로 STI(Shallow Trench Isolation) 공정을 이용하여 구현하고 있는데, 마스크 패터닝(Mask patterning)을 이용한 플로팅 게이트의 아이솔레이션(Isolation) 공정시 마스크 임계치수(Critical Dimension; CD)의 변화(Variation)에 따라 웨이퍼 균일성(Wafer uniformity)이 매우 불량하여 균일한 플로팅 게이트 구현이 용이하지 않으며, 커플링비(Coupling ratio)의 변화에 따라 메모리 셀의 프로그램 및 소거 패일(Fail) 등의 문제가 발생하고 있다.
더욱이, 고집적화되는 설계 특성상 0.15㎛ 이하의 작은 스페이스(Space) 구현시에 마스크 공정이 더욱 어려워져 균일한 플로팅 게이트 구현이 중요한 요소로 작용하는 플래쉬 메모리 셀 제조 공정이 한층 더 어려워지고 있다. 또한, 플로팅 게이트가 균일하게 형성되지 않을 경우 커플링비의 차이가 심화되어 메모리 셀의 프로그램 및 소거 시에 과소거(Over erase)등의 문제가 발생함으로써 소자 특성에 나쁜 영향을 미치고 있으며, 마스크 공정의 증가로 인해 제품의 수율 저하 및 원가 상승의 원인이 되고 있다.
이에 따라, 0.13㎛ 테크놀로지(Technology) 플래쉬 메모리 셀에서는 플로팅 게이트용 마스크 공정 및 식각 공정을 진행하지 않고 자기정렬방식으로 플로팅 게이트를 형성하고 있다.
그러나, 종래의 자기정렬방식의 STI 공정에서는 일반적으로 트랜치 모서리 부위의 라운딩(Rounding) 처리를 위해 월(Wall) 희생(SACrificial; SAC) 산화공정 및 월 산화공정을 포함하는 측벽 산화(Side wall oxidaion)공정, 라이너 산화막(Liner oxide)증착 및 치밀화 공정이 요구되고 있다. 또한, 플로팅 게이트의 커플링비(Coupling ratio)를 확보하기 위해 플로팅 게이트가 트랜치 절연막 상에 형성되게 하기 위한 다양한 방법의 공정이 요구되고 있다.
특히, 트랜치 형성후 평탄화 공정(CMP; Chemical machanical polishing)이 도입되면서 웨이퍼(Wafer) 내의 불균일성으로 인한 수율저하가 발생됨과 아울러 플로팅 게이트의 커플링비 증가에도 한계가 발생하였다. 또한, 플로팅 게이트를 정의하기까지 많은 수의 마스크 공정이 첨가됨으로써 원가상승과 수율저하가 발생하였으며 플래쉬 소자에서의 핵심부분이라 할 수 있는 터널 산화막이 후속공정에 의한 스트레스(Attack)로 인한 손상이 발생함으로써 그 특성이 매우 열악하여 소자 특성을 저하시키고 있다.
따라서, 본 발명은 상기의 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, SMPS를 이용하여 플로팅 게이트의 상부면에 요철 형태의 버블을 형성함으로써 플로팅 게이트를 트랜치 절연막과 중첩시키지 않고도 플로팅 게이트의 높이와 표면적을 원하는 만큼 증가시켜 셀 크기의 축소 및 커플링비를 개선할 수 있는 플래쉬 메모리 셀의제조 방법을 제공하는데 목적이 있다.
