JP2002271165A

JP2002271165A - 弾性表面波フィルタ及びその特性調整方法

Info

Publication number: JP2002271165A
Application number: JP2001070850A
Authority: JP
Inventors: Ikuo Ohara; 郁夫尾原; Miki Ito; 幹伊藤; Shigehiko Nagamine; 成彦長峰; Kazuhiro Otsuka; 一弘大塚
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-03-13
Filing date: 2001-03-13
Publication date: 2002-09-20

Abstract

(57)【要約】【課題】帯域抑圧特性が良好である弾性表面波フィル
タ及びその特性（特に帯域抑圧特性）調整方法を提供す
ること。【解決手段】圧電基板１の一主面上に弾性表面波を励
振する励振電極２を設けるとともに、圧電基板１の他主
面側の最上層に、帯域抑圧特性調整用の導体層３を設け
た弾性表面波フィルタＳ１とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波フィルタ
に関し、特にＧＨｚ帯域を含む高周波帯域において、優
れた帯域抑圧特性を有する弾性表面波フィルタに関す
る。

【０００２】

【発明の背景】近年、各種通信機器に弾性表面波フィル
タが使用されるようになり、機器の小型化や通過帯周波
数の無調整化に一役を担っている。そして、通信機器の
高周波数化・高機能化の進展にともない、帯域幅や減衰
量のバリエーションを備えたフィルタの要求が益々増大
してきている。

【０００３】例えば、９００ＭＨｚ帯の携帯電話用フィ
ルタには実効通過帯域幅が２５ＭＨｚ（比帯域幅２．８
％）のものが、２ＧＨｚ帯の携帯電話用フィルタでは実
効通過帯域幅が７５ＭＨｚ（比帯域幅４．１％）の低挿
入損失な帯域通過フィルタが要求されている。これは、
携帯電話用フィルタが空中線の微弱な信号を濾波する目
的で使用されるため、シグナル／ノイズ比率を大きくと
らねばならない、すなわち、低損失でなければならない
からである。

【０００４】一方、フィルタの機能としては、通信規格
から要求されるブロッキング性能をも満足することが必
須要件とされるが、前述の低損失性能とブロッキング特
性を満足する帯域抑圧特性は互いにトレードオフの関係
にあり、その両立は非常に困難である。設計上では低損
失を優先せざるを得ないため、帯域抑圧特性は筐体の内
部及び外部に設けた引出し電極、及び圧電基板上に形成
した弾性表面波の励振電極により生じる浮遊電気特性
を、集中定数や分布定数を用いた周辺回路として定義
し、フィルタ特性獲得に積極的に利用してきた。つま
り、周辺回路の定数を調整することにより特定の周波数
の帯域抑圧特性（減衰極）を設計上向上させてきた。し
かし、前述の励振電極により生じる浮遊電気特性だけで
は、利用可能な回路定数が不足し、目的の周波数に帯域
抑圧特性を設計することが困難である場合がある。

【０００５】また、この方法では製造工程中で発生する
製造バラツキにより、周辺回路の定数変動が発生し、結
果的に帯域抑圧特性を劣化させるが、これまで製造工程
内でこの劣化を防ぐ方法が無かった。

【０００６】図４及び図５に従来の弾性表面波フィルタ
の構造例を示す。図４は平面透視図で示した図５におけ
るＢ−Ｂ’線断面図である。

【０００７】図４及び図５に示すように、筐体８内に収
容された弾性表面波フィルタＪにおいて、圧電基板１の
主面には弾性表面波を励振するための励振電極２が形成
されている。この励振電極２に接続された素子側引出し
電極４には、部分的に電極を厚くしたバンプ用電極５が
載置されており、バンプ用電極５上に電気的接合と機械
的保持機能を併せ持つバンプ６が形成されている。励振
電極２上には、電極保護のため保護膜（不図示）が積層
されている。

