KR20030006721A - 리소그라피 시스템 및 이를 이용한 레티클 표면의 파티클제거방법 - Google Patents

리소그라피 시스템 및 이를 이용한 레티클 표면의 파티클제거방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 리소그라피 시스템 및 이를 이용한 레티클 표면의 파티클 제거방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 노광 시스템은, 스테이지 상에 레티클이 안착된다. 레티클의 일측부에 레티클의 전 표면을 향하여 세정 가스를 분사하는 분사구가 위치된다. 한편, 세정 가스 분사구와 마주하는 레티클의 타측에는 배기구가 위치된다. 여기서, 세정 가스로는 N2가스가 이용될 수 있다.

Description

리소그라피 시스템 및 이를 이용한 레티클 표면의 파티클 제거방법{Lithography system and method for removing particle on the surface of a reticle using the same}
본 발명은 리소그라피 시스템(lithography system) 및 이를 이용한 레티클 표면의 파티클 제거방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 레티클 스테이지 및 이를 이용하여 레티클 표면에 발생된 파티클을 제거하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 레티클은 석영 기판과, 석영 기판 표면에 형성된 다수의 불투명 패턴으로 구성된다. 이러한 레티클은 포토리소그라피 일련의 공정에 의하여 반도체 기판 상부에 소정 패턴의 형상을 전사하게 된다.
그러나, 레티클을 반도체 기판상에 정렬시키기 위한 이송, 정렬 또는 노광시, 공기중에 부유하는 파티클(particle), 즉 먼지들이 레티클 상에 안착될 수 있다. 이와같이 파티클이 레티클 표면 묻게되면, 노광 공정시, 파티클 자체가 불투명 패턴으로 인식되어, 원치 않는 영역에 패턴이 형성되는 포토리소그라피 불량이 발생된다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 레티클 표면에 잔류하여 포토리소그라피 불량을 일으키는 파티클을 용이하게 제거할 수 있는 리소그라피 시스템을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상기한 리소그라피 시스템을 이용하여, 레티클 표면의 파티클을 제거하는 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 노광 시스템의 평면도이다.
도 2는 도 1을 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단하여 나타낸 노광 시스템의 단면도이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
10 - 레티클 12 : 세정 가스 분사구
14 - 배기구
본 발명의 이루고자하는 기술적 과제와 더불어 그의 다른 과제 및 신규한 특징은, 본 명세서의 기재 및 첨부 도면에 의하여 명료해질것이다.
본원에서 개시된 발명중, 대표적 특징의 개요를 간단하게 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 일견지에 따른 노광 시스템은, 스테이지 상에 레티클이 안착된다. 레티클의 일측부에 레티클의 전 표면을 향하여 세정 가스를 분사하는 분사구가 위치된다. 한편, 세정 가스 분사구와 마주하는 레티클의 타측에는 배기구가 위치된다. 여기서, 세정 가스로는 N2가스가 이용될 수 있다.
레티클과 마주하는 분사구의 길이는 상기 레티클의 길이보다 큰 것이 바람직하고, 레티클 및 분사구와 마주하는 배기구의 길이는 분사구의 길이 보다 크다. 더불어, 배기구의 높이는 분사구로부터 반사되어져 나온 가스를 모두 흡입할 수 있을 정도의 높이인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 다른 견지에 따른 노광 시스템을 이용한 레티클 표면의 파티클 제거 방법은, 먼저, 노광 공정을 진행하기 전, 레티클의 일측으로부터 레티클 전 표면을 향해 세정 가스를 분사한다. 이때, 분사되어진 가스 및 세정 가스의 압력에 의하여 레티클 표면으로부터 떨어져 나온 파티클들을 레티클의 타측으로부터 흡입하도록 한다.
이와같이, 본 발명에 의하면, 세정 가스 분사구로부터 세정 가스를 분사하여 레티클 표면에 발생된 파티클을 떨어뜨린 후, 세정 가스 및 부유하는 파티클을 배기구를 통하여 흡입한다. 그러므로, 레티클 표면에 잔류하는 파티클을 모두 제거할 수 있어, 오노광을 방지할 수 있다.
(실시예)
이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다. 또한, 어떤 층이 다른 층 또는 반도체 기판의 "상"에 있다라고 기재되는 경우에, 어떤 층은 상기 다른 층 또는 반도체 기판에 직접 접촉하여 존재할 수 있고, 또는, 그 사이에 제 3의 층이 개재되어질 수 있다.
첨부한 도면 도 1은 본 발명에 따른 노광 시스템의 평면도이고, 도 2는 도 1을 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단하여 나타낸 노광 시스템의 단면도이다.
