KR20030036598A - 반도체 기판 처리 장치 및 제조 설비 통합 플레이트 - Google Patents

반도체 기판 처리 장치 및 제조 설비 통합 플레이트 Download PDF

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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본 발명은 후속 연결을 위해 웨이퍼 제조 설비의 복수의 설비 도관을 웨이퍼 처리 장치에 장착하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 장치는 설비 통합 플레이트 및 설비 통합 플레이트에 착탈가능하게 삽입된 게이지 고정부를 포함한다. 본 발명의 방법은 웨이퍼 처리 장치가 웨이퍼 제조 설비 내에서 배치될 위치를 결정하는 단계, 제조 설비의 바닥에 컷아웃을 형성하는 단계 및 바닥의 컷아웃을 통해 복수의 설비 도관을 제공하는 단계를 포함한다. 설비 통합 플레이트는 바닥의 컷아웃에 장착되며, 게이지 고정부는 설비 통합 플레이트에 배치된다. 설비 도관은 게이지 고정부에 의해 한정된 길이로 크기 설정되며, 웨이퍼 처리 장치는 복수의 설비 도관에 연결된다.

Description

반도체 기판 처리 장치 및 제조 설비 통합 플레이트{SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PROCESSING TOOL AND FABRICATIONS FACILITIES INTEGRATION PLATE}
집적 회로는 단일 칩 상에 수많은 트랜지스터, 캐패시터 및 저항을 포함하는 복잡한 수단으로 발전하였다. 칩 설계의 발전은 회로의 신속성 및 회로의 향상된 밀집도를 계속하여 요구하였다. 집적 회로에 대한 수요가 증가함에 따라, 칩 제조에는 향상된 웨이퍼 처리량 및 증가된 생산율을 가진 반도체 처리 장치가 필요하였다. 처리량의 증가를 충족시키기 위해, 장치는 예를 들어 직경 300mm를 갖는 웨이퍼와 같은 보다 넓은 직경의 웨이퍼를 생산하기 위해 발전되고 있다.
칩 생산자는 캘리포니아 산타클라라의 어플라이드 머티리얼스사와 같은 반도체 처리 장치 생산자의 반도체 웨이퍼 처리 장치를 주문한다. 반도체 웨이퍼 처리 장치의 운반에 앞서, 칩 생산자는 장치를 인수하고 장착할 설비를 준비한다. 준비과정은 장치가 작업장에서 배치될 위치를 설정하고, 전기, 처리 및 배기 가스 그리고 설비와 처리 장치 사이의 유체를 운반하기 위한 필수적인 설비 도관("개략적인 도관공사")을 제공하는 것을 포함한다. 장치의 풋프린트가 설비 도관을 설계하기 위해 칩 생산자에게 제공된다. 일단 설비 도관의 개략적인 도관 공사가 완료되면, 설비 도관은 처리 장치와의 연결을 위해 마루를 통해 연장한다.
그러나, 처리 장치를 칩 생산자에게 운반할 때, 설비 도관이 종종 처리 장치의 최종 위치를 방해한다는 것이 발견되었다. 이와 같이, 처리 장치를 배치하는 것은 번거로우며, 설비 도관이 손상당하기 쉽다. 게다가, 일단 웨이퍼 처리 장치가 배치되면, 웨이퍼 처리 장치에 설비 도관을 연결하기 위해 추가의 시간이 필요하다. 이는 굴곡하지 않는 하드 라인 설비 도관인 가스 라인을 커플링에 대해 명확하다.
따라서, 칩 생산자가 처리 장치의 배치 및 설치와 방해됨이 없이 웨이퍼 처리 장치에 필요한 설비 도관의 연결을 가능하게 하는 방법 및 장치가 종래 기술에 요구되었다. 게다가, 이러한 장치에는 설비 도관을 처리 장치에 연결하는 설치 시간을 최소화하는 것이 바람직할 것이다. 게다가, 설치 및 보수의 용이를 제공하는 것이 바람직할 것이다.
본 출원은 전체적으로 참조되는 미국 예비 출원 60/217,248(2000년10월7일 출원)에 기초한다.
본 발명은 통사적으로 반도체 기판 제조 설비에 반도체 기판 처리 장치를 장착하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 반도체 기판 처리 장치 어댑터에 관한 것이다.
도1은 본 발명의 설비 통합 플레이트의 사시도이다.
도2는 반도체 웨이퍼 처리 장치 및 도1의 설비 통합 플레이트의 측면도이다.
도3은 반도체 웨이퍼 처리 장치 및 도1의 설비 통합 플레이트의 평면도이다.
도4는 도1의 설비 통합 플레이트 및 이를 통해 연장하는 복수의 설비 도관의 사시도이다.
도5는 본 발명의 게이지 고정물의 사시도이다.
도6은 도1의 설비 통합 플레이트를 사용하는 복수의 설비 도관에 반도체 웨이퍼 처리 장치를 장착하는 방법의 흐름도이다.
본 발명의 목적은 웨이퍼 처리 장치에 대한 추후 연결을 위해 웨이퍼 제조 설비에서 복수의 설비 도관을 설치하는 장치 및 방법을 제공함으로써, 종래기술의 문제점을 해결하는 것이다. 본 발명의 장치는 설비 통합 플레이트 및 설비 통합플레이트 내에 착탈식으로 내장된 게이지 고정부를 포함한다.
