KR20020036791A - 탄성표면파장치의 제조방법 및 탄성표면파장치 - Google Patents

탄성표면파장치의 제조방법 및 탄성표면파장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20020036791A
KR20020036791A KR1020017016632A KR20017016632A KR20020036791A KR 20020036791 A KR20020036791 A KR 20020036791A KR 1020017016632 A KR1020017016632 A KR 1020017016632A KR 20017016632 A KR20017016632 A KR 20017016632A KR 20020036791 A KR20020036791 A KR 20020036791A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
wave elements
package
elements
Prior art date
Application number
KR1020017016632A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100614711B1 (ko
Inventor
추조리에코
Original Assignee
니시무로 타이죠
가부시끼가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니시무로 타이죠, 가부시끼가이샤 도시바 filed Critical 니시무로 타이죠
Publication of KR20020036791A publication Critical patent/KR20020036791A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100614711B1 publication Critical patent/KR100614711B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/1301—Shape
    • H01L2224/13012—Shape in top view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201—Compression bonding
    • H01L2224/81205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H2009/0019—Surface acoustic wave multichip
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/42—Piezoelectric device making

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

본 발명은 탄성표면파장치 및 탄성표면파장치의 제조방법에 관한 것으로서, 하나의 패키지에 서로 주파수 특성이 다른 복수의 탄성표면파소자를 탑재한 멀티칩 패키지에 있어서, 패키지의 소형화를 도모하는 것을 목적으로 하며, 그것을 위해 복수의 탄성표면파소자를 패키지에 페이스 다운 본딩할 때, 초음파 인가방향을 탄성표면파소자의 병치방향과 대략 직교하는 방향으로 하는 것을 특징으로 한다.

