KR20020066991A - 탄성 표면파 장치 및 그 탄성 표면파 장치의 주파수 조정방법 - Google Patents
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 159
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract 1
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
- H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
- H03H9/6459—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
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- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
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Abstract
본 발명의 구성에 따르면, 탄성 표면파 장치는 패키지 본체 내에 수납된 탄성 표면파 소자를 포함한다. 탄성 표면파 소자는 본딩 와이어에 의해 패키지의 전극 랜드에 전기적으로 접속되어 있으며, 본딩 와이어는 탄성 표면파 장치의 IDT 및 반사기의 양쪽의 상측을 통과하지 않도록 배열되어 있다.
Description
본 발명은 예를 들면 공진자나 대역통과 필터로서 사용되는 탄성 표면파 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 본 발명은 탄성 표면파 소자가 패키지 내에 탑재되어 있으며, 또한 탄성 표면파 소자가 본딩 와이어에 의해 패키지에 접속되어 있는 구조를 갖는 탄성 표면파 장치 및 상기 탄성 표면파 장치의 주파수 조정 방법에 관한 것이다.
종래, 공진자나 대역통과 필터로서, 탄성 표면파 장치가 널리 사용되고 있다. 탄성 표면파 장치에서는, 일반적으로 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 같은 전극 재료에 의해 인터디지탈 전극 트랜스듀서(이하, IDT라고 함) 및 반사기 등의 전극구조가 형성되어 있다.
일본국 특허공개공보 평8-65092호에는, 종래의 탄성 표면파 장치의 일례가 개시되어 있다. 도 4를 참조하여 이 선행기술에 기재된 탄성 표면파 장치를 설명한다.
탄성 표면파 장치(101)는 패키지 본체(102)를 포함한다. 패키지 본체(102)에는 개구부(102a)가 형성되어 있으며, 개구부(102a) 내에 탄성 표면파 소자(103)가 배치되어 있다. 탄성 표면파 소자(103)를 밀봉하기 위하여, 패키지 본체(102)의 개구부(102a)를 커버하도록 커버 재료가 패키지 본체(102)의 상측면에 고정되어 있다.
탄성 표면파 소자(103)는 압전 기판(104)과, 압전 기판(104)상에 배치된 IDT(105, 106), 반사기(107, 108), IDT(109, 110) 및 반사기(111, 112)를 포함한다. 즉, IDT(105, 106)가 형성되어 있는 영역의 탄성 표면파 전파 방향 양측에 반사기(107, 108)가 배치되어 있으며, IDT(109, 110)가 형성되어 있는 영역의 탄성 표면파 전파 방향 양측에 반사기(111, 112)가 배치되어 2개의 종결합 공진자 필터(113, 114)가 구성되어 있다.
한편, 패키지 본체(102)에는, 탄성 표면파 소자(103)가 수납되어 있는 부분의 옆쪽에 전극 랜드(115∼117, 118∼120)가 배치되어 있으며, 탄성 표면파 소자(103)는 본딩 와이어(121∼126)에 의해 전극 랜드(115∼117, 118∼120)에 전기적으로 접속되어 있다.
이 탄성 표면파 장치(101)에서는, 본딩 와이어(121∼126)가 IDT(105, 106, 109, 110)의 상측을 통과하지 않도록 배열되어 있다. 이러한 방식으로, 본딩 와이어(121∼126)를 IDT(105, 106, 109, 110)의 상측을 통과하지 않도록 배치함으로써, IDT(105, 106, 109, 110)와 본딩 와이어(121∼126) 사이의 유도 결합에 의한 통과대역외 감쇠량의 악화가 억제된다.
본 탄성 표면파 장치(101)에서는, 상술한 바와 같이 본딩 와이어(121∼126)가 IDT(105, 106, 109, 110)의 상측을 통과하지 않기 때문에, 대역외 감쇠량의 저하가 억제된다.
