KR20020083143A - 액정 표시장치의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 프로세스 단축을 가능하게 하고, 또한 신뢰성이 높은 광시야각 액정표시장치의 제조방법을 제공하는 것으로서, 이를 위한 수단으로서, 게이트 전극 금속층과 게이트 절연체와 a-Si층을 적층하고, 아이랜드를 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과, 층간절연막(23)과 드레인 전극 금속층을 퇴적하고, 드레인 배선(6)을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과, 유기 절연막(21)을 퇴적하고, 유기 절연막(21)을 관통하여 소정의 위치에 소스/드레인 전극과 접속하기 위한 유기 절연막 콘택트를 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과, 투명 도전막을 퇴적하고, 화소 전극(10)과 공통 전극(11)을 서로 다르게 배치하도록 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정을 포함한다.

Description

액정 표시장치의 제조방법{Manufacturing Method of Liquid Crystal Display Device}
본 발명은 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 광시야각 표시를 가능하게한 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
광시야각 액정표시장치는, 일반적으로, 공통 전극, 화소 전극이 TFT의 보호막상에 배치되고, 액정층에 밀봉되어 있는 액정분자의 분자축 방향을 액티브 매트릭스 기판 표면과 수평인 표면에서 회전시켜 표시를 행함으로서, 광시야각 표시를 가능하게 하고, 그 대표적인 것으로서 IPS(In-Plane Switching)형 액정표시장치가 있다.
상술한 종래의 IPS 형 액정표시장치로서, 도 20에, 일본 특허공개 평10-186407호 공보에 기재된 광시야각 액정표시장치의 개략 구성을 도시한다. 이 장치는, 게이트선(204)과, 드레인선(206)과, 공통 전극(ITO)(210)과, 공통 전극(207)과, 화소 전극(ITO)(211)과, 화소 전극(드레인층)(213)과, TFT를 구비하고, 화소 전극(ITO)(211)과 공통 전극(ITO)(210) 사이에서, 기판 표면에 대하여 실질적으로 수평인 전계를 생기게 하고, 해당 전계에 따라서 액정분자의 디렉터를 기판 표면과 수평인 면 내에서 회전시켜 표시를 행한다. 한편, TFT 부분은, 소스 전극(218)과, 드레인 전극(215)과, 반도체층(219) 등을 구비하고, 콘택트홀로서는, 공통 전극(ITO)용 콘택트홀과, 화소 전극(ITO)용 콘택트홀을 구비한다.
도 21 내지 도 26은, 도 20에 도시한 종래의 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 있어서의 각 공정을 도시한 단면도이다. 또한, 이들의 도면에 있어서, TFT 소자부는 도 20의 A-A 주·f면, 화소부는 도 20의 B-B 주·f면, 공통 전극 콘택트부는 도 20의 C-C 주·f 면을 나타내고, 게이트 단자부, 드레인 단자부는, 각각게이트 단자, 드레인 단자부의 횡단면을 나타내고 있다.
우선, 도 21에 도시한 바와 같이, 유리 기판상에 게이트 금속층을 스퍼터링하고, 제 1 마스크를 이용하여 소정의 영역에 게이트 전극(204)을 구성하고, 주사용 신호선과 게이트 전극(204)을 일체로 형성한다. 다음에, 도 22에 도시한 바와 같이, 유리 기판전면에 층간(게이트)절연막(223), a-Si층(238), n+a-Si층(239)을 연속하여 성막하고, 제2 마스크를 이용하여 층간절연막(223)상에 아이랜드(235)를 형성한다. 다음에, 도 23에 도시한 바와 같이, 유리 기판상에 드레인 전극 금속을 스퍼터링하고, 제3 마스크를 이용하여 소스 전극과 화소 전극, 및 드레인 전극과 데이터선이, 각각 일체가 되도록 하고, 소스 전극, 화소 전극, 드레인 전극, 데이터선을 형성하는 동시에, 채널부를 드라이 에칭하고, 도면에 도시한 바와 같은 움패기를 형성한다. 이 때에, n+a-Si층뿐만 아니라, a-Si층도 약간 에칭되게 되기 때문에, 증착한 a-Si층의 두께를 두텁게 하고 있다. 다음에, 도 24에 도시한 바와 같이, 유리 기판상에 패시베이션막(222), 유기 절연막(221)을 퇴적시키고, 유기 절연막(221)을 제4 마스크를 이용하여 소스 전극에 접속하기 위해서 유기 절연막(221)을 관통하여 패시베이션막(222)까지의 유기 절연막 콘택트을 형성한다. 다음에, 도 25에 도시한 바와 같이, 노출된 패시베이션막(22) 및 층간절연막(23) 을 제5 마스크를 이용하여 에칭 제거하여 소정의 콘택트홀을 형성한다. 다음에, 도 26에 도시한 바와 같이, 최후에, ITO(11)를 스퍼터링법 등에 의해 50nm 정도의 막두께로 퇴적하고, 제6 마스크를 이용하여 불필요한 ITO를 웨트 에칭하고, 소스 전극과 화소 전극을 접속한다. 그 때, ITO는, 패시베이션막상에 대하여, Cr을 100nm 정도 스퍼터링하고, 공통 전극이 전술의 조건을 채우도록 공통 전극을 형성하고, 그들 전부를 덮도록 하여 배향막를 형성한다.
그렇지만, 상술한 일본 특허공개 평10-186407호 공보에서는, 제 1 내지 제6 마스크를 사용하고 있기 때문에, TFT의 제조 공정이 길다고 하는 문제점이 있었다.
또한, 공지인 TFT의 단축 프로세스를 IPS 형 액정표시장치에 적용한 경우에 있어서는, 반도체층과 전극을 1PR에서 패터닝하기 위해 서로 동일 형상으로 되기 때문에, TFT의 단차가 커지고, 배향 제어가 곤란하게 되어, 이 때문에 흑 휘도가 올라가, 흑 들뜸의 원인으로도 되어 있었다.