도 1a 내지 도 1h는 본 발명의 실시예에 따른 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 반도체 기판 12 : 희생 산화막
14 : 터널 산화막 16 : 제 1 폴리실리콘층
18 : 마스크 산화막 20 : 트랜치
22 : 트랜치 절연막 24 : 플로팅 게이트
26 : 제 2 폴리실리콘층 28 : 유전체막
30 : 텅스텐 실리사이드층
본 발명은 반도체 기판 상에 터널 산화막 및 폴리실리콘층을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판에 트랜치를 형성하는 단계; 상기 트랜치를 매립하도록 트랜치 절연막을 형성한 후 오버 식각하여 상기 트랜치 절연막을 고립시키는 단계; 상기 폴리실리콘층 상부면의 그레인을 성장시켜 요철 형태의 버블을 갖는 플로팅 게이트를 형성하는 단계; 및 상기 플로팅 게이트의 상에 유전체막 및 컨트롤 게이트를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1a 내지 도 1h는 본 발명의 실시예에 따른 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 플래쉬 메모리 셀의 단면도이다.
도 1a를 참조하면, 반도체 기판(10) 상에 패드 산화막용 희생 산화막(SACrificial; SAC; 12)이 형성된다. 이 때, 패드 산화막(12)은 상기 반도체 기판(10) 상부 표면의 결정 결함 또는 표면 처리를 위해 750 내지 800℃의 온도에서 건식 또는 습식 산화방식을 실시함으로써 70 내지 100Å의 두께로 형성된다.
또한, 반도체 기판(10)은 희생 산화막(12)을 형성하기전 전처리 세정공정을통해 세정된다. 여기서, 세정공정은 반도체 기판(10)을 DHF(Diluted HF; 50:1의 비율로 H20로 희석된 HF용액) 또는 BOE(Buffer Oxide Etchant; HF와 NH4F가 100:1 또는 300:1로 혼합된 용액)가 채워진 용기에 담그고 DI(Deionized) 워터(Water)를 이용하여 세척한 다음, 반도체 기판(10)에 잔재하는 파티클(Paticle)을 제거하기 위해 다시 반도체 기판(10)을 SC-1(NH4OH/H2O2/H2O 용액이 소정 비율로 혼합된 용액)이 채워진 용기에 담그고 DI 워터를 통해 세척한 다음, 반도체 기판(10)을 건조 시키는 공정으로 이루어진다.
이어서, 희생 산화막(12)을 스크린 산화막으로 이용한 웰 이온 주입 공정과 문턱전압(VT) 이온 주입 공정을 실시함으로써 후속 STI 공정에 의해 정의되는 활성영역에 웰 영역(도시하지 않음)과 불순물 영역(도시하지 않음)이 형성된다.
도 1b를 참조하면, 전체 구조 상부에 세정공정을 실시하여 희생 산화막(12)을 제거한 후 열 산화공정을 실시함으로써 터널 산화막(14)이 형성된다. 이때, 터널 산화막(14)은 750 내지 800℃의 온도에서 습식 산화방식을 실시하여 증착한 후 반도체 기판(10)과의 계면 결함 밀도를 최소화하기 위해 900 내지 910℃의 온도에서 N2를 이용하여 20 내지 30분 동안 열처리를 실시함으로써 85 내지 110Å의 두께로 형성된다. 또한, 희생 산화막(12)을 제거하기 위한 세정공정은 DHF 또는 BOE가 채워진 용기에 담그고 DI 워터를 이용하여 세척한 다음, 파티클을 제거하기 위해 다시 반도체 기판(10)을 SC-1이 채워진 용기에 담그고 DI 워터를 통해 세척한 다음, 반도체 기판(10)을 건조 시키는 공정으로 이루어진다.
이어서, 전체 구조 상부에 플로팅 게이트용 제 1 폴리실리콘층(16)이 1900 내지 3200Å의 두께로 형성된다. 이때, 제 2 폴리실리콘층(16)은 전체 구조 상부에 SiH4또는 Si2H6와 PH3가스를 이용하여 그레인 크기(Grain size)가 최소화된 도프트 폴리실리콘층(Doped poly-Si; 16a)과 언도프트 비정질실리콘층(Undoped amorphous Si; 16b)의 적층구조로 형성된다. 여기서, 도프트 폴리실리콘층(16a)은 580 내지 620℃의 온도와 0.1 내지 3Torr의 낮은 압력 조건의 LP-CVD 방식으로 증착한 후 1.5E20 내지 3.0E20atoms/cc 정도의 도핑 레벨로 인(P)(예를 들어, P 타입인 경우)을 주입함으로써 1800 내지 3000Å의 두께로 형성된다. 언도프트 비정질실리콘층(16b)은 도프트 폴리실리콘층(16a) 형성 후 챔버의 온도를 480 내지 550℃로 하강시키고 PH3가스 밸브(Valve)를 잠궈 SiH4또는 Si2H6만을 흘려주는 인-시튜(In-situ) 방식을 실시함으로써 100 내지 200Å의 두께로 형성된다.
