KR20020035458A - 발광 반도체 장치 및 그 형성 방법 - Google Patents
발광 반도체 장치 및 그 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020035458A KR20020035458A KR1020010068736A KR20010068736A KR20020035458A KR 20020035458 A KR20020035458 A KR 20020035458A KR 1020010068736 A KR1020010068736 A KR 1020010068736A KR 20010068736 A KR20010068736 A KR 20010068736A KR 20020035458 A KR20020035458 A KR 20020035458A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- active region
- type
- light emitting
- emitting semiconductor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 155
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 80
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 151
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 48
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 10
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 28
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 126
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 38
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 3
- 230000005524 hole trap Effects 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
Claims (43)
- 발광 반도체 장치에 있어서,제 1 전도형(a first conductivity type)을 갖는 제 1 반도체의 제 1 캐리어 감금 층(a first carrier confinement layer)과,활성 영역(a active region)과,상기 활성 영역과 상기 제 1 캐리어 감금 층 사이에 배치되는 웨이퍼 본딩 계면(a wafer bonded interface)을 포함하는발광 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 활성 영역이 0 ≤x ≤1, 0 ≤y ≤1, 0 ≤z ≤1, x + y + z = 1인 AlxGayInzP를 포함하는발광 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 활성 영역이 0 ≤x ≤1인 (AlxGa1-x)0.5In0.5P를 포함하는발광 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 웨이퍼 본딩 계면이 상기 활성 영역과 상기 제 1 캐리어 감금 층의 계면인발광 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 반도체가 P 타입 SiC, P 타입 AlP, P 타입 AlN, P 타입 GaN, P 타입 II-VI 반도체 및 P 타입 다이아몬드로 이루어진 그룹에서 선택되는 반도체를 포함하는발광 반도체 장치.
- 제 5 항에 있어서,0 ≤x ≤1, 0 ≤y ≤1, 0 ≤z ≤1, x + y + z = 1인 N 타입 AlxGayInzP를 포함하는 제 2 캐리어 감금 층(a second carrier confinement layer)을 더 포함하며,상기 활성 영역이 상기 제 1 캐리어 감금 층과 상기 제 2 캐리어 감금 층 사이에 배치되는발광 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 반도체가 N 타입 SiC, N 타입 AlP, N 타입 AlN, N 타입 GaN, N 타입 II-VI 반도체 및 N 타입 다이아몬드로 이루어진 그룹에서 선택되는 반도체를 포함하는발광 반도체 장치.
- 제 7 항에 있어서,0 ≤x ≤1, 0 ≤y ≤1, 0 ≤z ≤1, x + y + z = 1인 P 타입 AlxGayInzP, P 타입 SiC, P 타입 AlN, P 타입 GaN, P 타입 II-VI 반도체 및 P 타입 다이아몬드로 이루어진 그룹에서 선택되는 반도체를 포함하는 제 2 캐리어 감금 층(a second carrier confinement layer)을 더 포함하며, 상기 활성 영역이 상기 제 1 캐리어 감금 층과 상기 제 2 캐리어 감금 층 사이에 배치되는발광 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 활성 영역과 상기 제 1 캐리어 감금 층 사이에 배치되는 제 1 스페이서 층(a first spacer layer)을 더 포함하는발광 반도체 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 1 스페이서 층이 0 ≤x ≤1, 0 ≤y ≤1, 0 ≤z ≤1, x + y + z = 1인 AlxGayInzP를 포함하는발광 반도체 장치.
- 제 9 항에 있어서,0 ≤x ≤1인 (AlxGa1-x)0.5In0.5P를 포함하는발광 반도체 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 1 스페이서 층이 P 타입 InGaP, P 타입 AlInP 및 N 타입 AlInP로 이루어진 그룹에서 선택되는 물질을 포함하는발광 반도체 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 웨이퍼 본딩 계면이 상기 제 1 스페이서 층과 상기 캐리어 감금 층의 계면인발광 반도체 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 웨이퍼 본딩 계면이 상기 제 1 스페이서 층과 상기 활성 영역의 계면인발광 반도체 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 활성 영역과 상기 제 1 캐리어 감금 층 사이에 배치되는 제 2 스페이서 층(a second spacer layer)을 더 포함하며, 상기 웨이퍼 본딩 계면이 상기 제 1 스페이서 층과 상기 제 2 스페이서 층의 계면인발광 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,제 2 전도형(a second conductivity type)을 갖는 제 2 반도체의 제 2 캐리어 감금 층(a second carrier confinement layer)을 더 포함하며, 상기 활성 영역이 상기 제 1 캐리어 감금 층과 상기 제 2 캐리어 감금 층 사이에 배치되는발광 반도체 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 활성 영역과 상기 제 2 캐리어 감금 층 사이에 배치되는 다른 웨이퍼 본딩 계면을 더 포함하는발광 반도체 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 제 1 캐리어 감금 층에 전기적으로 접속되는 제 1 컨택트(a first contact)와 상기 제 2 캐리어 감금 층에 전기적으로 접속되는 제 2 컨택트(a second contact)를 더 포함하는발광 반도체 장치.