또한, TFT의 단축 프로세스를 적용한 경우, 패시베이션막의 커버리지가 나빠지고, 커버리지 불량부에서 전극재(소스 , 드레인 )가 액정중에 침투하고, 진행성의 표시불량(점 형상 오염 또는 흑 오염을 발행한다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 프로세스 단축을 가능하게 하고, 또한, 신뢰성이 향상된 광시야각 액정표시장치의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해 제 1 양태의 발명은 공통 전극, 화소 전극이 TFT의 보호막상에 배치되고, 액정층에 밀봉되어 있는 액정분자의 분자축 방향을 액티브 매트릭스 기판 표면과 수평인 표면에서 회전시켜 표시를 행함으로서, 광시야각 표시를 가능하게한 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 있어서,
(a) 투명 절연성 기판상에 게이트 전극 금속층과 게이트 절연체와 a-Si층을이 차례로 적층하고, 게이트 전극과 게이트 절연막과 반도체층으로 이루어지는 아이랜드를, 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
(b) 상기 투명 절연성 기판상에 층간절연막과 드레인 전극 금속층을 이 차례로 퇴적하고, 소정 영역의 상기 드레인 전극 금속층을 제거함으로서 드레인 배선을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
(c) 상기 투명 절연성 기판상에 보호막으로서 유기 절연막을 퇴적하고, 상기 유기 절연막을 관통하여 소정의 위치에 소스/드레인 전극과 접속하기 위한 유기 절연막 콘택트를 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
(d) 상기 투명 절연성 기판상에 투명 도전막을 퇴적하고, 불필요한 상기 투명 도전막을 제거하고, 빗살 형상의 상기 화소 전극과 상기 공통 전극을 서로 다르게 배치 되도록 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 동시에, 상기 소스 전극과 상기 화소 전극을 접속하고, 또한, 상기 드레인 전극과 드레인선을 접속하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 제 2의 얀태의 발명은 공통 전극, 화소 전극이 TFT의 보호막상에 배치되고, 액정층에 밀봉되어 있는 액정분자의 분자축 방향을 액티브 매트릭스 기판 표면과 수평인 표면에서 회전시켜 표시를 행함으로서, 광시야각 표시를 가능하게한 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 있어서,
(a) 투명 절연성 기판상에 게이트 전극 금속층을 적층하고, 게이트 전극을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
(b) 상기 투명 절연성 기판상에 층간절연막과 a-Si층과 n+a-Si층과 드레인전극 금속층을 이 차례로 퇴적하고, 두께가 다른 복수의 영역을 갖는 레지스트를 사용한 포토리소그래피 공정에 의해 상기 드레인 전극 금속층의 불필요한 부분을 제거하여 패터닝하고, 미노광부를 애싱하여 리플로우한 후, 상기 n+a-Si층 및 상기 a-Si층의 일부를 제거하고, 리플로우 후의 상기 레지스트를 박리함으로서, 드레인 배선과 아이랜드를 패터닝형성하는 공정과,
(c) 상기 투명 절연성 기판상에 보호막으로서 유기 절연막을 퇴적하고, 상기 유기 절연막을 관통하여 소정의 위치에 상기 아이랜드의 소스 전극에 접속하기 위한 유기 절연막 콘택트를 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
(d) 상기 투명 절연성 기판상에 화소 전극이 되는 투명 도전막을 퇴적하고, 불필요한 상기 투명 도전막을 제거하고, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 동시에, 상기 화소 전극과 상기 소스 전극을 접속하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 제 3의 양태의 발명은 공통 전극, 화소 전극이 TFT의 보호막상에 배치되고, 액정층에 밀봉되어 있는 액정분자의 분자축 방향을 액티브 매트릭스 기판 표면과 수평인 표면에서 회전시켜 표시를 행함으로서, 광시야각 표시를 가능하게한 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 있어서,
(a) 투명 절연성 기판상에 게이트 전극 금속층을 적층하고, 게이트 전극을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
(b) 상기 투명 절연성 기판상에 층간절연막과 a-Si층과 n+a-Si층과 드레인전극 금속층을 이 차례로 퇴적하고, 두께가 다른 복수의 영역을 갖는 레지스트를 사용한 포토리소그래피 공정에 의해 상기 a-Si층, n+a-Si층, 드레인 전극 금속층의 불필요한 부분을 제거하여 패터닝하고, 미노광부를 애싱한 후, 소정의 상기 a-Si층의 일부, 상기 n+a-Si층, 상기 드레인 전극 금속층을 제거한 후, 상기 레지스트의 상기 미노광부를 박리하고, 드레인 배선과 아이랜드를 패터닝형성하는 공정과,
(c) 상기 투명 절연성 기판상에 보호막으로서 유기 절연막을 퇴적하고, 상기 유기 절연막을 관통하여 소정의 위치에 상기 아이랜드의 소스 전극에 접속하기 위한 유기 절연막 콘택트을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
(d) 상기 투명 절연성 기판상에 화소 전극이 되는 투명 도전막을 퇴적하고, 불필요한 상기 투명 도전막을 제거하고, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 동시에, 상기 화소 전극과 상기 소스 전극을 접속하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 제 4의 양태의 발명은 공통 전극, 화소 전극이 TFT의 보호막상에 배치되고, 액정층에 밀봉되어 있는 액정분자의 분자축 방향을 액티브 매트릭스 기판 표면과 수평인 표면에서 회전시켜 표시를 행함으로서, 광시야각 표시를 가능하게한 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 있어서,
(a) 투명 절연성 기판상에 게이트 전극 금속층과 게이트 절연체와 a-Si층을 이 차례로 적층하고, 게이트 전극과 게이트 절연막과 반도체층으로 이루어지는 아이랜드를, 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
(b) 상기 투명 절연성 기판상에 층간절연막과 드레인 전극 금속층을 이 차례로 퇴적하고, 소정 영역의 상기 드레인 전극 금속층을 제거함으로서 드레인 배선을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
(c) 상기 투명 절연성 기판상에 절연막을 퇴적하고, 상기 절연막을 관통하여 소정의 위치에 소스/드레인 전극과 접속하기 위한 절연막 콘택트을 인쇄에 의해 형성하는 공정과,
(d) 상기 투명 절연성 기판상에 투명 도전막을 퇴적하고, 불필요한 상기 투명 도전막을 제거하고, 빗살 형상의 상기 화소 전극과 상기 공통 전극을 서로 다르게 배치 되도록 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 동시에, 상기 소스 전극과 상기 화소 전극을 접속하고, 또한, 상기 드레인 전극과 드레인선을 접속하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 제 4의 양태의 발명은 공통 전극, 화소 전극이 TFT의 보호막상에 배치되고, 액정층에 밀봉되어 있는 액정분자의 분자축 방향을 액티브 매트릭스 기판 표면과 수평인 표면에서 회전시켜 표시를 행함으로서, 광시야각 표시를 가능하게한 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 있어서,
(a) 투명 절연성 기판상에 게이트 전극 금속층을 적층하고, 게이트 전극을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
(b) 상기 투명 절연성 기판상에 층간절연막과 a-Si층과 n+a-Si층과 드레인 전극 금속층을 이 차례로 퇴적하고, 두께가 다른 복수의 영역을 갖는 레지스트를 사용한 포토리소그래피 공정에 의해 상기 드레인 전극 금속층의 불필요한 부분을제거하여 패터닝하고, 미노광부를 애싱하여 리플로우한 후, 상기 n+a-Si층 및 상기 a-Si층의 일부를 제거하고, 리플로우 후의 상기 레지스트를 박리함으로서, 드레인 배선과 아이랜드를 패터닝형성하는 공정과,
(c) 상기 투명 절연성 기판상에 절연막을 퇴적하고, 상기 절연막을 관통하여 소정의 위치에 상기 아이랜드의 소스 전극에 접속하기 위한 절연막 콘택트을 인쇄에 의해 형성하는 공정과,
(d) 상기 투명 절연성 기판상에 화소 전극이 되는 투명 도전막을 퇴적하고, 불필요한 상기 투명 도전막을 제거하고, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 동시에, 상기 화소 전극과 상기 소스 전극을 접속하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 제 4의 양태의 발명은 공통 전극, 화소 전극이 TFT의 보호막상에 배치되고, 액정층에 밀봉되어 있는 액정분자의 분자축 방향을 액티브 매트릭스 기판 표면과 수평인 표면에서 회전시켜 표시를 행함으로서, 광시야각 표시를 가능하게한 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 있어서,
(a) 투명 절연성 기판상에 게이트 전극 금속층을 적층하고, 게이트 전극을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
(b) 상기 투명 절연성 기판상에 층간절연막과 a-Si층과 n+a-Si층과 드레인 전극 금속층을 이 차례로 퇴적하고, 두께가 다른 복수의 영역을 갖는 레지스트를 사용한 포토리소그래피 공정에 의해 상기 a-Si층, n+a-Si층, 드레인 전극 금속층의 불필요한 부분을 제거하여 패터닝하고, 미노광부를 애싱한 후, 소정의 상기 a-Si층의 일부, 상기 n+a-Si층, 상기 드레인 전극 금속층을 제거한 후, 상기 미노광부를 박리하고, 드레인 배선과 아이랜드를 패터닝형성하는 공정과,
(c) 상기 투명 절연성 기판상에 절연막을 퇴적하고, 상기 절연막을 관통하여 소정의 위치에 상기 아이랜드의 소스 전극에 접속하기 위한 절연막 콘택트을 인쇄에 의해 형성하는 공정과,
(d) 상기 투명 절연성 기판상에 화소 전극이 되는 투명 도전막을 퇴적하고, 불필요한 상기 투명 도전막을 제거하고, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 동시에, 상기 화소 전극과 상기 소스 전극을 접속하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 제 5의 양태의 발명은 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 관계되며, 상기 절연막은, 하층의 무기절연막과 상층의 유기 절연막의 적층막으로 이루어지고, 상기 상층의 유기 절연막을 포토리소그래피 공정에 의해 소정의 위치를 개구한 후에, 상기 상층의 유기 절연막을 마스크에 상기 하층의 무기절연막의 에칭을 행하는 것을 특징으로 한다.
