KR20020065246A - fabrication method of semiconductor capacitor - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor capacitor is provided to prevent oxidation of a diffusion barrier as a barrier layer formed on a lower electrode of a capacitor. CONSTITUTION: A diffusion barrier(13) is formed by depositing TiN, TiSiN, TiAlN, TaSiN, TaN, and RuTiN on a conductive type substrate(11). The first metallic film(15) is formed by depositing one of Ru, Pt, and Ir on the diffusion barrier(13). A thermal process for the first metallic film(15) is performed. A buffer metal film is formed by depositing Ti, Al, and a polysilicon on the first metallic film(15) and performing the thermal process. The buffer metal film is changed into a metallic oxide layer by performing the thermal process under nitrogen atmosphere of temperature of 300 to 500 degrees centigrade. The metallic oxide layer is removed by performing an etch process. The second metallic film(17) is formed by depositing Ru on the first metallic film(15). A dielectric layer(19) is formed by depositing BST, SBT, STO, PZT, BLT, PLZT, and Ta2O5 on the second metallic film(17). An upper electrode(21) is formed on the dielectric layer(19).

Description

반도체 커패시터의 제조방법{fabrication method of semiconductor capacitor}Fabrication Method of Semiconductor Capacitor

본 발명은 커패시터의 제조방법에 관한 것으로, 특히 커패시터의 하부전극을 구성하는 확산 방지막의 산화를 방지할 수 있는 커패시터 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a capacitor, and more particularly, to a method of manufacturing a capacitor capable of preventing oxidation of the diffusion barrier forming the lower electrode of the capacitor.

DRAM(Dynamic Random Access Memory) 또는 FeRAM(Fe RAM)소자의 크기가 감소함에 따라서 필요한 정전용량의 확보를 위하여 커패시터의 구조는 더욱더 복잡해져 3차원의 매우 복잡한 구조 위에 커패시터를 형성하여야 한다. 이와 같은 복잡한 형상 위에 BST((BaXSr1-X)TiO3) 또는 PZT(Pby(ZrxTi1-x)O3), SBT(SrBi2TaO9) 등의 유전막을 형성하기 위해서는 유전막 아래에 놓이게 되는 하부전극 역시 복잡한 3차원 구조의 형상위에 형성되어야 한다. 따라서 최근 Ru 또는 Pt, Ir 등을 금속유기화학 기상 증착법 (MOCVD)에 의하여 형성하고자 하는 기술이 연구되어지고 있다. 그러나 이들 박막을 형성하기 위해서는 유기금속 전구체를 분해하기 위하여 기본적으로 많은 양의 산소를 반응챔버내에 주입하여야 하기 때문에 최종적으로 형성되는 박막의 내부에는 약 10% 이상의 많은 양의 산소가 잔류하게 된다.As the size of a DRAM (Dynamic Random Access Memory) or FeRAM (Fe RAM) device is reduced, the structure of the capacitor becomes more complicated in order to secure necessary capacitance, and a capacitor must be formed on a very complex structure in three dimensions. In order to form dielectric films such as BST ((Ba X Sr 1-X ) TiO 3 ), PZT (Pb y (Zr x Ti 1-x ) O 3 ), SBT (SrBi 2 TaO 9 ), and the like, The underlying lower electrode must also be formed on the shape of a complex three-dimensional structure. Therefore, a technique for forming Ru, Pt, Ir, or the like by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) has recently been studied. However, in order to decompose the organometallic precursor, a large amount of oxygen must be injected into the reaction chamber in order to form these thin films, so that a large amount of oxygen remains in the final thin film formed by about 10% or more.

그런데, 이들 산소는 후속 열처리 공정에서 하부에 위치하는 TiN 등의 확산 방지막으로 확산하여 확산방지막을 산화시키는 원인이 되고 있다.By the way, these oxygen diffuses into the diffusion prevention film, such as TiN, located in the lower part in a subsequent heat processing process, and it is a cause to oxidize a diffusion prevention film.