- 발광 반도체 장치에 있어서,0 ≤x ≤1인 N 타입 (Alx1Ga1-x1)0.5In0.5P를 포함하는 제 1 반도체 층과,P 타입 SiC, P 타입 AlP, P 타입 AlN 및 P 타입 GaN으로 이루어진 그룹에서 선택되는 물질을 포함하는 제 2 반도체 층과,상기 제 1 반도체 층과 상기 제 2 반도체 층 사이에 배치되는, 0 ≤x2 ≤1인 (Alx2Ga1-x2)0.5In0.5P를 포함하는 활성 영역과,제 1 반도체 층에 전기적으로 접속되는 제 1 컨택트와,제 2 반도체 층에 전기적으로 접속되는 제 2 컨택트와,상기 활성 영역과 상기 제 2 반도체 층 사이에 배치되는 웨이퍼 본딩 계면을 포함하는발광 반도체 장치.
- 발광 반도체 장치에 있어서,P 타입 전도성의 제 1 반도체 층과,N 타입 전도성의 제 2 반도체 층과,상기 제 1 반도체 층과 상기 제 2 반도체 층 사이에 배치되는 활성 영역과,상기 활성 영역과, 상기 제 1 반도체 층과 상기 제 2 반도체 층 중의 하나 사이에 배치되는 웨이퍼 본딩 계면을 포함하며,상기 제 1 반도체 층의 전도 밴드 에지(a conduction band edge)가 상기 활성 영역의 전도 밴드 에지 보다 높은 에너지에 있고, 상기 제 2 반도체 층의 가전자 밴드 에지(a valence band edge)가 상기 활성 영역의 가전자 밴드 에지 보다 낮은 에너지에 있는발광 반도체 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 활성 영역이 0 ≤x ≤1, 0 ≤y ≤1, 0 ≤z ≤1, x + y + z = 1인 AlxGayInzP를 포함하는발광 반도체 장치.
- 제 20항에 있어서,상기 활성 영역이 0 ≤x ≤1인 (AlxGa1-x)0.5In0.5P를 포함하는발광 반도체 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 웨이퍼 본딩 계면이 상기 활성 영역과 상기 제 1 반도체 층의 계면과 활성 영역과 상기 제 2 반도체 층의 계면 중의 하나인발광 반도체 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 웨이퍼 본딩 계면이 상기 활성 영역과 상기 제 1 반도체 층의 사이에 배치되며, 상기 제 1 반도체 층이 P 타입 SiC, P 타입 AlP, P 타입 AlN, P 타입 GaN, P 타입 II-VI 반도체 및 P 타입 다이아몬드로 이루어진 그룹에서 선택되는 반도체를 포함하는발광 반도체 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 웨이퍼 본딩 계면이 상기 활성 영역과 상기 제 2 반도체 층의 사이에 배치되며, 상기 제 2 반도체 층이 N 타입 SiC, N 타입 AlP, N 타입 AlN, N 타입 GaN, N 타입 II-VI 반도체 및 N 타입 다이아몬드로 이루어진 그룹에서 선택된 반도체를 포함하는발광 반도체 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 활성 영역과 상기 제 1 반도체 층 사이에 배치되는 스페이서 층을 더 포함하는발광 반도체 장치.
- 제 26 항에 있어서,상기 스페이서 층이 0 ≤x ≤1, 0 ≤y ≤1, 0 ≤z ≤1, x + y + z = 1인 AlxGayInzP를 포함하는발광 반도체 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 활성 영역과 상기 제 2 반도체 층 사이에 배치되는 스페이서 층을 더 포함하는발광 반도체 장치.