또한, 제 5의 양태의 발명은 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 관계되며, 상기 게이트 전극은, 고융점 금속의 단층, 또는 상층의 고융점 금속과 하층의 Al 또는 Al 합금으로 구성되는 2층 적층막인 것을 특징으로 한다.
또한, 제 7의 양태의 발명은 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 관계되며, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은, 고융점 금속의 단층, 또는 상층의 고융점 금속과 하층의 Al 또는 Al 합금으로 구성되는 2층 적층막, 또는 상층의 고융점 금속과 중층의 Al 또는 Al 합금과 하층의 고융점 금속으로 구성되는 3층 적층막인 것을 특징으로 한다.
또한, 제 8의 양태의 발명은 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 관계되며, 상기 고융점 금속은, Cr 또는 Mo인 것을 특징으로 한다.
또한, 제 9의 양태의 발명은 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 관계되며, 상기 절연막은, 감광성인 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 관한 광시야각 액정표시장치의 액티브 매트릭스 기판의 회로도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 관한 액정표시장치의 한 화소를 뽑아 낸 평면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 관한 액정표시장치의 한 화소를 뽑아 낸 단면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예인 액정표시장치의 제조방법의 PR 공정 1을 도시한 단면도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예인 액정표시장치의 제조방법의 PR 공정 2를 도시한 단면도.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예인 액정표시장치의 제조방법의 PR 공정 3을 도시한 단면도.
도 7은 본 발명의 제 1 실시예인 액정표시장치의 제조방법의 PR 공정 4를 도시한 단면도.
도 8은 본 발명의 제 1 실시예인 액정표시장치의 제조방법의 PR 공정 5를 도시한 단면도.
도 9는 본 발명의 제 1 실시예인 액정표시장치의 제조방법의 PR 공정 1을 보다 상세히 설명하는 단면도.
도 10은 본 발명의 제 2, 제 3 실시예에 관한 액정표시장치의 한 화소를 뽑아 낸 평면도.
도 11은 본 발명의 제 2, 제 3 실시예에 관한 액정표시장치의 한 화소를 뽑아 낸 단면도.
도 12는 본 발명의 제 2, 제 3 실시예인 액정표시장치의 제조방법의 PR 공정 1을 도시한 단면도.
도 13은 본 발명의 제 2, 제 3 실시예인 액정표시장치의 제조방법의 PR 공정 2를 도시한 단면도.
도 14는 본 발명의 제 2, 제 3 실시예인 액정표시장치의 제조방법의 PR 공정 3을 도시한 단면도.
도 15는 본 발명의 제 2, 제 3 실시예인 액정표시장치의 제조방법의 PR 공정 4를 도시한 단면도.
도 16은 본 발명의 제 2, 제 3 실시예인 액정표시장치의 제조방법의 PR 공정 5를 도시한 단면도.
도 17은 본 발명의 제 2 실시예인 액정표시장치의 제조방법의 PR 공정 2를 보다 상세히 설명하는 단면도.
도 18은 본 발명의 제 3 실시예인 액정표시장치의 제조방법의 PR 공정 2를보다 상세히 설명하는 단면도.
도 19는 본 발명의 액정표시장치에 관한 금속 이온 용출량을 도시한 그래프.
도 20 종래 예의 광시야각 액정표시장치의 한 화소를 뽑아 낸 평면도.
도 21은 종래 예의 액정표시장치의 제조방법에 있어서의 PR 공정 1을 도시한 단면도.
도 22는 종래 예의 액정표시장치의 제조방법에 있어서의 PR 공정 2를 도시한 단면도.
도 23은 종래 예의 액정표시장치의 제조방법에 있어서의 PR 공정 3을 도시한 단면도.
도 24는 종래 예의 액정표시장치의 제조방법에 있어서의 PR 공정 4를 도시한 단면도.
도 25는 종래 예의 액정표시장치의 제조방법에 있어서의 PR 공정 5를 도시한 단면도.
도 26은 종래 예의 액정표시장치의 제조방법에 있어서의 PR 공정 6을 도시한 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : TFT 기판 2 : TFT
3 : 게이트 단자 4, 104, 204 : 게이트선
5 : 드레인 단자 6, 106, 206 : 드레인선
7 : 공통 전극 8 : 공통 전극 단자
9 : 공통 전극 결속선 10, 110, 210 : 공통 전극(ITO)
11, 111, 211 : 화소 전극(ITO)
12, 112, 212 : 화소 전극(ITO)용 콘택트홀
13, 113, 213 : 화소 전극(드레인선)
14 : 화소 전극(드레인층)용 콘택트홀
15, 115, 215 : 드레인 전극 16 : 드레인선용 콘택트홀
17, 117, 217 : 공통 전극(ITO)용 콘택트홀
18, 118, 218 : 소스 전극 19, 119, 219 : 반도체층
20 : 배향막 21 : 유기 절연막
22 : 패시베이션막 23 : 층간절연막
24 : 오버코트 25 : 블랙 매트릭스
26 : 색층 27 : 액정
28 : 제 1 투명 기판 29 : 제2 투명 기판
30 : 도전층 31 : 편광판
32 : 게이트 전극 33 : 게이트 절연막
34 : a-Si층 35 : 아이랜드
36 : 채널 37 : n+a-Si층
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 관한 액정표시장치의 제조방법에 관해 설명하며, 설명은 실시예를 이용하여 구체적으로 한다.
(제 1 실시예)
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 관한 광시야각 액정표시장치의 액티브 매트릭스 기판의 구성을 도시한 회로도이다. 이 실시예에서는, 공통 전극, 화소 전극이, TFT의 보호막(유기막)상에 배치되고, 화소 전극으로서 ITO를 이용한 ITO-TOP 구조의 IPS 액티브 매트릭스 기판을 이용한다. 따라서, 액정층에 밀봉되어 있는 액정분자의 분자축 방향을 액티브 매트릭스 기판 표면과 수평인 표면에서 회전시켜 표시를 행한다. 이 기판의 구조는, TFT 기판(1)상에, TFT(2)와, 게이트 단자(3)와, 드레인 단자(5)와, 게이트 단자(3) 및 드레인 단자(5)로부터 연장되고 있는 게이트선(4) 및 드레인선(6)과, 공통 전극(7)과, 공통 전극 단자(8)와, 공통 전극 단자로부터 연장되어 공통 전극(7)을 결속하는 공통 전극 결속선(9)을 구비한다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 관한 광시야각 액정표시장치에 있어서의 액티브 매트릭스 기판의 TFT 구조를 도시한 평면도이다. 이 기판은, 드레인선(6), 게이트선4, 공통 전극(7), 화소 전극(드레인층)(13), 공통 전극(ITO)(10), 화소 전극(ITO)(11)을 구비하고, TFT 부분은, 소스 전극(18), 드레인 전극(15), 반도체층(19)을 구비하고, 또한, 화소 전극(드레인층)용 콘택트홀(14), 화소 전극(ITO)용 콘택트홀(12), 드레인선용 콘택트홀(16)을 구비한다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 관한 광시야각 액정표시장치에 있어서의 화소부의 구성을 도시한 단면도이다. 이 화소부는, 한 화소를 뽑아 낸 것으로, 액정(27)을 끼어 배향막(20)를 사이에 세워, 제 1 투명 기판(28)과 제2 투명 기판(29)이 대향하고, 제 1 투명 기판(28)측에는, 층간절연막(23) , 화소 전극(드레인층)(13) 및 드레인선(6), 패시베이션막(22), 유기 절연막(21), 공통 전극(ITO)(10) 및 화소 전극(ITO)(11)이 차례로 적층되고, 제2 투명 기판(29)측에는, 블랙 매트릭스(25), 색층(26), 오버코트(24), 도전층(30), 편광판(31)이 배치되어 있다.