【０００８】ここで、バンプ６は素子側引出し電極４と
それに対向する筐体側内部引出し電極７との間で、熱超
音波接合技術を用いて電気的機械的に接合され、バンプ
６の高さを制御することにより、励振電極２は励振空間
が確保されている。筐体８の開口上面には蓋体１１が載
置され気密構造としている。

【０００９】前述の通り、この弾性表面波フィルタＪに
おいては、設計時点では筐体側内部引出し電極７及び筐
体側外部引き出し電極９等を、集中定数や分布定数を用
いた周辺回路として定義し、帯域通過特性及び主として
帯域抑圧特性を設計上調整することができるが、製造工
程中で発生する圧電基板１の配設位置の変動、及びバン
プ６の高さのバラツキ等により生じる周辺回路の定数変
動による、帯域抑圧特性の周波数バラツキについては有
効な修正の方法が無かった。

【００１０】このような状況に鑑み、本発明は帯域抑圧
特性が良好である弾性表面波フィルタ及びその特性（特
に帯域抑圧特性）調整方法を提供することを目的とす
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の弾性表面波フィルタは、圧電基板の一主面
上に弾性表面波を励振する励振電極を設けるとともに、
前記圧電基板の他主面側に、帯域抑圧特性調整用の導体
層を設けたことを特徴とする。

【００１２】また、圧電基板の一主面上に弾性表面波を
励振する励振電極を設けるとともに、前記圧電基板の他
主面側に、少なくとも静電容量付加用の誘電体層及び帯
域抑圧特性調整用の導体層を順次積層させたことを特徴
とする。この構成によれば、フィルタ全体に対する静電
容量付加用の誘電体層を設けているので、周辺回路を含
むフィルタ特性を設計する際に、帯域抑圧特性の周波数
設定の自由度が大きくなり有利である。

【００１３】また、本発明の弾性表面波フィルタの特性
調整方法は、前記導体層をレーザー光の照射により所定
領域を除去して、帯域抑圧特性を調整するようにしたこ
とを特徴とする。

【００１４】これにより、励振電極、圧電基板、（誘電
体層、）及び導体層のそれぞれの間に適当な静電容量を
発生させることにより、帯域抑圧特性を好適に調整が可
能となる。また、このときの調整は、導体層をレーザー
光の照射により除去してきわめて容易に実現が可能であ
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る弾性表面波フ
ィルタの実施形態を模式的に示した図面に基づき詳細に
説明する。なお、既に説明した同一部材には同一符号を
付し説明を省略する。図１及び図２は、図３に示す蓋体
１１を除いた様子を示す平面図におけるＡ−Ａ’線断面
図を示す。

【００１６】図１及び図３に示すように、圧電基板１と
して例えば３８〜４４度回転ＹカットＸ伝搬のニオブ酸
リチウム単結晶、もしくは６１〜６７度回転ＹカットＸ
伝搬のニオブ酸リチウム単結晶を用い、この圧電基板１
の一主面上に弾性表面波を励振する励振電極２を設け、
圧電基板１の他主面側の最上層には、帯域抑圧特性調整
用の導体層３を設けて弾性表面波フィルタＳ１を構成し
ている。また、圧電基板１の他主面側に、少なくとも静
電容量付加用の誘電体基板である誘電体層１３及び帯域
抑圧特性調整用の導体層３を順次積層して成る。

【００１７】ここで、圧電基板１と誘電体層１３とは両
者の主面を鏡面（算術平均粗さで約６ｎｍ以下）に加工
後、両者を位置合わせして、次いで、加熱処理すること
により両者を密着させている。この接合には、図示のよ
うに接着材を用いた接着層１５を介在させてもよいが、
全体の誘電率が低下し、特に励振電極２と導体層３間の
静電容量が低下する場合も考えられるので、より好適に
は前者の接合方法を採用するものとする。