본 발명의 방법은 웨이퍼 처리 장치가 웨이퍼 제조 설비에 배치되는 위치를 결정하는 단계, 웨이퍼 제조 설비의 바닥에 절단부를 형성하는 단계, 및 바닥의 절단부를 통해 복수의 설비 도관을 제공하는 단계를 포함한다. 설비 통합 플레이트는 바닥의 절단부 내에 장착되며, 게이지 고정부는 설비 통합 플레이트 내에 배치된다. 설비 도관은 게이지 고정부에 의해 한정된 길이를 가지며, 웨이퍼 처리 장치는 복수의 설비 도관에 연결된다.
본 발명의 기술적 특징은 첨부한 도면을 참조로 이하의 상세한 설명을 통해 용이하게 이해될 수 있다.
용이한 이해를 위해, 도면에 공통적인 동일한 소는 동일한 참조 번호를 사용하였다.
본 발명은 통상적으로 반도체 기판(웨이퍼) 처리 장치의 후속 장착을 위한 집적 회로 칩 제조 설비 준비용 방법 및 장치를 제공한다. 본 발명은 캘리포니아 산타클라라의 어플라이드 머티리얼스사에 의해 생산되고 판매되는 디커플링된 플라즈마 소스 플랫폼인 CENTURATM금속 에칭 같은 화학 기상 증착 시스템과 함께 사용하기 위해 개략적으로 기술된다. 그러나, 본 발명은 물리 기상 증착, 에칭 챔버, 이온 주입 챔버 및 다른 반도체 처리 챔버와 같은 챔버 구조에 통합될 수도 있다.
도1은 본 발명의 설비 통합 플레이트(100)의 사시도이다. 상세하게는, 도1은 통상적으로 설비 바닥과 이하에서 보다 상세하게 설명될 웨이퍼 처리 장치 사이의 인터페이싱을 위해, 하부 플레이트(102), 복수의 측벽(1041내지 104n)(공통적으로 측면(104)), 복수의 플랜지 또는 각 측면에 대응하는 "립"(1061내지 106n)(공통적으로 플랜지(106)), 및 복수의 개구부(1081내지 108p)를 포함한다.
측벽(104)은 하부 플레이트(102)의 둘레(109)에 연결된 하부 에지부(107)(도1의 간략화를 위해 한쪽 부분만 표시)를 가지며, 하부 플레이트(102)로부터 거의 수직한 방향으로 상부를 향해 연장한다. 게다가, 플랜지(106)는 측벽(104)의 상부 에지에 측벽(104)과 거의 수직하게 형성된다. 플랜지(106)는 측벽(104)으로부터 외부로 연장하여, 플랜지(106)의 둘레(113)에서의 설비 통합 플레이트의 전체 치수가 하부 플레이트(102)의 둘레(109) 보다 크게된다. 당업자는 측벽(104) 및 플랜지의 수가, 웨이퍼 제조 설비에 장착된 반도체처리 장치의 형태에 의해 한정되는 하부 플레이트(102)의 모양에 대응한다는 것을 이해할 것이다. 전술한 CENTURATM300 반도체 웨이퍼 처리 장치의 경우, 하부 플레이트(102)는 직사각형으로, 네 개의 측벽(104)과 이로부터 연장하는 네 개의 대응하는 플랜지(106)을 가진다. 직사각형 모양이 제조 설비의 돋아진 바닥으로 상기 모양을 커팅하거나 장착하기 용이하므로 원 또는 다른 형태에 비해 바람직하다. 그러나, 이런 이유로 하부 플레이트(102)의 형태에서 다른 다각형 구조가 배제되지는 않는다.
설비 통합 플레이트(100)는 알루미늄 또는 스테인레스 스틸 같은 비부식성 재료로부터 제조된다. 바람직한 실시예에서, 설비 통합 플레이트(100)는 1/8″두께의 스테인레스 스틸 시트로부터 제작된다. 일실시예에서, 설비 통합 플레이트(100)는 원-피스로 형성된다. 이러한 원-피스 어댑터 플레이트 구조를 용이하게 하기 위해, 시트는 트레이형 모양의 설비 통합 플레이트(100)를 한정하도록 커팅되고 프레싱된다. 특히, 인접한 측벽(104) 및 플랜지(106)는 측벽(104)의 하부 에지(107)가 하부 플레이트(102)의 둘레와 외접하도록 커팅되고 굴곡되며, 플랜지(106)는 측벽(104)의 상부 에지(105)로부터 연장한다. 따라서, 플랜지(106)는 하부 플레이트(102)에 거의 평행하다. 일단 직사각형 형태로 형성되면, 각각의 인접한 측벽(104)은 한정되지는 않지만 용접, 땜질 또는 나사 같은 패스너를 사용하는, 기술 분야의 당업자게에 공지된 방식으로 서로 밀폐된다.