그러나, 탄성 표면파 장치(101)에서는, 탄성 표면파 소자(103)에 대하여, 금속막을 스퍼터링에 의해 형성하고, 불필요한 부분을 제거하는 방법, 레지스트막을 형성하고, 스퍼터링에 의해 금속막을 레지스트막상에 형성하며, 불필요한 부분을 레지스트막과 함께 제거하는 방법 등의 막형성 방법에 의해 금속막을 형성하기 때문에, 탄성 표면파 소자의 전극의 막두께, 모양 및 치수가 변동한다는 문제가 있었고, 이러한 탄성 표면파 소자(103)의 전극의 변동때문에 공진 주파수가 변동한다는 문제가 있었다. 특히, IDT(105, 106), 반사기(107, 108), IDT(109, 110) 및 반사기(111, 112)의 전극이 알루미늄보다도 질량이 큰 탄탈룸 또는 텅스텐 금속으로 만들어진 경우, 중심 주파수의 변동이 커진다. 그 결과 수율이 저하된다는 문제가 발생하였다.
최근, 수정 기판의 표면에 탄탈룸 및 W와 같은 질량이 큰 금속으로 전극을 형성하고, 수평 자름(Shear Horizontal)("SH") 타입의 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치의 개발이 진행되고 있다. 탄성 표면파의 음속, 즉 동작 중심 주파수는 전극의 막두께에 큰 영향을 받는다. 질량이 큰 탄탈룸 또는 W와 같은 금속을 전극 재료로서 사용한 경우, 중심 주파수는 전극의 막두께의 아주 미세한 변동에 따라 매우 현저하게 변동한다.
따라서, 수율이 감소되어 탄성 표면파 장치를 제조하기가 매우 어려웠다. 따라서, 최종적으로 탄성 표면파 장치마다 주파수 조정을 행하지 않으면 안되었다.
제조 공정 동안, 웨이퍼로부터 탄성 표면파 소자(103)를 잘라내어 패키지 본체(102) 내에 탄성 표면파 소자(103)를 탑재하고, 본딩 와이어(121∼126)를 사용하여 전극 접속을 행한 후에, 탄성 표면파 소자(103)의 표면을 이온 빔에 의해 물리적 또는 화학적으로 에칭함으로써 주파수 조정을 행한다. 그러나, 불균일한 에칭이 자주 발생하여 주파수 조정을 고정밀도로 행할 수 없었다.
도 1은 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치의 바람직한 실시예의 평면도이다.
도 2는 도 1의 바람직한 실시예의 탄성 표면파 장치가 이온 빔의 조사에 의해 조정된 후의 감쇠량의 주파수 특성 및 그룹 지연 시간 특성을 나타낸다.
도 3은 본 발명에 따른 통신 장치의 바람직한 실시예의 블록도이다.
도 4는 종래의 탄성 표면파 장치의 일례를 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 종래의 탄성 표면파 장치의 주파수를 조정했을 때의 감쇠량의 주파수 특성 및 그룹 지연 시간 특성을 나타낸다.
<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>
1탄성 표면파 장치2패키지 본체
3탄성 표면파 소자4압전 기판
5, 6IDT7, 8반사기
9, 10IDT11, 12반사기
13, 14종결합 공진자형 탄성 표면파 필터
15∼17, 18∼20전극 랜드
21∼26본딩 와이어160통신장치
161안테나162듀플렉서
163, 166믹서164 탄성 표면파 필터
165증폭기167증폭기
168탄성 표면파 필터169탄성 표면파 필터
상술한 문제점들을 극복하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예는 패키지 내에 배치되며, 본딩 와이어에 의해 탄성 표면파 소자에 접속되는 전극 랜드를 가지며, 고정밀도로 주파수 조정을 행할 수 있는 탄성 표면파 장치 및 상기 탄성 표면파 장치의 주파수 조정 방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄성 표면파 장치는, 압전 기판, 상기 압전 기판상에 배치된 적어도 하나의 인터디지탈 전극 트랜스듀서 및 반사기를 갖는 탄성 표면파 소자와, 상기 탄성 표면파 소자가 그 안에 탑재되며, 또한, 탄성 표면파 소자에 전기적으로 접속되는 전극 랜드를 갖는 패키지와, 상기 탄성 표면파 소자를 상기 패키지의 전극 랜드에 전기적으로 접속하는 복수의 본딩 와이어를 포함한다. 상기 탄성 표면파 장치에서는, 상기 본딩 와이어가 상기 탄성 표면파 소자의 인터디지탈 전극 트랜스듀서 및 반사기의 상측을 통과하지 않도록 배열되어 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄성 표면파 장치에서는, 상기 IDT 및 반사기를 구성하는 전극 재료가 알루미늄보다도 질량이 큰 금속이거나 상기 금속을포함하는 합금인 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄성 표면파 장치에서는, 상기 압전 기판은 바람직하게는 수정 기판이다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 통신장치는 상술한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄성 표면파 장치를 포함하며, 상기 탄성 표면파 장치는 대역통과 필터로서 구성된다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 탄성 표면파 장치의 주파수 조정 방법에서는, 패키지 내에 탑재된 상기 탄성 표면파 소자의 인터디지탈 전극 트랜스듀서 및 반사기를 상측으로부터의 에너지 빔을 조사함으로써 에칭시켜 주파수 조정을 행한다. 본 발명의 바람직한 실시예의 탄성 표면파 장치의 주파수 조정 방법에서는, 에너지 빔을 조사하기 위한 장치로서 이온 건(ion gun)이 사용된다.