- 제 28 항에 있어서,상기 스페이서 층이 0 ≤x ≤1, 0 ≤y ≤1, 0 ≤z ≤1, x + y + z = 1인 AlxGayInzP를 포함하는발광 반도체 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 웨이퍼 본딩 계면이 상기 활성 영역과 상기 제 1 반도체 층 사이에 배치되며, 상기 활성 영역과 상기 제 2 반도체 층 사이에 배치되는 다른 웨이퍼 본딩 계면을 더 포함하는발광 반도체 장치.
- 제 20항에 있어서,상기 제 1 반도체 층에 전기적으로 접속되는 p-컨택트와, 상기 제 2 반도체 층에 전기적으로 접속되는 n-컨택트를 더 포함하는발광 반도체 장치.
- 발광 반도체 장치를 형성하는 방법에 있어서,활성 영역을 포함하는 층들의 스택(a stack of layers)을 제조하는 방법과,상기 스택에 제 1 전도형을 갖는 제 1 반도체의 제 1 캐리어 감금 층을 포함하는 구조물을 웨이퍼 본딩하는 방법을 포함하는발광 반도체 형성 방법.
- 제 32 항에 있어서,상기 활성 영역이 0 ≤x ≤1, 0 ≤y ≤1, 0 ≤z ≤1, x + y + z = 1인 AlxGayInzP를 포함하는발광 반도체 형성 방법.
- 제 32 항에 있어서,상기 제 1 반도체가 SiC, AlP, AlN, GaN, II-VI 반도체 및 다이아몬드로 이루어진 그룹에서 선택되는 반도체를 포함하는발광 반도체 형성 방법.
- 제 32 항에 있어서,상기 웨이퍼 본딩 방법이 상기 활성 영역에 상기 제 1 캐리어 감금 층을 웨이퍼 본딩하는 방법을 포함하는발광 반도체 형성 방법.
- 제 32 항에 있어서,상기 웨이퍼 본딩 방법이 상기 활성 영역에 상기 제 1 캐리어 감금 층에 가깝게 배치된 스페이서 층을 웨이퍼 본딩하는 방법을 포함하는발광 반도체 형성 방법.
- 제 32 항에 있어서,상기 스택이 상기 활성 영역에 가깝게 배치되는 스페이서 층을 포함하며, 상기 웨이퍼 본딩 방법이 상기 스페이서 층에 상기 제 1 캐리어 감금 층을 웨이퍼 본딩하는 방법을 포함하는발광 반도체 형성 방법.
- 제 32 항에 있어서,상기 스택이 상기 활성 영역에 가깝게 배치되는 제 1 스페이서 층(a first spacer layer)을 포함하며, 상기 웨이퍼 본딩 방법이 상기 제 1 스페이서 층에 상기 제 1 캐리어 감금 층에 가깝게 배치되는 제 2 스페이서 층(a second spacer layer)을 웨이퍼 본딩하는 방법을 포함하는발광 반도체 형성 방법.
- 제 32 항에 있어서,상기 스택이 제 2 전도형을 갖는 제 2 반도체의 제 2 캐리어 감금 층을 포함하는발광 반도체 형성 방법.
- 제 39 항에 있어서,상기 제조 방법이 상기 활성 영역에 상기 제 2 캐리어 감금 층을 웨이퍼 본딩하는 방법을 포함하는발광 반도체 형성 방법.
- 제 39 항에 있어서,상기 제조 방법이 상기 활성 영역에 가깝게 배치된 스페이서 층에 상기 제 2 캐리어 감금 층을 웨이퍼 본딩하는 방법을 포함하는발광 반도체 형성 방법.
- 제 39 항에 있어서,상기 제조 방법이 상기 활성 영역에 상기 제 2 캐리어 감금 층에 가깝게 배치된 스페이서 층을 웨이퍼 본딩하는 방법을 포함하는발광 반도체 형성 방법.