설비 통합 플레이트(100)는 복수의 개구부(108p, 여기서 P는 1 이상의 정수)(공통적으로 개구부(108))를 더 포함한다. 개구부(108)는 (도1에 도시된 바와 같이), 설비 통합 플레이트(100)를 통해 제조 설비의 바닥으로부터 웨이퍼 처리 장치로 통과하는 다양한 크기의 설비 도관을 설치하는데 사용된다. 개구부(108)는 다양한 크기의 설비 도관의 설치를 용이하게 하는 형태를 갖는다. 그러나, 기술 분야의 당업자는 설비 도관의 통과를 정렬 및 용이하게 하는 임의의 형태가 사용될 수 있음을 알 것이다. 게다가, 립 슬롯(120)은 하나의 측벽(예를 들어 측벽(1043))을 따라 하부 플레이트(102)를 통해 제공된다. 립 슬롯(120)은 필요한 추가의 케이블 설치를 위해 보조 관통부로서의 역할을 한다.
도2는 반도체 웨이퍼 처리 장치(202) 및 도1의 설비 통합 플레이트(100)의 측면도를 도시한다. 도3은 반도체 웨이퍼 처리 장치(202) 및 도1의 설비 통합 플레이트(100)의 평면도를 도시한다. 도2 및 도3은 어댑터 플레이트의 기능 및, 반도체 웨이퍼 제조 설비(200)에서의 반도체 웨이퍼 처리 장치에 대한 위치를 전체적으로 이해하기 위해 함께 고려되어야 한다.
도2를 참조하여, 웨이퍼 제조 설비(200)는 그 안에 배치된 설비 통합 플레이트를 갖는 바닥(201)을 포함한다. 특히, 설비 통합 플레이트(100)는 바닥(201)의 컷아웃에 배치된다. 컷아웃(204)은 웨이퍼 처리 장치(202)가 제조 설비(200)에서 충분한 여유 및 수용성을 가지도록 예정된 위치의 바닥(201)에 배치된다.
컷아웃(204)은 측벽이 장착동안 컷아웃(204)을 관통하도록 설비 통합 플레이트(100)의 측벽의 둘레 보다 조금 큰 크기이다. 플랜지(106)는 바닥(201)에 접하여 안착된다. 일 실시예에서, 컷아웃(204)은 설비 통합 플레이트(100)의 측벽 둘레(111) 보다 약 1/4″가 크다. 이러한 방식으로, 플랜지(106)는 컷아웃(204) 위에 가로놓이며 바닥(201)의 표면 상에 설비 통합 플레이트(100)를 지지한다.
도1을 참조하면, 복수의 구멍(112)이 플랜지(106) 아래의 일정한 거리에 측벽(104)을 관통하여 배치되며 바닥과 축방향으로 정렬된다. 패스너(114)는 구멍(112)을 통해 배치되고, 컷아웃(204)에서 설비 통합 플레이트(100)를 정확하게 배치 및 고정시키기 위해 바닥에 의해 접수된다. 일 실시예에서, 나사산을 갖는 보어(112) 한 쌍이 대향 측면(예를 들어, 1041및 1042) 상의 측벽(104)을 통해 배치된다. 세트 스크류 또는 록킹 스크류(미도시) 같은 패스너(114)는 각각의 구멍(112)으로 나선가공되며, 바닥의 두께(t)로 연장한다. 세트 스크류를 조일 경우, 설비 통합 플레이트(100)는 컷아웃(204)에 고정된다. 일 실시예에서, 바닥(201)은 1.75″의 두께를 갖는 금속 시트로 제작되며 보조-바닥(미도시) 위로 융기해 있다. 더욱이, 구멍(112)은 플랜지(106)의 상부로부터 예를 들어 약 0.9″떨어져서 측벽에 배치되어, 세트 스크류가 바닥 두께의 중간쯤에 축방향으로 정렬된다. 더욱이, 기술분야의 당업자는 다른 패스너 및 기술이 설비 통합 플레이트를 컷아웃(204)에 고정시키는데 사용될 수 있음을 알 수 있을 것이다.
도3을 참조하며, 도시된 반도체 웨이퍼 처리 장치(202)는 설비 통합 플레이트(100)에 인접하게 배치된다. 특히, 설비 통합 플레이트(100)는 설비 통합 플레이트(100)의 메인플레임(302), 컨트롤러(304), 진공 펌프(306) 및 공장인터페이스(308) 등과 같은 다양한 장치(202)의 구성 요소가 각각의 측벽(104)에 근접하거나 이웃하게 배치되도록 한다.
도4는 도1의 설비11 통합 플레이트(100) 및 이를 통해 연장하는 복수의 설비 배관(4021내지 402r)(공통적으로 설비 도관(402))의 사시도이다. 특히, 설비 통합 플레이트(100)는 복수의 개구(108p) 및 슬롯(110)을 통해 연장하는 복수의 설비 도관(402r)의 통로를 수용하며, 여기서 r은 1이상의 정수이다. 통상적으로, 설비 도관(402)은 튜브형이며, 이에 따라 도1의 실시예에서, 개구부(108)는 튜브형 도관(402)을 수용하기 위한 다양한 직경의 원형을 가진다. 이와 같이, 각각의 설비 도관(402)은 대응하는 개구부(108)를 관통한다. 다양한 설비 도관(402)이 함께 무리져 있는 경우, 설비 도관의 그룹을 수용하도록 크기를 가진 단일 슬롯(110)이 사용될 수 있지만, 서로 근접하게 배치된 3개의 각각의 개구가 사용될 수도 있다.