본 발명의 그 밖의 특징, 요소, 단계, 특성 및 장점들은 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시예를 상세히 설명함으로써 더욱 명백해질 것이다.
이하에서는, 본 발명을 명확히 하기 위해, 본 발명의 구체적인 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치의 바람직한 실시예를 나타내는 평면도이다. 탄성 표면파 장치(1)에서는, 패키지 본체(2)가 바람직하게 사용되고 있다. 패키지 본체(2)는 개구부(2a)를 갖는다. 개구부(2a)는 바람직하게는 실질적으로 직사각형 형상을 가지며, 개구부(2a)의 한쪽 변의 외측에는 개구부(2a)의 바닥면보다도 높은 단부(2b)가 형성되어 있고, 개구부(2a)의 다른쪽 변 외측에는단부(2c)가 형성되어 있다. 또한, 패키지 본체(2)는 코너부를 갖는 측벽(2d)을 갖는다. 측벽(2d)은 바람직하게는 단부(2b, 2c)보다 높으며, 비록 도시하지는 않으나, 개구부(2a)를 커버하도록 커버 재료가 측벽(2d)의 상측면에 고정된 상태로 실장되어 있다.
한편, 개구부(2a) 내에 탄성 표면파 소자(3)가 수납되어 있다. 탄성 표면파 소자(3)는 바람직하게는 압전 기판(4)(본 실시예에서는 수정 기판인 것이 바람직하다)을 포함한다. 압전 기판(4)은 실질적으로 직사각형판 형상을 가지는 것이 바람직하며, 탄탈룸으로 만들어진 전극 구조가 상측면에 배치되어 있다. 이 전극 구조에서는, 탄성 표면파 전파 방향을 따라 IDT(5, 6)가 배치되어 있고, IDT(5, 6)가 형성되어 있는 영역의 탄성 표면파 전파 방향 양측에 반사기(7, 8)가 배치되어 있으며, IDT(5, 6)의 탄성 표면파 전파 방향과 대략 직교하는 방향으로 떨어진 위치에서 탄성 표면파 전파 방향을 따라 IDT(9, 10)가 배치되어 있고, IDT(9, 10)가 형성되어 있는 영역의 탄성 표면파 전파 방향 양측에 반사기(11, 12)가 배치되어 있다.
제 1 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(13)는 IDT(5, 6) 및 반사기(7, 8)를 포함하며, 제 2 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(14)는 IDT(9, 10) 및 반사기(11, 12)를 포함한다. 본 바람직한 실시예에서는, 제 1, 제 2 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(13, 14)의 IDT(6)와 IDT(9)가 접속 전극(27)에 의해 접속되어 2단 구성의 탄성 표면파 필터가 제공된다.
한편, 패키지 본체(2)의 단부(2b)상에는 전극 랜드(15∼17)가 배치되어 있으며, 단부(2c)상에는 전극 랜드(18∼20)가 배치되어 있다. 비록 특별히 도시하지는 않았으나, 전극 랜드(15∼17, 18∼20)는 패키지 본체(2)의 내부를 통과하여 패키지 본체(2)의 외부로 연장된다. 전극 랜드(15∼17, 18∼20)는 탄성 표면파 소자(3)를 외부에 전기적으로 접속한다.