【００１８】励振電極２は圧電基板１の一主面上に、Ａ
ｌ、Ａｌ合金、またはＡｌを含む多層膜を、スパッタま
たはＥＢ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＢｅａｍ）蒸着等の薄膜
形成方法を用いて成膜し、フォトリソグラフィ等の工程
を用いて作製して弾性表面波素子とする。

【００１９】この弾性表面波素子は、複数対から成る励
振電極の弾性表面波伝搬軸上の両端に、複数本から成る
反射電極を載置して成る弾性表面波共振子を、梯子型に
組み合わせたラダー型回路、または弾性表面波共振子を
格子型に組み合わせたラティス型回路、もしくは複数対
から成る励振電極を表面波伝搬軸上に複数組組み合わせ
て成る共振器型回路等に構成したものであり、動作周波
数は８００ＭＨｚ〜５ＧＨｚ帯とする。

【００２０】弾性表面波素子を構成する複合基板１４
は、圧電基板１と誘電体基板である誘電体層１３の合計
の厚みが０．１０〜０．３５ｍｍのウエハを使用してチ
ップサイズに切断して得たものである。特に、圧電基板
１の厚みを０．１０〜０．２５ｍｍとし、誘電体層１３
の厚みを０．１０〜０．２５ｍｍとして、両者を組み合
わせることで構成した。前記合計厚みの理由は、０．１
０ｍｍ以下ではウエハ工程中の破損不良が増加し、０．
３５ｍｍ以上の厚みでは後記する導体層３、励振電極２
及び素子側引出し電極４の間の静電容量が減少するた
め、帯域抑圧特性（減衰極）を充分に周波数制御できな
くなるからである。

【００２１】さらに、フリップチップ実装時のバンプ付
着強度を確保するため、バンプ用電極５の厚みを約１μ
ｍ以上とする。

【００２２】次に、圧電基板１の励振電極２を設けてい
ない他主面側に、導体層３を成膜する。この導体層３は
周波数変動の要因になることを避けるため膜応力が小さ
く、且つ低抵抗であることが望ましい。したがって導電
性の金属膜が好ましく、具体的にはＡｌ、Ａｌ合金、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、またはＡｕ等が好適である。また、この膜厚
は５０ｎｍ〜６００ｎｍとする。この理由は５０ｎｍ以
下の場合、導体層の導電性が劣化し静電容量のＱが充分
に得られないので、減衰極の帯域抑圧レベルが劣化する
ためである。また、６００ｎｍ以上の導体層の場合、特
性の劣化は発生しないが、レーザー光の照射により昇華
した導体が筐体内部を汚染する可能性が増加するからで
ある。

【００２３】バンプ用電極５上に、Ａｕからなるボール
を熱超音波圧接し、バンプ６を形成する。

【００２４】励振電極２をセラミックスからなる筐体８
のキャビティ側と相対向させて挿入し、素子側のバンプ
用電極５上に接合したバンプ６と、筐体８のキャビティ
内に配置した筐体側内部引出し電極７が電気的に導通す
るように、熱超音波接合する。

【００２５】これにより、導電層３、励振電極２、及び
素子側引出し電極４（または筐体８に設けた筐体側内部
引出し電極７）の間に発生する静電容量により、弾性表
面波フィルタの減衰特性に生じる帯域抑圧特性（減衰
極）を有効利用し、所望の減衰特性を実現できる。

【００２６】このように、筐体８内に載置した弾性表面
波素子を、ネットワークアナライザー等を用いて測定し
ながら、レーザー光の照射により、弾性表面波素子の導
体層３の面積を減少させることで、減衰極を任意の周波
数に誘導できる。

【００２７】レーザー光の照射にはＹＡＧレーザーまた
は炭酸ガスレーザーを用いる。好ましくはＹＡＧレーザ
ーを用いる。その理由は５００〜８００度以下の融点の
金属を昇華させるのに出力強度が適当だからである。