Description

탄성표면파장치의 제조방법 및 탄성표면파장치{SAW DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF}
(종래기술)
근래, 이동 통신분야에 있어서 국제 로밍서비스(예를 들면 US-CDMA방식과 JAPAN-CDMA방식의 상호 로밍 서비스)에 대응하기 위해, 단일 패키지로 복수의 통신방식에 대응할 수 있는 탄성표면파장치가 개발되고 있다. 이러한 패키지를 실현하는 한 수단으로서 각각의 통신방식에 대응하여 서로 다른 주파수특성을 가진 복수의 탄성표면파소자를 공통의 패키지에 실장하는 방법이 있다(이하 멀티칩 패키지라 약칭한다).
한편, 개개의 탄성표면파소자를 패키지에 실장하는 방법으로서, 종래의 와이어 본딩방식에 비해 보다 장치의 소형화가 가능한 페이스 다운 본딩방식의 개발, 실용화가 진행되고 있다.
멀티칩 패키지에 페이스 다운 본딩 방식을 적용하는 경우, 우선 첫번째 소자를 패키지의 베이스에 페이스 다운으로 탑재하고, 탄성표면파의 빗살형상(comb) 전극의 접속단자와 베이스 내면(다이 부착면)에 설치된 메탈라이즈층(metallized layer)을, 접합재로 이루어진 금속범프를 사이에 두고 접합한다. 이어서, 이 소자에 인접하는 스페이스에 두번째 소자를 탑재하고, 마찬가지로 소자와 패키지의 메탈라이즈층을 금속범프를 사이에 두고 접합한다. 이 접합공정에 있어서는 금속범프에 소자를 유지하는 툴로부터의 하중의 인가와 툴을 사이에 둔 초음파 인가가 동시에 이루어지고, 금속범프가 용융하는 것에 의해 전극접속단자와 메탈라이즈층이 접합된다.
종래의 멀티칩형 탄성표면파장치의 예로서는 일본 특개평 11-122072호 공보에 개시된 것이 있다(도 11 참조). 이 공보의 장치에서는 상기 「페이스다운 본딩방식」이 채용되어 있다.
(과제)
그런데, 상기 접합공정에 있어서 유지툴에 초음파진동이 가해지기 때문에, 탄성표면파소자가 어긋나서 탑재된다. 위치어긋남의 정도에 따라서는 두번째 소자를 패키지에 삽입할 때에 (두번째 소자가) 첫번째 소자나 패키지의 측벽과 접촉하여 문제를 일으키기 때문에, 미리 각각의 소자의 탑재 위치에 상응하는 (큰) 마진(margin)을 갖게 할 필요가 있었다.
그러나, 상기한 바와 같은 (큰) 마진을 갖게 하면, 가일층 장치의 소형화가 곤란하게 되기 때문에, 더욱 개량이 요구되고 있었다.
(목적)
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 종래 장치에 비해 보다 소형화가 가능한 멀티칩 패키지의 탄성표면파장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 탄성표면파소자를 패키지에 페이스 다운 실장(實裝)한 탄성표면파장치에 관한 것으로서, 특히 하나의 패키지 내에 복수의 탄성표면파소자를 병치(竝置)하여 실장한 탄성표면파장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시형태와 관련된 탄성표면파장치의 내부 레이아웃을 예시하는 도면,
도 2는 본 발명의 한 실시형태와 관련된 탄성표면파소자(A 또는 B)의 구조를 모식적으로 나타낸 평면도,
도 3은 탄성표면파소자(A 및 B)가 패키지에 탑재된 상태의 단면구조를 나타낸 도면,
도 4는 탄성표면파소자(10)의 접속단자(13)에 금속범프(5)가 붙은 상태를 모식적으로 나타낸 도면 및
도 5는 본 발명의 한 실시형태와 관련된 탄성표면파장치의 제조공정을 설명하는 플로우차트이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관련된 탄성표면파장치의 제조방법에서는 탄성표면파소자의 전극단자를 패키지의 다이 부착면에 접합하는 공정에 있어서, 초음파의 인가방향을 소자배열방향과 대략 직교하는 방향으로 하고 있다.
탄성표면파소자의 위치어긋남은 초음파 인가방향을 따라 보다 커진다. 이 초음파 인가방향을 다른 칩(다른 탄성표면파소자)이 탑재되지 않은 방향으로 향하게 함으로써 초음파 인가방향을 칩탑재방향을 향하게 하는 경우에 비해 탑재위치의 마진을 격감시킬 (거의 반감시킬) 수 있고, 그 결과 탄성표면파장치를 소형화하는 것이 가능하게 된다.
또, 본 발명에 관련된 탄성표면파장치는 금속범프가 복수의 탄성표면파소자의 병치방향에 대략 직교하는 방향을 주축으로 하여 찌그러진 형상(도 4에 나타낸 바와 같이 상하방향으로 가늘고 긴 형상(14))을 갖는 것에 특징을 가진다.