본딩 와이어를 접속시키는 패드(28, 29)가 탄성 표면파 소자(3)의 제 1 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(13)의 IDT(5) 내에 배치되어 있으며, 본딩 와이어를 접속시키는 패드(30)가 IDT(6) 내에 배치되어 있다. 마찬가지로, 본딩 와이어를 접속시키는 패드(31)가 제 2 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(14)의 IDT(9) 내에 배치되어 있으며, 본딩 와이어를 접속시키는 패드(32, 33)가 IDT(10) 내에 배치되어 있다. 여기에서, 본딩 와이어를 접속시키는 패드(28, 33)는 제 1, 제 2 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(13, 14) 사이에 위치되어 있고, IDT(5, 6, 9, 10) 및 반사기(7, 8, 11, 12)가 둘러싸여 있는 영역 외측에 위치되어 있다. 또한, 탄성 표면파 소자(3)의 상기 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(13, 14)의 패드(28∼30, 31∼33)는 본딩 와이어(21∼26)를 사용함으로써 전극 랜드(15∼17, 18∼20)에 각각 전기적으로 접속되어 있다.
도 1로부터 분명히 알 수 있는 바와 같이, 본딩 와이어(21∼26)는 IDT(5, 6) , 반사기(7, 8), IDT(9, 10) 및 반사기(11, 12)의 상측을 통과하지 않도록 배열되어 있다.
본 바람직한 실시예의 탄성 표면파 장치(1)를 제조할 때에는, 웨이퍼(도시하지 않음)상에 복수의 탄성 표면파 장치(1)의 전극 구조를 매트릭스 형상으로 형성하고, 그런 다음, 웨이퍼로부터 각각의 탄성 표면파 소자(3)를 잘라낸다. 다음으로, 패키지 본체(2) 내에 탄성 표면파 소자(3)를 수납하고, 본딩 와이어(21∼26)를 사용함으로써 전기적 접속을 행한다. 또한, 탄성 표면파 장치(1)를 제조할 때, 각각의 탄성 표면파 소자(3)의 주파수 특성을 측정한다. 조건에 맞다고 판별된 탄성 표면파 소자(3)를 패키지 본체(2) 내에 수납하고, 상술한 바와 같이 본딩 와이어(21∼26)를 사용함으로써 전기 배선을 행한다.
전극이 탄탈룸에 의해 만들어져 질량이 증가할 때는, 비록 웨이퍼상의 전극막 두께의 변동이 작다하더라도, 최종적으로 얻어진 탄성 표면파 장치(1)의 주파수 특성이 원하는 주파수 특성으로부터 벗어날 가능성이 많다.
따라서, 패키지 본체(2) 내에 탄성 표면파 소자(3)를 수납하고, 본딩 와이어(21∼26)를 사용하여 전기 배선을 행하는 단계에서, 주파수 특성을 다시 측정하여, 만약 주파수 특성이 목표 주파수와 다르면, 탄성 표면파 소자(3)를 이온 건에 의해 에칭한다.
즉, 주파수를 조정하기 위해, 이온 건을 사용해서 압전 기판(3)의 상측으로부터 이온 빔을 조사하여 IDT(5, 6, 9, 10) 및 반사기(7, 8, 11, 12)를 에칭한다. 본 바람직한 실시예에서는, IDT(5, 6, 9, 10)뿐만 아니라 반사기(7, 8, 11, 12)상에도 본딩 와이어가 존재하고 있지 않기 때문에, 이온 건에 의해 조사된 이온 입자가 본딩 와이어(21∼26)에 의해 방해받지 않고 상술한 에칭이 행해진다.
따라서, 주파수 조정을 고정밀도로, 또한 매우 용이하게 행할 수 있다. 이 사실을 구체적인 실시예에 기초하여 설명한다.
