KR20050057944A - 액정표시소자의 제조방법 - Google Patents

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KR20050057944A KR1020030090171A KR20030090171A KR20050057944A KR 20050057944 A KR20050057944 A KR 20050057944A KR 1020030090171 A KR1020030090171 A KR 1020030090171A KR 20030090171 A KR20030090171 A KR 20030090171A KR 20050057944 A KR20050057944 A KR 20050057944A
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

본 발명은 네가티브 타입의 보호막에 홀을 형성하는 경우, 홀 내부에 잔류하게 되는 잔막을 완전제거하여 소자의 콘택 신뢰도를 향상시키기 위한 액정표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 기판 상에 게이트 배선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 형성하는 단계와, 상기 게이트 배선을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 게이트 배선에 수직교차하는 데이터 배선을 형성하고, 이와 동시에 소스/드레인 전극 및 데이터 패드를 형성하는 단계와, 상기 데이터 배선을 포함한 전면에 네가티브 타입의 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막을 노광 및 현상하여 홀을 형성하는 단계와, 상기 홀 내부의 잔막을 제거하는 단계와, 상기 홀을 포함한 소정 부위에 화소전극 및 투명도전막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

액정표시소자의 제조방법{Method For Fabricating Liquid Crystal Display Device}
본 발명은 액정표시소자(LCD ; Liquid Crystal Display Device)에 관한 것으로, 특히 네가티브 타입의 포토레지스트를 사용하여 형성하는 액정표시소자에 관한 것이다.
평판표시소자로서 최근 각광받고 있는 액정표시소자는 콘트라스트(contrast) 비가 크고, 계조 표시나 동화상 표시에 적합하며 전력소비가 작다는 장점 때문에 활발한 연구가 이루어지고 있다.
특히, 얇은 두께로 제작될 수 있어 장차 벽걸이 TV와 같은 초박형(超薄形) 표시장치로 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 무게가 가볍고, 전력소비도 CRT 브라운관에 비해 상당히 적어 배터리로 동작하는 노트북 컴퓨터의 디스플레이로 사용되는 등, 차세대 표시장치로서 각광을 받고 있다.
이와 같은 액정표시소자는 일반적으로 게이트 배선 및 데이터 배선에 의해 정의된 각 화소 영역에 박막트랜지스터와 화소전극이 형성된 박막 어레이 기판과, 컬러필터층과 공통전극이 형성된 컬러필터 기판과, 상기 두 기판 사이에 개재된 액정층으로 구성되어, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하여 화상을 표시한다.
이 때, 상기 컬러필터 기판과 박막 어레이 기판은 에폭시 수지와 같은 씨일제에 의해 합착되며, PCB(Printed Circuit Board) 상의 구동회로는 TCP(Tape Carrier Package)를 통해 박막 어레이 기판에 연결된다.
상기 박막 어레이 기판은 도 1에 도시된 바와 같이, 게이트 배선(112) 및 데이터 배선(115)에 의해 각 화소가 정의된 액티브 영역과 게이트 패드(122) 및 데이터 패드(125)에 의해 외부 구동회로와 연결되는 패드부 영역으로 구분된다.
구체적으로, 액티브 영역의 유리 기판 상에는 복수개의 게이트 배선(112) 및 데이터 배선(115)이 교차 형성되어 있고, 상기 게이트 배선(112)과 데이터 배선(115)의 교차 부위에는 스위칭 소자로서 박막트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor, 도시하지 않음)가 형성되어 있다.
그리고, 패드부 영역에는 게이트 드라이버의 게이트 구동신호를 상기 각 게이트 배선(112)에 인가하기 위해 상기 게이트 배선(112)에서 연장 형성된 복수개의 게이트 패드(122)와, 데이터 드라이버의 데이터 신호를 상기 각 데이터 배선(115)에 인가하기 위해 상기 데이터 배선(115)에서 연장 형성된 복수개의 데이터 패드(125)가 형성되어 각각 외부 구동회로와 전기적 신호를 인터페이싱한다.
