KR20030002152A - 플라즈마 화학기상증착을 이용한 막의 형성방법 - Google Patents

플라즈마 화학기상증착을 이용한 막의 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체소자 제조에 사용되는 소정의 막을 웨이퍼상에 증착함에 있어서, 상기 웨이퍼를 외기와 격리된 반응로에 넣는 단계와 He가스 또는 H2가스를 상기 반응로에 주입하여 플라즈마를 형성하여 상기 웨이퍼를 가열하는 단계 및 상기 막의 형성에 필요한 반응가스를 상기 반응로에 주입하여 웨이퍼상에 상기 소정의 막을 증착하는 단계를 포함하여 이루어지는 PECVD를 이용한 막 형성방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 웨이퍼에 가해지는 손상을 줄일 수 있으며, 웨이퍼내 온도 균일도를 향상시킬 수 있다. 또한, PECVD 장치의 돔에 손상이 적게 가해져 이로부터 발생하는 파티클의 양이 감소한다.

Description

플라즈마 화학기상증착을 이용한 막의 형성방법{Method of forming film using plasma enhanced chemical vapor deposition}
본 발명은 PECVD를 이용하여 막을 증착하는 방법에 관한 것으로, 특히 PECVD를 이용하여 막을 증착하기에 앞서 He 또는 H2 플라즈마를 이용하여 막이 증착될 웨이퍼를 가열함으로써 웨이퍼내 온도 균일도를 개선할 수 있도록 하는 PECVD에 의한 막 형성방법에 관한 것이다.
화학기상증착(chemical vapor deposition;CVD) 공정은 일정온도로 유지되는 써셉터(susceptor)위에 웨이퍼를 얹고 외부와 격리된 챔버내에 반응가스를 넣어 행하는 공정이다. 이때, 반응가스의 반응에 필요한 에너지를 열에 의해 제공하는 경우를 열화학기상증착(Thermal CVD)이라 하고, 플라즈마를 발생시켜 반응가스를 여기시킴으로써 반응이 쉽게 일어나도록 하는 방법을 PE CVD(plasma enhanced CVD)라고 한다. 열화학기상증착의 경우, 반응에너지가 열인 만큼 웨이퍼의 온도가 높아질수록 반응속도는 증가하게 된다. 그런데 온도가 높아지면 웨이퍼위에 골이 있을 경우 골의 윗부분에서 반응이 많이 일어나 반응가스가 골의 바닥까지 도달하지 못하기 때문에 골의 위에는 막이 두껍고 골의 바닥에는 막이 얇게 증착되어 소위 스텝 커버리지(step coverage)라고 하는 특성이 악화된다.
반면에 PE CVD의 경우에는 플라즈마에 의해 증착이 이루어지기 때문에 웨이퍼의 온도가 증가하는 것에 의해 반응속도가 많이 변하지 않으므로 열화학증착에서와 같은 현상은 일어나지 않는다. 한편, 스텝 커버리지에 영향을 주는 또 다른 요소로서 상기한 증착속도 이외에 웨이퍼에 도착한 반응종이 안정한 위치에 도착하여 웨이퍼에 흡착되는 특성도 중요하게 작용한다. 그런데 골의 윗부분에 도착한 반응종은 골의 아래부분이 전체 에너지면에서 더 안정된 위치이기 때문에 골의 아래로이동하려 하지만 PE CVD의 경우에는 플라즈마에 의해 여기된 반응 가스의 활성도가 높아 웨이퍼에 도착하는 반응종의 양이 많아 반응종이 골의 아래로 이동하고자 하여도 후속으로 도착한 반응종들과 곧바로 반응하여 골의 윗부분에 흡착되는 관계로 스텝커버리지가 악화된다. 따라서 PE CVD에서 스텝 커버리지 특성을 증대시키기 위해서는 웨이퍼에 도착한 반응종들의 움직임을 빠르게 하여 골의 아래까지 도달하는데 소요되는 시간을 줄일 필요가 있다. 이에 PE CVD공정중 써셉터의 온도를 적정한 수준까지 증가시키기도 한다.