이와 같이, 확산 방지막이 산화되면 유전율이 낮은 Ti 산화막이 BST 등의 유전체막과 직렬로 연결되어 전체 커패시터의 유전용량이 감소하게 된다. 따라서 Ru 등의 금속박막을 금속 유기화학 기상 증착법에 의하여 형성함으로써 유전체의 하부전극으로 적용하는데 가장 큰 장애 요소로 지적되고 있으며, 특히 0.1㎛이하 세대의 DRAM 개발을 위하여 시급히 해결되어야할 과제이다. 또한 Ru의 경우 물질 자체의 산화특성으로 인하여 Ru 전극 위에 역시 금속 유기화학 기상 증착법에 의하여 BST 등의 박막을 형성할 경우 박막의 특성이 열화되는 문제가 발생하여 Ru 전극 위에 우수한 특성을 갖는 BST 등의 유전막을 형성하기 어려운 문제가 있었다.As such, when the diffusion barrier is oxidized, a Ti oxide film having a low dielectric constant is connected in series with a dielectric film such as BST to reduce the dielectric capacitance of the entire capacitor. Therefore, forming a metal thin film such as Ru by metal organic chemical vapor deposition method has been pointed out as the biggest obstacle to apply to the lower electrode of the dielectric, especially the problem to be solved urgently for the development of DRAM of less than 0.1㎛ generation. In addition, in the case of Ru, when the thin film such as BST is formed on the Ru electrode by the metal organic chemical vapor deposition method, the characteristics of the thin film are deteriorated. There was a problem that it is difficult to form a dielectric film.

상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 커패시터의 하부전극에 배리어층으로서 형성되는 확산방지막의 산화를 방지할 수 있는 커패시터의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention for solving the problems of the prior art as described above has an object to provide a method of manufacturing a capacitor capable of preventing the oxidation of the diffusion barrier film formed as a barrier layer on the lower electrode of the capacitor.

도 1a 내지 도 1h는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 커패시터의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.1A to 1H are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor capacitor according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

11 : 반도체 기판 13 : 확산방지막11 semiconductor substrate 13 diffusion barrier

15 : 1차 금속박막 16a : 완충금속박막15: primary metal thin film 16a: buffer metal thin film

16b : 금속산화물 박막 17 : 2차 금속박막16b: metal oxide thin film 17: secondary metal thin film

19 : 유전체막 21 : 상부전극19 dielectric film 21 upper electrode

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 커패시터용 하부전극의 제조방법은, 불순물 영역을 포함하는 도전형 기판상에 확산방지막을 형성하는 단계와, 상기 확산방지막 상에 1차 금속박막을 형성하는 단계와, 상기 1차 금속박막 상에 상기 확산방지막 보다 산화특성이 강한 완충 금속박막하는 단계와, 상기 완충금속산화막을 열처리하여 상기 1차 금속박막내에 포함되어 있는 산소를 상기 완충금속박막으로 확산시켜 금속산화물 박막을 형성하는 단계와, 상기 금속산화물 박막을 제거하고, 상기 1차 금속박막상에 2차 금속박막을 형성하는 단계와, 상기 2차 금속박막 상에 유전체막 및 상부전극을 차례로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing a lower electrode for a semiconductor capacitor according to the present invention includes forming a diffusion barrier on a conductive substrate including an impurity region, and forming a primary metal thin film on the diffusion barrier. And a buffer metal thin film having stronger oxidation characteristics than the diffusion barrier on the primary metal thin film, and heat treating the buffer metal oxide film to diffuse oxygen contained in the primary metal thin film into the buffer metal thin film. Forming an oxide thin film, removing the metal oxide thin film, forming a secondary metal thin film on the primary metal thin film, and sequentially forming a dielectric film and an upper electrode on the secondary metal thin film. It is characterized by including.

본 발명에 따른 커패시터는 도전체 기판상에 확산방지막, 1차 금속박막, 2차 금속박막을 차례로 적층하여 형성되는 하부전극과, 이 하부전극 상에 형성되는 유전체막, 및 이 유전체막상에 형성되는 상부전극을 포함하여 구성된다.The capacitor according to the present invention includes a lower electrode formed by sequentially stacking a diffusion barrier film, a primary metal thin film, and a secondary metal thin film on a conductor substrate, a dielectric film formed on the lower electrode, and a dielectric film formed on the dielectric film. It is configured to include an upper electrode.

이러한 구성을 가지는 커패시터는 하부전극을 형성하기 위한 1차 금속박막의 형성시에, 금속 유기화학 기상증착법을 사용하게 되므로 1차 금속박막에 산소가 포함되게 되며, 이에 의해 후속 열처리공정시에 1차 금속박막에 포함되어 있는 산소가 하측의 확산방지막으로 확산하여 산화시키는 문제를 해결하는 것을 특징점으로 하고 있다.Since the capacitor having such a structure uses a metal organic chemical vapor deposition method at the time of forming the primary metal thin film for forming the lower electrode, oxygen is included in the primary metal thin film. The problem is that oxygen contained in the metal thin film is solved to diffuse and oxidize to the lower diffusion barrier.

