KR20020051312A - 스트립 캐스팅법에 의한 고규소 방향성 전기강판의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 발전기나 변압기의 철심 등에 사용되는 방향성전기강판의 제조방법에 관한 것으로써, 수직형 쌍롤 스트립캐스팅법을 이용하여 적절한 조건으로 방향성 전기강판을 제조하므로써 Si을 5.5%까지 첨가할 수 있고, C을 첨가하지 않으므로 탈탄 공정을 생략할 수 있는 스트립캐스팅법에 의한 고규소 방향성 전기강판의 제조방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있는 것이다.

본 발명은 스트립캐스팅법을 이용한 고규소 방향성 전기강판의 제조방법에 있어서,wt%로, C: 0.003% 이하, 및 Si: 2.0∼5.5%를 함유하는 규소강 용탕을 질소분위기하에서 20∼30℃의 용탕과열도로 2.0mm이하의 두께로 스트립을 주조하고, 스트립의 표면을 산세, 솔질(brushing)한 다음, 중간 소둔을 포함한 2단 냉간압연법을 이용하여 0.3mm이하의 두께로 냉간 압연한 후 이를 1100 - 1200℃에서 10 - 20시간 고온 열처리하여 제조하는 스트립 캐스팅법에 의한 고규소 방향성 전기강판의 제조방법을 그 요지로 한다.

Description

스트립 캐스팅법에 의한 고규소 방향성 전기강판의 제조방법{Method For Manufacturing Grain-Oriented Silicon Steel Containing High Silicon By Strip Casting Process}

본 발명은 발전기나 변압기의 철심 등에 사용되는 방향성전기강판의 제조방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 스트립 캐스팅법에 의해 고규소 방향성 전기강판을제조하는 방법에 관한 것이다.

방향성 전기강판은 발전기나 변압기의 철심 등에 널리 사용되고 있는 대표적인 연자성재료로써, 100여년 전부터 철손의 감소와 자속밀도를 증가시키기 위하여 여러 가지 방법들이 연구되어져 왔다. 대표적인 철손감소의 방법으로는 Si함량을 증가 시키는 방법이 있고, 자속밀도의 증가 방법으로는 실리콘강판의 결정구조에 높은 방향성을 부여하여 고스(Goss) 집합조직으로 알려진 {110}[001] 집합조직의 밀도를 증가시키는 방법이 알려져 있다.

그러나, 철손감소를 위해서 Si함량을 증가시키는 것은 재료의 냉간가공성을 저하시키므로 Si함량이 3.5%이상 첨가되면 기존의 제조방법에서는 냉간압연이 불가능하다고 알려져 있다.

그러나, 급속응고법에 의해 제조 된 리본의 경우 4.5wt%Si 함량에서도 70%이상 냉간압연이 가능하다는 사실이 보고되었다 (IEEE Transactions on Magnetics, Vol. MAG23, No. 5, September 1987).

그러나, 이 경우에는 두께가 300㎛이하의 리본으로 주조되기 때문에 잘 발달된 재결정 고스(Goss) 집합조직을 얻기 위해서 80%이상의 압하율로 냉간 압연하기가 매우 어려우므로 이종 금속을 샌드위치(sandwitch)하여 함께 압연해야 하는 등의 특별한 방법이 요구된다.

기존의 방향성 전기강판은 연속주조에 의한 주조 슬라브의 제조, 제어냉각, 열간압연, 소둔, 냉간압연(80%), 1차 재결정, 탈탄 열처리 및 2차재결정 열처리 등의 매우 복잡한 여러 공정을 거쳐 제조된다.

이러한 제조 공정 중에서 용융금속에서의 탄소첨가와 이 후 탈탄 열처리에 의한 최종 제품에서의 탄소 함량 제어는 기존의 제조 방법에서 매우 중요한 역할을 차지한다.

방향성 전기강판을 제조하기 위해서 기존의 연속주조법으로 제조된 슬라브에는 거대한 주상정이 존재하고 이것을 재가열하여 열처리하면 10㎝이상의 큰 결정립들이 생기는데, 이를 보통의 방법으로 열간 압연 및 후처리 공정을 거치면 일부만 2차 재결정이 일어나는 경우가 많다.

이와 같은 문제는 C 함량을 증가시켜 재가열 시 γ 상의 부피비를 급격히 늘어나게 하고 열연 후 제어 냉각과정에서 α상이 γ상의 결정입계 등에서 핵 생성되어 미세한 결정립으로 변태시키므로써 해결되었다.