즉, 액정표시장치를 구동하기 위해서는 상기의 게이트 패드(122) 및 데이터 패드(125)를 오픈하여 구동신호를 공급하는 구동회로와 접속하는데, 상기 구동회로에서 공급하는 데이터 입력신호를 자체의 제어신호에 따라 분리하여 각 화소에 전달한다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 종래 기술의 액정표시소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 2a 내지 도 2d는 액정표시소자의 제작과정을 나타낸 공정단면도이다.
우선, 도 2a에 도시된 바와 같이, 투명 유리기판(111) 상에 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr) 등의 저저항 금속 물질을 스퍼터링 방법으로 증착하고 포토식각기술로 패터닝하여 패드부 영역에 게이트 패드(122)를 형성한다.
이 때, 상기 게이트 패드(122)와 동시에 액티브 영역의 게이트 배선(도 1의 112) 및 게이트 전극(112a)을 형성한다.
다음, 상기 게이트 패드(122)를 포함한 전면에 절연 내압 특성이 좋은 무기물인 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)등을 플라즈마 강화형 화학 증기 증착 방법으로 증착하여 2000Å 두께의 게이트 절연막(113)을 형성한다.
이후, 상기 게이트 절연막(113) 상에 비정질 실리콘(Amorphous Silicon;a-Si:H)을 SiH4 와 H2 혼합가스를 이용한 플라즈마 화학기상증착 방법으로 증착하고 패터닝하여, 상기 게이트 전극(112a) 상에 섬(island) 모양으로 반도체층(114)을 형성한다.
계속하여, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 반도체층(114)을 포함한 상기 게이트 절연막(113) 상에 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr) 등의 저저항 금속 물질을 스퍼터링 방법으로 증착하고 포토식각기술로 패터닝하여 패드부 영역에 데이터 패드(125)를 형성한다.
이 때, 상기 데이터 패드(125)와 동시에 액티브 영역의 데이터 배선(도 1의 115) 및 소스/드레인 전극(115a,115b)을 형성한다.
다음, 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 데이터 배선을 포함한 전면에 플라즈마 강화형 화학 증기 증착(PECVD:plasma enhanced chemical vapor depostion) 또는 ECR(전자 사이클로트론 공명)에 의한 증착 등의 플라즈마를 이용한 증착 방법을 이용하여, 유전율이 3.5 이상인 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등의 무기재료를 증착하여 1500∼5000Å 정도 두께의 보호막(116)을 형성한다.
이어서, 상기 보호막(116) 상에 포지티브 타입 포토 레지스트(도시하지 않음)를 도포하고 포토식각기술에 의해 패터닝한 후, 패터닝된 포지티브 타입 포토레지스트 사이로 노출된 보호막(116)을 제거함으로써, 액티브 영역의 드레인 전극(115b)이 노출되는 콘택홀(171)을 형성하고, 패드부 영역의 각 게이트 패드(122) 및 데이터 패드(125)들이 노출되도록 상기 보호막(116) 및 게이트 절연막(113)을 선택적으로 제거하여 패드오픈영역(181a,181b)을 형성한다.
이 때, 패드부 영역의 게이트 패드(122)를 오픈하기 위해서는 게이트 패드 상의 게이트 절연막(113)과 보호막(116)의 적층막을 에칭한다.
이후, 도 2d에 도시된 바와 같이, 상기 패드오픈영역(181a,181b)을 통해서 상기 게이트 패드(122) 및 데이터 패드(125)와 각각 접속하도록 상기 보호막(116) 상에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxie) 등의 투명한 도전 물질을 증착하고 패터닝한다. 이 때 액티브 영역내 화소 전극(117)과 패드부 영역내 투명도전막(127)이 동시에 형성된다.