이러한 문제를 해결하기 위하여 본 발명은 1차 금속박막상에 확산방지막보다 산화특성이 강한 완충금속박막을 형성하고 열처리하여, 1차 금속박막에 포함되어 있는 산소가 완충 금속박막과 반응하여 금속산화막으로 변환되도록 하고, 이 변환된 금속산화막을 제거하는 것에 의해, 확산방지막이 산화되는 종래기술의 문제점을 해결한 구성을 가지고 있다.In order to solve this problem, the present invention forms a buffer metal thin film having a stronger oxidation characteristic than the diffusion barrier on the primary metal thin film and heat-treats it, and the oxygen contained in the primary metal thin film reacts with the buffer metal thin film to convert it into a metal oxide film. By removing the converted metal oxide film, the problem of the prior art in which the diffusion barrier film is oxidized is solved.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail.

도 1a 내지 도 1h는 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 커패시터의 공정 단면도이다.1A to 1H are cross-sectional views of a capacitor for explaining an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 커패시터는 다음과 같은 공정 단계에 따라 제조된다.The capacitor according to the embodiment of the present invention is manufactured according to the following process steps.

먼저, 도 1a에 도시되어 있는 바와 같이, 도전형 기판(11)상에 TiN, TiSiN, TiAlN, TaSiN, TaN, RuTiN 등을 증착하고 열처리하여 확산 방지막(13)을 형성한다. 이때, 도전형 기판(11)은 반도체 소자의 불순물 영역을 포함하는 반도체 기판일 수도 있고, 반도체 소자가 형성되어 있는 반도체 기판의 불순물 영역에 플러그를 통하여 접속되어 있는 폴리실리콘층 일 수도 있다.First, as shown in FIG. 1A, a diffusion barrier layer 13 is formed by depositing and thermally treating TiN, TiSiN, TiAlN, TaSiN, TaN, RuTiN, or the like on the conductive substrate 11. At this time, the conductive substrate 11 may be a semiconductor substrate including an impurity region of a semiconductor element, or may be a polysilicon layer connected through a plug to an impurity region of a semiconductor substrate on which the semiconductor element is formed.

이 확산방지막을 증착하는 방법으로는 MOCVD법, 스퍼터링법, ALD (Atomic Layer Deposition)법 및 PEALD(Plasma Eehanced Atomic Layer Deposi- tion)법 등이 선택적으로 적용될 수 있다.MOCVD, sputtering, ALD (Atomic Layer Deposition), PEALD (Plasma Eehanced Atomic Layer Deposition), etc. may be selectively applied as a method of depositing the diffusion barrier film.

이어서, 도 1b에 도시되어 있는 바와 같이, 확산방지막(13)상에 금속 유기화학기상증착법에 의해 50∼200Å 두께의 Ru, Pt, Ir중의 하나를 증착하여 1차 금속박막(15)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 1B, one of Ru, Pt, and Ir having a thickness of 50 to 200 microseconds is deposited on the diffusion barrier 13 to form a primary metal thin film 15. .

이 1차 금속박막(15)은 증착된 후, 불활성 가스인 질소, 아르곤, 헬륨중의 하나를 주입하는 분위기에서 열처리된다.After the primary metal thin film 15 is deposited, it is heat-treated in an atmosphere of injecting one of nitrogen, argon and helium which are inert gases.

그런데, 이 1차 금속박막(15)은 증착 공정시에 유기금속 전구체를 분해하기 위하여 기본적으로 많은 양의 산소를 반응챔버내에 주입하기 때문에 최종적으로 형성되는 박막의 내부에는 약 10% 이상의 많은 양의 산소가 잔류하게 되는 문제를 가지고 있다.However, since the primary metal thin film 15 basically injects a large amount of oxygen into the reaction chamber to decompose the organometallic precursor during the deposition process, a large amount of about 10% or more is formed in the final thin film. Oxygen remains.

이와 같이, 1차 금속박막(15)이 산소를 포함하는 경우, 후속 열처리공정에서 산소가 하부측으로 확산하여 확산방지막(13)을 산화시키는 문제를 발생시킨다.As such, when the primary metal thin film 15 contains oxygen, oxygen may diffuse to the lower side in a subsequent heat treatment process to oxidize the diffusion barrier 13.