예를 들어, CENTURATM300 웨이퍼 처리 장치(202)와 함께 사용하는 설비 통합 플레이트의 바람직한 실시예에서, 6개의 스크류 홀(116), 다양한 직경을 갖는 8개의 원형 개구(1082내지 1086), 및 슬롯(110)이 설비 통합 플레이트(100)의 하부 플레이트(102)에 형성된다. 특히, 6개의 스크류 홀(116)은 유체 누출을 검출하기 위해 하부 플레이트(102) 상에 배치된 워터 센서(미도시)를 고정하는데 사용된다. 부가적으로, 한 쌍의 설비 냉각 유체 라인(즉, 공급라인 및 복귀라인)(4021), 설비 이동 챔버 과압 배기 도관(4022), 한 쌍의 설비 세척 건조 에어 라인(즉, 공급라인및 복귀라인)(4023), AC 전력을 공급하기 위한 설비 전력 도관(4024), 한 쌍의 통합 포인트 사용 펌프(integrated point of use pump(IPUP)) 설비 배기 도관(4025)은 각각 하부 플레이트 상의 다양한 위치에 있는 복수의 개구부를 관통한다. 게다가, 복수의 설비 인입 가스 도관(4026)(예를 들어, 인입 가스 도관)은 하부 플레이트(102)의 슬롯(112)을 관통한다.
하부 플레이트(102)에서의 각각의 개구부(108)의 위치는 특정 도관(402)의 기능과 크기에 대응한다. 설비 도관의 일부는 설비 냉각 유체 라인 및 설비 건조 에어 도관과 같은 공급 및 복귀 라인이다. 통상적으로 공급 및 복귀라인은 한 쌍의 도관으로 장착된다. 이와 같이, 한 쌍의 설비 도관 및 하부 플레이트(102)에서의 대응하는 개구부(108)는 서로 근접하게 위치한다. 게다가, 설비로부터 장치(202)로 전력을 제공하는 설비 전력 도관은 유체 누출 및 바람직하지 않은 설비 도관들 사이의 접촉 등으로 인한 아킹, 접지, 캐패시턴스 및 인덕턴스 등과 같은 바람직하지 않은 전기적 상황을 방지하기 위해 다른 설비 도관으로부터 절연된다.
도4에 도시된 실시예에서, 설비 통합 플레이트(100)는 수직축(406 및 407)을 따라 4등분된다. 이와 같이, 설비 전력 도관(4024)은 하부 플레이트(102)의 첫 번째 1/4분면(4011)에 단독으로 배치된다. 한 쌍의 IPUP 설비 배기 도관(4025)은 두 번째 1/4분면(4042)에 배치된다. 복수의 설비 인입 가스 도관(4026)은 세 번째 1/4분면(4043)에 배치된다. 설비 이동 챔버 과압 배기 도관(4022) 및 한 쌍의 설비 세척 건조 에어 라인(4023)은 네 번째 1/4분면(4044)에 배치된다. 워터-센서(118)(투시도로 도시됨)는 축(406)을 따라 중앙에 배치되는데, 이는 첫 번째 및 네 번째 1/4분면과 두 번째 및 세 번째 1/4분면을 분리시키며, 한 쌍의 냉각 유체 라인(4021)이 세 번째 및 네 번째 1/4분면(4023및 4024)에서 워터-센서(118)의 양쪽에 배치된다. 그러나, 기술 분야의 당업자는 하부 플레이트(102) 상의 X-Y 평면에서의 개구부(108)의 배치가 다양한 타입과 다양한 수의 설비 도관(402) 및 안전 유출구 등을 수용하도록 형성될 수도 있음을 알 것이다.
각각의 개구부(108)는 대응하는 설비 도관과 외접하며, 설비 도관의 단부에 배치된 N25 플랜지, SWAGELOCKTM부품, 압력 부품 등과 같은 도관 커플러 위에 서비 통합 플레이트(100)의 장착을 허용하는 크기를 갖는다. 이러한 방식으로, 가스, 배기, 전력 및 냉각 유체용 설비 도관은 바닥(201) 아래의 처리 설비(200)로부터 제공되며, 후속 연결을 위해 웨이퍼 처리 장치(202)에 근접한 특정 처리 장치 모델용 표준 포맷으로 위치된다. 게다가, 각각의 개구부(108)는 설비 도관의 형태를 한정하는 구조상의 마킹(미도시)에 의해 식별된다. 식별 마킹은 바람직하게 플레이트(102) 하부에 실크 스크린되지만, 라벨이나 조각 등의 다른 식별 마킹이 사용될 수 있다.
설비 도관(402)은 웨이퍼 처리 장치(202)에서 대응하는 도관에 연결된다. 도2를 참조하면, 복수의 인터페이스 도관(즉, 인터페이스 키트)은 각각의 설비 도관(402)과 각각의 웨이퍼 처리 장치 도관 사이의 인터페이스에 사용된다. 각각의 인터페이스 도관의 길이는 도관 커플러, 설비 도관에 대한 인터페이스의 올바른 매칭, 제조시의 표준화, 장착시의 수용성 등을 고려한 예정된 크기이다. 이와 같이, 설비 도관(402)은 또한 바닥(201)의 표면으로부터 측정되는 다양한 높이를 갖는다.