압전 기판(4)으로서 오일러각(0°, 127°, 90°)을 갖는 수정 기판을 사용하고, 상술한 바람직한 실시예에 따라 SH타입 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치(1)를 제작한다. 비교하기 위하여, 도 4에 나타낸 바와 같이 본딩 와이어(121, 126)가 반사기(107, 112)상을 통과하고 있는 것을 제외하고는 상술한 바람직한 실시예의 예와 동일한 방법으로 구성한 탄성 표면파 장치를 제작한다. 이들 2종류의 탄성 표면파 장치에 대하여, 이온 건으로부터 이온 빔을 조사함으로써 주파수 조정을 행한다. 이렇게 하여 주파수 조정된 각 탄성 표면파 장치의 감쇠량 주파수 특성 및 그룹 지연 시간 특성을 도 2 및 도 5에 각각 나타낸다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 종래예의 탄성 표면파 장치에서는, 화살표 A, B로 나타내는 리플이 대역폭 내에 있으나, 도 2에 나타낸 바람직한 실시예의 예에서는, 이와 같은 리플이 억압되고 있는 것을 알 수 있다.
즉, IDT 및 반사기의 상측에 와이어가 존재할 때에는, 상측에서 봤을 때의 본딩 와이어의 면적이 비록 작다 하더라도, 입사되는 이온 입자가 어지럽혀지고, 입자 밀도의 균일성이 저하된다. 그에 따라, 종래예에서는 칩 표면이 불균일하게 에칭되고, 불균일한 에칭에 의해 발생되는 탄성 표면파의 음속의 변동때문에 상기 리플이 발생한다고 생각된다.
또한, 본 바람직한 실시예에서는, 비록 전극 재료로서 바람직하게는 탄탈룸을 사용하고, 상술한 특정의 오일러각을 갖는 수정 기판을 사용하고 있으나, 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치에서는 IDT 및 반사기를 구성하는 전극 재료가 특별히 한정되지는 않는다. 그러나, 알루미늄보다도 질량이 큰 탄탈룸 또는 합금과 같은금속을 사용한 전극인 경우에, 막두께의 변동에 의한 영향이 커지기 때문에, 알루미늄보다도 질량이 큰 금속 또는 합금으로 만들어진 전극을 사용한 탄성 표면파 장치에 본 발명을 바람직하게 적용할 수 있다.
알루미늄보다도 질량이 큰 금속으로서, 탄탈룸 대신에 Au, W, Mo, Ni, Cu, Co, Cr, Zn, Fe, Mn금속 또는 그 밖의 적절한 재료를 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 다양한 바람직한 실시예에 따른 탄성 표면파 장치에 있어서의 전극은 알루미늄보다도 질량이 큰 금속 또는 합금만으로 구성되어도 되며, 또한 전극은 이들 금속 또는 합금층을 포함하는 적층 구조로 만들어져도 된다.
또한, 수정 기판 이외에 다른 단결정 기판(single-quartz substrate)이나 압전 세라믹 기판을 사용하여 압전 기판을 구성해도 된다.
또한, 상술한 바람직한 실시예에서는, 주파수를 조정하기 위하여 에칭시에 바람직하게는 이온 빔을 에너지 빔으로서 조사하였으나, 이온 빔을 대신하여 전자 빔과 같은 다른 적절한 에너지 빔을 조사해도 된다.
또한, 상술한 바람직한 실시예에서는, 제 1, 제 2 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 세로로 접속하여 이루어진 2단 구성을 갖는 탄성 표면파 필터를 설명하였으나, 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치는 이에 한정되지 않으며, 사다리형 회로 구성을 갖는 사다리형 필터, 격자 형상으로 복수의 탄성 표면파 공진자가 접속되어 있는 격자형 필터 등의 적당한 탄성 표면파 필터, 또는 탄성 표면파 공진자를 포함하는 다른 탄성 표면파 장치에도 적용할 수 있다.
또한, 이용되는 탄성 표면파는 SH타입 탄성 표면파에 한정되지 않으며, 레일리파, 러브파, 그밖의 적당한 파와 같은 다른 탄성 표면파를 사용해도 된다.
도 3은 상술한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄성 표면파 장치를 포함하는 통신 장치(160)를 설명하기 위한 도식적인 블록도이다.