고자속밀도 방향성 전기강판의 제조에서 첨가되는 탄소는 도 1에 나타난 바와 같이 Fe-Si합금에서 탄소량이 증가하면 α+ γ영역이 확대되는데, γ상의 질소 고용도는 α상에 비해 매우 크므로 1000℃ 이상의 온도에서 γ상이 존재하면 열간압연 후 제어냉각 과정에서 1000℃∼800℃의 온도범위에서 α상으로 변태되면서 질소의 고용도가 급격히 감소하여 미세한 AlN로 급히 석출된다.

그러나, 첨가된 탄소는 최종제품에서 자기시효(Magnetic aging) 현상을 일으키므로 열처리에 의해서 30ppm 이하로 탈탄되어야 한다.

방향성 규소강판의 제조에서는 전술한 바와 같이 연속주조 및 열간 압연 공정에서 조대하게 성장하는 결정립 크기를 줄이기 위해서 α↔ γ변태를 이용하고, 1차 재결정시에 결정립의 성장을 억제하여 2차 재결정을 유도하기 위한억제제(inhibitor)로써 AlN와 MnS를 미세하게 석출 분산시켜야 한다. 이 때에도 오스테나이트(γ; austenite)와 페라이트(α; ferrite)에서의 N의 고용도 차이를 이용하며, 열간압연 전의 소둔시에 조대하게 석출한 MnS를 재고용시킬 때의 MnS의 고용도도 역시 C 첨가량과 밀접한 관련을 가진다.

그러므로 방향성 전기강판을 제조하기 위한 기존의 방법에서 이들 석출물들을 적당한 크기 (약 200∼300Å 내외)와 분율로 분포시키기 위해서 열간압연공정과 예비열처리 및 제어냉각공정을 거쳐야 한다.

또한, 미세한 AlN의 분포를 얻기 위해서 0.06wt% 정도까지 C 를 첨가해야 한다. 뿐만 아니라 C 함량의 증가는 Si 함량과도 밀접한 관련을 가진다.

방향성 전기강판에서 Si 함량을 증가시키면 전기저항이 증가하고 철손을 감소시킨다고 널리 알려져 있다.

그러나, 4wt% 이상의 Si을 첨가하면 재료의 연성이 급격히 감소하여 냉간 압연이 어려우므로 통상 최대 3wt% 내외의 Si이 첨가되어진다.

Takahashi 등은 Si 함량을 증가시키기 어려운 이유를 C 함량과 연관시켜 설명하였는데 기존의 Hi-B급 방향성 전기강판의 제조에서 AlN이 억제제(inhibitor)로 작용되기 위해서는 예비열처리시 오스테나이트 분율이 40∼50vol%가 되어야 하고 이 때 Si이 3.25wt% 일 경우 C 는 0.07∼0.08wt% 첨가되어야 한다고 하였다.

만약, Si함량을 증가시킨다면 4wt%Si이 첨가되기 위해서는 약 0.1wt%의 C 이 첨가되어야 하고 0.08wt% 이상 C 이 첨가된다면 탈탄 공정을 거치더라도 탈탄이 불충분하여 최종제품에서 자기시효(magnetic aging)가 일어날 수 있다고 하였다.

그래서 최근에는 방향성 전기강판의 자기적 성질의 향상 뿐만 아니라, 제조공정의 단축에 의한 제조원가 절감의 필요성이 크게 요구되고 있다.

수직형 쌍롤박판 주조법은 최근에 생산비 감소와 신소재 개발을 위해서 집중적으로 연구되고 있는 연속주조 공정으로써 수냉되는 롤 또는 드럼형 연속주조장치를 이용하여 최종 제품의 두께와 거의 동일한 두께 1-10㎜의 금속판을 주조할 수 있기 때문에 기존의 제조공정에서 열간압연 공정 부분을 대폭 축소하거나 생략할 수 있으며, 주조시에 수냉 롤에 의해서 급냉되므로 미세한 조직분포를 얻을 수 있고 용질의 고용도를 높일 수 있는 제조공정이다.

이와 같은 종류의 기술로는 일본 실용신안공개소58-157250호, 일본 특허공개 소60-184449호, 및 일본 특허공개 소62-130749호 등에 기재되어 있는 것등을 들수 있다.

현재까지 스테인레스강에서의 그 적용 가능성이 집중적으로 검토되어졌으며, 일부에서는 실용화되어 상업적인 생산에 이용되고 있다.