도 4 내지 도 8은 도 1 내지 도 3에 도시한 본 발명의 제 1 실시예에 관한 액정표시장치의 제조방법에 있어서의 각 공정을 도시한 단면도이다. 또한, 이들의 도면에 있어서, TFT 소자부는 도 2의 A-A'면, 화소부는 도 2의 B-B'면, 공통 전극 콘택트부는 도 2의 C-C'면을 나타내고, 게이트 단자부, 드레인 단자부는, 각각 게이트 단자, 드레인 단자부의 횡단면을 도시하고 있다.
우선, 도 4에 도시한 바와 같이, 유리 등의 투명 절연성 기판(28)상에, Cr, Mo 등으로 이루어지는 상층 고융점 금속과 Al 등을 적층한 게이트 전극층(32)과,SiNx(실리콘질화막) 등의 게이트 절연막(33)과, 반도체층(19)이 되는 어모퍼스 실리콘(a-Si)층(34)을 차례로 적층한다. 각각의 막의 제조방법으로서, 예를 들면, 게이트 전극층(32)은, 스퍼터링법을 이용하여 Al을 100 내지 300nm 정도, Cr, Mo, Ti 등의 상층 고융점 금속을 50 내지 150nm 정도의 막두께로 적층한다. 게이트 절연막(33) 및 a-Si층(34)은, 플라즈마 CVD법을 이용하여 각각 200 내지 400nm, 100 내지 300nm 정도의 막두께로 적층한다. 그 후, 제 1 마스크를 이용하여 게이트 전극층(32) 및 게이트선(4)이 되는 영역에 레지스트 패턴을 형성하고, 레지스트 패턴으로 덮어지고 있지 않은 영역의 게이트 전극층(32), 게이트 절연막(33) 및 a-Si층(34)을 드라이 에칭에 의해 제거한다.
다음에, 도 5에 도시한 바와 같이, 투명 절연성 기판(28)전면에, SiNx(실리콘질화막) 등의 층간절연막(23) 을 플라즈마 CVD법 등에 의해, 소스/드레인 전극층(18/15)이 되는 Cr, Mo로 이루어지는 상층 고융점 금속과 Al 등과 Cr, Mo 등으로 이루어지는 하층 고융점 금속의 적층막을 스퍼터링법 등에 의해 성막한다. 층간절연막(23)의 막두께는 100 내지 200nm 정도, 소스/드레인 전극층(18/15)의 막두께는 Cr, Mo 등으로 이루어지는 상층 고융점 금속을 50 내지 150nm 정도, Al 등을 100 내지 300nm 정도, Cr, Mo 등으로 이루어지는 하층 고융점 금속을 30 내지 100nm 정도로 하는 것이 바람직하다. 성막 후, 제2 마스크를 이용하여 드레인선(6)을 덮도록 레지스트 패턴을 형성하고, 불필요한 금속층을 에칭 제거하여 드레인선을 형성한다.
다음에, 기판(28) 전면에 SiNx 등의 패시베이션막(22)을 스퍼터링법에 의해,예를 들면, 막두께 100 내지 200nm 정도로 성막한다. 여기서, 패시베이션막(22)의 재료로서는, 후의 공정에서 콘택트홀을 양호하게 형성하기 위해 a-Si층(34) 및 게이트 절연막(33)과의 에칭의 선택비가 충분히 큰 것을 선택하는 것이 바람직하다.
다음에, 도 6에 도시한 바와 같이, 기판(28)전면에 포지형 노볼락계 레지스트 등의 유기 절연막(21)을 막두께 2.0 내지 3.5 미크론 정도로 성막한다. 이 유기 절연막의 재료로서는, 예를 들면, JSR 제 옵티머PC 시리즈 등을 이용한다. 계속해서, 제3 마스크를 이용하여 a-Si층(34) 상부의 소스 개구부(36) 드레인 개구부(37), 게이트선(4), 드레인선(6)에 개구를 갖는 레지스트 패턴을 형성하고, 유기 절연막을 형성한다.
다음에, 도 7에 도시한 바와 같이, 노출된 패시베이션막(22) 및 층간절연막(23)을 제4 마스크를 사용하는 드라이 에칭에 의해 제거하고, 소정의 콘택트홀을 형성한다. a-Si층(34)과의 오믹 접속을 얻기위해서, 기판(28)을 PH3 플라즈마 분위기중에 유지하고, 인을 a-Si층(34)에 확산시키고, 그 표층에 n+a-Si를 형성한다. 그 때의 처리 조건으로서는, 예를 들면, 플라즈마 CVD장치를 쓰고 300도의 온도로, PH3/H2(0.5% PH3) 가스를 1000sccm으로 공급하고, 압력: 200 Pa, RF power: 0.1 W/cm2로 5분간 처리함에 의해 달성할 수 있다.
다음에, 도 8에 도시한 바와 같이, 기판(28) 전면에 화소 전극이 되는 ITO(11)를 스퍼터링법 등에 의해 40 내지 120nm 정도의 막두께로 퇴적하고, 제5 마스크를 이용하여 불필요한 ITO(11)를 웨트 에칭하고, 소스 전극(18)과 화소전극(11)을 접속하는 동시에, 드레인 전극(15)과 드레인선(6)을 접속한다. 또한, 이 실시예에서는, 화소 전극으로서, ITO(11)를 이용한 예를 기재하고 있지만, ITO(11) 외에, ZnO, ITO의 Sn 대신에 Zn을 이용한 IZO 등을 사용할 수도 있다.
그리고 최후에, ITO를 마스크로서, a-Si층(34)과 게이트 절연막(33)을 드라이 에칭에 의해 제거함으로서, 도면에 도시한 구조의 액티브 매트릭스 기판을 제조할 수 있다.
또한． 도 9는, 상술한 PR 공정 1에서 기재한 게이트/ 아이랜드 형성을 보다 상세히 설명하는 공정도이다. 이 실시예에서는, 게이트 메탈(금속)(32), 게이트 절연막(33), 반도체층(34)으로 이루어지는 아이랜드(35)상에 포토레지스트를 형성하고, 아이랜드(35)쪽은 차광막을 게이트 단자부(3)쪽은 반투과막을 쓰는 하프톤 노광을 이용한다. 이 노광후, 현상, 에칭하고, 아이랜드(35)의 상부 및 게이트 단자부(3)의 포토레지스트(미노광부)를 애싱하여 제거한다. 그 후, 게이트 단자부의 반도체층(34) 및 게이트 절연막(33)을 에칭하고, 최후에, 아이랜드상의 나머지의 포토레지스트를 박리한다.
이와 같이, 본 실시예의 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 의하면, 5장의 마스크만으로, 게이트 전극(32), 드레인 전극(15) 및 화소 전극(11)이 서로 절연막에 의해 층간 분리되는 동시에, a-Si층(34)의 표면 및 측벽을 층간절연막(23)과 패시베이션막(22)으로 완전히 덮은 채널 보호형 액티브 매트릭스 기판을 형성할 수 있어, 종래의 제조방법에 비하여, 적어도 1 PR 분 공정을 간략화 할 수 있다.
또한, 상기 실시예로 이용한 재료에 관해 이하에 구체적으로 설명한다. 게이트 전극은 막두께 100 내지 450nm의 Cr, Mo, Cr/Al, Mo/Al 등을, 소스 전극, 드레인 전극은 막두께 150 내지 550nm의 Cr, Mo, Cr/Al, Mo/Al/Mo 등을, 화소 전극은 막두께 40 내지 120nm의 ITO를, 게이트 절연막은 막두께 200 내지 400nm의 SiNx를, 반도체층은 막두께 150 내지 300nm의 어모퍼스 실리콘(a-Si), 막두께 30 내지 70nm의 N 형 어모퍼스 실리콘(n+a-Si)을, 패시베이션막은 막두께 100 내지 300nm의 실리콘질화막(SiNx)을, 유기 절연막은 막두께 2.0 내지 3.5, 고포지형 감광성 노볼락계 레지스트 (예를 들면, JSR 제 옵티머PC 시리즈)를 이용하였다.