그러나 고밀도 플라즈마의 형성에 의해 CVD공정을 진행하는 경우에는 플라즈마 자체만으로 웨이퍼의 온도가 많이 올라가기 때문에 써셉터의 온도를 인위적으로 올릴 수 있도록 장치가 구성되어 있지 않다. 대개의 경우 HDP공정에 의해 막을 증착하는 경우 써셉터의 온도를 인위적으로 올리지 않더라도 막의 증착만으로 600-650℃까지 온도가 증가한다. 그런데 웨이퍼가 챔버 내부에 로딩된 경우에 웨이퍼의 온도는 상온에 가까운 반면에 골 내부에 증착되는막의 스텝 커버리지는 막 증착의 초기 특성에 크게 의존하기 때문에 그 상태에서 공정을 실시하면 골 내부에서의 막의 스텝 커버리지가 좋지 않게 된다. 따라서 이를 보완할 목적으로 반응가스없이 불활성가스만을 사용하여 플라즈마를 형성하는 방법에 의해 웨이퍼를 가열하였다. HDP막 증착공정에는 주로 Ar가스를 사용하고 있는데 이는 Ar의 이온화 에너지가 He에 비해 낮아서 쉽게 플라즈마를 유지할 수 있어 막증착 균일도 등이 개선되기 때문이다. Ar과 같이 무거운 가스를 사용하면 플라즈마의 형성은 쉽지만 도2(a)에 나타낸 바와 같이 이온화된 Ar이 웨이퍼로 가속되어 웨이퍼를 가열하는 경우 도2(b)에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(1)에 형성된 패턴(2)의 윗부분이 깍여나가는 현상이 심하게 발생한다. 도2에서 참조부호 3은 증착된 HDP막을 나타내는 것이다.
상기와 같이 패턴이 깍이는 현상을 억제하기 위해서는 Ar이온이 웨이퍼로 가속되는 전압을 낮춰야 하며, 이로 인해 웨이퍼 가열의 효율성은 상대적으로 낮아질 수 밖에 없다.
또한, Ar과 같이 무거운 가스를 사용하는 경우 도1과 같은 HDP장치의 구조에서 가스를 가두는 역할을 함과 동시에 외부에 배치된 플라즈마 유도전극(10)과 가스를 격리시킬 목적의 돔(dome)을 깍아내는 부작용도 있다. 도1에서 참조부호 20은 써셉터, 30은 펌핑라인을 각각 나타낸다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 웨이퍼 가열을 위한 플라즈마 가스로서 Ar 대신에 He이나 하부막과의 반응성이 없는 H2와 같이 가벼운 가스를 사용함으로써 막증착 초기의 웨이퍼 온도를 효과적으로 높일 수 있는 PECVD를 이용한 막 형성방법을 제공하는데 목적이 있다.
도1은 HDP막 증착장치의 구조를 나타낸 도면.
도2(a) 및 (b)는 종래의 Ar가스를 이용한 플라즈마 CVD에 의해 막을 증착하는 공정을 나타낸 도면.
도3(a) 및 (b)는 본 발명의 일실시예에 의한 He가스를 이용한 플라즈마 CVD에 의해 막을 증착하는 공정을 나타낸 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 웨이퍼 2 : 패턴
3 : HDP막 10 : 플라즈마 유도전극
20 : 써셉터 30 : 펌핑라인
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 PECVD를 이용한 막 형성방법은 반도체소자 제조에 사용되는 소정의 막을 웨이퍼상에 증착함에 있어서, 상기 웨이퍼를 외기와 격리된 반응로에 넣는 단계와; He가스 또는 H2가스를 상기 반응로에 주입하여플라즈마를 형성하여 상기 웨이퍼를 가열하는 단계; 및 상기 막의 형성에 필요한 반응가스를 상기 반응로에 주입하여 웨이퍼상에 상기 소정의 막을 증착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