이어서, 도 1c에 도시되어 있는 바와 같이, 열화학기상 증착법, 스퍼터링법, 금속 유기화학 기상증착법, 열증착법, PLD(Pulsed Laser Deposition)법을 이용하여, 1차 금속박막(15)상에 상기 확산방지막(13)보다 산화특성이 강한 50∼200Å 두께의 Ti, Al, 및 폴리실리콘을 증착하고 산소가 존재하지 않는 질소, 아르곤 및 암모니아 개스 분위기에서 열처리하여 완충금속 박막(16a)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 1C, the diffusion barrier layer is formed on the primary metal thin film 15 using a thermal chemical vapor deposition method, a sputtering method, a metal organic chemical vapor deposition method, a thermal deposition method, and a PLD (Pulsed Laser Deposition) method. Ti, Al, and polysilicon having a thickness of 50 to 200 kPa having stronger oxidation characteristics than those of (13) are deposited and heat-treated in an atmosphere of nitrogen, argon, and ammonia gas where oxygen is not present to form the buffer metal thin film 16a.

그 다음, 도 1d에 도시되어 있는 바와 같이, 완충 금속박막(16a)을 300∼500℃의 질소 분위기에서 열처리하여 상기 완충 금속박막(16a)을 금속 산화막(16b)으로 변환시킨다.Next, as shown in FIG. 1D, the buffer metal thin film 16a is heat-treated in a nitrogen atmosphere at 300 to 500 ° C. to convert the buffer metal thin film 16a into a metal oxide film 16b.

이 금속 산화막(16b)는 질소분위기에서 열처리되는 과정에서 1차 금속박막(15)내에 포함되어 있는 산소가 완충 금속박막(16a)으로 확산하여 반응하는 것에 의해 형성되게 된다.The metal oxide film 16b is formed by the diffusion of oxygen contained in the primary metal thin film 15 into the buffer metal thin film 16a during the heat treatment in a nitrogen atmosphere.

이어서, 도 1e에 도시되어 있는 바와 같이, HF, Cl2, CF4, SF6, HBr, Ar 용액 또는 이들을 혼합한 용액을 사용하는 에칭공정에 의해 금속산화막(16b)을 제거한다.Subsequently, as shown in FIG. 1E, the metal oxide film 16b is removed by an etching process using an HF, Cl 2 , CF 4 , SF 6 , HBr, Ar solution, or a mixture thereof.

그 다음, 도 1f에 도시되어 있는 바와 같이, 1차 금속박막(15)상에 금속유기화학 기상증착법을 이용하여 50∼100Å 두께를 가지는 Ru를 증착하여 2차 금속박막(17)을 형성하는 것에 의해, 도전체 기판(11), 확산방지막(13), 1차 금속박막(15) 및 2차 금속박막(17)을 포함하여 이루어지는 하부전극 또는 1차 금속박막(15)과 2차 금속박막(17)으로 이루어지는 하부전극을 형성한다.Then, as shown in FIG. 1F, by depositing Ru having a thickness of 50 to 100 GPa on the first metal thin film 15 by using a metal organic chemical vapor deposition method, the second metal thin film 17 is formed. Thus, the lower electrode or the primary metal thin film 15 and the secondary metal thin film including the conductor substrate 11, the diffusion barrier 13, the primary metal thin film 15 and the secondary metal thin film 17 A lower electrode consisting of 17) is formed.

이때 형성되는 2차 금속박막(17)은 금속 유기화학 기상 증착법으로 형성되며, 유기금속 전구체를 분해하기 위하여 많은 양의 산소를 반응챔버내에 주입하기 때문에 10%이상의 산소가 존재하게 된다.At this time, the secondary metal thin film 17 is formed by a metal organic chemical vapor deposition method, and since a large amount of oxygen is injected into the reaction chamber to decompose the organometallic precursor, more than 10% of oxygen exists.

이와 같이, 2차 금속박막(17)에 포함되어 있는 산소는 후속 형성되는 유전체막에 산소를 공급하는 역할을 하므로, 산소를 포함하지 않는 경우에 비하여 유전체막의 표면이 균일하게 형성되게 하는 효과를 나타낸다.As described above, since oxygen included in the secondary metal thin film 17 serves to supply oxygen to the dielectric film to be formed subsequently, the surface of the dielectric film is uniformly formed as compared with the case where oxygen is not included. .

