KR100891567B1 - 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법 - Google Patents
엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100891567B1 KR100891567B1 KR1020020046454A KR20020046454A KR100891567B1 KR 100891567 B1 KR100891567 B1 KR 100891567B1 KR 1020020046454 A KR1020020046454 A KR 1020020046454A KR 20020046454 A KR20020046454 A KR 20020046454A KR 100891567 B1 KR100891567 B1 KR 100891567B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- source
- gate insulating
- thin film
- insulating layer
- film transistor
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 235000001674 Agaricus brunnescens Nutrition 0.000 description 2
- -1 ACRYL Chemical class 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78609—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device for preventing leakage current
Abstract
Description
Claims (12)
- 유리기판상에 형성된 게이트, 상기 게이트를 포함한 상기 유리기판상에 형성된 게이트절연층, 상기 게이트절연층의 상부에 액티브영역의 패턴을 형성한 후 상기 액티브 영역의 패턴대로 형성된 소오스/드레인 영역 및 상기 소오스/드레인 영역을 마스크로 이용하여 형성된 채널층을 포함하여 구성된 박막트랜지스터;상기 소오스/드레인 영역 형성과 동시에 상기 박막트랜지스터의 측부에 형성된 접지배선;상기 접지배선을 포함한 게이트절연층을 덮도록 형성된 스토리지 전극;상기 스토리지 전극을 포함한 게이트절연층의 상부와 소오스/드레인 영역의 상부에 걸쳐 형성된 보호막;상기 스토리지 전극을 포함한 게이트절연층의 상부에 형성된 보호막의 상부에 형성되고, 드레인 영역과 연결되는 화소전극;상기 박막트랜지스터 상측부분을 제외한 상기 보호막 상부 및 상기 화소전극 상부에 형성된 광도전막;상기 광도전막 상부에 형성되는 제1 상부전극을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 엑스레이 영상 감지소자.
- 유리기판상에 형성된 게이트, 상기 게이트를 포함한 상기 유리기판상에 형성된 게이트절연층, 상기 게이트절연층의 상부에 액티브영역의 패턴을 형성한 후 상기 액티브 영역의 패턴대로 형성된 소오스/드레인 영역 및 상기 소오스/드레인 영역을 마스크로 이용하여 형성된 채널층을 포함하여 구성된 박막트랜지스터;상기 소오스/드레인 영역 형성과 동시에 상기 박막트랜지스터의 측부에 형성된 접지배선;상기 접지배선을 포함한 게이트절연층을 덮도록 형성된 스토리지 전극;상기 스토리지 전극을 포함한 게이트절연층의 상부와 소오스/드레인 영역의 상부에 걸쳐 형성된 보호막;상기 스토리지 전극을 포함한 게이트절연층의 상부에 형성된 보호막의 상부에 형성되고, 드레인 영역과 연결되는 화소전극;상기 소오스/드레인 영역의 상부에 걸쳐 형성된 보호막 및 상기 화소전극 상부에 걸쳐 형성된 광도전막;상기 박막트랜지스터 상측 부분을 제외한 상기 광도전막 상부에 형성되는 제1 상부전극을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 엑스레이 영상 감지소자.
- 삭제
- 유리기판상에 형성된 게이트, 상기 게이트를 포함한 상기 유리기판상에 형성된 게이트절연층, 상기 게이트절연층의 상부에 액티브영역의 패턴을 형성한 후 상기 액티브 영역의 패턴대로 형성된 소오스/드레인 영역 및 상기 소오스/드레인 영역을 마스크로 이용하여 형성된 채널층을 포함하여 구성된 박막트랜지스터;상기 소오스/드레인 영역 형성과 동시에 상기 박막트랜지스터의 측부에 형성된 접지배선;상기 접지배선을 포함한 게이트절연층을 덮도록 형성된 스토리지 전극;상기 스토리지 전극을 포함한 게이트절연층의 상부와 소오스/드레인 영역의 상부에 걸쳐 형성된 보호막;상기 스토리지 전극을 포함한 게이트절연층의 상부에 형성된 보호막의 상부에 형성되고, 드레인 영역과 연결되는 화소전극;상기 소오스/드레인 영역의 상부에 걸쳐 형성된 보호막 및 상기 화소전극 상부에 걸쳐 형성된 광도전막;상기 박막트랜지스터 상측 부분의 상기 광도전막 상에 형성되는 엑스레이 차단막;상기 광도전막 및 상기 차단막 상에 형성되는 제2 상부전극을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 엑스레이 영상 감지소자.