접합공정에 있어서 초음파 등의 인가방향을 소자병치방향과 대략 직교시킴으로써 금속범프는 접합공정에 있어서 초음파 인가방향을 따라 찌그러진 형상이 된다. 빗살형상 전극의 접속단자형상을 상기 금속범프의 찌그러진 형상에 맞춘 가늘고 긴 형상으로 함으로써 실질적인 접합강도/접합면적은 확보된 채, 접속단자의 점유면적을 저감하여 패키지의 소형화를 달성할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 한 실시형태와 관련된 탄성표면파장치의 제조방법 및 탄성표면파장치를 설명한다.
본 실시형태와 관련된 탄성표면파장치(1)는 도 1에 나타낸 바와 같이, 예를 들면 세라믹제의 베이스(3) 및 틀형상의 측벽(2)을 가진 패키지(2P)를 이용하여 구성된다(이 패키지(2P)에는 베이스(3)와 대향하는 쪽에 밀봉용 캡이 설치되는데, 여기에서는 캡의 도시는 생략하고 있다). 이 패키지(2P) 내에는 서로 통과주파수 특성이 다른 2종류의 탄성표면파소자(A 및 B)(각각 도 2의 10에 상당)가 병치수용되도록 되어 있다(소자(A)의 주파수특성은 예를 들면 US-CDMA방식용의 밴드패스특성을 갖고, 소자(B)의 주파수특성은 예를 들면 JAPAN-CDMA방식용의 밴드패스 특성을 가진다).
도 2는 탄성표면파소자(10)(도 1의 소자(A 또는 B))의 구조(싱글 인터디지털 트랜스듀서(IDT))를 모식적으로 나타낸 평면도이다. 탄성표면파소자(10)는 예를 들면 탄탈산리튬제의 압전성(壓電性)기판(11)형상으로 형성된 알루미늄합금으로 이루어진 빗살형상 전극(12)을 가진다. 이 전극(12)의 4구석 단부에는 각각 접속단자(13)가 설치되어 있다. 탄성표면파소자(10)가 도 1의 베이스(3)에 탑재된 상태에서, 도 2에 나타낸 수평방향(H)은 도 1의 좌우방향(X)에 대응하고, 도 2에 나타낸 수직방향(V)은 도 1의 상하방향(USa1 또는 USb1)에 대응한다.
도 3은 탄성표면파소자(10(A, B))가 패키지(2P) 내의 베이스(3)에 탑재된 상태의 단면구조를 나타낸다. 탄성표면파소자(10)의 접속단자(13)는 금속범프(5)로 이루어진 접합재를 사이에 두고, 베이스(3) 상의 다이 부착면에 형성된 메탈라이즈층(4)의 소정 위치에 접합되어 있다.
이 한 실시형태에서는 베이스(3)의 소재로서는 알루미나 세라믹이 이용된다. 메탈라이즈층(4)으로서는 텅스텐층을 니켈도금하고, 이 니켈도금 상에 다시 한 번 금도금을 실시한 것이 이용된다. 또, 금속범프(5)로서는 금이 이용된다. 금속범프(5)와 이 범프에 접합하는 메탈라이즈층(4)을 같은 재료(여기에서는 금)로 함으로써 양자의 접합성이 좋아진다.
도 4는 접속단자(13)에 금속범프(5)가 붙은 상태를 모식적으로 예시하고 있다. 상기 도면은 접속단자(13)가 금속범프(5)의 가늘고 긴형상(연신(延伸)형상)(14)에 맞춰서 뻗은 장방형 형상을 하고 있는 경우를 예시하고 있다. 또, 도 4에 예시된 장방형 형상은 어디까지나 일례에 지나지 않고, 그 이외의 형상이 채용되는 것을 방해하지 않는다.
다음에 본 발명의 한 실시형태와 관련된 탄성표면파장치(1)의 제조공정을 도 1~도 3을 적절히 참조하면서, 도 5의 플로우차트를 따라 설명한다.
우선, 전압성 기판(11) 상에 알루미늄 합금층을 형성하고, 이것을 소정의 마스크패턴을 이용하여 에칭한다(스텝(ST10)). 이것에 의해 도 2에 예시한 바와 같은 빗살형상 전극(12) 및 접속단자(13)가 일체적으로 형성된 전극패턴(IDT 패턴)을 얻을 수 있다. 이 에칭스텝(ST10)에 의해 필요한 개수의 탄성표면파소자(10)(도 1의 예에서는 탄성표면파장치 하나당 2개의 탄성표면파소자(A 및 B))를 제작한다.
이어서, 베이스(3) 상의 다이 부착면에 형성된 메탈라이즈층(4) 중, 제 1 탄성표면파소자(10)(여기에서는 소자(A))의 접속단자(13)와 접합되는 소정 위치(다이 부착면에 소자(A)를 페이스다운 탑재한 때에 이 소자의 각 접속단자(13)와 서로 마주보는 위치)에 금속범프(5)를 배치(부착)한다(스텝(ST12)).
또, 금속범프(5)의 배치위치는 메탈라이즈층(4)쪽에 대해서는 비교적 고정밀도로 관리되는데, 탄성표면파소자(10)의 각 접속단자(13)쪽에 대해서는 상대적으로 거칠게 되어 있다.
이어서, 제 1 탄성표면파소자(10(A))를 흡착헤드(도시하지 않음)로 흡착유지하고, 이 흡착헤드마다 소자(A)를 베이스(3) 상의 소정 소자탑재영역(15A)까지 반송한다(스텝(ST14)).