이어서, 전체 구조 상부에 LP-CVD계열의 산화막(즉, TEOS, DCS-HTO, MS-HTO 등)을 이용한 증착공정을 실시함으로써 300 내지 1000Å의 두께로 마스크 산화막(18)이 형성된다.
도 1c를 참조하면, 아이솔레이션(ISO) 마스크를 이용한 STI 공정을 실시하여 상기 마스크 산화막(18), 제 1 폴리실리콘층(16) 및 터널 산화막(12)을 포함한 반도체 기판(10)의 소정 부위를 식각함으로써 반도체 기판(10)의 소정 부위가 움푹 패이도록 트랜치(20)가 형성된다. 이 때, 트랜치(20)의 내부 경사면은 65 내지 85°정도의 경사각(α)을 가지며, 패드 질화막(18)은 거의 수직한 프로파일(Profile)을 갖는다. 여기서, 반도체 기판(10)은 트랜치(20)에 의해 활성 영역과 비활성 영역(즉, 트랜치가 형성된 영역)으로 분리된다.
도 1d를 참조하면, 트랜치(20)의 내부면의 식각 손상을 보상함과 아울러 모서리 부위(A)에 라운딩을 형성하기 위해 RTP(Rapid Thermal Process) 또는 FTP(Fast Thermal Process) 장비를 이용하여 열처리 공정이 실시된다. 이때, 열처리공정은 수소(Hydrogen; H2)의 유량비(Flow rate)를 100 내지 2000sccm으로 하여 600 내지 1050℃의 온도와 250 내지 380Torr 이하의 낮은 압력에서 5 내지 10분 동안 실시된다.
이어서, 터널 산화막(14)를 원하는 만큼 식각하여 활성영역 임계치수(즉, 채널 폭)를 최소화하기 위한 세정공정을 실시함으로써 트랜치(20)의 내부로 노출되는 터널 산화막(14)과 마스크 산화막(18)의 소정 부위(B)가 식각된다. 이때, 세정공정은 DHF 또는 BOE가 채워진 용기에 담그고 DI 워터를 이용하여 세척한 다음, 파티클을 제거하기 위해 다시 반도체 기판(10)을 SC-1이 채워진 용기에 담그고 DI 워터를 통해 세척한 다음, 반도체 기판(10)을 건조 시키는 공정으로 이루어진다.
도 1e를 참조하면, 전체 구조 상부에 트랜치(20)를 매립하도록 HDP(High Density Plasma) 산화막을 이용한 증착공정을 실시함으로써 4000 내지 10000Å의 두께로 트랜치 절연막(22)이 형성된다. 이 때, 트랜치 절연막(22)을 증착하기 위한 증착공정은 트랜치(20) 내부에 보이드(Void)가 발생하지 않도록 갭 필링(Gap filling) 공정으로 실시된다.
도 1f를 참조하면, 전체 구조 상부에 에치백(Etch back) 공정을 실시하여 제 1 폴리실리콘층(16)의 도프트 폴리실리콘층(16a)의 소정 부위가 노출되도록 트랜치 절연막(22)을 식각함으로써 플로팅 게이트 사이의 스페이싱(Spacing)이 확보된다. 이때, 에치백 공정에 의해 트랜치 절연막(22)이 오버 식각(Over etch)되는데, 이는 제 1 폴리실리콘층(16)의 상부에 형성되는 언도프트 비정실실리콘층(16b)이 트랜치 절연막(22)에 비해 식각율(Etch rate)이 낮기 때문이다.
