KR20030000488A - 반도체소자의 연마패드 - Google Patents

반도체소자의 연마패드 Download PDF

Info

Publication number
KR20030000488A
KR20030000488A KR1020010036283A KR20010036283A KR20030000488A KR 20030000488 A KR20030000488 A KR 20030000488A KR 1020010036283 A KR1020010036283 A KR 1020010036283A KR 20010036283 A KR20010036283 A KR 20010036283A KR 20030000488 A KR20030000488 A KR 20030000488A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pad
semiconductor device
polishing
polishing pad
hard
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
KR1020010036283A
Other languages
English (en)
Inventor
윤일영
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020010036283A priority Critical patent/KR20030000488A/ko
Publication of KR20030000488A publication Critical patent/KR20030000488A/ko
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체소자의 연마패드에 관한 것으로, 소프트 패드(soft pad)에 일정 간격 이격시켜 하드 패드(hard pad)를 부착시킴으로써 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing, 이하 CMP 라 함)공정 시 단차 제거를 용이하게 하고 CMP공정 후 연마 균일도를 향상시켜 연마대상막의 신뢰성을 향상시키고 후속공정을 용이하게 하는 기술이다.

Description

반도체소자의 연마패드{Polishing pad of semiconductor device}
본 발명은 반도체소자의 연마패드에 관한 것으로서, 보다 상세하게 화학적 기계적 연마공정에서 단차 제거와 균일도를 모두 만족시키는 반도체소자의 연마패드에 관한 것이다.
반도체소자가 고집적화됨에 따라 소자의 형성공정중 단차 의 발생이 증가하면서, 사진공정이 더욱 더 어렵게 되었다. 그런 이유로 평탄화 공정의 중요성은 날로 증가되고 있다.
최근 각광 받고 있는 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing,이하 CMP 라 함)공정은 이에 적합한 공정이라 할 수 있으나, 직접 웨이퍼의 표면을 물리적인 마찰에 의해 식각하기 때문에 파티클(particle)이 많이 발생하고, 미세한 패턴을 보호하는 데에 문제점이 발생하였다. 특히, 웨이퍼 상의 막질 식각의 균일성 확보에 많은 어려움이 있다.
반도체 박막의 평탄화 방법 중에 하나인 CMP 공정에서 식각 균일성에 가장 크게 해를 끼치는 부분은 웨이퍼의 가장자리 부위가 과도하게 연마되는 현상이다. 상기와 같이 웨이퍼의 가장자리가 과도하게 연마되는 현상은, 애초의 식각면에 비해서 50 %, 많게는 100 % 가까이 발생되고 있다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1 은 소프트 패드를 이용한 CMP공정을 나타내는 도면으로, 단차를 갖는 연마대상막(13)을 소프트 패드(11)를 이용하여 CMP하는 것을 나타낸다. 이때, 상기 소프트 패드(11)는 상기 연마대상막(13)에서 단차가 높은 부분과 낮은 부분에 각각 다르게 다르게 닿는다. (도 1 참조)
도 2 는 하드 패드를 이용한 화학적 기계적 연마공정을 나타내는 도면으로, 단차를 갖는 연마대상막(23)을 하드 패드(21)를 이용하여 CMP하는 것을 나타낸다. (도 2 참조)
상기와 같은 종래기술에 따른 반도체소자의 연마패드는 소프트 패드를 사용하여 CMP공정을 진행하는 경우 연마대상막의 단차에 닿는 부분이 다르기 때문에 균일하게 연마는 되지만 단차를 제거하기 어렵고, 하드 패드를 사용하여 CMP공정을 진행하는 경우 단차를 제거하기 용이하지만 균일하게 연마하는 것이 어렵기 때문에도 2 의 ⓧ와 ⓨ부분과 같이 연마대상막에 높이 차이가 나서 연마대상막의 신뢰성을 저하시키고, 그로 인하여 후속공정을 곤란하게 하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여, 소프트 패드에 하드 패드 조각을 부착시켜 연마대상막의 단차를 제거하기 용이하고 균일하게 연마할 수 있는 반도체소자의 연마패드를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1 은 소프트 패드를 이용한 화학적 기계적 연마공정을 나타내는 도면.
도 2 는 하드 패드를 이용한 화학적 기계적 연마공정을 나타내는 도면.
도 3 은 본 발명에 따른 반도체소자의 연마패드를 나타내는 도면.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
11, 31 : 소프트 패드 13, 23 : 연마대상막
21, 33 : 하드 패드
이상의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체소자의 연마패드는,
반도체소자의 연마패드에 있어서,
소프트 패드에 일정 간격 이격되어 하드 패드 조각이 부착되는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 상세한 설명을 하기로 한다.
도 3 은 본 발명에 따른 반도체소자의 연마패드를 도시한 도면으로서, 소프트 패드(31)에 일정 간격 이격되어 하드 패드(33)가 부착되어 있는 것을 도시한다. 이때, 상기 하드 패드(33)는 1 ∼ 10㎜ 크기로서 1 ∼ 10㎜ 만큼 이격되어 형성된다. 또한, 상기 하드 패드(33)는 원형, 사각형 등 여러 가지 형태를 갖는다. (도 3 참조)
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체소자의 연마패드는, 소프트 패드에 일정 간격 이격시켜 하드 패드를 부착시킴으로써 CMP공정 시 단차 제거를 용이하게 하고 CMP공정 후 연마 균일도를 향상시켜 연마대상막의 신뢰성을 향상시키고 후속공정을 용이하게 하는 이점이 있다.