그러나, 상기와 같이 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등의 무기재료를 사용하여 보호막을 형성하는 경우, 그 증착이 용이하고 그 두께가 얇아 단차에 의한 문제점이 없다는 장점이 있으나, 유전율이 높아 오버랩되는 배선 사이에 기생용량이 발생한다는 단점이 있다. 참고로 상기 실리콘 질화물은 7.5 정도의 유전율을 가진다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하고자, 무기재료를 사용하여 보호막을 형성하는 대신에, 유전율이 낮은 유기재료를 사용하여 보호막을 형성하게 되었다.
이하에서 도 3a 및 도 3b를 참고로 하여, 유기재료를 사용하여 보호막을 형성하는 제작과정을 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 도 3d는 또다른 종래 기술에 의한 액정표시소자의 제조공정을 나타낸 공정단면도이다.
이하에서는 보호막을 형성하는 단계에서부터 설명하는데, 보호막을 형성하는 단계 이전까지의 과정은 앞서 서술한 과정과 동일하다. 따라서, 도면에 부가되는 도면부호도 도 2a 내지 도 2d에서와 동일 또는 유사하다. 다만, 보호막은 무기재료를 사용하는 대신, 유기재료를 사용하므로, 도 3a 및 도 3b의 보호막은 그 도면부호를 136으로 한다.
먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, 액티브 영역의 데이터 배선 및 소스/드레인 전극(115a,115b)과, 패드부 영역의 데이터 패드(125)를 형성한 이후, 상기 소스/드레인 전극(115a,115b)을 포함한 전면에 3.4의 저유전율인 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 물질과 같은 유기재료를 스핀도포법 등으로 3㎛ 정도 두께로 도포하여 보호막(136)을 형성한다.
이 때, 유기재료의 보호막으로 막질 역할과 PR의 역할을 동시에 하는 아크릴계 물질인 네가티브 타입의 포토 아크릴을 많이 사용한다.
상기 포토 아크릴은 그 유전율이 낮으므로 포토 아크릴을 사이에 두고 오버랩되는 전극과 배선 사이에 발생하는 기생용량이 최소화되고 또한, 두텁게 형성되므로 표면이 평탄해지고 표면단차가 제거된다. 그리고, 포토식각기술을 적용하기 위한 포토 레지스트를 도포하는 과정을 생략할 수 있으므로 공정이 간소화된다는 장점이 있다.
보호막(136)을 형성한 이후에는, 상기 보호막을 직접 노광하고 현상함으로써, 액티브 영역의 드레인 전극(115b)이 노출되는 콘택홀(171)을 형성하고, 패드부 영역의 각 게이트 패드(122) 및 데이터 패드(125)들이 노출되도록 상기 보호막(116) 및 게이트 절연막(113)을 선택적으로 제거하여 패드오픈영역(181a,181b)을 형성한다.
참고로, 네가티브(negative) 타입 포토 레지스트는 노광되지 않은 부분이 제거되고 막질 역할과 PR의 역할을 동시에 하는 반면, 포지티브(positive) 포토 레지스트는 노광된 부분이 제거되고 PR의 역할만 수행한다.
그러나, 무기재료를 보호막으로 사용하는 경우에는 그 두께가 몇 Å인데 반해, 유기재료를 보호막으로 사용하는 경우에는 그 두께가 몇㎛ 정도나 되어서, 유기재료의 보호막에 형성된 콘택홀(171)과 패드오픈영역(181a,181b)의 단차가 커지게 된다.
그로인해, 콘택홀(171) 및 패드오픈영역(181a,181b)의 내측에 보호막(136)의 잔막(136a)이 남아서 상부의 메탈과 하부의 메탈의 연결시 절연막으로 작용하여 전기적 연결에 문제점을 발생시킨다. 종래, 포지티브 타입 레지스트를 사용하는 경우의 잔막 개선 기술은 많이 있었으나, 네가티브 타입 레지스트를 사용하는 경우의 잔막 개선 기술은 많이 개발되어 있지 않는 실정이다.