소자(A)를 흡착유지한 흡착헤드에는 도 1의 USa1방향 또는 도 2의 V방향으로 초음파가 인가되도록 되어 있다. 이 초음파 인가에 의한 가진(加振)은 도시하지 않은 초음파 혼(horn) 등의 수단에 의해 실행할 수 있다. 여기에서, 초음파의 인가방향(USa1방향)은 도시하지 않은 흡착헤드의 주진동방향(소자(A)의 주진동방향 또는 도 2의 V방향)과 일치하고 있다.
상기 초음파가진에 의해 다음과 같이 하여 탄성표면파소자(10(A))가 베이스(3)의 다이 부착면에 부착된다.
우선, 초음파의 주진동방향(도 1의 USa1방향)이 탄성표면파소자(10(A 및 B))의 병치방향(도 1의 화살표 X방향)과 대략 직교하는 방향이 되도록 하여, 탄성표면파소자(10(A))를 흡착유지한 흡착헤드(도시하지 않음)를 베이스(3)의 다이 부착면 상에 있는 소자탑재영역(15A)을 향해 하강시켜 탄성표면파소자(10(A))를 베이스(3)에 가압한다(스텝(ST16)).
또, 복수의 탄성표면파소자(10(A 및 B))의 병치방향(도 1의 화살표 X방향)이 장방형 베이스(3)의 하변(또는 상변) 연장방향과 평행하게 있을 때는 초음파의 주진동방향은 베이스(3)의 하변(또는 상변) 연장방향과 대략 직교하는 방향이 되도록 해도 좋다.
여기에서, 상기한 「초음파의 주진동방향(USa1방향)이 탄성표면파소자의 병치방향(화살표 X방향)과 대략 직교하는 방향」이라는 것은 USa1방향과 화살표 X방향과의 사이의 각도를 90°±α로 한 경우에 α가 반드시 제로가 아니어도 좋음을 의미하고 있다.
그러면, α가 어느 정도까지 허용되는가 하면, 이하의 각 오차에 의해 생길 수 있는 90°부터의 "어긋남"의 최대값을 여유를 갖고 포함하는 정도로 한다:
(1) 탄성표면파소자(10)의 칩을 베이스(3)에 탑재할 때의 정렬(alignment) 오차;
(2) 탄성표면파소자(10)의 칩을 베이스(3) 상의 메탈라이즈층(4)에 접합(본딩)하는 장치 자체의 진동방향오차.
스텝(ST16)에서의 가압에 의해 탄성표면파소자(10(A))의 접속단자(13)와 베이스(3) 상의 메탈라이즈층(4)의 소정 위치와의 사이에 협지된 금속범프(5)에 하중을 부여한 상태에서 동시에 초음파 혼 등(도시하지 않음)으로부터 초음파를 인가한다(스텝(ST18)). 이것에 의해 금속범프(5)는 (고속진동에 의한 마찰열로) 용융하고, 탄성표면파소자(10(A))의 각 접속단자(13)가 메탈라이즈층(4)의 소정 부분에 접합된다(전기적으로 접속되는 동시에 기계적으로 결합된다).
또, 상술한 흡착헤드 및 초음파 혼의 구체적 구성은 예를 들면 일본 특개평 10-223694호 공보에 개시되어 있다. 흡착헤드 및 초음파 혼의 구체적 구성은 문헌공지이기 때문에 그 내용의 상세한 설명은 생략하지만, 상기 공보의 개시내용(특히 도 1 및 그 설명부분)은 본원에 수록해 둔다.
이상과 같이 하여 제 1 탄성표면파소자(10(A))의 접합이 끝난 후, 접합해야 하는 소자가 아직 남아 있을 때는 (스텝(ST20)의 "예"), 스텝(ST12~ST18)과 같은 공정에서 제 2 탄성표면파소자(10(B))에 대한 접합이 실행된다.
즉, 제 2 소자(B)의 접속단자(13)와 접합되는 메탈라이즈층(4)의 소정 위치에 금속범프(5)를 배치한다(스텝(ST12)). 이어서, 소자(B)를 흡착헤드로 흡착유지하여 베이스(3) 상의 소정의 소자탑재영역(15B)까지 반송한다(스텝(ST14)). 소자(B)를 흡착유지한 흡착헤드에는 도 1의 USb1방향 또는 도 2의 V방향으로 초음파가 인가되도록 되어 있다. 여기에서, 초음파의 인가방향(USb1 방향)은 흡착헤드의 주진동방향과 일치하고 있다.
다음에 초음파의 주진동방향(USb1방향)이 탄성표면파소자의 병치방향(화살표 X방향)과 대략 직교하는 방향이 되도록 하여, 소자(B)를 흡착유지한 흡착헤드를 베이스(3) 상의 소자탑재영역(15B)을 향해 하강시켜 소자(B)를 베이스(3)에 가압한다(스텝(ST16)).
여기에서, 상기한 「초음파의 주진동방향(USb1방향)이 탄성표면파소자의 병치방향(화살표 X방향)과 대략 직교하는 방향」이라는 것은 USb1방향과 화살표 X방향과의 사이의 각도를 90°±β로 한 경우에 β가 반드시 제로가 아니어도 좋음을 의미하고 있다. 이 β의 허용범위는 전술한 α의 경우와 동등한 것으로 좋다.
스텝(ST16)의 가압에 의해 소자(B)의 접속단자(13)와 베이스(3) 상의 메탈라이즈층(4)의 소정 위치와의 사이에 협지된 금속 범프(5)에 하중을 부여한 상태에서 초음파 혼 등으로부터 초음파를 인가한다(스텝(ST18)). 이것에 의해 금속범프(5)를 용융시키고, 소자(B)의 각 접속단자(13)를 메탈라이즈층(4)의 소정 부분에 접합한다.