【００２８】前述のレーザー光によるトリミング方法と
しては、導体層３を除去するのに必要な面積をレーザー
・スキャンする方式と、レーザービーム面積を広げ大面
積でショットする方式があるが、前者の方法により導体
層３の面積の微調整を行う方法が好ましい。レーザー光
を用いることにより大気中にて減衰極の周波数調整が可
能になるので、真空チャンバー内への導入の手間がかか
らず、製造工程中で測定評価を行いながらのフィルタ特
性の調整に好適である。

【００２９】次に、筐体８のキャビティ部の外縁上部
に、蓋体１１を銀ロー等の封止材１０を用いてシームウ
エルド法により接合したり、エポキシ樹脂接着剤または
はんだ等の封止材１０を用いて接合する。

【００３０】かくして、弾性表面波フィルタＳ１の構成
・特性調整方法によれば、弾性表面波フィルタの通過帯
域特性および帯域抑圧特性の双方を良好に設計し、工程
中で特性調整を行うことにより、高い品質の弾性表面波
フィルタを歩留り良く提供できる。

【００３１】次に、図２及び図３に示す弾性表面波フィ
ルタＳ２について説明する。

【００３２】図１に示す弾性表面波フィルタＳ１と同様
な回路構成で同様な動作周波数を有する弾性表面波素子
を作製するが、弾性表面波フィルタＳ２では、簡便に作
製でき、且つ弾性表面波Ｓ１と同等の高静電容量を得ら
れるように、タンタル酸リチウム単結晶等の高誘電率を
有する圧電基板１の他主面側（上面側）に帯域抑圧特性
調整用の導体層３のみを設けている。

【００３３】この構成により、弾性表面波フィルタの減
衰特性に生じる帯域抑圧特性（減衰極）を有効利用し、
所望の減衰特性を実現できる。その理由は、圧電基板材
料にタンタル酸リチウム単結晶等の高誘電率を有する材
料を採用することで、圧電基板１の他主面側に導体層３
のみを設けた構造でも、必要充分な静電容量を発生でき
る。

【００３４】導体層３は周波数変動の要因になることを
避けるため膜応力が小さく、且つ低抵抗であることが望
ましい。したがって、導電性の金属膜が好ましく、具体
的にはＡｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｎｉ、またはＡｕ等が好
適である。また、この膜厚は５０ｎｍ〜６００ｎｍとす
る。この理由は５０ｎｍ以下の場合、導体層の導電性が
劣化し静電容量のＱが充分に得られないため、減衰極の
帯域抑圧レベルが劣化するためである。また、６００ｎ
ｍ以上の導体層の場合、特性の劣化は発生しないが、レ
ーザー光の照射により昇華した導体が筐体内部を汚染す
る可能性が増加するからである。

【００３５】かくして、この弾性表面波フィルタＳ１に
よっても、導電層３、励振電極２、及び素子側引出し電
極４（または筐体８に設けた筐体側内部引出し電極７）
の間に発生する静電容量により、弾性表面波フィルタの
減衰特性に生じる帯域抑圧特性（減衰極）を有効利用
し、所望の減衰特性を実現できる。

【００３６】また、弾性表面波フィルタＳ１以上に静電
容量を容易に得ることが可能であるため、誘電損失の影
響も小さくなり高減衰特性の作用・効果も期待できる。

【００３７】さらに、弾性表面波フィルタＳ１と同様に
して、導体層３をレーザー光の照射により所定領域を除
去して、帯域抑圧特性を簡便に調整できる。

【００３８】なお、本実施形態では、圧電基板や誘電体
層としてニオブ酸リチウム単結晶及びタンタル酸リチウ
ム単結晶を例にとり説明したが、例えば四硼酸リチウム
単結晶やランガサイト型結晶構造を有する単結晶等を用
いることもでき、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜
変更し実施が可能である。