CENTURATM300 플랫폼에 대한 도1에 도시된 실시예에서, 설비 통합 플레이트(100)의 측벽(104)은 개략적으로 길이(17.3″), 폭(13.6″) 및 높이(5.8″)를 각각 갖는다. 기술 분야의 당업자는 설비 통합 플레이트(100)의 크기가 웨이퍼 제작 설비 및 장착되는 반도체 처리 장치의 형태에 의존하는 것을 알 것이며, 결국 전술한 크기로 한정되지는 않는다. 한 쌍의 설비 냉각 유체 도관(4021), 한 쌍의 설비 세척 건조 에어 라인(4023), 복수의 설비 인입 가스 도관(4026)의 높이는 바닥(201) 상부 표면 아래로 약 3″이다. 게다가, 설비 이동 챔버 과압 배기 도관(4022), 설비 전력 도관(4024) 및 한 쌍의 설비 펌프 배기(4025)는 바닥(201) 상부 표면 아래로 약4″이다. 따라서, 제조 설비(200)로부터 연장하는 설비 도관(402)은 바닥(201) 아래에, 그리고 바닥(201) 아래에 다양한 높이로 설비 통합 플레이트(100) 내에 배치된다.
도5는 본 발명의 게이지 고정부(500)의 사시도이다. 게이지 고정부(500)는 장착동안 설비 도관(108)의 높이를 측정하기 위해 설비 통합 플레이트(100) 위에 배치된다. 특히, 게이지 고정부(500)는 바닥(201)의 상부 표면으로부터 측정된 각각의 도관의 높이를 한정하도록 사용된다. 게이지 고정부(500)는 베이스(502), 복수의 개구부(506)를 갖는 복수의 탭(5041내지 504w)(공통적으로 탭(504)), 및 각각 플랜지(5101내지 510u)(공통적으로 플랜지(510))를 갖는 복수의 패널(5081내지 508u)(공통적으로 패널(508))을 포함한다. 탭(504)은 벽(5121내지 512w)(공통적으로 벽(512))에 의해 베이스(502)에 각각 연결된다. 도5의 간결화를 위해, 단지 세 번째 벽(5123)만이 보이도록 도시된다. 벽(512)는 베이스(502)로부터 각각의 탭(5041, 5042및 5043)의 위치를 한정하는 높이를 갖는다. 일 실시예에서, 벽(512)은 제1 베이스(502)의 하부 표면으로부터 수직하게 연장하며, 각각의 벽(512)은 약 1″의 높이를 갖는다. 탭(504)은 벽으로부터 외부로 연장하여, 탭(504)은 베이스(502)의 1″ 아래로 평행하게 연장한다.
탭(504)의 위치는 설비 도관(402)의 위치에 의해 한정된다. 예를 들어, 배기 도관(4025및 4022) 및 전력 도관은 유체 도관(4021)과 같은 기존의 도관에 비해 1″아래에 구성된다. 따라서, 설비 통합 플레이트(100)의 X-Y축을 따르는 개구부(108)의 위치는 탭(504)의 위치를 한정한다. 이와 같이, 베이스(502) 및 탭(504)에 형성된 복수의 개구부(506)는 설비 통합 플레이트(100)의 개구부와 함께 축방향으로 정렬된다.
도6은 반도체 처리 장치(202)를 도1의 설비 통합 플레이트(100)를 사용하는 복수의 설비 도관(402)에 장착하는 방법(600)의 흐름도이다. 방법(600)은 단계(602)에서 시작하여 단계(604)로 진행하며, 이 단계에서 웨이퍼 처리설비(200)의 바닥(201)에 웨이퍼 처리 장치(202)의 대략적인 위치가 결정된다. 특히, 바닥 측정은 X-Y 좌표를 사용하여 웨이퍼 처리 설비(200)에 대해 행하는데, 바닥 측정은 벽이나 구조물 등으로부터의 거리를 포함한다. 게다가, 장치(202)가 측정되거나, 장치 풋프린트의 Mylar 탬플릿과 같은 탬플릿이 설비(200)의 공간에서의 웨이퍼 처리 장치(202)의 위치를 결정하기 위해 제공된다. 종래 기술의 당업자는 설비의 공간에서 웨이퍼 처리 장치의 위치를 결정하는 다양한 방법이 사용될 수 있음을 알 것이다.
단계(606)에서, 바닥(201)의 컷아웃(204)은 웨이퍼 처리 장치(202)에 근접하게 형성된다. 특히, 외부 전력, 가스, 배기 등이 장치(202)로 제공되도록 바닥(201) 아래로 액세스 하기 위해 바닥(201)이 융기해 있다. 단계(608)에서, 외부 전력, 가스, 배기 등을 용이하게 하기 위해 복수의 서비 도관이 바닥(201)의 하부에 배치되어 바닥(201)의 컷아웃을 통해 연장한다. 특히, 설비 도관(402)은 바닥(210) 아래서 컷아웃(204)으로 평행하게 진행하여, 컷아웃(204)을 통해 상부로 수직하게 연장한다.