도 1g를 참조하면, 전체 구조 상부에 PIRANHA(H2SO4와 H2O2가 소정 비율로 혼합된 용액)와 DHF를 이용한 세정공정을 실시하여 제 1 폴리실리콘층(16) 상부면에 형성된 자연 산화막 및 유기물질을 제거함으로써 상부 표면이 순수한 제 1 폴리실리콘층(16)이 형성된다.
이어서, 선택적 MPS(Selective Metastable Poly Si; 이하 'SMPS'라 함) 챔버(Chamber)를 이용하여 언도프트 비정질실리콘층(16b)의 상부면을 그레인 성장(Grain growing)시킴으로써 요철 형태의 버블(C)을 갖는 플로팅 게이트(24)가 형성된다. 여기서, SMPS는 일반적으로 널리 쓰이는 HSG(Hemisphere Si Grain)와 동일한 방식으로서 실리콘 원자 이동(Si atomic migration)을 이용한 방식을 지칭한다.
상세히 설명하면, SMPS는 일반적으로 그레인 성장 단계와 전도성을 부여하기 위한 도핑 단계로 크게 분리되는데 이를 위해 2개 이상의 챔버로 이루어지며, 특히, RF 파워의 사용이 가능한 단일 웨이퍼 타입(Single wafer type)의 CVD 장비에서 이루어진다.
그레인 성장 단계는 제 1 챔버의 온도를 550 내지 560℃로 유지하는 상태에서 반도체 기판(10)을 제 1 챔버내로 로딩하여 일정시간 가열(Heat up)시킨후 제 1 챔버내로 10 내지 100sccm 정도의 소량의 SiH4또는 Si2H6와 같은 실리콘 소오스 가스를 유입시킨다. 이로써, 폴리실리콘 상부 표면이나 반도체 기판의 상부 표면에 비해 선택비가 뛰어난 언도프트 비정질실리콘층(16b)의 상부 표면에 시드(Seed)를 형성하거나, 박막 내에 이미 존재하는 결정질 실리콘 그레인을 성장시킨다. 이어서, 전체 구조 상부에 열처리 공정을 일정시간 실시함으로써 실리콘 원자의 이동 시간을 최소화하여 원하는 밀도와 크기를 가지는 그레인의 성장을 촉진하여 요철 형태의 버블(C)을 언도프트 비정질실리콘층(16b)의 상부면에 형성한다.
이어 요철 형태의 버블(C)에 도전성을 부여하기 위한 도핑 단계로서, 인-시튜(In-situ)로 특별한 세정공정없이 RF 파워가 사용 가능한 제 2 챔버로 반도체 기판(10)을 이동시켜 제 2 챔버내의 압력을 10-7Torr 이하로 유지하고, 온도를 620 내지 670℃ 정도로 일정하게 유지하는 상태에서 플라즈마 PH3열처리 공정을 실시하여 요철 형태의 버블(C)에 전도성을 부여한다. 이때. 반도체 기판(10)의 노출부위의 도핑을 최소화하기 위해 RF 파워를 30 내지 100W로 비교적 저전력으로 하여 플라즈마 PH3열처리 공정을 실시한다.
도 1h를 참조하면, 플로팅 게이트(24)의 상부면에 형성된 자연 산화막을 제거하기 위해 DHF 또는 BOE가 채워진 용기에 반도체 기판(10)을 담그고 DI 워터를이용하여 세척한 다음, 파티클을 제거하기 위해 다시 반도체 기판(10)을 SC-1이 채워진 용기에 담그고 DI 워터를 통해 세척한 다음, 반도체 기판(10)을 건조 시키는 공정으로 이루어지는 세정공정이 실시된다.