【００３９】

【実施例】＜例１＞次に、図１に示した弾性表面波装置
の基本的な構造にしたがって具体的に作製したラダー型
回路構成を備えた弾性表面波フィルタについて説明す
る。

【００４０】６４度回転ＹカットＸ伝搬の厚さ０．１５
ｍｍのニオブ酸リチウムからなる圧電基板１と３６回転
ＹカットＸ伝搬の厚さ０．２０ｍｍのタンタル酸リチウ
ム単結晶から成る誘電体基板である誘電体層１３は夫々
主面を鏡面仕上げし、オリエンテーションフラット面を
基準とし光学定板上で面接合した。接合後、還元雰囲気
中で加熱し接合面の密着度を上げた。

【００４１】このようにして作製した複合基板１４の６
４度ＹカットＸ伝搬のニオブ酸リチウム単結晶からなる
主面上に励振電極２を作製した。作製したフィルタは、
９００ＭＨｚ帯において比帯域幅約４．０％の受信用弾
性表面波フィルタであり、励振電極幅及び電極スペース
（電極指間スペース）は夫々約１μｍとした。

【００４２】また、フィルタの構成は、前記弾性表面波
励振電極２を配した弾性表面波共振子を５個使用した
２．５段のπ型ラダー型弾性表面波フィルタであり、夫
々の弾性表面波共振子の構成は低損失と高帯域外減衰量
を得るため直列側と並列側の容量比を大きくとってあ
る。

【００４３】弾性表面波共振子の構成は、励振電極２の
対数が直列側にて約６０対、並列側で約１００対とし
た。弾性表面波共振子の平均波長をλとすると、交差幅
は直列側１５λ、並列側３０λである。電極の材質はス
パッタリング法によって成膜した厚みが約３００ｎｍの
Ａｌ−Ｃｕ１重量％合金膜を使用した。ここで、スパッ
タリング法を用いた理由は、電極材料として使用するア
ルミ合金膜の金属組成比を変化させないためで、例え
ば。ＥＢ蒸着法等、他の方法ではＡｌ−Ｃｕ合金膜の金
属組成比は蒸着中のＡｌまたはＣｕの蒸気圧曲線に比例
するため、成膜条件で金属組成比が変化し、周波数ドリ
フトの原因となるためである。

【００４４】この後、弾性表面波励振電極２を載置した
面の基板上にＣＶＤ法を用いてＳｉＯ２から成る保護膜
１２を３０ｎｍの厚みに成膜した。ここで、ＣＶＤ法を
用いた理由は、励振電極側面へのＳｉＯ２膜の被覆性を
考慮した結果である。

【００４５】バンプ用電極５上にＡｕバンプ６を形成す
るため、保護膜１２をバンプ用電極５上から選択的に除
去し、バンプ用電極５の部分のみを多層膜化する必要が
ある。このため、ウエハ上にフォトレジストを再塗布
し、フォトリソグラフィ法を用いてバンプ用電極部分の
みを選択的に露出させた後、ＲＩＥ（リアクティブ・イ
オン・エッチング）装置を利用してバンプ用電極５上の
ＳｉＯ２層を除去した。エッチングの際に使用した反応
性ガスは、ＣＦ４及びＯ２ガスを主成分として選択し
た。ＲＩＥは方向選択性が強いため、フォトリソグラフ
ィ工程で得られたフォトレジスト寸法どおりのバンプ用
電極を露出することができる。さらに、このフォトレジ
スト上からＥＢ蒸着法を用いてアルミニウム膜を約１μ
ｍ積層し、リフトオフ法を用いてバンプ用電極部分以外
の不要なアルミニウム電極を除去することでバンプ用電
極５部分のみ電極材料を積層できた。

【００４６】バンプ用電極５上にバンプボンダを使用し
て、バンプ直径約９０μｍ、高さ約６０μｍのＡｕバン
プを作製した。

【００４７】ウエハの分割はダイシングソーを用い、ダ
イヤモンド砥粒＃６００を用いて約１ｍｍ□のピッチで
切断した。この条件はダイシング時に発生するチッピン
グ寸法を約２０μｍに抑える事を条件に選定した。