이어, 방법(600)은 단계(610)로 진행하며, 이 단계에서 복수의 설비 도관(402)은 설비 통합 플레이트(100)에서 대응하는 크기의 개구부(108)를 통해 각각 배치된다. 각각의 설비 도관(402)은 설비 통합 플레이트(100)에서 대응하는 개구부(108)를 가지며, 이는 컷아웃(204)의 내부 직경과 관련하여 각각의 도관(402)의 위치를 한정한다.
설비 통합 플레이트(100)는 아래로 이동되며, 단계(612)에서, 설비 통합 플레이트(100)는 바닥(201)의 컷아웃(204)에 장착된다. 특히, 플랜지(106)는 바닥과 수평하게 장착되어 하부 플레이트(102)가 바닥(201)의 상부 표면 아래로 평행하게 된다. 일 실시예에서, 설비 통합 플레이트(100)의 측벽(104)의 외부 둘레는 바닥(201)의 컷아웃의 내부 둘레에 대응한다. 이와 같이, 설비 통합 플레이트(100)는 컷아웃(204)에 양호하게 체결된다. 다른 실시예에서, 어댑터 플레이트 측벽(104)의 외부 둘레와 컷아웃(204)의 내부 둘레 사이에 갭이 존재한다. 이와 같이, 컷아웃(204)의 둘레에 수직한 복수의 측벽 구멍(112)을 통해 연장하는 복수의 패스너(예를 들어 세트-스크류 등)는 컷아웃(204)의 둘레 내에 설비 통합 플레이트(100)를 고정시키기 위해 사용된다. 게다가, 복수의 설비 도관(402)은 설비 통합 플레이트(100)의 개구부(108)에 의해 한정된 각각의 위치에서 바닥 아래에 고정(예를 들어, 클램프, 패스너 등)된다.
이어, 방법(600)은 단계(614)로 진행한다. 단계(614)에서, 게이지 고정물(500)은 설비 도관(402) 위에 정렬되어 각각의 설비 도관이 게이지 고정물(500)의 대응하는 개구부(506)를 관통한다. 도5와 관련하여 설명되었듯이, 게이지 고정부의 각각의 개구부(506)는 설비 통합 플레이트(100)의 개구부(108)와 동축상으로 정렬된다. 단계(616)에서, 게이지 고정물(500)은 아래로는 설비 통합 플레이트(100)까지 내려가서, 패널(508) 상의 플랜지(510)가 설비 통합 플레이트(100)의 플랜지(106)에 안착된다. 결과적으로, 패널(508)은 하부 플레이트 둘레(109) 및 설비 통합 플레이트(100)의 측벽에 체결되도록 크기가 정해지며, 설비 조작자의 최소한의 노력으로 이동가능하다.
일단 게이지 고정부(500)가 설비 통합 플레이트(100)로 삽입되면, 방법(600)은 단계(618)로 진행한다. 단계(618)에서, 각각의 설비 도관(402)은 게이지 고정부(500)에 의해 한정된 길이로 크기가 정해진다. 특히, 도관(402)은 게이지 고정부(500)의 탭(504) 및 베이스(502)의 깊이에 대응하는 높이로 절단된다. 특히, 도관은 베이스(502) 및 탭(504)의 수평면에 마킹된다. 게이지 고정부(500)는 설비 통합 플레이트(100)로부터 제거되며, 이어 도관은 각각의 마킹에서 절단된다. 이러한 방식으로 각각의 도관(402)은 바닥(201)의 표면보다 아래의 높이로 컷아웃(204)을 통해 연장한다.
단계(602)에서, 설비 도관(402)은 각각 웨이퍼 처리 장치(202)에 연결된다. 특히, 도관(402)에는 인터페이스 키트(206)와 연결되는 고정부가 제공된다. 인터페이스 키트(206)는 웨이퍼 처리 장치(202)와 인터페이싱하는 복수의 매개 길이 도관, 또는 웨이퍼 처리 장치(202)로부터 연장하는 복수의 도관을 포함한다. 일단 설비 도관(402), 인터페이스 키트(206) 및 웨이퍼 처리 장치(202)가 모두 연결되면, 도관의 전체 길이는 누출 및 적절한 전기적 연결에 대해 조사된다. 결과가 긍정적일 때, 설비 도관(402)은 또한 후속하는 사용을 웨이퍼 처리 장치(202)의 외부의 각각의 소스 및 공급원에 연결되며, 단계(622)에서 방법은 종료한다.
설비 통합 플레이트(100) 및 게이지 고정부(500)는 웨이퍼 제작자에게 웨이퍼 처리 장치(202)가 운반되기 전에, 웨이퍼 제작자가 제조 설비에서 필수적인 설비 도관(402)의 사전 장착을 하도록 지원한다. 이러한 방식으로, 도관(402)은 예정된 높이로 바닥(201) 아래에 고정되어 표준 크기의 인터페이스 키트(206)가 장착동안 설비 도관(402)을 처리 장치에 연결하는데 사용되도록 한다. 이와 같이, 장치의 장착에 필요한 시간이 현저히 감소된다. 게다가, 설비 도관(402)은 바닥 표면보다 낮은 높이로 설비 통합 플레이트(100) 내에서 사전 절단되므로, 커버는 노출된 컷아웃 및 설비 통합 플레이트(100)를 커버링하도록 어댑터 플레이트 위에 배치된다. 따라서, 도관은 웨이퍼 처리 장치(202)의 운반 동안 손상당하지 않을 것이다. 더욱이, 도관(402) 및 설비 통합 플레이트(100)가 커버 아래에 배치되므로, 손상의 가능성이 감소된다.