- 제 4 항에 있어서, 상기 엑스레이 차단막은 납(Pb)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 영상 감지소자.
- 제 4 항에 있어서, 상기 엑스레이 차단막은 상기 광도전막 및 상기 상부전극 사이인 상기 박막트랜지스터의 채널층과 동일한 위치부분에만 형성되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 영상 감지소자.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020046454A KR100891567B1 (ko) | 2002-08-07 | 2002-08-07 | 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020046454A KR100891567B1 (ko) | 2002-08-07 | 2002-08-07 | 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040013498A KR20040013498A (ko) | 2004-02-14 |
KR100891567B1 true KR100891567B1 (ko) | 2009-04-03 |
Family
ID=37320822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020046454A KR100891567B1 (ko) | 2002-08-07 | 2002-08-07 | 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100891567B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021139679A1 (zh) * | 2020-01-07 | 2021-07-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光检测模块及其制备方法、光检测基板 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02140974A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
KR20000019853A (en) * | 1998-09-16 | 2000-04-15 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Device for sensing x-ray video and manufacturing method thereof |
KR20010066346A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 구본준, 론 위라하디락사 | 엑스-선 검출소자 및 그의 제조방법 |
KR20020011035A (ko) * | 2000-07-31 | 2002-02-07 | 윤종용 | 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
-
2002
- 2002-08-07 KR KR1020020046454A patent/KR100891567B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02140974A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
KR20000019853A (en) * | 1998-09-16 | 2000-04-15 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Device for sensing x-ray video and manufacturing method thereof |
KR20010066346A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 구본준, 론 위라하디락사 | 엑스-선 검출소자 및 그의 제조방법 |
KR20020011035A (ko) * | 2000-07-31 | 2002-02-07 | 윤종용 | 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021139679A1 (zh) * | 2020-01-07 | 2021-07-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光检测模块及其制备方法、光检测基板 |
US11843021B2 (en) | 2020-01-07 | 2023-12-12 | Hefei Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Optical detection module, method for manufacturing optical detection module, and optical detection substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040013498A (ko) | 2004-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6225212B1 (en) | Corrosion resistant imager | |
KR100630880B1 (ko) | 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법 | |
KR100732877B1 (ko) | 엑스레이 영상 감지소자 및 그의 제조 방법 | |
KR100577410B1 (ko) | 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법 | |
KR100310179B1 (ko) | 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법 | |
KR100463337B1 (ko) | 엑스레이영상감지소자및그제조방법 | |
US6617584B2 (en) | X-ray detecting device and fabricating method thereof | |
KR100443902B1 (ko) | 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법 | |
KR100514108B1 (ko) | 2차원 화상검출기 | |
KR20160114767A (ko) | 이미지센서 및 이의 제조방법 | |
KR100891567B1 (ko) | 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법 | |
KR100641732B1 (ko) | 엑스-선 검출소자의 제조방법 | |
KR100867517B1 (ko) | 박막 트랜지스터형 광감지 센서 및 그 제조 방법 | |
KR100524081B1 (ko) | 엑스레이 영상 감지소자 | |
JP4478215B2 (ja) | 耐腐食性イメージング装置 | |
US7368315B2 (en) | X-ray detecting device and fabricating method thereof | |
KR100577794B1 (ko) | 디지털 엑스레이 디텍터 | |
KR100463594B1 (ko) | 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법 | |
KR100642088B1 (ko) | 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법 | |
KR100867473B1 (ko) | 엑스레이 영상 감지소자의 제조방법 | |
KR100488951B1 (ko) | 엑스레이 영상 감지소자의 제조방법 | |
KR100698238B1 (ko) | 엑스-선 검출소자 및 그의 제조방법 | |
KR100824084B1 (ko) | 엑스레이 디텍터의 제조방법 | |
KR20050018516A (ko) | 디지털 엑스레이 디텍터 | |
KR20030058612A (ko) | 엑스레이 영상 감지소자의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130315 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140218 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150216 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160222 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170220 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180222 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190226 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200226 Year of fee payment: 12 |