이어서, 전체 구조 상부에 ONO(Oxide/Nitride/Oxide) 구조의 유전체막(26)이 형성된다. 이 때, 유전체막(26)의 하부와 상부를 형성하는 산화막(Oxide)은 부분적인 우수한 내압과 TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)특성이 우수한 DCS(SiH2Cl2)와 N2O 가스를 소오스로 하는 HTO를 이용하여 35 내지 60Å의 두께로 형성하되, 600 내지 700℃의 온도에서 로딩한 후 0.1 내지 3Torr의 낮은 압력하에서 810 내지 850℃의 정도로 온도를 상승시키는 LP-CVD 방식으로 형성한다. 또한, 유전체막(26)의 하부와 상부 사이에 형성되는 질화막(Nitride)은 반응가스로서 NH3와 DCS 가스를 이용하여 50 내지 65Å의 두께로 형성하되, 650 내지 800℃의 온도와 1 내지 3Torr의 낮은 압력하에서 LP-CVD 방식으로 형성한다.
이어서, 유전체막(26)의 질을 향상시키고 반도체 기판(10) 상부에 형성된 층들의 인터페이스(Interface)를 강화시키기 위해 열처리 공정이 실시된다. 이 때, 열처리 공정은 750 내지 800℃의 온도에서 습식 산화방식으로 실시된다. 여기서, 유전체막(26) 형성공정과 열처리 공정은 소자 특성에 부합되는 두께로 형성하되, 각 층 사이에 자연산화막 또는 불순물 오염을 예방하기 위해 공정간 거의 지연시간 없이 실시된다.
이어서, 전체 구조 상부에 컨트롤 게이트용 제 2 폴리실리콘층(28) 및 텅스텐 실리사이드층(WSix; 30)을 순차적으로 형성한다. 이 때, 제 2 폴리실리콘층(28)은 후속 공정인 텅스텐 실리사이드층(30) 형성시 유전체막(26)에 치환 고용되어 산화막 두께의 증가를 유발할 수 있는 불소(F)의 확산을 방지하고, W와 P의 결합으로 이루어지는 WPx층의 생성을 방지하여 WSix이 부풀어 오르는 현상(Blowing-up)을 억제하기 위해 도프트층과 언도프트층의 2중 구조로 LP-CVD 방식을 이용하여 형성한다.
여기서, 후속 텅스텐 실리사이드층(30) 형성시 심(seam) 형성을 억제하여 워드라인 Rs를 감소시키기 위해 도프트층과 언도프트층의 박막 두께는 1:2 내지 6:1의 비율로 플로팅 게이트(24)의 스페이싱의 충분한 매립이 이루어지도록 전체 두께가 500 내지 1000Å 정도로 형성한다. 또한, 도프트층과 언도프트층은 도프트 폴리실리콘막을 SiH4또는 Si2H6와 같은 실리콘 소오스 가스와 PH3가스를 이용하여 도프트층을 형성한 후 PH3가스를 챔버내로 제공하지 않고 연속적으로 언토프트층을 형성한다. 또한, 제 2 폴리실리콘층(28)은 510 내지 550℃의 온도에서 0.1 내지 3Torr의 낮은 압력 조건으로 형성한다.
한편, 텅스텐 실리사이드층(30)은 낮은 불소(F) 함유량, 낮은 열처리 스트레스(Stress) 및 좋은 접착 강도를 갖는 MS(SiH4) 또는 DCS와 WF6의 반응을 이용하여 300 내지 500℃의 온도에서 적절한 스텝 커버리지(Step coverage)를 구현하면서 Rs를 최소화시킬 수 있는 2.0 내지 2.8의 화학적양론비로 형성한다.
이어서, 전체 구조 상부에 SiOxNy또는 Si3N4를 이용하여 반사 방지막(도시하지 않음)을 형성한 후 게이트용 마스크를 이용하여 반사 방지막, 텅스텐 실리사이드(30), 제 2 폴리실리콘층(28) 및 유전체막(26)을 순차적으로 식각하여 컨트롤 게이트(도시하지 않음)를 형성한다.