비록 본 발명의 기술적 특징이 본 명세서에서 상세히 설명되었지만, 당업자는 본 발명의 사상을 벗어나지 않고 본 발명의 기술적 특징을 포함하는 다양한 실시예를 고안할 수 있다.

Claims (32)

  1. 후속 연결을 위해 웨이퍼 제조 설비의 복수의 설비 도관을 웨이퍼 처리 장치에 장착하는 방법으로서,
    상기 웨이퍼 처리 장치가 상기 웨이퍼 제조 설비에서 배치될 위치를 결정하는 단계;
    상기 위치에 대응하는 상기 웨이퍼 제조 설비의 바닥에 컷아웃을 형성하는 단계;
    상기 바닥의 컷아웃을 통해 상기 복수의 설비 도관을 제공하는 단계;
    상기 바닥의 컷아웃 내에 설비 통합 플레이트를 장착하는 단계;
    상기 설비 통합 플레이트 내에 게이지 고정부를 제공하는 단계;
    상기 설비 도관을 상기 게이지 고정부에 의해 한정된 길이로 크기 설정하는 단계; 및
    상기 웨이퍼 처리 장치를 상기 설비 도관과 연결하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 결정 단계는,
    X-Y 좌표를 사용하여 상기 웨이퍼 제조 설비를 측정하는 단계; 및
    상기 웨이퍼 처리 장치의 풋프린트를 측정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 풋프린트는 탬플릿에 의해 제공된 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 바닥은 융기된 바닥인 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제공 단계는,
    상기 웨이퍼 제조 설비의 융기된 바닥 아래에 상기 복수의 설비 도관을 경로 설정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 복수의 설비 도관은 상기 융기된 바닥에 수직하게 상기 컷아웃을 통해 연장하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 장착 단계는,
    상기 설비 통합 플레이트에 형성된 복수의 대응하는 어댑터 개구부를 통해 상기 복수의 설비 도관을 배치시키는 단계; 및
    상기 바닥의 컷아웃으로 상기 설비 통합 플레이트를 슬라이딩시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 설비 통합 플레이트의 플랜지는 상기 바닥의 상부 표면과 수평하게 장착된 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 설비 통합 플레이트의 하부 플레이트는 상기 컷아웃에 평행하게 상기 바닥의 상부 표면 하부에 배치된 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 배치 단계는,
    상기 게이지 고정부에 형성된 복수의 대응하는 고정 개구부를 통해 상기 복수의 설비 도관을 위치시키는 단계; 및
    상기 설비 통합 플레이트로 상기 게이지 고정부를 슬라이딩시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 게이지 고정부의 플랜지는 상기 설비 통합 플레이트 플랜지의 상부 표면 위에 수평하게 배치된 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 게이지 고정부의 베이스 및 복수의 플레이트는 상기 설비 통합 플레이트의 하부 플레이트 위에 평행하게 배치되고, 상기 게이지 고정부의 복수의 고정부 개구부는 상기 설비 통합 플레이트의 복수의 어댑터 개구부와 동축상으로 정렬된 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 크기 설정 단계는,
    상기 게이지 고정부의 베이스 및 복수의 플레이트에 의해 한정된 수평면에서상기 복수의 설비 도관 각각에 마킹하는 단계;
    상기 게이지 고정부를 제거하는 단계; 및
    상기 각각의 마크 부분에서 상기 복수의 설비 도관을 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 연결 단계는,
    상기 복수의 설비 도관과 상기 웨이퍼 처리 장치 사이에 복수의 인터페이스 도관을 연결하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 연결 단계에 앞서 상기 설비 통합 플레이트 및 상기 설비 도관을 커버링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 후속 연결을 위해 웨이퍼 제조 설비의 복수의 설비 도관을 웨이퍼 처리 장치에 장착하는 장치로서,
    설비 통합 플레이트; 및
    상기 설비 통합 플레이트 내에 착탈가능하게 삽입된 게이지 고정부를 포함하는 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 설비 통합 플레이트는,
    복수의 어댑터 개구부를 갖는 하부 플레이트;
    상기 하부 플레이트의 둘레로부터 상부로 연장하는 복수의 측벽; 및
    상기 측벽의 상부 단부로부터 바깥쪽 방사 방향으로 연장하는 플랜지를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 복수의 어댑터 개구부 각각은 상기 복수의 설비 도관에 대응하는 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 복수의 어댑터 개구부 각각은 대응하는 상기 설비 도관을 둘러싸도록 크기 설정된 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 제18항에 있어서, 상기 복수의 설비 도관은 적어도 하나의 가스 도관, 적어도 하나의 배기 도관, 적어도 하나의 유체 도관 및 적어도 하나의 전력 도관을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  21. 제17항에 있어서, 상기 하부 플레이트는 상기 웨이퍼 제조 설비 바닥의 컷아웃에 배치된 것을 특징으로 하는 장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 하부 플레이트는 상기 바닥에 평행하게 배치된 것을 특징으로 하는 장치.