도 3에 있어서, 듀플렉서(162)가 안테나(161)에 접속되어 있다. RF단을 구성하는 탄성 표면파 필터(164) 및 증폭기(165)가 듀플렉서(162)와 수신측 믹서(163) 사이에 접속되어 있다. 또한, IF단의 탄성 표면파 필터(169)가 상기 믹서(163)에 접속되어 있다. 또한, RF단을 구성하는 증폭기(167) 및 탄성 표면파 필터(168)가 듀플렉서(162)와 송신측 믹서(166) 사이에 접속되어 있다.
상술한 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 구성된 탄성 표면파 장치를 상기 통신장치(160)의 탄성 표면파 필터(169)로서 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄성 표면파 장치에서는, 본딩 와이어가 탄성 표면파 소자의 IDT 및 반사기 양쪽의 상측을 통과하지 않도록 배열되어 있기 때문에, 에너지 빔을 조사하여 주파수 조정을 행할 때에, 탄성 표면파 소자의 표면을 고정밀도로 에칭할 수 있으며, 그에 따라, 주파수 조정을 매우 정확하게 행할 수 있어, 원하는 필터링 및 공진 특성을 갖는 탄성 표면파 장치를 제공하는 것이 가능해진다.
IDT 및 반사기를 구성하는 전극 재료가 알루미늄보다도 질량이 큰 금속 또는 합금인 경우, 전극막 두께의 변동에 의해 주파수가 크게 변동할 가능성이 있으나, 본 발명에서는 상술한 바와 같이, 주파수 조정을 고정밀도로 또한 용이하게 행할수 있기 때문에, 질량이 큰 금속으로 만들어진 탄성 표면파 장치에 있어서 본 발명을 바람직하게 이용할 수 있다.
압전 기판이 수정 기판으로 만들어진 경우, 수정 기판상에 알루미늄보다도 질량이 큰 금속 또는 합금으로 만들어진 전극을 구성함으로써 SH타입 파(wave)를 이용한 탄성 표면파 장치를 구성할 수 있으며, 그 경우에는, 본 발명에 따라 주파수 조정을 용이하게 행할 수 있고, 주파수 특성의 변동이 작으며, SH타입 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 탄성 표면파 장치의 주파수 조정 방법에서는, 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치의 주파수를 조정할 때에, 패키지에 탑재된 탄성 표면파 소자의 IDT 및 반사기를 상측으로부터 에너지 빔을 조사함으로써 에칭하여 주파수 조정을 행하며, 이러한 경우, 본딩 와이어가 IDT 및 반사기의 상측에 존재하지 않기 때문에, 용이하게 또한 고정밀도로 주파수 조정을 행할 수 있다.
상기 에너지 빔을 조사하기 위한 장치로서 이온 건을 사용하여 이온 빔을 조사함으로써 탄성 표면파 소자의 IDT 및 반사기를 에칭할 수 있으며, 고정밀도로 또한 용이하게 주파수를 조정할 수 있다.
본 발명은 바람직한 실시예를 참조하여 상세히 도시하고 설명하였으나, 당해 기술 분야의 전문가는 상술과 형태 및 세부 항목에서 기타 변형이 본 발명의 정신과 범위로부터 벗어나지 않고 실시될 수 있음을 이해할 것이다.