또한, 그 밖의 재료로서, 유리 기판은 판두께 0.7 mm의 무알칼리 유리, 컬러 필터는 막두께 1.0 내지 1.5, 고 네가형 감광성 아크릴계 안료분산 레지스트(예를 들면, JSR 제 옵티머CR 시리즈)를, 블랙 매트릭스는 막두께 1 내지 3, 향 A 광학농도(OD 치)3 이상, 시트 저항치1010Ω/□ 이상의 네가형 감광성 아크릴계 안료 분산 레지스트 또는 카본계 레지스트(예를 들면, JSR 제 옵티머CR 시리즈)를, 편광판은 요드계 편광 필름(예를 들면, 니토전공제 NPF 시리즈 또는 스미토모 화학제 스미카란시리즈)를, 대향 전극은 막두께 80 내지 150nm, 시트 저항치 20 내지 40Ω/□의 ITO(Indium-Tin-Oxide)를, 액정은 플루오르계 화합물(예를 들면, 칫소석유화학제 LIXON 시리즈)을, 면 내 스페이서는 지름 4.0 내지 5.5, 고후지 비닐 벤젠계 가교중합체를, 실재는 엑폭시계 수지 접착제(예를 들면, 미츠이화학제 스트락트 본드시리즈)를, 밀봉제는, UV 경화형 아크릴레이트계 수지를, 배향막은 막두께 30 내지 60nm의 폴리이미드계 배향막(예를 들면, 닛산화학제 배향막 산에바시리즈 또는 JSR제 옵티머AL 시리즈)를 이용하였다.
(제2, 제3 실시예)
도 10은 본 발명의 제2, 제3 실시예에 관한 광시야각 액정표시장치에 있어서의 액티브 매트릭스 기판의 TFT 구조를 도시한 평면도이다. 이 실시예에서는 상술한 제 1 실시예를 나타내는 도 2에서 보인 화소 전극(드레인층)용 콘택트홀, 드레인선용 콘택트홀이 보이지 않는다. 이것은, 이하의 제조방법의 차이에 의한 것이다. 또한, 기본적인 구성은, 상술한 제 1 실시예의 구성과 개략 같기 때문에, 도 10에 있어서, 도 2과 동일한 구성 각 부에 관해, 동일한 부호를 붙이고 그 설명을 생략한다. 또한, 이들의 실시예에서 사용한 재료에 관해서도, 제 1 실시예의 설명의 곳에서 상술했기 때문에 생략한다.
다음에, 도 11은 본 발명의 제2, 제3 실시예에 관한 광시야각 액정표시장치에 있어서의 화소부의 구조를 도시한 단면도이다. 이 화소부는, 한 화소를 뽑아낸 것으로, 액정(127)을 끼어 배향막(120)를 사이에 세워, 제 1 투명 기판(128)과 제2 투명 기판(129)과가 대향하고, 제 1 투명 기판(128)측에는, 층간절연막(123), 화소 전극(드레인층)(113) 및 드레인선(16), 패시베이션막(122), 유기 절연막(121), 공통 전극(ITO)110 및 화소 전극(ITO)(111)이 차례로 적층되고, 제2 투명 기판(129)측에는, 블랙 매트릭스(125), 색층(126), 오버코트(124), 도전층(130), 편광판(131)이 배치되어 있다. 상술한 제 1 실시예와 크게 다른 부분은, 드레인선(106)의 하층에 a-Si층, n+a-Si층이 보이는 것이다.
도 12 내지 도 18은 본 발명의 제2, 제3 실시예에 관한 광시야각 액정표시장치의 제조방법의 공정을 도시한 단면도이다.
우선, 도 12에 도시한 바와 같이, 투명 절연성 기판상에 게이트 전극 금속층을 적층하고, 이 금속층의 소정의 영역에 제 1 마스크를 이용하여 공지의 포토리소그래피기술에 의해 게이트 전극(104)을 형성한다.
다음에, 도 13에 도시한 바와 같이, 투명 절연성 기판상에 층간절연막(123)과 a-Si층(138)과 n+a-Si층(139)과 드레인 전극 금속층(106)을 이 차례로 퇴적하고, 제2 마스크를 이용하여 a-Si층(138)과 n+a-Si층(139)과 드레인 전극 금속층(106)가 불필요한 부분을 제거하고, 드레인선(106)과 아이랜드(135)를 형성한다.
다음에, 도 14에 도시한 바와 같이, 투명 절연성 기판상에 패시베이션막(122)과 유기 절연막(121)을 이 차례로 퇴적하고, 제3 마스크를 이용하여 유기 절연막(121)을 관통하여 패시베이션막(122)상의 소정의 위치에, 아이랜드의 소스 전극에 접속하기 위한 개구를 형성한다.
다음에, 도 15에 도시한 바와 같이, 소스 전극에 접속하기 위한 개구부에 노출한 패시베이션층122를 제4 마스크를 이용하여 제거하고, 소스 전극에 접속하고, 패시베이션 콘택트를 형성한다.
다음에, 도 16에 도시한 바와 같이, 투명 절연성 기판상에 화소 전극이 되는 ITO를 퇴적하고, 제5 마스크를 이용하여 불필요한 ITO를 제거하고, 소스 전극과 화소 전극을 접속한다.
여기서, 제2 실시예에서는, 도 13에서 상술한 공정에서, 도 17에 도시한 바와 같이, 하프톤 노광하여 드레인 전극 금속층(106)가 불필요한 부분을 제거하고, 미노광부를 애싱하여 리플로우한 후, n+a-Si층(139) 및 a-Si층(138)의 일부를 제거한 후, 리플로우 후의 제2 마스크를 박리하고, 아이랜드를 형성한다. 또한, 제3 실시예에서는, 도 13으로 상술한 공정에서, 도 18에 도시한 바와 같이, 상기 투명 절연성 기판상에 층간절연막과 a-Si층과 n+a-Si층과 드레인 전극 금속층을 이 차례로 퇴적하고, 제2 마스크를 이용하여 하프톤 노광하여 상기 a-Si층, n+a-Si층, 드레인 전극 금속층의 불필요한 부분을 제거하고, 레지스트의 미노광부를 애싱한 후, 소정의 상기 a-Si층의 일부, 상기 n+a-Si층, 상기 드레인 전극 금속층을 제거한 후, 상기 미노광부를 박리하고, 아이랜드를 형성한다.
이와 같이, 제2, 제3 실시예의 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 의해서도, 5장의 마스크만으로, 게이트 전극132, 드레인 전극(115) 및 화소 전극(111)이 서로 절연막에 의해 층간 분리되는 동시에, a-Si층(134)의 표면 및 측벽을 층간절연막(123)과 패시베이션막(122)으로 완전히 덮은 채널 에칭형 액티브 매트릭스 기판을 형성할 수 있어, 종래의 제조방법에 비교하고, 적어도 1 PR 분 공정을 간략화할 수 있다.
(제4 실시예)
다음에, 도 4 내지 도 9, 및 도 11 내지 도 18을 참조하여 본 발명의 제4 실시예에 관한 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 관해 설명한다. 여기서 설명하는 제4 실시예는, 상술한 제 1 내지 제3 실시예에 있어서, 유기 절연막 콘택트의 형성과 패시베이션 콘택트의 형성을 동일 공정에서 하는 것으로서, 제 1 내지 제3 실시예보다도 더욱 1 PR 분 공정을 간략화하는 것이다.
즉, 제 1 실시예에 관한 제4 실시예에 있어서는, 투명 절연성 기판상에 게이트 전극 금속층과 게이트 절연체와 a-Si층을 이 차례로 적층하고, 제 1 마스크를 이용하여 게이트 전극(32)과 게이트 절연막(33)과 반도체층(34)을 형성하고, 다음에, 투명 절연성 기판상에 층간절연막(23) 과 드레인 전극 금속층(6)을 이 차례로 퇴적하고, 제2 마스크를 이용하여 소정 영역의 드레인 전극 금속층을 제거함으로서 드레인 배선(6)을 형성하고, 다음에, 투명 절연성 기판상에 패시베이션막(22)과 유기 절연막(21)을 이 차례로 퇴적하고, 제3 마스크를 이용하여 유기 절연막(21)을 관통하여 패시베이션막(22)상의 소정의 위치에, 소스/드레인 전극과 접속하기 위한 개구36, 37와 드레인 배선상의 개구를 형성하고, 또한, 소스/드레인 전극과 접속하기 위한 개구부에 노출한 패시베이션층과, TFT 소자부의 드레인 배선상의 개구부에 노출한 패시베이션층을 제거하고, 패시베이션 콘택트를 형성하고, 다음에, 투명 절연성 기판상에 화소 전극이 되는 ITO를 퇴적하고, 제4 마스크를 쓰고 불필요한 ITO를 제거하고, 소스 전극(18)과 화소 전극(11)을 접속하는 동시에, 드레인 전극(15)과 드레인선을 접속한다.