즉, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 콘택홀(171)과 패드오픈영역(181a,181b)을 포함한 전면에 투명도전물질인 ITO 또는 IZO의 투명도전물질을 증착하고 패터닝하여 액티브 영역내 화소 전극(117)과 패드부 영역내 투명도전막(127)을 형성하는데, 이때, 상기 보호막(136)의 잔막(136a)에 의해 상기 화소전극(117)과 드레인 전극(115b) 사이의 전기적 연결과 상기 투명도전막(127)과 패드전극(게이트 패드122, 데이터 패드125) 사이의 전기적 연결이 잘 이루어지지 않게 되어 소자의 신뢰성을 떨어뜨리게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 네가티브 타입의 보호막에 홀을 형성하는 경우, 홀 내부에 잔류하게 되는 잔막을 완전제거하여 소자의 콘택 신뢰도를 향상시키기 위한 액정표시소자의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 목적을 달성하기 위한 액정표시소자의 제조방법은 기판 상에 게이트 배선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 형성하는 단계와, 상기 게이트 배선을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 게이트 배선에 수직교차하는 데이터 배선을 형성하고, 이와 동시에 소스/드레인 전극 및 데이터 패드를 형성하는 단계와, 상기 데이터 배선을 포함한 전면에 네가티브 타입의 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막을 노광 및 현상하여 홀을 형성하는 단계와, 상기 홀 내부의 잔막을 제거하는 단계와, 상기 홀을 포함한 소정 부위에 화소전극 및 투명도전막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
즉, 네가티브 타입의 유기재료를 사용하여 보호막을 형성하는 경우, 보호막에 홀을 형성할 때 홀 내부에 잔막이 잔류하게 되는데, 이러한 잔막을 제거하기 위해 에싱 또는 건식식각공정을 수행하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 잔막에 의한 불량이 제거되고 콘택 표면의 테이퍼(Taper)가 개선되어 모폴로지(morphology)가 우수해진다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명에 의한 액정표시소자의 제조방법을 살펴보면 다음과 같다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 의한 액정표시소자의 제조공정을 나타낸 공정단면도이고, 도 5는 본 발명에 의한 액정표시소자의 제조공정의 순서를 나타낸 블록도이다.
액정표시소자는 전술한 바와 같이, 색상구현을 위한 컬러필터층이 형성된 컬러필터 기판과, 액정분자의 배열 방향을 변환시킬 수 있는 스위칭 소자가 형성된 액티브 영역과 외부 구동회로와 접속되는 패드부 영역으로 구분되는 박막 어레이 기판과, 상기 두 기판 사이에 형성된 액정층으로 구성되는바, 상기 액정표시소자의 제조방법을 살펴보면 다음과 같다.
이하에서는 상기 액정표시소자의 박막 어레이 기판의 제조방법에 대해 한정하여 본 발명에 대해 설명한다.
먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이, 절연내압이 높은 투명 기판(511)을 준비하고, 상기 기판(511) 상에 신호지연의 방지를 위해서 15μΩcm-1 이하의 낮은 비저항을 가지는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd : Aluminum Neodymium), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 등의 저저항 금속 물질을 스퍼터링 방법으로 증착하고 포토식각기술로 패터닝하여 게이트 배선층을 형성한다.(S11,S12)
이 때, 상기 게이트 배선층은 액티브 영역의 게이트 배선(도시하지 않음) 및 게이트 전극(512a)과 패드부 영역의 게이트 패드(522)를 포함한다.