이상과 같이 하여 제 2 탄성표면파소자(10(B))의 접합이 끝나고, 접합해야 하는 탄성표면파소자가 더 남아 있지 않을 때는(스텝(ST20)의 "아니오") 소자(A,B)의 위쪽부터 도시하지 않은 캡을 씌워서 이 캡을 패키지 측벽(2)에 접합한다(스텝(ST22)). 이렇게 하여, 하나의 탄성표면파장치(1)가 완성된다.
도 5의 처리공정을 반복함으로써 소망하는 개수의 탄성표면파장치(1)를 생산할 수 있다.
또, 에칭 스텝(ST10)은 그 후의 스텝(ST12~ST22)과는 별도의 시간 및/또는 장소에서 실행되어도 좋다. 즉, 스텝(ST12) 이후의 공정을 실행하기 전에 미리 필요한 개수의 탄성표면파소자(10)를 준비해 두어도 좋다. 구체적으로는 완성된 부품으로서 복수의 탄성표면파소자(10)를 별도로 조달(구입)해 두고, 이들 탄성표면파소자를 이용하여 도 5의 스텝(ST12) 이하의 제조공정을 실시하는 것으로도 본 발명을 실시할 수 있다.
도 5의 접합공정(스텝(ST12~ST18))을 거침으로써 금속범프(5)는 도 4에 예시한 바와 같이, 초음파의 인가방향으로 연신된 가늘고 긴 형상(14)을 갖게 된다. 탄성표면파소자(10)와 베이스(3) 사이의 접합강도는 접속단자(13)와 금속범프(5) 사이의 접합면적의 크기에 의존한다. 이 때문에, 접속단자(13)의 형상을 금속범프(5)의 가늘고 긴 형상(연신형상)(14)을 모두 포함하는 범위가 되도록 작은 사이즈로 하면, 접속강도를 확보한 채로 접속단자(13)의 점유면적을 삭감할 수 있게 된다. 즉, 접속단자(13)의 형상을 금속범프(5)의 가늘고 긴 형상(연신형상)(14)에 맞추어 가늘고 긴 형상(장방형, 4구석을 둥글게 한 장방형 등)으로 하면, 필요한 접속강도를 확보한 채로 복수 탄성표면파소자(10(A, B))의 실장밀도를 올릴 수 있다.
어느 정도 실장밀도를 올릴 수 있는지를 수치를 들어 예시하면, 다음과 같이 된다.
지금, 도 2 및 도 4에 나타낸 접속단자(13)의 형상이 장변(소자(A, B)의 병치방향과 직교하는 방향; 도 1에서는 USa1/USb1방향; 도 2에서는 V방향)이 150㎛이고, 단변(소자(A, B)의 병치방향; 도 1에서는 X방향; 도 2에서는 H방향)이 120㎛인 것으로 한다.
상기에서 예시한 장방형 접속단자(13)를 가진 탄성표면파소자(10)을 이용하여 도 5의 방법으로 탄성표면파장치(1)를 제조한 경우, 탄성표면파소자(10(A 또는 B))의 위치어긋남은 소자병치방향(도 1의 X방향)에 있어서 최대 31㎛, 소자병치방향과 직교하는 초음파 인가방향(도 1의 USa1/USb1방향)에 있어서 최대 76㎛라는 결과를 얻고 있다. 이 경우, 도 1의 탄성표면파소자(A)와 탄성표면파소자(B) 사이의 소자간 거리(L1)는 31㎛라는 위치어긋남에 대한 마진을 취하여 위치어긋남의 2배인 L1=62㎛로 하면 좋다.
한편, 본 발명에 따르지 않고 소자병치방향으로 초음파를 인가하여 탄성표면파소자를 접합하면, 탄성표면파소자(A)와 탄성표면파소자(B) 사이의 소자간 거리(L1)는 76㎛라는 위치어긋남에 대한 마진을 취하여 위치어긋남의 2배인 L1=152㎛로 할 필요가 생긴다.
즉, 본 발명의 실시형태에 의하면, 소자간 마진(L1)을 절반 이하로 격감시킬 수 있다. 이 점에서 복수 탄성표면파소자의 실장밀도를 높일 수 있어 멀티칩 패키지의 탄성표면파장치를 소형화할 수 있게 된다.
또, 접합공정에 있어서 초음파 인가방향과 소자병치방향과의 각도가 90°에서 어긋나면 상기 위치어긋남도 증가하여 본 발명의 실시에 의한 효과(위치어긋남 감소에 의한 실장밀도의 고도화)가 그만큼 엷어지지만, 그래도 전술한 90°±α 또는 90°±β의 범위의 어긋남 이내라면, 본 발명의 실시에 의한 실익은 충분히 있다.
본 발명의 실시에 있어서, 탄성표면파소자(10)의 구조나 구성재료 등은 상술한 예시에 한정된 것은 아니고, 여러가지 변경이 가능하다. 예를 들면, 하나의 압전성 기판(11) 상에 다수의 IDT(빗살무늬 전극(12))를 다단종속접속하여 필터소자를 구성할 수 있다. 또 각 단의 IDT수도 1 이상 임의로 할 수 있다. 또, 하나의 패키지 내에 끼워넣는 탄성표면파소자의 수도 2개로 한정되는 것은 아니며, 3 이상 소망하는 수의 탄성표면파소자가 1패키지에 끼워넣어도 좋다.
이상 서술한 바와 같이, 본 발명과 관련된 탄성표면파장치 및 그 제조방법에 의하면, 매우 소형인 멀티칩 패키지 탄성표면파장치를 얻을 수 있다.