【００４８】弾性表面波素子を筐体８のキャビティと弾
性表面波励振電極２を相対向させ、筐体内引出し電極７
とバンプ用電極５上に形成したＡｕバンプ６を熱超音波
接合することにより、弾性表面波励振電極２と筐体外部
電極９が電気的に接合される。

【００４９】弾性表面波フィルタの減衰極の周波数調整
にはＹＡＧレーザーを用いた。使用したレーザーはレー
ザートリマのスポット系を直径約０．０５ｍｍまで収束
させ、短パルスによるショットを繰り返して影響度を調
整した。減衰極の周波数調整はレーザーショットを利用
し、ネットワークアナライザ（ヒューレットパッカード
社製：型番ＨＰ８７５３ＥＳ）による測定と平行して実
施した。

【００５０】蓋体１１は厚さ１００μｍのコバール平板
をプレス加工にて外形加工し、表面のエッチング加工を
施した後に無電界Ｎｉメッキを施した。蓋体１１とパッ
ケージ筐体８との接合はシーム溶接を行った。

【００５１】弾性表面波素子の電気的特性の測定には、
前記のネットワークアナライザを使用し、９００ＭＨｚ
において良好な電気的特性を確認できた。

【００５２】＜例２＞次に図２に示した弾性表面波装置
Ｓ２の基本的な構造にしたがって具体的に作製したラダ
ー型弾性表面波フィルタについて説明する。

【００５３】３６度回転ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リ
チウム単結晶からなる圧電基板１上に、励振電極２を作
製した。作製したフィルタは、図１と同様に９００ＭＨ
ｚ帯において比帯域幅約４．０％の受信用弾性表面波フ
ィルタであり、励振電極幅及び電極スペースは夫々約１
μｍとした。また、用いたタンタル酸リチウム単結晶基
板は直径３インチ、厚み０．２５ｍｍとした。

【００５４】フィルタの構成は、励振電極２を配した弾
性表面波共振子を５個使用した２．５段のπ型ラダー型
弾性表面波フィルタであり、夫々の弾性表面波共振子の
構成は低損失と高帯域外減衰量を得るため直列側と並列
側の容量比を大きくとってある。

【００５５】弾性表面波共振子の構成は、励振電極２の
対数が直列側にて約６０対、並列側で約１００対とし
た。弾性表面波共振子の平均波長をλとすると、交差幅
は直列側１５λ、並列側３０λである。電極の材質はス
パッタリング法によって成膜した厚みが約４００ｎｍの
Ａｌ−Ｃｕ１重量％合金膜を使用した。

【００５６】この後、励振電極２を載置した面の基板上
にＣＶＤ法を用いてＳｉＯ２の保護膜１２を３０ｎｍ成
膜した。

【００５７】バンプ用電極５上にＡｕバンプ６を形成す
るため、保護膜１２をバンプ用電極上から選択的に除去
し、バンプ用電極部分のみを多層膜化する必要がある。
このためウエハ上にフォトレジストを再塗布し、フォト
リソグラフィ法を用いてバンプ用電極部分のみを選択的
に露出させた後、ＲＩＥ装置を利用してバンプ用電極部
４上のＳｉＯ２層を除去した。エッチングの際使用した
反応性ガスはＣＦ４及びＯ２ガスを主成分として選択し
た。ＲＩＥは方向選択性が強いためフォトリソグラフィ
工程で得られたフォトレジスト寸法どおりのバンプ用電
極を露出することができる。さらに、このフォトレジス
ト上からＥＢ蒸着法を用いてアルミ膜を約１μｍ積層
し、リフトオフ法を用いてバンプ用電極部分以外の不要
なアルミ電極を除去することでバンプ用電極部分のみ電
極を積層できた。