그러나 전기강판에 있어서는, 일부 수직형 쌍롤주조법으로 전기강판을 주조하였으나 Si함량이 3.2wt%로 일반적인 제조공정과 비슷하거나(EP 0 540 405 A1), 3.5wt%Si 이상의 고규소강 제조에서도 냉간압연, 열처리와 같은 후 공정에 관해서는 언급되지 않았다(Stahl und Eisen 111 (1991) Nr. 2 61-66).

방향성 전기강판의 제조를 위해서 급속응고법을 이용한 경우는 일본의 Mizoguchi등에 의해서 1990년 European Patent 0 390 160 A1와 1991년 US Patent 5,049,204으로 등록된 바가 있고, 프랑스의 Bavay등에 의해서 1995년에 US Patent 5,417,772으로 등록되었다.

EP-A-0 390 160(또는 US Patent 5,049,204)에서는 이차재결정을 유도하여 {110}<001> 방위를 갖는 고스 결정립(Goss grains)을 형성시키기 위해서 용융금속으로부터 응고된 스트립의 이차 냉각속도를 조절하였다.

그러나 US Patent 5,417,772에서는 이차 냉각속도 조절보다는 롤표면과 용융금속사이의 열교환계수를 조절하여 스트립의 표면부에 고스 결정립 (Goss grains)을 형성시키고자 하였다.

EP-A-0 390 160(또는 US Patent 5,049,204)에서는 0.7∼3.0 mm 두께의 스트립을 제조하고 이 때 50℃/sec 이상의 냉각속도 유지, 1300℃와 900℃ 사이에서 10℃/s 이상의 이차냉각속도 유지 그리고 C;0.03∼0.10%, Si;2.5∼4.5%, Mn;0.2∼0.15%, S:0.01∼0.05%, 산 가용성(acid soluble) Al:0.01∼0.04%, N:0.003∼0.015% 그리고 Nb 이나 Sb등을 첨가하고, 1회 또는 그 이상의 중간 어닐링을 갖는 80%이하의 냉간압연과 탈탄열처리, 코팅, 2차재결정 열처리하는 공정을 제시하고 있다. 그리고 US Patent 5,417,772에서는 5mm 이하의 두께, C:0.01∼0.1%, Si:2% 이상, 400℃ 이하의 롤 평균온도 유지, 0.1cal/cm²s℃ 이상의 롤과 금속과의 열교환계수, 스트립 폭방향으로 50kgf/mm 이하의 압하력 유지 그리고 1회 또는 그 이상의 중간 어닐링을 갖는 80%이하의 냉간압연과 탈탄열처리, 코팅, 2차재결정 열처리하는 공정을 제시하고 있다.

전술한 두 발명에서는 γ↔α 변태를 이용하여 결정립 및 석출물을 미세화시키기 위하여 모두 C 함량을 0.01% 이상 첨가하고 있으며 후처리 과정에서 탈탄 공정을 통하여 최종 제품에서 30ppm 이하의 C 함량을 유지하고 있다.

본 발명자들은 상기한 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 연구 및 실험을 행하고, 그 결과에 근거하여 본 발명을 제안하게 된 것으로써, 본 발명은 수직형 쌍롤 스트립 캐스팅법을 이용하여 적절한 조건으로 방향성 전기강판을 제조하므로써 Si을 5.5%까지 첨가할 수 있고, C을 첨가하지 않으므로 탈탄 공정을 생략할 수 있는 스트립 캐스팅법에 의한 고규소 방향성 전기강판의 제조방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있는 것이다.

도 1은 α, γ상의 C 함량과의 관계를 나타내는 Fe-Si 상태도

도 2는 금속이 급속 응고될 때 용탕과열도에 따른 응고층의 변화를 나타내는 모식도로서, (a)는 용탕과열도 20℃인 경우 (b)는 용탕과열도 30℃인 경우를 나타냄

도 3은 용탕과열도 20℃ 일때의 스트립의 두께방향으로의 집합조직 변화를 나타내기 위해서 측정된 값으로부터 계산된 방위분포함수(ODF)

도 4는 용탕과열도 30℃ 일때의 스트립의 두께방향으로의 집합조직 변화를 나타내기 위해서 측정된 값으로부터 계산된 방위분포함수(ODF)

도 5는 최종 2차재결정 열처리된 스트립의 표면사진과 (100) 극점도로서 (a)는 주사전자현미경 사진, (b)는 (100) 극점도를 나타냄

이하, 본 발명에 대하여 설명한다.