Claims (7)

  1. 각각이 빗살형상 전극 및 접속단자를 구비한 복수의 탄성표면파소자를 소정의 다이 부착면 상에 병치되고, 상기 복수의 탄성표면파소자 각각의 상기 접속단자와 상기 다이 부착면 상의 소정위치를 접합재를 사이에 두고 접합하는 접합공정을 구비한 탄성표면파장치의 제조방법에 있어서,
    상기 접합공정이 상기 접합재에 초음파를 인가하여 상기 접합재를 용융시키는 공정을 포함하고,
    상기 접합공정에 있어서 초음파 인가방향이 상기 탄성표면파소자가 병치되는 방향과 대략 직교하는 방향으로 정해지는 것을 특징으로 하는 탄성표면파장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 접합공정에 앞서, 복수의 압전성 기판 상에 각각 빗살형상 전극을 형성하여 복수의 탄성표면파소자를 제작하는 공정을 마련한 것을 특징으로 하는 탄성표면파장치의 제조방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접합공정이 상기 탄성표면파소자를 흡착유지한 상태에서 상기 접합재에 초음파를 인가하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성표면파장치의 제조방법.
  4. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항에 기재한 제조방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 탄성표면파장치.
  5. 압전성 기판 상에 형성된 빗살형상 전극 및 이 빗살형상 전극에 연결되는 접속단자를 각각이 구비하는 복수의 탄성표면파소자와; 각각의 상기 접속단자가 접합재를 사이에 두고 접합되는 다이 부착면을 갖고, 상기 복수의 탄성표면파소자가 병치되어 수용되는 패키지를 구비하고,
    상기 접합재는 상기 탄성표면파소자가 병치되는 방향과 비교해서 이것에 대략 직교하는 방향으로 연신된 형상을 가진 것을 특징으로 하는 탄성표면파장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 복수의 탄성표면파소자는 주파수 특성이, 다른 탄성표면파소자와는 상이한 탄성표면파소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성표면파장치.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 접속단자가 상기 탄성표면파소자가 병치되는 방향을 따라 짧고 세로로 긴 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파장치.
KR1020017016632A 2000-05-11 2001-05-09 탄성표면파장치의 제조방법 및 탄성표면파장치 KR100614711B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2000-00138098 2000-05-11
JP2000138098 2000-05-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020036791A true KR20020036791A (ko) 2002-05-16
KR100614711B1 KR100614711B1 (ko) 2006-08-21