다음, 상기 게이트 전극(512a)을 포함한 전면에 절연 내압 특성이 좋은 무기물인 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등을 플라즈마 강화형 화학 증기 증착 방법으로 증착하여 2000Å 두께의 게이트 절연막(513)을 형성한다.(S13)
이후, 상기 게이트 절연막(513) 상에 비정질 실리콘(Amorphous Silicon;a-Si:H)을 SiH4 와 H2 혼합가스를 이용한 플라즈마 화학기상증착 방법으로 증착하고 패터닝하여, 상기 게이트 전극(512a) 상에 섬(island) 모양으로 반도체층(514)을 형성한다.(S14)
계속하여, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 반도체층(514)을 포함한 상기 게이트 절연막(513) 상에 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd : Aluminum Neodymium), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 등의 저저항 금속 물질을 스퍼터링 방법으로 증착하고 포토식각기술로 패터닝하여 데이터 배선층을 형성한다.(S15)
이 때, 상기 데이터 배선층은 액티브 영역의 데이터 배선(도시하지 않음) 및 소스/드레인 전극(515a,115b)과 패드부 영역의 데이터 패드(525)를 포함한다.
다음, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 데이터 배선을 포함한 전면에 3.4의 저유전율인 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 물질과 같은 유기재료를 스핀(spin)법, 롤 코팅(roll coating)법 등으로 3㎛ 정도 두께로 도포하여 보호막(516)을 형성한다.(S16)
이 때, 상기 보호막(516)은 막질 역할과 PR의 역할을 동시에 하는 아크릴계 물질인 네가티브 타입의 것으로, 주로 포토 아크릴을 많이 사용한다.
이어서, 상기 보호막(516) 상부에 소정이 패턴이 형성된 마스크(도시하지 않음)를 씌우고,UV 또는 x-선 파장에 노출시켜 노광시킨 뒤, 현상하여 노광되지 않은 보호막(316)을 제거하여 홀을 형성한다.(S17) 현상 후, 상기 보호막(316)을 120℃에서 40분간, 다시 200℃에서 40분간 베이킹하여 경화할 수 있다.
상기 홀은, 액티브 영역의 드레인 전극(515b)이 노출되는 콘택홀(571)과, 패드부 영역의 각 게이트 패드(522) 및 데이터 패드(525)들이 노출되는 패드오픈영역(581a,581b)을 포함한다.
이 때, 상기 콘택홀(571) 및 패드오픈영역(581a,581b) 내부에는 제거되지 못하고 잔류하는 보호막(516)의 잔막(516a)이 남게 되는데, 이러한 잔막(516a)은 보호막(516)의 단차 때문에 생기기도 하고, 기판의 대형화에 따라 레졸루션(resolution)이 낮은 노광기를 사용하기 때문에 생기기도 한다.
이런저런 다양한 이유로, 홀에 잔막(516a)이 남아있게 되면 상부의 메탈과 하부의 메탈 사이의 전기적 연결이 방해되므로, 에싱(Ashing) 또는 건식식각(Dry Etch)을 이용하여 상기 잔막(516a)을 제거해준다.(S18)
잔막을 제거함으로써 콘택 저항에 의한 내부 전압하강을 감소시키고, 보호막의 두께에 의한 테이퍼 문제를 개선한다.
구체적으로, 상기 에싱 공정은 일정한 진공상태에서 무선주파수에 의해 외부로부터 방출된 전자와 외부로부터 주입되는 O2 또는 Cl2의 공정가스의 입자들이 서로 충돌함으로써 형성된 불안정한 입자에 의해 보호막의 잔막(516a)이 제거되는 것이다.
그리고, 상기 건식식각 공정은 Cl2 또는 F계열의 공정 가스의 입자들을 고진공 상태의 식각챔버 내부로 분사한 후 플라즈마 상태로 변형하고, 이렇게 플라즈마 상태로 변형된 양이온 또는 라디칼(Radical)으로 보호막의 잔막(516a)을 식각하는 방법이다.
상기 건식식각 기술은 플라즈마를 형성하는 방법에 따라 PE(Plasma Etching), RIE(Reactive Ion Etching), MERIE(Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching), ECR(Electron Cyclotron Resonance), TCP(Transformer Coupled Plasma) 등의 모드로 나눌 수 있는데, 이 중 액정표시소자 제조공정에서는 PE, RIE 모드를 주로 이용한다.