이어서, 도 1g에 도시되어 있는 바와 같이, 금속유기화학 증착법을 이용하여 2차 금속박막(17)상에 BST, SBT, STO, PZT, BLT, PLZT, Ta2O5을 증착하여 유전체막(19)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 1G, BST, SBT, STO, PZT, BLT, PLZT, and Ta 2 O 5 are deposited on the secondary metal thin film 17 using the metal organic chemical vapor deposition method to deposit the dielectric film 19. ).

그 다음, 도 1h에 도시되어 있는 바와 같이, 금속 유기화학 기상 증착법을 이용하여 유전체막(19)상에 Pt, Ir, Ru, TiN, SRO(SrRuO3), RuO3, IrO2를 증착하여 상부전극(21)을 형성하는 것에 의해 커패시터를 제조한다.Next, as shown in FIG. 1H, Pt, Ir, Ru, TiN, SRO (SrRuO 3 ), RuO 3 , IrO 2 are deposited on the dielectric film 19 by using a metal organic chemical vapor deposition method. A capacitor is manufactured by forming the electrode 21.

본 발명의 실시예 1에 의한 커패시터의 제조방법은 확산방지막상에 형성되는 1차 금속박막내에 포함되어 있는 산소를 제거하기 위해 1차 금속박막상에 확산방지막보다 산화특성이 강한 Ti, Al, 폴리실리콘 등으로 완충 금속박막을 형성하고 열처리하는 것에 의해 1차 금속박막내에 포함되어 있는 산소를 완충금속박막층으로 확산시켜 완충금속박막을 산화물 박막으로 변환시켜 제거한다.In the method of manufacturing the capacitor according to the first embodiment of the present invention, Ti, Al, and polysilicon having stronger oxidation characteristics than the diffusion barrier on the primary metal thin film to remove oxygen contained in the primary metal thin film formed on the diffusion barrier. By forming a buffer metal thin film by heat treatment and the like, the oxygen contained in the primary metal thin film is diffused into the buffer metal thin film layer to convert the buffer metal thin film into an oxide thin film and removed.

이에 의해, 확산방지막이 산화를 방지할 수 있으므로, 종래의 커패시터에 있어서 확산방지막이 산화되어, 커패시터의 유전율을 감소시키는 문제점을 해결할 수 있는 효과를 나타낸다.As a result, since the diffusion barrier can prevent oxidation, the diffusion barrier is oxidized in the conventional capacitor, and thus the problem of reducing the dielectric constant of the capacitor can be solved.

Claims (17)