또한, 제2 실시예에 관한 제4 실시예에서는, 투명 절연성 기판상에 게이트 전극 금속층을 적층하고, 제 1 마스크를 이용하여 게이트 전극(104)을 형성하고, 투명 절연성 기판상에 층간절연막(123)과 a-Si층(138)과 n+a-Si층(139)과 드레인 전극 금속층(106)을 이 차례로 퇴적하고, 제2 마스크를 이용하여 하프톤 노광하여 드레인 금속층(106)가 불필요한 부분을 제거하고, 제2 마스크의 미노광부를 애싱하여 리플로우한 후, n+a-Si층(139) 및 a-Si층(138)의 일부를 제거한 후, 리플로우 후의 제2 마스크를 박리하고, 아이랜드를 형성하고, 다음에, 투명 절연성 기판상에 패시베이션막(122)과 유기 절연막(121)을 이 차례로 퇴적하고, 제3 마스크를 이용하여 유기 절연막(121)을 관통하여 패시베이션막(122)상의 소정의 위치에, 아이랜드의 소스 전극에 접속하기 위한 개구를 형성하고, 또한, 소스 전극에 접속하기 위한 개구부에 노출한 패시베이션층(122)을 제거하고, 소스 전극(118)에 접속하고, 패시베이션 콘택트를 형성하고, 다음에, 투명 절연성 기판상에 화소 전극(11)이 되는 ITO를 퇴적하고, 제4 마스크를 이용하여 불필요한 ITO를 제거하고, 소스 전극(118)과 화소 전극(111)을 접속한다.
또한, 제3 실시예에 관한 제4 실시예에서는, 투명 절연성 기판상에 게이트 전극 금속층을 적층하고, 제 1 마스크를 이용하여 게이트 전극(104)을 형성하고, 투명 절연성 기판상에 층간절연막(123)과 a-Si층(138)과 n+a-Si층(139)과 드레인 전극 금속층(106)을 이 차례로 퇴적하고, 제2 마스크를 이용하여 하프톤 노광하여 a-Si층(138), n+a-Si층(139), 드레인 전극 금속층(106)가 불필요한 부분을 제거하고, 제2 마스크의 미노광부를 애싱한 후, 소정의 a-Si층(138)의 일부, n+a-Si층(139), 드레인 전극 금속층(106)을 제거한 후, 상기 미노광부를 박리하고, 아이랜드를 형성하고, 투명 절연성 기판상에 패시베이션막(122)과 유기 절연막(121)을 이 차례로 퇴적하고, 제3 마스크를 이용하여 유기 절연막(121)을 관통하여 패시베이션막(121)상의 소정의 위치에, 아이랜드의 소스 전극에 접속하기 위한 개구를 형성하고, 또한, 소스 전극에 접속하기 위한 개구부에 노출한 패시베이션층121을 제거하고, 소스 전극(118)에 접속하고, 패시베이션 콘택트를 형성하고, 투명 절연성 기판상에 화소 전극(111)이 되는 ITO를 퇴적하고, 제5 마스크를 이용하여 불필요한 ITO를 제거하고, 소스 전극(118)과 화소 전극(111)을 접속한다.
이상의 실시예에서는, 유기 절연막은, 도포에 의해 형성한 예를 게시했지만, 인쇄에 의해 성막하더라도 좋다. 이 경우, 유기 절연막의 형성 공정의 포토 프로세스가 불필요하게 되기 때문에, 더욱 공정을 단축할 수 있다.
도 19는 본 발명의 액정표시장치에 관한 금속 이온 용출량을 도시한 그래프이다. 이 그래프는, 패널에 대하여, 729시간, 20V, 60℃의 스트레스를 계속 인가한 경우의 액정에의 금속 이온 용출량을 도시한 것이다(참고로서, 전압 인가 없슴의 경우의 Cr 용출량도 나타내녔). 이것에 의하면, 액정중에의 금속 이온 용출량은, 고융점 금속인 Cr, Mo는, 용출량이 많은 금속이며, 보호막에 의한 커버리지의 중요성이 대단히 높은 것을 나타내고 있다.
이상, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 상술하여 왔지만, 구체적인 구성은 이 실시예에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 요지를 일탈하지않는 범위의 설계의 변경 등이 있더라도 본 발명에 포함된다.
예를 들면, 상술한 실시예에 있어서는, 공통 전극, 화소 전극이 TFT의 보호막상에 배치되고, 액정층에 밀봉되어 있는 액정분자의 분자가 액티브 매트릭스 기판 표면과 수평인 표면에서 회전시켜 표시를 행하는 광시야각 표시를 가능하게한 광시야각 액정표시장치에 관해 설명했지만, 이것에 한하지 않고, 본 발명의 모든 액정표시장치의 제조방법에 적용할 수 있는 것은 분명하다.
또한, 상술한 실시예에 있어서는, 또한, 아이랜드의 구성을 게이트 전극, 게이트 절연체, 반도체층으로 했지만, 이것에 한하지 않고, 다른 모든 아이랜드에 적용할 수 있다.
또한, 상술한 실시예에 있어서는, 반도체층의 재료를 어모퍼스 실리콘(a-Si)으로 했지만, 이것에 한하지 않고, 다른 재료를 이용하더라도 좋다.
또한, 상술한 실시예에 있어서는, 패시베이션막의 재료를 SiN으로 했지만, 이것에 한하지 않고, 다른 재료를 이용하더라도 좋다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 방법에 의하면, 프로세스 단축을 가능하게 하고, 또한, TFT의 단차이가 커지지 않고, 패시베이션층의 커버리지가 양호한 광시야각 액정표시장치의 제조방법을 제공할 수 있다.

