KR20030016536A - 엑스레이 영상 감지소자 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (5)
- 기판과;상기 기판 상에 형성되고 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선;상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되고 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극으로 이루어진 박막 트랜지스터;상기 화소 영역 상에 형성되어 있는 제 1 캐패시터 전극;상기 박막 트랜지스터 및 상기 제 1 캐패시터 전극을 덮고 있으며, 상기 드레인 전극을 드러내는 제 1 콘택홀을 가지는 제 1 절연막;상기 제 1 절연막 상의 화소 영역에 형성되고, 상기 제 1 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 제 2 캐패시터 전극;상기 제 2 캐패시터 전극을 덮고 있으며, 상기 제 2 캐패시터 전극을 드러내는 제 2 콘택홀을 가지는 제 2 절연막;상기 제 2 절연막 상부의 화소 영역에 형성되고, 상기 제 2 콘택홀을 통해 상기 제 2 캐패시터 전극과 접촉하는 화소 전극;상기 화소 전극 상부에 형성되어 있는 광도전막;상기 광도전막 위의 상부 전극을 포함하는 엑스레이 영상 감지소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 캐패시터 전극과 접촉하며 상기 데이터 배선과 나란한 방향을 가지는 공통 배선을 더 포함하는 엑스레이 영상 감지소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 화소 전극은 상기 게이트 배선과 일부 중첩하는 엑스레이 영상 감지소자.
- 기판을 구비하는 단계;상기 기판 상에 게이트 배선과 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 배선과 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 액티브층을 형성하는 단계;상기 액티브층 상부에 오믹 콘택층을 형성하는 단계;상기 오믹 콘택층 상부에 상기 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극, 그리고 상기 데이터 배선과 나란한 공통 배선을 형성하는 단계;상기 공통 배선 상부의 화소 영역에 제 1 캐패시터 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 캐패시터 전극 상부에 상기 드레인 전극을 드러내는 제 1 콘택홀을 가지는 유전체층을 형성하는 단계;상기 유전체층 상부에 상기 제 1 캐패시터 전극과 대응하며 상기 제 1 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되는 제 2 캐패시터 전극을 형성하는 단계;상기 제 2 캐패시터 전극 상부에 유기 물질로 상기 제 2 캐패시터 전극을 드러내는 제 2 콘택홀을 가지는 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막 상부에 투명 도전 물질로 이루어지고, 상기 제 2 콘택홀을 통해 상기 제 2 캐패시터 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계;상기 화소 전극 상부에 광도전막을 형성하는 단계;상기 광도전막 위에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 엑스레이 영상 감지소자의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 화소 전극은 상기 게이트 배선과 중첩하도록 하는 엑스레이 영상 감지소자의 제조 방법.
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