본 발명은 스트립 캐스팅법을 이용한 고규소 방향성 전기강판의 제조방법에 있어서,

wt%로, C: 0.003% 이하, 및 Si: 2.0∼5.5%를 함유하는 규소강 용탕을 질소분위기하에서 20∼30℃의 용탕과열도로 2.0mm이하의 두께로 스트립을 주조하고, 스트립의 표면을 산세, 솔질(brushing)한 다음, 중간 소둔을 포함한 2단 냉간압연법을 이용하여 0.3mm이하의 두께로 냉간 압연한 후 이를 1100 - 200℃에서 10 - 20시간 고온 열처리하여 제조하는 스트립 캐스팅법에 의한 고규소 방향성 전기강판의 제조방법에 관한 것이다.

이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.

본 발명에 있어서는 C 함량을 0.003%(30ppm) 이하로 설정하는 것이 바람직한데, 그 이유는 최종탈탄공정 없이도 자기시효(magnetic aging)를 방지할 수 있기 때문이며, 보다 바람직한 C 함량은 0.001%이하이다.

스트립캐스팅법을 이용하더라도 최종 제품으로 제조하기 위해서는 85% 이상의 냉간압연이 필요한데, 이 때 Si 함량이 높으면 재료의 인성(ductility)이 감소하기 때문에 냉간압연시 균열이 발생하여 압연이 불가능하게 된다.

즉, 상기 Si의 함량이 5.5%를 초과하는 경우에는 냉간압연이 불가능하므로 본 발명에서는 Si의 함량을 5.5%이하로 제한한다.

그 하한값은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 자기적 특성을 고려하여 본 발명에서는 Si의 함량의 하한값은 2.0%로 설정하는 것이 바람직하다.

상기한 C 및 Si는 상기한 함량으로 설정하고, 나머지 Al, Mn, S, N의 함량은 기존의 Hi-B급 방향성 전기 강판의 조성을 갖도록 하는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서 보다 바람직한 용탕의 조성은 C: 0.003%이하, Si: 2.0-5.5%, Al: 0.01-0.02%, Mn: 0.03-0.05%, S: 0.02-0.03%, 및 N: 0.01-0.02%로 이루어지는 것이다.

용탕과열도는 용탕의 액상선온도(Liquidus Temperature;T_L)보다 얼마나 더 높은 온도에서 주조가 이루어지는가를 나타내는 것이다.

그런데 Fe-Si합금에서 T_L은 Si 함량이 증가할수록 감소하므로 용탕과열도가 20℃ 라 하더라도 Si 함량에 따라 여러 가지 온도가 나올 수 있다.

본 발명에서는 20℃미만인 경우에는 스트립캐스팅 시 응고완료점이 롤의 닢점(nip point)보다 너무 높게 형성되므로 롤에 과도한 압력이 걸리므로 롤 표면을 손상시킬 수 있고, 용탕과열도가 30℃를 넘으면 응고완료점이 롤의 닢점(nip point) 아래쪽에서 형성되므로 고온 강도가 낮은 Fe-Si합금의 경우에는 주조 중 스트립이 단절될 우려가 있다.

따라서, 본 발명에서는 용탕과열도를 20-30℃로 설정하는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서 초기주조두께는 열간압연 없이 85% 이상의 냉간압연만으로 제조될 수 있는 최종 두께를 고려하여 설정되는 것으로서 2.0mm이하, 바람직하게는 1.6 mm이하로 하는 것이다.

스트립캐스팅은 질소분위기에서 행하는 것이 바람직하다.

상기와 같이 스트립 캐스팅하는 경우에는 주조 된 스트립의 결정립 크기를 200㎛이하로 제어할 수 있고, 300Å 이하의 미세한 AlN와 MnS를 석출시킬 수 있다.

냉간압연은 중간소둔을 포함한 2단 냉간압연법으로 행하는 것이 바람직하며, 0.1∼0.3mm두께로 냉간압연하는 것이 바람직하다.

상기 고온열처리공정은 1100-1200℃에서 10-20시간정도 행하는 것이 바람직한데, 그 이유는 이러한 조건으로 고온열처리하는 경우에는 2차재결정된 고스 결정립이 충분히 성장하기 때문이다.

이하, 실시예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.