본 발명은 PECVD방법에 의해 막을 증착하는 공정에 있어서, 웨이퍼를 가열하기 위한 플라즈마 가스로서 Ar이 아닌 He와 하부막과의 반응성이 없는 H2와 같이 가버운 가스를 사용하며, 이 과정을 통해 막 증착 초기의 웨이퍼 온도를 효과적으로 높일 수 있도록 한다. 특히, H2가스의 경우에는 플라즈마 형성 및 유지가 힘든 경우가 있는데 이 경우에는 H2가스와 함께 Ar가스를 함께 챔버에 넣어 플라즈마를 효율적으로 유지할 수 있도록 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 PECVD를 이용한 HDP막을 증착하는 방법을 도3에 나타내었다.
먼저, 도3(a)에 나타낸 바와 같이 소정의 패턴(2)이 형성된 웨이퍼(1)을 외기와 격리된 반응로에 넣은 다음, HDP막을 증착하기에 앞서 웨이퍼를 가열할 목적으로 He 또는 H2가스를 사용하여 플라즈마를 형성하고, 이들 가스의 이온들을 웨이퍼로 가속시킴으로써 이온의 충돌에 의해 웨이퍼를 가열한다. 특히 H2가스를 플라즈마 형성을 위한 가스로 사용하는 경우에는 플라즈마의 균일도 등에 문제가 예상되므로 소량의 Ar가스 또는 He가스를 함께 투입함으로써 균일도를 개선하고, 웨이퍼위에 형성된 패턴이 가속된 이온에 의해 깨어지는 현상을 억제하도록 한다. Ar을 함께 투입하는 경우 그 양은 전체 가스의 20%이내로 한다.
He과 H2가스의 경우에는 질량이 작기 때문에 웨이퍼에 가해지는 손상이 적다는 이점이 있고, 움직임이 활발하여 온도가 높은 곳에서 낮은 곳으로 열을 쉽게 전달하는 기능에 의해 웨이퍼내 온도 균일도도 개선할 수 있는 장점을 가진다.
상기한 바와 같이 플라즈마에 의해 웨이퍼를 가열한 후, HDP막의 형성에 필요한 반응가스를 상기 반응로에 주입하여 도3(b)에 나타낸 바와 같이 HDP막(3)을 증착한다. 이때, HDP막은 플라즈마에 의해 형성하거나 열분해법에 의해 형성할 수 있다.
상기 실시예에서는 HDP를 예로 하여 기술하였으나, 상기한 현상은 PECVD막 증착의 전반적인 현상으로 PECVD를 이용하여 형성하는 모든 막에 본 발명을 적용할 수 있다. 즉, 웨이퍼위에 막을 증착하기에 앞서 반응가스 없이 H2 또는 He만을 사용하여 플라즈마를 형성하고 이를 통해 웨이퍼내 온도를 상승시킴은 물론 온도의 균일도를 확보할 수 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼에 가해지는 손상을 줄일 수 있으며, 웨이퍼내 온도 균일도를 향상시킬 수 있다. 또한, PECVD 장치의 돔에 손상이 적게 가해져 이로부터 발생하는 파티클의 양이 감소한다.

Claims (4)

  1. 반도체소자 제조에 사용되는 소정의 막을 웨이퍼상에 증착함에 있어서,
    상기 웨이퍼를 외기와 격리된 반응로에 넣는 단계와;
    He가스 또는 H2가스를 상기 반응로에 주입하여 플라즈마를 형성하여 상기 웨이퍼를 가열하는 단계; 및
    상기 막의 형성에 필요한 반응가스를 상기 반응로에 주입하여 웨이퍼상에 상기 소정의 막을 증착하는 단계를 포함하여 이루어지는 PECVD를 이용한 막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 H2가스를 플라즈마 형성을 위한 가스로 사용하는 경우, 플라즈마의 안정성을 유지하기 위하여 Ar을 함께 주입하는 것을 특징으로 하는 PECVD를 이용한 막 형성방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 Ar의 양은 전체 가스의 20%이내로 제한하는 것을 특징으로 하는 PECVD를 이용한 막 형성방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 막은 플라즈마 형성에 의해 증착하거나 열분해법에 의해 증착하는 것을 특징으로 하는 PECVD를 이용한 막 형성방법.
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