상기에서 설명한 바와 같이 본 발명은 SMPS를 이용하여 플로팅 게이트의 상부면에 요철형태의 버블을 형성함으로써 플로팅 게이트를 트랜치 절연막과 중첩시키지 않고도 높이와 표면적의 증가가 가능하여 셀 크기의 축소시키면서 커플링비를 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 플로팅 게이트 형성공정까지 마스크 공정으로 ISO 마스크 공정만을 실시함으로써 ISO 마스크, 키(Key) 마스크 및 플로팅 게이트용 마스크를 포함하여 3번의 마스크 공정이 이루어지는 종래 기술의 공정에 비해 월등히 공정 단순화에 기여할 수 있어 제품의 수율 향상과 원가 절감 효과가 있다.
또한, 본 발명은 측벽 산화공정 및 문턱전압 스크린 산화공정 등을 생략함으로써 공정수 감소에 의한 원가절감에 효과가 있다.
또한, 본 발명은 수소를 이용한 열처리 공정을 실시하여 트랜치 모서리 부위에 라운딩을 형성함으로써 트랜치 모서리 부위의 라운딩이 훨씬 더 용이하여 작업 단순화가 가능하다.
또한, 본 발명은 추가적인 터널 산화막의 스트레스(Attack)을 방지하여 채널 폭(Channel width) 내에서의 균일한 터널 산화막을 유지할 수 있어 소자 특성 개선에 도움이 된다.
따라서, 본 발명은 복잡한 공정 및 고가의 장비의 추가 소요없이 종래의 장비와 공정을 이용하여 응용/적용함으로써 저비용(Low cost)과 고신뢰성(High reliability)을 가지는 소자의 형성이 가능하다.
Claims (25)
- 반도체 기판 상에 터널 산화막 및 폴리실리콘층을 형성하는 단계;상기 반도체 기판에 트랜치를 형성하는 단계;상기 트랜치를 매립하도록 트랜치 절연막을 형성한 후 오버 식각하여 상기 트랜치 절연막을 고립시키는 단계;상기 폴리실리콘층 상부면의 그레인을 성장시켜 요철 형태의 버블을 갖는 플로팅 게이트를 형성하는 단계; 및상기 플로팅 게이트의 상에 유전체막 및 컨트롤 게이트를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 터널 산화막 형성전에 상기 반도체 기판 상에 희생 산화막을 형성하는 단계;상기 반도체 기판에 웰 이온 주입 공정 및 문턱전압 이온 주입 공정을 실시하여 웰 영역 및 불순물 영역을 형성하는 단계; 및상기 희생 산화막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 희생 산화막은 750 내지 800℃의 온도에서 건식 또는 습식 산화방식을 이용하여 70 내지 100Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 터널 산화막은 750 내지 800℃의 습식 산화방식으로 형성한 후 900 내지 910℃의 온도에서 N2를 이용하여 20 내지 30분 동안 열처리를 실시하여 85 내지 110Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 폴리실리콘층은 도프트 폴리실리콘층과 언도프트 비정질실리콘층의 적층구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 폴리실리콘층은 1900 내지 3200Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 도프트 폴리실리콘층은 SiH4또는 Si2H6와 PH3가스를 이용하여 580 내지 620℃의 온도에서 0.1 내지 0.3Torr의 낮은 압력으로 폴리실리콘을 형성한 후 1.5E20 내지 3.0E20 atoms/cc정도의 도핑 레벨을 부여하여 1800 내지 3000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 언도프트 비정질실리콘층은 상기 도프트 폴리실리콘층을 형성한 후 인-시튜로 480 내지 550℃의 온도에서 SiH4또는 Si2H6만을 이용하여 100 내지 200Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 트랜치 형성전에 상기 폴리실리콘층 상에 LP-CVD 계열의 산화막을 이용하여 300 내지 1000Å의 두께로 마스크 산화막를 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 트랜치를 형성한 후 수소를 이용한 열처리 공정을 실시하여 상기 트랜치 모서리 부위에 라운딩을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 열처리 공정은 600 내지 1050℃의 온도에서 5 내지 10분동안 RTP 또는 FTP 장비를 이용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 수소의 흐름비는 100 내지 2000sccm인 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 트랜치 절연막은 