Family

ID=18645762

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020017016632A KR100614711B1 (ko) 2000-05-11 2001-05-09 탄성표면파장치의 제조방법 및 탄성표면파장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6731045B2 (ko)
EP (1) EP1292022B1 (ko)
KR (1) KR100614711B1 (ko)
CN (1) CN1219355C (ko)
DE (1) DE60140535D1 (ko)
WO (1) WO2001089084A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012114713A (ja) * 2010-11-25 2012-06-14 Toshiba Corp 超音波プローブ

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62105514A (ja) * 1985-11-01 1987-05-16 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 弾性表面波フイルタバンク
JPS62173814A (ja) * 1986-01-28 1987-07-30 Alps Electric Co Ltd 弾性表面波素子搭載ユニツト
JPH02170611A (ja) * 1988-12-22 1990-07-02 Clarion Co Ltd 弾性表面波装置
JP3194849B2 (ja) * 1995-05-30 2001-08-06 日本無線株式会社 弾性表面波デバイス製造方法
JPH10223694A (ja) 1997-02-05 1998-08-21 Toshiba Corp ボンディング装置
JP3982876B2 (ja) * 1997-06-30 2007-09-26 沖電気工業株式会社 弾性表面波装置
JP3794792B2 (ja) * 1997-07-22 2006-07-12 Ｔｄｋ株式会社 回路基板
JPH11122072A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Fujitsu Ltd 弾性表面波装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20020057037A1 (en) 2002-05-16
EP1292022A1 (en) 2003-03-12
KR100614711B1 (ko) 2006-08-21
EP1292022B1 (en) 2009-11-18
US6731045B2 (en) 2004-05-04
WO2001089084A1 (fr) 2001-11-22
DE60140535D1 (de) 2009-12-31
EP1292022A4 (en) 2008-09-17
CN1372716A (zh) 2002-10-02
CN1219355C (zh) 2005-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7528523B2 (en) Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof
JP2006352617A (ja) 電子部品の製造方法
EP1143614A1 (en) Surface acoustic wave device and method of producing the same
JP2019021998A (ja) 電子部品
US8022594B2 (en) Surface acoustic wave device
JP3911838B2 (ja) 圧電振動子の製造方法
JP7340344B2 (ja) 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ
KR100614711B1 (ko) 탄성표면파장치의 제조방법 및 탄성표면파장치
CN110880921B (zh) 体声波结构、体声波装置及其制造方法
JP4496652B2 (ja) 弾性表面波装置とその製造方法
JPH08330880A (ja) 弾性表面波デバイス製造方法
JPH0818390A (ja) 弾性表面波装置
CN109494212A (zh) 电子部件
JPH05291864A (ja) 弾性表面波素子実装回路とその製造方法
KR101053017B1 (ko) 기판 면적이 감소된 전기 소자
US11271542B2 (en) Acoustic wave device and method of fabricating the same
JP4130314B2 (ja) 弾性表面波装置の製造方法
JP3389530B2 (ja) 半導体装置
JP3291046B2 (ja) 弾性表面波装置及びその製造方法
JP2000353934A (ja) 弾性表面波装置
JP2004135092A (ja) 表面実装型ｓａｗデバイス
JP2003163563A (ja) 圧電装置
JP3647796B2 (ja) パッケージ基板およびそれを用いた集積回路装置、ならびに集積回路装置の製造方法
JP3613194B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
CN117060874A (zh) 弹性表面波装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20040326

Effective date: 20051031

S901 Examination by remand of revocation
E902 Notification of reason for refusal
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120724

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130723

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140722

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150807

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160805

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170804

Year of fee payment: 12