Claims (15)
- 압전 기판, 상기 압전 기판상에 배치된 적어도 하나의 인터디지탈 전극 트랜스듀서 및 상기 압전 기판상에 배치된 적어도 하나의 반사기를 갖는 탄성 표면파 소자;상기 탄성 표면파 소자가 그 안에 탑재되며, 또한 상기 탄성 표면파 소자에 전기적으로 접속되는 전극 랜드를 갖는 패키지; 및상기 탄성 표면파 소자를 상기 패키지의 전극 랜드에 전기적으로 접속하는 복수의 본딩 와이어를 포함하며,상기 본딩 와이어는 상기 탄성 표면파 소자의 상기 적어도 하나의 인터디지탈 전극 트랜스듀서 및 상기 적어도 하나의 반사기의 양쪽의 상측을 통과하지 않도록 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 인터디지탈 전극 트랜스듀서 및 상기 적어도 하나의 반사기가 알루미늄보다도 질량이 큰 금속 또는 상기 금속을 포함하는 합금으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 압전 기판이 수정 기판인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 인터디지탈 전극 트랜스듀서가 탄탈룸, Au, W, Mo, Ni, Cu, Co, Cr, Zn, Fe 및 Mn 중의 하나로 만들어지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1항에 있어서, 탄성 표면파 전파 방향을 따라 상기 압전 기판상에 제 1 복수의 인터디지탈 전극 트랜스듀서가 배치되어 있고, 상기 제 1 복수의 인터디지탈 전극 트랜스듀서가 배치되어 있는 영역의 상기 탄성 표면파 전파 방향 양측에 제 1 복수의 반사기가 배치되어 있으며, 상기 탄성 표면파 전파 방향과 대략 직교하는 방향으로 떨어진 위치에서 탄성 표면파 전파 방향을 따라 제 2 복수의 인터디지탈 전극 트랜스듀서가 배치되어 있고, 상기 제 2 복수의 인터디지탈 전극 트랜스듀서가 형성되어 있는 영역의 탄성 표면파 전파 방향 양측에 제 2 복수의 반사기가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1항에 있어서, 서로 접속되어 있는 제 1, 제 2 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 압전 기판, 상기 압전 기판상에 배치된 적어도 하나의 인터디지탈 전극 트랜스듀서 및 상기 압전 기판상에 배치된 적어도 하나의 반사기를 갖는 탄성 표면파 소자;상기 탄성 표면파 소자가 그 안에 탑재되며, 또한 탄성 표면파 소자에 전기적으로 접속되는 전극 랜드를 갖는 패키지; 및상기 탄성 표면파 소자를 상기 패키지의 전극 랜드에 전기적으로 접속하는 복수의 본딩 와이어를 포함하며,상기 본딩 와이어가 상기 탄성 표면파 소자의 적어도 하나의 인터디지탈 전극 트랜스듀서 및 적어도 하나의 반사기의 상측을 통과하지 않도록 배열되어 있는 적어도 하나의 탄성 표면파 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 통신장치.
- 제 7항에 있어서, 상기 적어도 하나의 인터디지탈 전극 트랜스듀서 및 상기 적어도 하나의 반사기가 알루미늄보다도 질량이 큰 금속 또는 상기 금속을 포함하는 합금으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 통신장치.
- 제 7항에 있어서, 상기 압전 기판이 수정 기판인 것을 특징으로 하는 통신장치.
- 제 7항에 있어서, 상기 적어도 하나의 인터디지탈 전극 트랜스듀서가 탄탈룸, Au, W, Mo, Ni, Cu, Co, Cr, Zn, Fe 및 Mn 중의 하나로 만들어지는 것을 특징으로 하는 통신장치.
- 제 7항에 있어서, 탄성 표면파 전파 방향을 따라 상기 압전 기판상에 제 1 복수의 인터디지탈 전극 트랜스듀서가 배치되어 있고, 상기 제 1 복수의 인터디지탈 전극 트랜스듀서가 배치되어 있는 영역의 상기 탄성 표면파 전파 방향 양측에 제 1 복수의 반사기가 배치되어 있으며, 상기 탄성 표면파 전파 방향과 대략 직교하는 방향으로 떨어진 위치에서 탄성 표면파 전파 방향을 따라 제 2 복수의 인터디지탈 전극 트랜스듀서가 배치되어 있고, 상기 제 2 복수의 인터디지탈 전극 트랜스듀서가 형성되어 있는 영역의 탄성 표면파 전파 방향 양측에 제 2 복수의 반사기가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 통신장치.
- 제 7항에 있어서, 서로 접속되어 있는 제 1, 제 2 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 통신장치.
- 압전 기판상에 배치된 적어도 하나의 인터디지탈 전극 트랜스듀서 및 적어도 하나의 반사기를 갖는 탄성 표면파 소자와, 상기 탄성 표면파 소자가 그 안에 탑재되며, 또한 탄성 표면파 소자에 전기적으로 접속되는 전극 랜드를 갖는 패키지를 포함하는 탄성 표면파 장치를 형성하는 단계,상기 탄성 표면파 소자를 상기 패키지의 전극 랜드에 전기적으로 접속하는 복수의 본딩 와이어를, 상기 탄성 표면파 소자의 상기 적어도 하나의 인터디지탈 전극 트랜스듀서 및 상기 적어도 하나의 반사기의 상측을 통과하지 않도록 배열하는 단계, 및상기 적어도 하나의 인터디지탈 전극 트랜스듀서 및 상기 적어도 하나의 반사기를 상측으로부터 에너지 빔을 조사함으로써 에칭하여 탄성 표면파 장치의 주파수를 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 주파수 조정 방법.