먼저, 본 실시예에서는 레티클 표면에 묻어있는 파티클을 용이하게 제거할 수 있도록, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 레티클(10)이 레티클 스테이지(도시되지 않음)의 적소에 안착되고, 레티클(10)의 일측에 세정 가스 분사구(12)가 위치된다. 여기서, 레티클(10)의 저면에는 반도체 기판상에 소정의 회로를 구현하기 위한 다수의 불투명 패턴(10a)이 배치되어 있다.
세정 가스 분사구(12)는 레티클(10)의 일측에 형성되며, 레티클(10)의 일측변과 소정 거리 이격되도록 배치된다. 아울러, 세정 가스 분사구(12)는 레티클(10)의 표면의 연장선으로부터 소정 각도(α) 바람직하게는 10도 이하의 각을 이루도록 배치된다. 이는, 세정 가스가 레티클(10)의 전표면에 고르게 분사되도록 하기 위함이다. 더불어, 레티클과 마주하는 세정 가스 분사구(12)의 길이는 레티클(10) 전 부분에 대하여 가스가 분사될 수 있도록, 마주하는 레티클(10)의 길이보다는 더 길며, 예를들어, 150 내지 170mm 정도이다. 여기서, 가스 분사구(12)로부터 분사되는 가스로는 세정 특성이 탁월한 N2가스가 이용된다.
한편, 가스 분사구(12)와 마주하는 레티클(10)의 타측에는 배기구(14)가 위치된다. 배기구(14)는 가스 분사구(12)에서 세정 가스 분사시 레티클(10) 표면으로부터 떨어져나간 파티클들이 다시 부유하지 않도록 흡입함과 동시에, 분사된 세정 가스(N2가스)를 흡입하는 역할을 한다. 이러한 배기구(14)는 레티클(10)로부터 떨어져나온 파티클들 및 세정 가스(N2가스)를 완전히 흡입할 수 있도록, 마주하는 레티클(10)의 길이 및 가스 분사구(12)의 길이 및 크기 보다 더 크게 형성함이 바람직하다. 예를들어, 배기구(14)의 높이는 약 25 내지 35mm 정도이고, 길이는 170 내지 190 mm정도이다. 즉, 배기구(14)의 높이는 가스 분사구(12)로부터 반사되어져 나온 세정 가스 및 파티클을 모두 흡입할 수 있을 정도의 높이임이 바람직하다. 여기서, 미설명 도면 부호 100은 울트라 렌즈를 나타낸다.
이와같은 본 발명의 노광 시스템의 동작은 다음과 같다.
세정 가스 분사구(12)로부터 레티클(10) 표면을 향하여 파티클 제거를 위한 세정 가스 즉, N2가스를 분사한다. 그러면, 세정 가스(N2)가 분사되는 압력에 의하여 레티클(10) 표면에 존재하는 파티클들이 떨어져나가게 된다. 동시에, 분사되어진 N2가스와 레티클(10) 표면에서 떨어져나온 파티클들은 배기구(14)로 흡입된다.
이에따라, 노광시 레티클 표면에 발생된 파티클로 인한 포토리소그라피 불량이 방지된다.
이상에서 자세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 레티클이 안착되는 레티클 스테이지에 있어서, 레티클의 일측에는 세정 가스 분사구를 설치하고, 세정가스 분사구와 마주하는 레티클의 타측에는 배기구를 설치한다.
그후, 세정 가스 분사구로부터 세정 가스를 분사하여 레티클 표면에 발생된 파티클을 떨어뜨린다음, 세정 가스 및 부유하는 파티클을 배기구를 통하여 흡입한다. 이에따라, 레티클 표면에 잔류하는 파티클을 모두 제거할 수 있어, 파티클의 형태대로 패턴이 형성되는 포토리소그라피 불량을 방지할 수 있다.
기타, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 변경실시할 수 있다.

Claims (6)

  1. 스테이지;
    스테이지상에 안착되는 레티클;
    레티클의 일측부에 배치되며, 레티클을 향하여 세정 가스를 분사하는 분사구; 및
    상기 세정 가스 분사구와 마주하며, 상기 레티클의 타측에 배치되는 배기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그라피 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 세정 가스는 N2가스인 것을 특징으로 하는 리소그라피 시스템.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 레티클과 마주하는 분사구의 길이는상기 레티클의 길이보다 큰 것을 특징으로 하는 리소그라피 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 레티클 및 분사구와 마주하는 배기구의 길이는 분사구의 길이 보다 큰 것을 특징으로 하는 리소그라피 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 배기구의 높이는 상기 분사구로부터 반사되어져 나온 가스를 모두 흡입할 수 있을 정도의 높이인 것을 특징으로 하는 리소그라피 시스템.
  6. 노광 공정을 진행하기 전, 레티클의 일측으로부터 레티클 전 표면을 향해 세정 가스를 분사한 후, 분사되어진 가스 및 세정 가스의 압력에 의하여 레티클 표면으로부터 떨어져 나온 파티클들을 레티클의 타측으로부터 흡입하는 것을 특징으로 하는 레티클 표면의 파티클 제거 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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