【００５８】バンプ用電極上にバンプボンダを使用し
て、バンプ直径約９０μｍ、高さ約６０μｍのＡｕバン
プを作製した。

【００５９】ウエハの分割はダイシングソーを用い、ダ
イヤモンド砥粒＃６００を用いて約１ｍｍ□のピッチで
切断した。この条件はダイシング時に発生するチッピン
グ寸法を約２０μｍに抑える事を条件に選定した。

【００６０】弾性表面波素子を筐体８のキャビティと弾
性表面波励振電極２を相対向させ、筐体内引出し電極７
とバンプ用電極５上に形成したＡｕバンプ６を熱超音波
接合することにより、弾性表面波励振電極２と筐体外部
電極９が電気的に接合させた。

【００６１】弾性表面波フィルタの減衰極の周波数調整
にはＹＡＧレーザーを用いた。使用したレーザーはレー
ザートリマのスポット系を直径約０．０５ｍｍまで収束
させ、短パルスによるショットを繰り返して影響度を調
整した。減衰極の周波数調整はレーザーショットを利用
し、例１と同様にネットワークアナライザによる測定と
平行して実施した。

【００６２】蓋体は厚さ１００μｍのコバール平板をプ
レス加工にて外形加工し、表面のエッチング加工を施し
た後に無電界Ｎｉメッキを施した。蓋体とパッケージ・
シールリングの接合はシーム溶接を行った。

【００６３】この実施例においても、弾性表面波素子の
電気的特性の測定には例１と同様にネットワークアナラ
イザを使用し、９００ＭＨｚにおいて良好な電気的特性
を確認できた。

【００６４】

【発明の効果】本発明の弾性表面波フィルタによれば、
励振電極、圧電基板、（誘電体層、）及び導体層のそれ
ぞれの間に適当な静電容量を発生させることができ、帯
域抑圧特性を好適に調整が可能となる。

【００６５】また、このときの調整は、導体層をレーザ
ー光の照射により除去することで行い、きわめて簡便に
実現が可能である。さらに、電気特性を調整することに
より確実に任意の周波数に減衰極を配置して減衰特性の
良好な優れた弾性表面波フィルタを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る弾性表面波フィルタの一実施形態
を模式的に説明する断面図である。

【図２】本発明に係る他の弾性表面波フィルタの一実施
形態を模式的に説明する断面図である。

【図３】本発明に係る弾性表面波フィルタの一実施形態
を模式的に説明する一部透視平面（上面）図である。

【図４】従来の弾性表面波フィルタの一例を示す断面図
である。

【図５】従来の弾性表面波フィルタの一例を示す透視平
面（上面）図である。

【符号の説明】

１：圧電基板２：励振電極３：導体層４：素子側引出し電極５：バンプ用電極６：バンプ７：筐体側内部引出し電極８：筐体９：筐体側外部引出し電極１０：封止材１１：蓋体１２：保護膜１３：誘電体基板（誘電体層）１４：複合基板１５：接着層Ｓ１、Ｓ２：弾性表面波フィルタ

フロントページの続き (72)発明者大塚一弘京都府相楽郡精華町光台３丁目５番地３号京セラ株式会社中央研究所内Ｆターム(参考） 5J097 AA13 AA16 DD13 EE08 EE09 FF05 FF08 GG03 GG04 GG05 HA07 HA08 HB03 HB08 KK10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電基板の一主面上に弾性表面波を励振
する励振電極を設けるとともに、前記圧電基板の他主面
側に、帯域抑圧特性調整用の導体層を設けたことを特徴
とする弾性表面波フィルタ。
【請求項２】圧電基板の一主面上に弾性表面波を励振
する励振電極を設けるとともに、前記圧電基板の他主面
側に、少なくとも静電容量付加用の誘電体層及び帯域抑
圧特性調整用の導体層を順次積層させたことを特徴とす
る弾性表面波フィルタ。
【請求項３】請求項１乃至２に記載の前記導体層をレ
ーザー光の照射により所定領域を除去して、帯域抑圧特
性を調整するようにしたことを特徴とする弾性表面波フ
ィルタの特性調整方法。