이후, 도 4d에 도시된 바와 같이, 잔막이 완전히 제거된 상기 보호막(516) 상에 ITO, IZO 등의 투명한 도전 물질을 증착하고 패터닝하여 액티브 영역내 화소 전극(517)과 패드부 영역내 투명도전막(527)을 동시에 형성한다.(S19)
따라서, 상기 화소전극(517)과 드레인 전극(515b)이 완전 접속되고, 상기 게이트 패드(522) 및 데이터 패드(525)와 투명도전막(527)이 완전 접속된다.
이후, 상기 투명도전막(527)과 접속한 상기 각 게이트 패드(515) 및 데이터 패드(525)는 테스트(Test)를 위해 MPS라인(Mass Production System Line)에 연결된다.
상기와 같이 구성된 박막 어레이 기판은 컬러필터 기판과 합착되기 전에, 라인 디펙트(line defect) 및 포인트 디펙트(point defect)등의 불량을 테스트하기 위해 MPS(Mass Production System) 테스트 공정을 거치게 된다.
테스트 검사는 액티브 영역의 게이트 배선에 연결된 게이트 패드와 데이터 배선에 연결된 데이터 패드를 통해 신호전압을 인가하여 기판의 불량 유무를 판정하는 형식으로 이루어진다.
마지막으로, 상기 박막 어레이 기판에 컬러필터기판을 대향합착하고, 그 사이에 액정층을 형성하여 액정표시소자를 완성한다(S8).
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기와 같은 본 발명의 액정표시소자의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 네가티브 타입의 보호막에 홀을 형성하는 경우, 에싱 또는 건식식각공정을 수행하여 홀 내부에 잔류하게 되는 잔막을 완전 제거함으로써 소자의 콘택 신뢰도를 향상시킨다.
즉, 콘택홀 상,하부의 메탈 사이의 콘택 저항에 의한 내부 전압강하가 감소된다.
둘째, 에싱 또는 건식식각공정을 수행함으로써 보호막의 두께에 의한 홀 내부의 콘택 표면 테이퍼(Taper)가 개선되어 모폴로지(morphology)가 우수해진다.
도 1은 일반적인 의한 액정표시소자의 평면도.
도 2a 내지 도 2d는 종래 기술에 의한 액정표시소자의 제조공정을 나타낸 공정단면도.
도 3a 내지 도 3d는 또다른 종래 기술에 의한 액정표시소자의 제조공정을 나타낸 공정단면도.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 의한 액정표시소자의 제조공정을 나타낸 공정단면도.
도 5는 본 발명에 의한 액정표시소자의 제조공정의 순서를 나타낸 블록도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명
511 : 하부기판 512a : 게이트 전극
513 : 게이트 절연막 514 : 반도체층
515a : 소스전극 515b : 드레인 전극
516 : 보호막 522 : 게이트 패드
525 : 데이터 패드 517 : 화소전극
527 : 투명도전막 571 : 콘택홀
581a, 581b : 패드오픈영역

Claims (5)

  1. 기판 상에 게이트 배선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 형성하는 단계;
    상기 게이트 배선을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 게이트 배선에 수직교차하는 데이터 배선을 형성하고, 이와 동시에 소스/드레인 전극 및 데이터 패드를 형성하는 단계;
    상기 데이터 배선을 포함한 전면에 네가티브 타입의 보호막을 형성하는 단계;
    상기 보호막을 노광 및 현상하여 홀을 형성하는 단계;
    상기 홀 내부의 잔막을 제거하는 단계;
    상기 홀을 포함한 소정 부위에 화소전극 및 투명도전막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 보호막은 네가티브 타입의 유기재료를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 보호막은 네가티브 타입의 포토 아크릴을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 잔막을 제거하는 단계는,
    에싱공정 또는 건식식각공정을 수행하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 홀을 통해,
    상기 드레인 전극과 화소전극을 연결시키고,
    상기 게이트 패드 및 데이터 패드와 투명도전막을 연결시키는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
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