Claims (3)

  1. 반도체소자의 연마패드에 있어서,
    소프트 패드에 일정 간격 이격되어 하드 패드 조각이 부착되는 반도체소자의 연마패드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하드 패드 조각은 1 ∼ 10㎜ 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 연마패드.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 하드 패드 조각은 1 ∼ 10㎜ 만큼 이격되어 부착되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 연마패드.
KR1020010036283A 2001-06-25 2001-06-25 반도체소자의 연마패드 Withdrawn KR20030000488A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010036283A KR20030000488A (ko) 2001-06-25 2001-06-25 반도체소자의 연마패드

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010036283A KR20030000488A (ko) 2001-06-25 2001-06-25 반도체소자의 연마패드

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030000488A true KR20030000488A (ko) 2003-01-06

Family

ID=27710952

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010036283A Withdrawn KR20030000488A (ko) 2001-06-25 2001-06-25 반도체소자의 연마패드

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20030000488A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112428126A (zh) * 2020-11-16 2021-03-02 连城凯克斯科技有限公司 一种用于半导体晶体生产的抛光设备
CN112518804A (zh) * 2021-01-14 2021-03-19 成都昌碧宣亚商贸有限公司 一种机械手臂高效自动清洁装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112428126A (zh) * 2020-11-16 2021-03-02 连城凯克斯科技有限公司 一种用于半导体晶体生产的抛光设备
CN112518804A (zh) * 2021-01-14 2021-03-19 成都昌碧宣亚商贸有限公司 一种机械手臂高效自动清洁装置
CN112518804B (zh) * 2021-01-14 2022-10-11 重庆云海机械制造有限公司 一种机械手臂高效自动清洁装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS63250853A (ja) 材料層の平坦化方法
WO2001071796A3 (en) Method for electrochemical polishing of a conductive material
US6090688A (en) Method for fabricating an SOI substrate
TW398053B (en) Manufacturing of shallow trench isolation
JP4163494B2 (ja) 半導体素子製造方法
KR20030000488A (ko) 반도체소자의 연마패드
US20030073383A1 (en) Polishing platen of chemical mechanical polishing apparatus and planarization method using the same
KR100307276B1 (ko) 폴리싱 방법
US6387808B1 (en) Method of correcting topographical effects on a micro-electronic substrate
US6110795A (en) Method of fabricating shallow trench isolation
US6806200B2 (en) Method of improving etch uniformity in deep silicon etching
KR20090126544A (ko) 화학 기계 연마 공정을 이용한 반도체 장치의 제조방법
KR100669101B1 (ko) 패턴 구조물 형성 방법 및 이를 이용한 트렌치 형성 방법
US7025891B2 (en) Method of polishing C4 molybdenum masks to remove molybdenum peaks
JP2023549482A (ja) 小さなチップと小さな分離チャネルを有するウェハから個々のチップをシンギュレーションすること
US6350660B1 (en) Process for forming a shallow trench isolation
KR20020053565A (ko) 반도체 소자의 소자분리막 형성방법
JP3097630B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR100914605B1 (ko) 나노토포그라피가 개선된 웨이퍼 제조 방법
US6465156B1 (en) Method for mitigating formation of silicon grass
KR100611122B1 (ko) 스크레치 제거방법 및 이를 이용한 반도체 장치의패턴형성방법
KR100398704B1 (ko) 실리콘 웨이퍼 제조 방법
KR100781871B1 (ko) 반도체 소자 격리막 형성 방법
KR20050073044A (ko) 화학적기계연마 방법
JP2000091278A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

N231 Notification of change of applicant
PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PC1203 Withdrawal of no request for examination

St.27 status event code: N-1-6-B10-B12-nap-PC1203

WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid
P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000