- 제 13항에 있어서, 상기 에너지 빔을 조사하는 단계에서 이온 건(ion gun)이 사용되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 주파수 조정 방법.
- 제 13항에 있어서, 상기 에너지 빔을 조사하는 단계에서 전자 건(electron gun)이 사용되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 주파수 조정 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001034984A JP2002237736A (ja) | 2001-02-13 | 2001-02-13 | 弾性表面波装置及びその弾性表面波装置の周波数調整方法 |
| JPJP-P-2001-00034984 | 2001-02-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020066991A true KR20020066991A (ko) | 2002-08-21 |
Family
ID=18898493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020020007417A KR20020066991A (ko) | 2001-02-13 | 2002-02-08 | 탄성 표면파 장치 및 그 탄성 표면파 장치의 주파수 조정방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20020113525A1 (ko) |
| JP (1) | JP2002237736A (ko) |
| KR (1) | KR20020066991A (ko) |
| DE (1) | DE10205726A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004047577A (ja) * | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Kyocera Corp | 電子部品装置 |
| JP2007166461A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波素子、及びこれを用いた弾性表面波デバイス |
| JP2007208516A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波デバイスの製造方法及び弾性表面波デバイス |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2117593B (en) * | 1982-03-31 | 1985-11-27 | Marconi Co Ltd | Adjusting the frequency response of surface acoustic wave devices |
| US4527082A (en) * | 1982-07-06 | 1985-07-02 | General Electric Company | Surface acoustic wave device from eutectic deposit |
| US4442574A (en) * | 1982-07-26 | 1984-04-17 | General Electric Company | Frequency trimming of saw resonators |
| DE3235236A1 (de) * | 1982-09-23 | 1984-03-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Oberflaechenwellenfilter, sowie verfahren zur herstellung einer bedaempfungsschicht fuer oberflaechenwellenfilter |
| DE3485015D1 (de) * | 1983-12-15 | 1991-10-10 | Toshiba Kawasaki Kk | Akustischer oberflaechenwellenresonator. |
| NO855284L (no) * | 1985-01-18 | 1986-07-21 | Siemens Ag | Filter som arbeider med akustiske boelger. |
| US5235233A (en) * | 1988-03-17 | 1993-08-10 | Fanuc Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US4978879A (en) * | 1988-07-27 | 1990-12-18 | Fujitsu Limited | Acoustic surface wave element |
| US4933588A (en) * | 1988-12-23 | 1990-06-12 | Raytheon Company | Higher order transverse mode suppression in surface acoustic wave resonators |
| JP3005000B2 (ja) * | 1989-05-18 | 2000-01-31 | キヤノン株式会社 | 超音波モータ用圧電素子の電極パターンの形成方法 |
| JP3360541B2 (ja) * | 1995-10-20 | 2002-12-24 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置及びその設計方法 |
| US6625855B1 (en) * | 1999-10-06 | 2003-09-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing surface acoustic wave device |
-
2001
- 2001-02-13 JP JP2001034984A patent/JP2002237736A/ja active Pending
-
2002
- 2002-01-14 US US10/043,204 patent/US20020113525A1/en not_active Abandoned
- 2002-02-08 KR KR1020020007417A patent/KR20020066991A/ko active Search and Examination
- 2002-02-12 DE DE10205726A patent/DE10205726A1/de not_active Ceased
-
2005
- 2005-03-31 US US11/097,086 patent/US20050184622A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002237736A (ja) | 2002-08-23 |
| US20050184622A1 (en) | 2005-08-25 |
| DE10205726A1 (de) | 2002-09-19 |
| US20020113525A1 (en) | 2002-08-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| B601 | Maintenance of original decision after re-examination before a trial | ||
| J301 | Trial decision |
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