불순물 영역을 포함하는 도전형 기판 상에 확산방지막을 형성하는 단계와,Forming a diffusion barrier film on the conductive substrate including an impurity region; 상기 확산방지막 상에 1차 금속박막을 형성하는 단계와,Forming a primary metal thin film on the diffusion barrier; 상기 1차 금속박막 상에 상기 확산방지막보다 산화특성이 강한 완충 금속박막을 형성하는 단계와,Forming a buffer metal thin film having stronger oxidation characteristics than the diffusion barrier on the primary metal thin film; 상기 완충산화막을 열처리하여, 상기 1차 금속박막내에 포함되어 있는 산소를 상기 완충 금속박막으로 확산시켜 금속산화물 박막으로 변환시키는 단계와,Heat-treating the buffer oxide film to diffuse oxygen contained in the primary metal thin film into the buffer metal thin film and convert the oxygen into a metal oxide thin film; 상기 금속산화물 박막을 제거하고, 상기 1차 금속박막상에 2차 금속박막을 형성하는 단계와,Removing the metal oxide thin film and forming a secondary metal thin film on the primary metal thin film; 상기 2차 금속박막상에 유전체막과 상부전극을 차례로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 커패시터의 제조방법.And sequentially forming a dielectric film and an upper electrode on the secondary metal thin film. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도전형 기판은 반도체 기판의 불순물 영역에 접속되어 있는 폴리실리콘층인 것을 특징으로 하는 반도체 커패시터의 제조방법.And the conductive substrate is a polysilicon layer connected to an impurity region of the semiconductor substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 확산방지막은 TiN, TiSiN, TiAlN, TaSiN, TaN, RuTiN 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 커패시터의 제조방법.The diffusion barrier is a manufacturing method of a semiconductor capacitor, characterized in that any one of TiN, TiSiN, TiAlN, TaSiN, TaN, RuTiN. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 1차 금속박막은 Ru, Pt, Ir중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 커패시터의 제조방법.The primary metal thin film is a method of manufacturing a semiconductor capacitor, characterized in that any one of Ru, Pt, Ir. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 1차 금속박막은 금속유기화학 증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 커패시터의 제조방법.The primary metal thin film is a method of manufacturing a semiconductor capacitor, characterized in that formed by metal organic chemical vapor deposition. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 1차 금속박막은 50∼100Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 커패시터의 제조방법.The primary metal thin film is a method of manufacturing a semiconductor capacitor, characterized in that formed in a thickness of 50 ~ 100Å. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 완충금속박막은 Ti, Al 및 폴리실리콘중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 커패시터의 제조방법.The buffer metal thin film is a method of manufacturing a semiconductor capacitor, characterized in that any one of Ti, Al and polysilicon. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 완충금속박막은 열화학기상증착법, 스퍼터링법, 금속유기화학기상증착법, 열증착법, PLD법중 어느 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 커패시터의 제조방법.The buffer metal thin film is a method of manufacturing a semiconductor capacitor, characterized in that formed by any one method of thermal chemical vapor deposition, sputtering, metal organic chemical vapor deposition, thermal deposition, PLD method. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 완충금속박막은 50∼200Å의 두께로 형성되는 것을 특징하는 반도체 커패시터의 제조방법.The buffer metal thin film is a method of manufacturing a semiconductor capacitor, characterized in that formed to a thickness of 50 ~ 200Å. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 완충금속박막에 대한 열처리는 질소, 아르곤, 암모니아 등의 불활성가스 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 커패시터의 제조방법.The heat treatment of the buffer metal thin film is a method of manufacturing a semiconductor capacitor, characterized in that the inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, ammonia. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 완충금속박막은 급속열처리 방법 및 노열처리 방법에 의해 행하여 지는 것을 특징으로 하는 반도체 커패시터의 제조방법.The buffer metal thin film is manufactured by a rapid thermal treatment method and a thermal treatment method. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 완충 금속박막은 HF, Cl2, CF4, SF6, HBr, Ar 또는 이들 혼합물을 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 커패시터의 제조방법.The buffer metal thin film is a manufacturing method of a semiconductor capacitor, characterized in that the removal using HF, Cl 2 , CF 4 , SF 6 , HBr, Ar or a mixture thereof. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 2차 금속박막은 금속유기화학 기상증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 커패시터의 제조방법.The secondary metal thin film is a method of manufacturing a semiconductor capacitor, characterized in that formed by a metal organic chemical vapor deposition method. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 2차 금속박막은 50∼100Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 커패시터의 제조방법.The secondary metal thin film is a method of manufacturing a semiconductor capacitor, characterized in that formed in a thickness of 50 ~ 100Å. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유전체막은 금속유기화학 증착법에 의해 형성되는 것을 특징 하는 반도체 커패시터의 제조방법.The dielectric film is a method of manufacturing a semiconductor capacitor, characterized in that formed by metal organic chemical vapor deposition. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유전체막은 BST, SBT, STO, PZT, BLT, PLZT, Ba2O5중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 커패시터의 제조방법.The dielectric film is a method of manufacturing a semiconductor capacitor, characterized in that formed of any one of BST, SBT, STO, PZT, BLT, PLZT, Ba 2 O 5 . 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부전극은 Pt, Ir, TiN, SRO(SrRuO3), RUO2, IRO2중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 커패시터의 제조방법.The upper electrode may be formed of any one of Pt, Ir, TiN, SRO (SrRuO 3 ), RUO 2 , and IRO 2 .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100273228B1 (en) * 1997-09-27 2001-01-15 김영환 Manufacturing method for capacitor
JPH11354732A (en) * 1998-06-04 1999-12-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thin film capacitor and its manufacture
KR100321715B1 (en) * 1998-10-13 2002-03-08 박종섭 A method for fabricating semiconductor device using AlN film as diffusion barrier and method for forming bottom electrode of capacitor using thereof
KR100293721B1 (en) * 1998-12-22 2001-07-12 박종섭 Capacitor manufacturing method having a tantalum oxide film as a dielectric film

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7105883B2 (en) * 2001-11-21 2006-09-12 Hynix Semiconductor Inc. Semiconductor device
US8665580B2 (en) 2008-10-30 2014-03-04 Lg Innotek Co., Ltd. Embedded capacitor and method of fabricating the same

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