Claims (33)

  1. 공통 전극, 화소 전극이 TFT의 보호막상에 배치되고, 액정층에 밀봉되어 있는 액정분자의 분자축 방향을 액티브 매트릭스 기판 표면과 수평인 표면에서 회전시켜 표시를 행함으로서, 광시야각 표시를 가능하게 한 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 있어서,
    투명 절연성 기판상에 게이트 전극 금속층과 게이트 절연체와 a-Si층을 이 차례로 적층하고, 게이트 전극과 게이트 절연막과 반도체층으로 이루어지는 아이랜드(island)를, 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
    상기 투명 절연성 기판상에 층간절연막과 드레인 전극 금속층을 이 차례로 퇴적하고, 소정 영역의 상기 드레인 전극 금속층을 제거함으로서 드레인 배선을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
    상기 투명 절연성 기판상에 절연막을 퇴적하고, 상기 절연막을 관통하여 소정의 위치에 소스/드레인 전극과 접속하기 위한 절연막 콘택트를 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
    상기 투명 절연성 기판상에 투명 도전막을 퇴적하고, 불필요한 상기 투명 도전막을 제거하고, 빗살 형상의 상기 화소 전극과 상기 공통 전극을 서로 다르게 배치 되도록 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 동시에, 상기 소스 전극과 상기 화소 전극을 접속하고, 또한, 상기 드레인 전극과 드레인선을 접속하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 절연막은 상기 절연층의 하부 부분에 존재하는 무기 절연막과 상기 절연막의 상부 부분에 존재하는 유기 절연막으로 구성되며, 구멍 부분이 포토리소그래피 공정에 의해 상기 절연막의 상기 상부 부분에 존재하는 상기 유기 절연막의 특정 부분에 형성된 후, 상기 절연막의 상기 상부 부분에 존재하는 상기 유기 절연막을 마스크에 절연막의 상기 하부 부분에 존재하는 상기 무기 절연막상에 에칭을 행하는 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 전극은 고융점을 가지는 금속으로 제조된 단층이며 Al(알루미늄) 또는 Al 합금으로 제조된 하부층과 고융점을 가지는 금속으로 제조된 상부층을 포함하는 2층 적층막인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 각각의 소스 전극과 상기 드레인 전극은 고융점을 가지는 금속으로 제조된 단층, Al(알루미늄) 또는 Al 합금으로 제조된 하부층과 고융점을 가지는 금속으로 제조된 상부층을 포함하는 2층 적층막 또는고융점을 가지는 금속으로 제조된 하부층과 Al(알루미늄) 또는 Al 합금으로 제조된 중층과, 고융점을 가지는 금속으로 제조된 상부층을 을 포함하는 3층 적층막인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    고융점을 가지는 상기 금속은 Cr(크롬) 또는 Mo(몰리브덴)인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    고융점을 가지는 상기 금속은 Cr(크롬) 또는 Mo(몰리브덴)인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연막은 감광성인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  8. 공통 전극, 화소 전극이 TFT의 보호막상에 배치되고, 액정층에 밀봉되어 있는 액정분자의 분자축 방향을 액티브 매트릭스 기판 표면과 수평인 표면에서 회전시켜 표시를 행함으로서, 광시야각 표시를 가능하게한 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 있어서,
    투명 절연성 기판상에 게이트 전극 금속층을 적층하고, 게이트 전극을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
    상기 투명 절연성 기판상에 층간절연막과 a-Si층과 n+a-Si층과 드레인 전극 금속층을 이 차례로 퇴적하고, 두께가 다른 복수의 영역을 갖는 레지스트를 사용한 포토리소그래피 공정에 의해 상기 드레인 전극 금속층의 불필요한 부분을 제거하여 패터닝하고, 미노광부를 애싱하여 리플로우한 후, 상기 n+a-Si층 및 상기 a-Si층의 일부를 제거하고, 리플로우 후의 상기 레지스트를 박리함으로서, 드레인 배선과 아이랜드를 패터닝형성하는 공정과,
    상기 투명 절연성 기판상에 절연막을 퇴적하고, 상기 절연막을 관통하여 소정의 위치에 상기 아이랜드의 소스 전극에 접속하기 위한 절연막 콘택트를 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
    상기 투명 절연성 기판상에 화소 전극이 되는 투명 도전막을 퇴적하고, 불필요한 상기 투명 도전막을 제거하고, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 동시에, 상기 화소 전극과 상기 소스 전극을 접속하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 절연막은 상기 절연층의 하부 부분에 존재하는 무기 절연막과 상기 절연막의 상부 부분에 존재하는 유기 절연막으로 구성되며, 구멍 부분이 포토리소그래피 공정에 의해 상기 절연막의 상기 상부 부분에 존재하는 상기 유기 절연막의특정 부분에 형성된 후, 상기 절연막의 상기 상부 부분에 존재하는 상기 유기 절연막을 마스트에 상기 절연막의 상기 하부 부분에 존재하는 상기 무기 절연막상에 에칭을 행하는 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 게이트 전극은 고융점을 가지는 금속으로 제조된 단층이며 Al(알루미늄) 또는 Al 합금으로 제조된 하부층과 고융점을 가지는 금속으로 제조된 상부층을 포함하는 2층 적층막인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 각각의 소스 전극과 상기 드레인 전극은 고융점을 가지는 금속으로 제조된 단층, Al(알루미늄) 또는 Al 합금으로 제조된 하부층과 고융점을 가지는 금속으로 제조된 상부층을 포함하는 2층 적층막 또는고융점을 가지는 금속으로 제조된 하부층과 Al(알루미늄) 또는 Al 합금으로 제조된 중층과, 고융점을 가지는 금속으로 제조된 상부층을 을 포함하는 3층막인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    고융점을 가지는 상기 금속은 Cr(크롬) 또는 Mo(몰리브덴)인 것을 특징으로하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    고융점을 가지는 상기 금속은 Cr(크롬) 또는 Mo(몰리브덴)인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 절연막은 감광성인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  15. 공통 전극, 화소 전극이 TFT의 보호막상에 배치되고, 액정층에 밀봉되어 있는 액정분자의 분자축 방향을 액티브 매트릭스 기판 표면과 수평인 표면에서 회전시켜 표시를 행함으로서, 광시야각 표시를 가능하게한 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 있어서,
    투명 절연성 기판상에 게이트 전극 금속층을 적층하고, 게이트 전극을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
    상기 투명 절연성 기판상에 층간절연막과 a-Si층과 n+a-Si층과 드레인 전극 금속층을 이 차례로 퇴적하고, 두께가 다른 복수의 영역을 갖는 레지스트를 사용한 포토리소그래피 공정에 의해 상기 a-Si층, n+a-Si층, 드레인 전극 금속층의 불필요한 부분을 제거하여 패터닝하고, 미노광부를 애싱한 후, 소정의 상기 a-Si층의 일부, 상기 n+a-Si층, 상기 드레인 전극 금속층을 제거한 후, 상기 미노광부를 박리하고, 드레인 배선과 아이랜드를 패터닝형성하는 공정과,
    상기 투명 절연성 기판상에 절연막을 퇴적하고, 상기 절연막을 관통하여 소정의 위치에 상기 아이랜드의 소스 전극에 접속하기 위한 절연막 콘택트을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
    상기 투명 절연성 기판상에 화소 전극이 되는 투명 도전막을 퇴적하고, 불필요한 상기 투명 도전막을 제거하고, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 동시에, 상기 화소 전극과 상기 소스 전극을 접속하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 절연막은 상기 절연층의 하부 부분에 존재하는 무기 절연막과 상기 절연막의 상부 부분에 존재하는 유기 절연막으로 구성되며, 구멍 부분이 포토리소그래피 공정에 의해 상기 절연막의 상기 상부 부분에 존재하는 상기 유기 절연막의 특정 부분에 형성된 후, 상기 절연막의 상기 상부 부분에 존재하는 상기 유기 절연막을 마스크에 상기 절연막의 상기 하부 부분에 존재하는 상기 무기 절연막상에 에칭을 행하는 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 게이트 전극은 고융점을 가지는 금속으로 제조된 단층이며 Al(알루미늄) 또는 Al 합금으로 제조된 하부층과 고융점을 가지는 금속으로 제조된 상부층을 포함하는 2층 적층막인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 각각의 소스 전극과 상기 드레인 전극은 고융점을 가지는 금속으로 제조된 단층, Al(알루미늄) 또는 Al 합금으로 제조된 하부층과 고융점을 가지는 금속으로 제조된 상부층을 포함하는 2층 적층막 또는 고융점을 가지는 금속으로 제조된 하부층과 Al(알루미늄) 또는 Al 합금으로 제조된 중층과, 고융점을 가지는 금속으로 제조된 상부층을 을 포함하는 3층막인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    고융점을 가지는 상기 금속은 Cr(크롬) 또는 Mo(몰리브덴)인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    고융점을 가지는 상기 금속은 Cr(크롬) 또는 Mo(몰리브덴)인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  21. 제 15 항에 있어서,