  23. 제22항에 있어서, 상기 설비 통합 플레이트 플랜지는 상기 바닥의 상부 표면에 안착된 것을 특징으로 하는 장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 측벽은 적어도 하나의 측벽 구멍을 통해 연장하는 적어도 하나의 패스너에 의해 상기 바닥에 고정된 것을 특징으로 하는 장치.
  25. 제16항에 있어서, 상기 가스 고정부는,
    복수의 고정 개구부를 구비한 베이스;
    상기 베이스의 상부 표면에 실질적으로 수직하게 연결된 복수의 패널; 및
    상기 패널에 연결되어 있고 상기 베이스와 실질적으로 평행하게 외부로 연장하는 복수의 플랜지를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  26. 제25항에 있어서, 상기 베이스의 복수의 고정 개구부 각각은 상기 복수의 설비 도관과 대응하는 것을 특징으로 하는 장치.
  27. 제26항에 있어서, 상기 복수의 고정 개구부 각각은 상기 대응하는 설비 도관을 둘러싸도록 크기 설정된 것을 특징으로 하는 장치.
  28. 제26항에 있어서, 상기 복수의 고정 개구부는 상기 게이지 고정부가 상기 설비 통합 플레이트 위에 삽입될 경우, 상기 설비 통합 플레이트의 어댑터 개구부와동축상으로 정렬된 것을 특징으로 하는 장치.
  29. 제28항에 있어서, 상기 게이지 고정부는,
    상기 베이스에 수직하게 연장하게 연결된 복수의 벽; 및
    상기 벽에 연결되고 상기 베이스와 실질적으로 평행하게 연장하는 복수의 벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  30. 제29항에 있어서, 상기 복수의 고정 개구부의 일부는 상기 복수의 탭에 형성된 것을 특징으로 하는 장치.
  31. 제30항에 있어서, 상기 복수의 탭은 상기 베이스의 하부에 배치된 것을 특징으로 하는 장치.
  32. 제31항에 있어서, 상기 게이지 고정부는 상기 게이지 고정부가 상기 설비 통합 플레이트 플랜지 위에 안착되도록 상기 설비 통합 플레이트로 삽입된 것을 특징으로 하는 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100915475B1 (ko) * 2006-10-27 2009-09-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 설비 연결 정위치 템플릿

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7063301B2 (en) * 2000-11-03 2006-06-20 Applied Materials, Inc. Facilities connection bucket for pre-facilitation of wafer fabrication equipment
US7032614B2 (en) 2000-11-03 2006-04-25 Applied Materials, Inc. Facilities connection box for pre-facilitation of wafer fabrication equipment
JP4027691B2 (ja) * 2002-03-18 2007-12-26 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US7335277B2 (en) * 2003-09-08 2008-02-26 Hitachi High-Technologies Corporation Vacuum processing apparatus
JP4246654B2 (ja) * 2004-03-08 2009-04-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
US7332017B2 (en) * 2004-09-24 2008-02-19 The Boc Group, Inc. Method and apparatus for separation of moisture from fluids
US20070020890A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for semiconductor processing
WO2007038647A2 (en) * 2005-09-27 2007-04-05 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for coupling semiconductor device manufacturing equipment to the facilities of a manufacturing location
US9387428B2 (en) * 2008-02-05 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for treating flammable effluent gases from manufacturing processes
US20090222128A1 (en) * 2008-02-05 2009-09-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for operating an electronic device manufacturing system

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3524076A1 (de) 1985-05-21 1986-11-27 Mainbau Estrich- und Fußboden GmbH, 8500 Nürnberg Verfahren zum nachtraeglichen einbringen von leitungskabeln in einen hohlraumboden und montagehilfe hierfuer
US4722298A (en) * 1986-05-19 1988-02-02 Machine Technology, Inc. Modular processing apparatus for processing semiconductor wafers
US4852516A (en) 1986-05-19 1989-08-01 Machine Technology, Inc. Modular processing apparatus for processing semiconductor wafers
US5053637A (en) 1989-05-31 1991-10-01 Siemens Energy & Automation, Inc. Computer facility power system
US5048195A (en) 1990-08-06 1991-09-17 Intel Corporation Apparatus and method for alignment of adjacent surfaces
JP3313385B2 (ja) * 1991-12-11 2002-08-12 富士通株式会社 クリーンルーム
JPH1097962A (ja) * 1996-09-19 1998-04-14 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理システム
US5960638A (en) 1997-08-15 1999-10-05 Huntair Inc. Modular environmental control unit for cleanrooms
WO1999046803A1 (en) 1998-03-11 1999-09-16 Inter-Engineering Crystal Group N.V. Production facility for integrated circuits

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100915475B1 (ko) * 2006-10-27 2009-09-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 설비 연결 정위치 템플릿

Also Published As

Publication number Publication date
JP4986363B2 (ja) 2012-07-25
US6532715B2 (en) 2003-03-18
JP2004503110A (ja) 2004-01-29
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US20020116882A1 (en) 2002-08-29
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