실시예 1

수직형 쌍롤 스트립캐스터를 이용하여 난가공성 합금인 C:0.001%, Si:4.5%, Al:0.014%, Mn:0.05%, S:0.013%, N:0.015%로 이루어진 용탕으로 두께 1.6mm의 스트립을 주조하였다. 스트립 주조 시 용탕과열도를 20℃로 하였다. 주조된 스트립을 중간소둔과 2단 냉간압연법을 이용하여 0.25㎜두께의 냉간압연 시편으로 만들었다. 이 때 중간소둔은 건조한 수소분위기로 1050℃에서 5분간 실시하였다. 냉간압연 된 스트립은 1200℃에서 100%H₂분위기로 20시간 유지하는 고온 열처리하여 2차재결정 열처리하고, 그 조직을 관찰하고 결정립의 방위를 극점도로 관찰하고, 그 결과를 도 5에 나타내었다.

스트립캐스팅시 합금 액상이 회전하는 수냉몰드에 접촉하면 먼저 롤 표면에서 급속응고에 의한 셀(cell)형태의 응고층이 형성되는 것과 동시에 응고 셀(cell) 전면에서 일정 두께의 액상층은 액상선 온도(T_L) 이하로 과냉각(under cooling)되고, 이 과냉각된 액상층 내부에 부유하던 등축정 수지상들이 cell의 전면에서 함께 성장하게 된다.

롤의 표면에서 가장 먼저 응고되는 셀층의 두께는 약 70∼80㎛ 정도인데 이 층 내의 결정립에서는 수지상 형태의 초기 응고 조직이 관찰되지 않고, 등축정 수지상의 결정립에서는 초기응고 조직이 관찰되었다.

도 2의 (a) 및 (b)에 나타난 바와 같이, 용탕과열도가 낮은 액상[도 2의 (a)]은 과열도가 높은 액상[도 2의 (b)]보다 과냉각된 액상층의 두께가 두꺼워지므로 등축정 수지상이 넓게 분포하게 된다.

스트립캐스팅 공정의 두께 방향으로의 온도 분포는 중심층이 가장 온도가 높고 표면부로 갈수록 온도가 낮아지므로 등축정 결정립들이 성장하여 응고층이 과냉된 액상층을 벗어나게 되면 액상의 온도가 고상보다 높게 되고, 열흐름이 액상쪽에서 고상쪽으로 바뀌면서 응고되는 고액계면으로부터 주상정의 수지상이 성장하기 시작한다.

주상정 수지상의 성장은 응고완료점에서 반대편에서 성장한 주상정과 만나면서 성장이 중지된다.

용탕과열도의 변화는 응고완료점의 위치를 변화시키고 응고완료점의 위치변화에 따라 주조되는 스트립의 단면 감소율이 결정된다.

용탕과열도가 20℃인 경우의 응고완료점이 더 높기 때문에 단면 감소율이 높고 고온변형과 동적재결정의 결과로써 시편의 전체 두께에 걸쳐서 아결정립이 형성되었다.

용탕과열도가 20℃인 경우에 대한 스트립의 집합조직을 분석하고, 그 결과를 도 3에 나타내었다.

도 3에 나타난 바와 같이, 용탕과열도가 20℃인 경우에는 표면 아래층(두께의 0.8지점)에 고스 집합조직이 발달하였는데 BCC 금속에서 고스 집합조직은 전단변형에 의해서 발달하는 집합조직으로 알려져 있다.

그러므로, 20℃의 용탕과열도에서는 상술한 바와 같이 스트립의 고온 변형이 많이 되는 조건으로서 표면층에서 롤과의 마찰에 의한 전단변형으로 고스 집합조직이 형성되었다.

그러므로, 20℃의 용탕과열도에서는 2차재결정의 핵(nuclei)으로 작용할 수 있는 고스 결정립이 스트립캐스팅시의 열간 변형에 의해 형성되었다.

도 5의(a)에 나타난 바와 같이, 최종 열처리 후 결정립의 크기가 수cm를 갖는데, 이는 본 발명에 의해 2차재결정이 일어났음을 나타내는 것이다.

도 5의 (b)에서 극점도의 + 위치는 고스 방위( {110}<001> )를 가리키는 위치에서 5°의 오차범위내에 있는 것으로서, 이는 본 발명에 의하면, 2차재결정의 핵(nuclei)으로 작용할 수 있는 고스 결정립이 형성될 수 있음을 알 수 있다.

따라서, 본 발명에서는 초기 용융금속에서부터 합금의 성분에서 C 함량을 30ppm이하로 제어하고도 최종 2차재결정된 고스 집합조직을 얻는 것이 가능하다.

전술한 바와 같이 방향성 전기강판의 제조에서 C의 역할은 스트립캐스팅법의 급속 응고 효과에 의해 대체될 수 있으므로 기존의 제조 공정에서와 같이 최종 제품에서 유해하여 탈탄 공정을 거쳐야하는 C을 첨가할 필요가 없다.