    상기 절연막은 감광성인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  22. 공통 전극, 화소 전극이 TFT의 보호막상에 배치되고, 액정층에 밀봉되어 있는 액정분자의 분자축 방향을 액티브 매트릭스 기판 표면과 수평인 표면에서 회전시켜 표시를 행함으로서, 광시야각 표시를 가능하게한 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 있어서,
    투명 절연성 기판상에 게이트 전극 금속층과 게이트 절연체와 a-Si층을 이 차례로 적층하고, 게이트 전극과 게이트 절연막과 반도체층으로 이루어지는 아이랜드를, 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
    상기 투명 절연성 기판상에 층간절연막과 드레인 전극 금속층을 이 차례로 퇴적하고, 소정 영역의 상기 드레인 전극 금속층을 제거함으로서 드레인 배선을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
    상기 투명 절연성 기판상에 절연막을 퇴적하고, 상기 절연막을 관통하여 소정의 위치에 소스/드레인 전극과 접속하기 위한 절연막 콘택트을 인쇄에 의해 형성하는 공정과,
    상기 투명 절연성 기판상에 투명 도전막을 퇴적하고, 불필요한 상기 투명 도전막을 제거하고, 빗살 형상의 상기 화소 전극과 상기 공통 전극을 서로 다르게 배치 되도록 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 동시에, 상기 소스 전극과 상기 화소 전극을 접속하고, 또한, 상기 드레인 전극과 드레인선을 접속하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 절연막은 상기 절연층의 하부 부분에 존재하는 무기 절연막과 상기 절연막의 상부 부분에 존재하는 유기 절연막으로 구성되며, 구멍 부분이 포토리소그래피 공정에 의해 상기 절연막의 상기 상부 부분에 존재하는 상기 유기 절연막의 특정 부분에 형성된 후, 상기 절연막의 상기 상부 부분에 존재하는 상기 유기 절연막을 마스크에 상기 절연막의 상기 하부 부분에 존재하는 상기 무기 절연막상에 에칭을 행하는 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 게이트 전극은 고융점을 가지는 금속으로 제조된 단층이며 Al(알루미늄) 또는 Al 합금으로 제조된 하부층과 고융점을 가지는 금속으로 제조된 상부층을 포함하는 2층 적층막인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  25. 제 22 항에 있어서,
    상기 각각의 소스 전극과 상기 드레인 전극은 고융점을 가지는 금속으로 제조된 단층, Al(알루미늄) 또는 Al 합금으로 제조된 하부층과 고융점을 가지는 금속으로 제조된 상부층을 포함하는 2층 적층막 또는고융점을 가지는 금속으로 제조된 하부층과 Al(알루미늄) 또는 Al 합금으로 제조된 중층과, 고융점을 가지는 금속으로 제조된 상부층을 을 포함하는 3층막인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  26. 공통 전극, 화소 전극이 TFT의 보호막상에 배치되고, 액정층에 밀봉되어 있는 액정분자의 분자축 방향을 액티브 매트릭스 기판 표면과 수평인 표면에서 회전시켜 표시를 행함으로서, 광시야각 표시를 가능하게한 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 있어서,
    투명 절연성 기판상에 게이트 전극 금속층을 적층하고, 게이트 전극을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
    상기 투명 절연성 기판상에 층간절연막과 a-Si층과 n+a-Si층과 드레인 전극 금속층을 이 차례로 퇴적하고, 두께가 다른 복수의 영역을 갖는 레지스트를 사용한 포토리소그래피 공정에 의해 상기 드레인 전극 금속층의 불필요한 부분을 제거하여 패터닝하고, 미노광부를 애싱하여 리플로우한 후, 상기 n+a-Si층 및 상기 a-Si층의 일부를 제거하고, 리플로우 후의 상기 레지스트를 박리함으로서, 드레인 배선과 아이랜드를 패터닝형성하는 공정과,
    상기 투명 절연성 기판상에 절연막을 퇴적하고, 상기 절연막을 관통하여 소정의 위치에 상기 아이랜드의 소스 전극에 접속하기 위한 절연막 콘택트을 인쇄에의해 형성하는 공정과,
    상기 투명 절연성 기판상에 화소 전극이 되는 투명 도전막을 퇴적하고, 불필요한 상기 투명 도전막을 제거하고, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 동시에, 상기 화소 전극과 상기 소스 전극을 접속하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  27. 제 26항에 있어서,
    상기 절연막은 상기 절연층의 하부 부분에 존재하는 무기 절연막과 상기 절연막의 상부 부분에 존재하는 유기 절연막으로 구성되며, 구멍 부분이 포토리소그래피 공정에 의해 상기 절연막의 상기 상부 부분에 존재하는 상기 유기 절연막의 특정 부분에 형성된 후, 상기 절연막의 상기 상부 부분에 존재하는 상기 유기 절연막을 마스크에 상기 절연막의 상기 하부 부분에 존재하는 상기 무기 절연막상에 에칭을 행하는 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  28. 제 26 항에 있어서,
    상기 게이트 전극은 고융점을 가지는 금속으로 제조된 단층이며 Al(알루미늄) 또는 Al 합금으로 제조된 하부층과 고융점을 가지는 금속으로 제조된 상부층을 포함하는 2층 적층막인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  29. 제 26 항에 있어서,
    상기 각각의 소스 전극과 상기 드레인 전극은 고융점을 가지는 금속으로 제조된 단층, Al(알루미늄) 또는 Al 합금으로 제조된 하부층과 고융점을 가지는 금속으로 제조된 상부층을 포함하는 2층 적층막 또는고융점을 가지는 금속으로 제조된 하부층과 Al(알루미늄) 또는 Al 합금으로 제조된 중층과, 고융점을 가지는 금속으로 제조된 상부층을 을 포함하는 3층 적층막인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  30. 공통 전극, 화소 전극이 TFT의 보호막상에 배치되고, 액정층에 밀봉되어 있는 액정분자의 분자축 방향을 액티브 매트릭스 기판 표면과 수평인 표면에서 회전시켜 표시를 행함으로서, 광시야각 표시를 가능하게한 광시야각 액정표시장치의 제조방법에 있어서,
    투명 절연성 기판상에 게이트 전극 금속층을 적층하고, 게이트 전극을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 공정과,
    상기 투명 절연성 기판상에 층간절연막과 a-Si층과 n+a-Si층과 드레인 전극 금속층을 이 차례로 퇴적하고, 두께가 다른 복수의 영역을 갖는 레지스트를 사용한 포토리소그래피 공정에 의해 상기 a-Si층, n+a-Si층, 드레인 전극 금속층의 불필요한 부분을 제거하여 패터닝하고, 미노광부를 애싱한 후, 소정의 상기 a-Si층의 일부, 상기 n+a-Si층, 상기 드레인 전극 금속층을 제거한 후, 상기 미노광부를 박리하고, 드레인 배선과 아이랜드를 패터닝형성하는 공정과,
    상기 투명 절연성 기판상에 절연막을 퇴적하고, 상기 절연막을 관통하여 소정의 위치에 상기 아이랜드의 소스 전극에 접속하기 위한 절연막 콘택트을 인쇄에 의해 형성하는 공정과,
    상기 투명 절연성 기판상에 화소 전극이 되는 투명 도전막을 퇴적하고, 불필요한 상기 투명 도전막을 제거하고, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극을 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝에 의해 형성하는 동시에, 상기 화소 전극과 상기 소스 전극을 접속하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 절연막은 상기 절연층의 하부 부분에 존재하는 무기 절연막과 상기 절연막의 상부 부분에 존재하는 유기 절연막으로 구성되며, 구멍 부분이 포토리소그래피 공정에 의해 상기 절연막의 상기 상부 부분에 존재하는 상기 유기 절연막의 특정 부분에 형성된 후, 상기 절연막의 상기 상부 부분에 존재하는 상기 유기 절연막을 마스크에 상기 절연막의 상기 하부 부분에 존재하는 상기 무기 절연막상에 에칭을 행하는 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  32. 제 30 항에 있어서,
    상기 게이트 전극은 고융점을 가지는 금속으로 제조된 단층이며 Al(알루미늄) 또는 Al 합금으로 제조된 하부층과 고융점을 가지는 금속으로 제조된 상부층을 포함하는 2층 적층막인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
  33. 제 30 항에 있어서,
    상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은, 고융점 금속의 단층, 또는 상층의 고융점 금속과 하층의 Al 또는 Al 합금으로 구성되는 2층 적층막, 또는 상층의 고융점 금속과 중층의 Al 또는 Al 합금과 하층의 고융점 금속으로 구성되는 3층 적층막인 것을 특징으로 하는 광시야각 액정표시장치의 제조방법.
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