갭 필링방식으로 4000 내지 10000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 트랜치 절연막은 에치백 공정에 의해 오버 식각되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 버블은 SMPS 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 SMPS는 최소한 2개의 챔버를 사용하여 실시되며, RF 파워의 사용이 가능한 단일 웨이퍼 타입의 CVD 장비로 실시되는 것을 특징으로 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 SMPS는 상기 폴리실리콘층의 상부면에 시드를 형성시킨 후 그레인을 성장시켜 요철 형태의 버블를 형성하는 단계; 및상기 버블에 도전성을 부여하기 위한 도핑 단계로를 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 폴리실리콘층 상부면에 그레인을 성장시키는 단계는 제 1 챔버의 온도를 550 내지 560℃로 유지하는 상태에서, 상기 제 1 챔버의 내부로 로딩된 반도체 기판을 일정시간 가열시킨후 상기 제 1 챔버내로 10 내지 100sccm 정도의 소량의 SiH4또는 Si2H6와 같은 실리콘 소오스 가스를 유입시켜 상기 폴리실리콘층 상부면에 시드를 형성하는 단계; 및상기 시드를 토대로 전체 구조 상부에 열처리 공정을 일정 시간 실시하여 그레인을 성장시켜 요철 형태의 상기 버블을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 도핑 단계는 인-시튜로 특별한 세정공정없이 RF 파워가 사용 가능한 제 2 챔버로 상기 반도체 기판을 이동시켜 상기 제 2 챔버내의 압력을 10-7Torr 이하로 유지하고, 온도를 620 내지 670℃ 정도로 일정하게 유지하는 상태에서 플라즈마 PH3열처리 공정을 실시하여 상기 버블에 전도성을 부여하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 RF 파워는 30 내지 100W인 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 유전체막은 DCS(SiH2Cl2)와 N2O 가스를 소오스로 하는 HTO로 35 내지 60Å의 두께로 형성되는 제 1 산화막;상기 제 1 산화막 상부에 반응가스로서 NH3와 DCS 가스를 이용하여 1 내지 3Torr의 낮은 압력하에서 650 내지 800℃의 온도에서 LP-CVD 방식으로 50 내지 65Å의 두께로 형성되는 질화막; 및상기 질화막 상부에 DCS(SiH2Cl2)와 N2O 가스를 소오스로 하는 HTO로 35 내지 60Å의 두께로 형성되는 제 2 산화막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 컨트롤 게이트는 도프트층과 언도프트층의 2중 구조로 LP-CVD 방식을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 22 항에 있어서,상기 도프트층과 언도프트층의 박막 두께는 1:2 내지 6:1의 비율로 전체 두께가 500 내지 1000Å 정도로 형성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 컨트롤 게이트는 510 내지 550℃의 온도에서 0.1 내지 3Torr의 낮은 압력 조건으로 형성하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 컨트롤 게이트를 형성한 후 MS(SiH4) 또는 DCS와 WF6의 반응을 이용하여 300 내지 500℃의 온도에서 2.0 내지 2.8의 화학적양론비로 텅스텐 실리사이드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법.
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| KR (1) | KR20030045464A (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100469128B1 (ko) * | 2002-11-07 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | 자기정렬된 얕은 트렌치 소자분리를 갖는 불휘발성 메모리장치의 플로팅 게이트 형성방법 |
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2001
- 2001-12-04 KR KR1020010076188A patent/KR20030045464A/ko not_active Application Discontinuation
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