그러므로 본 발명에서는 용융 금속의 박판 주조 단계에서부터 C 함량을 30ppm 이하로 제어하여 기존의 제조공정에서 2차 재결정열처리 이전에 수행되는 탈탄 공정을 생략할 수 있다.

실시예 2

C:0.001%, Si:4.5%, Al:0.014%, Mn:0.05%, S:0.013%, N:0.015%로 이루어진 용탕을 1.6mm 두께로 30℃의 용탕과열도로 스트립 캐스팅하여 제조하고, 주조된 스트립을 중간소둔과 2단 냉간압연법을 이용하여 0.25㎜두께의 냉간압연 시편으로 만들었다. 이 때 중간소둔은 건조한 수소분위기로 1050℃에서 5분간 실시하였다. 냉간압연 된 스트립은 1200℃에서 100%H₂분위기로 20시간 유지하는 고온 열처리하여 2차재결정 열처리하고, 그 조직사진과 극점도로 관찰한 결과 앞의 실시예1과 동일한 결과를 얻을 수 있었다.

30℃의 용탕과열도로 스트립캐스팅한 경우는 20℃의 용탕과열도인 경우와 비교하여 응고완료점이 훨씬 롤의 닢점(nip point)에 가깝게 위치하기 때문에 스트립의 단면 감소율이 낮으므로 스트립의 변형량이 적다.

그리고, 도 2의 (b)에 나타난 바와 같이 용탕과열도가 높은 경우에는 과냉각 액상층의 두께가 좁다. 등축정 결정립이 크게 성장하지 못한 상태에서 과냉된 액상층을 벗어나기 때문에 주상정 수지상이 발달하므로 등측정 수지상의 층내에서 결정립의 크기 차이가 거의 나타나지 않고 등축정이 나타나는 층의 폭도 매우 좁다. 대신에 주상정 수지상은 매우 크게 성장한다.

용탕과열도가 30℃인 경우에 대한 경우에 대한 스트립의 집합조직을 분석하고, 그 결과를 도 4에 나타내었다.

도 4에 나타난 바와 같이, 용탕과열도가 30℃인 경우 표면부는 매크로(macro)한 집합조직 분석결과 무질서한 집합조직 형태를 보이지만 EBSD(Electron Back Scattered Diffraction)를 이용한 마이크로(micro) 집합조직의 분석에서는 무질서한 등축정 결정립사이에서 고스 결정립들이 발견되었으며, 이들도 역시 냉간압연 후 2차 재결정 열처리에서 2차 재결정되는 고스 핵(Goss nuclei)으로 작용할 수 있음을 확인하였다.

본 발명은 스트립캐스팅법을 이용하여 적절한 조건으로 방향성전기강판을 제조하므로써 미세한 석출물을 석출시킬 수 있으므로 C을 첨가하지 않고 탈탄 공정을 생략할 수 있을 뿐만 아니라, 주조 된 스트립의 결정립 크기를 미세하게 제어할 수 있고 결정립간의 방위차가 낮은 저경각입계(low angle grain boundary)의 분율이 높으므로 냉간 가공 시 균열 발생이 억제되므로 5.5%까지 Si 함량을 증가시킬 수 있는 효과가 있는 것이다.

Claims (2)

1. 스트립캐스팅법을 이용한 고규소 방향성 전기강판의 제조에 있어서,

   wt%로, C: 0.003% 이하, 및 Si: 2.0∼5.5%를 함유하는 규소강 용탕을

   질소분위기하에서 20∼30℃의 용탕과열도로 2.0mm이하의 두께로 스트립을

   주조하고, 스트립의 표면을 산세, 솔질(brushing)한 다음, 중간 소둔을 포함한 2단 냉간압연법을 이용하여 0.3mm이하의 두께로 냉간 압연한 후 이를 1100-1200℃에서 10-20시간 고온 열처리하여 제조하는 것을 특징으로 하는 스트립 캐스팅법에 의한 고규소 방향성 전기강판의 제조방법
2. 제1항에 있어서, 규소강 용탕의 조성이 C: 0.003%이하, Si: 2.0-5.5%,

   Al:0.01-0.02%, Mn: 0.03-0.05%, S: 0.02-0.03%, 및 N: 0.01-0.02%로

   이루어지는 것을 특징으로 하는 스트립 캐스팅법에 의한 고규소 방향성

   전기강판의 제조방법