- 제 39 항에 있어서,상기 제조 방법이 상기 활성 영역에 가깝게 배치된 다른 스페이서 층에 상기 제 2 캐리어 감금 층에 가깝게 배치된 스페이서 층을 웨이퍼 본딩하는 방법을 포함하는발광 반도체 형성 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/707,495 US6525335B1 (en) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | Light emitting semiconductor devices including wafer bonded heterostructures |
US09/707,495 | 2000-11-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020035458A true KR20020035458A (ko) | 2002-05-11 |
KR100952401B1 KR100952401B1 (ko) | 2010-04-14 |
Family
ID=24841930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020010068736A KR100952401B1 (ko) | 2000-11-06 | 2001-11-06 | 발광 반도체 장치 및 그 형성 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6525335B1 (ko) |
EP (1) | EP1204150B1 (ko) |
JP (1) | JP2002151735A (ko) |
KR (1) | KR100952401B1 (ko) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1653297B (zh) | 2002-05-08 | 2010-09-29 | 佛森技术公司 | 高效固态光源及其使用和制造方法 |
US7928455B2 (en) * | 2002-07-15 | 2011-04-19 | Epistar Corporation | Semiconductor light-emitting device and method for forming the same |
US7528417B2 (en) * | 2003-02-10 | 2009-05-05 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode device and production method thereof |
US8999736B2 (en) * | 2003-07-04 | 2015-04-07 | Epistar Corporation | Optoelectronic system |
EP1521311A3 (de) * | 2003-09-30 | 2010-09-15 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Strahlungsemittierender Halbleiterkörper mit Confinement-Schichten |
WO2005043954A2 (en) * | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Phoseon Technology, Inc. | Series wiring of highly reliable light sources |
US7819550B2 (en) * | 2003-10-31 | 2010-10-26 | Phoseon Technology, Inc. | Collection optics for led array with offset hemispherical or faceted surfaces |
US7118782B2 (en) * | 2003-11-25 | 2006-10-10 | Eastman Kodak Company | Method for manufacturing diamond coatings |
WO2005091392A1 (en) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Phoseon Technology, Inc. | Micro-reflectors on a substrate for high-density led array |
EP1754259B1 (en) | 2004-03-18 | 2019-07-17 | Phoseon Technology, Inc. | Direct and indirect cooling of leds |
US7816638B2 (en) * | 2004-03-30 | 2010-10-19 | Phoseon Technology, Inc. | LED array having array-based LED detectors |
ATE503963T1 (de) * | 2004-04-12 | 2011-04-15 | Phoseon Technology Inc | Hochdichtes led-array |
WO2005100961A2 (en) * | 2004-04-19 | 2005-10-27 | Phoseon Technology, Inc. | Imaging semiconductor strucutures using solid state illumination |
US20050274970A1 (en) * | 2004-06-14 | 2005-12-15 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting device with transparent substrate having backside vias |
US7256483B2 (en) * | 2004-10-28 | 2007-08-14 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Package-integrated thin film LED |
US9281001B2 (en) * | 2004-11-08 | 2016-03-08 | Phoseon Technology, Inc. | Methods and systems relating to light sources for use in industrial processes |
TWI352437B (en) | 2007-08-27 | 2011-11-11 | Epistar Corp | Optoelectronic semiconductor device |
US8748923B2 (en) * | 2005-03-14 | 2014-06-10 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Wavelength-converted semiconductor light emitting device |
US7341878B2 (en) * | 2005-03-14 | 2008-03-11 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Wavelength-converted semiconductor light emitting device |
US7804100B2 (en) * | 2005-03-14 | 2010-09-28 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Polarization-reversed III-nitride light emitting device |
US7244630B2 (en) * | 2005-04-05 | 2007-07-17 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | A1InGaP LED having reduced temperature dependence |
KR20080030020A (ko) * | 2005-06-17 | 2008-04-03 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 광전자 어플리캐이션을 위한 (Al,Ga,In)N 및 ZnO직접 웨이퍼-접착 구조 및 그 제조방법 |
US20070076412A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light source with light emitting array and collection optic |
US7543959B2 (en) * | 2005-10-11 | 2009-06-09 | Philips Lumiled Lighting Company, Llc | Illumination system with optical concentrator and wavelength converting element |
US7642527B2 (en) * | 2005-12-30 | 2010-01-05 | Phoseon Technology, Inc. | Multi-attribute light effects for use in curing and other applications involving photoreactions and processing |
TW201448263A (zh) | 2006-12-11 | 2014-12-16 | Univ California | 透明發光二極體 |
JP5189771B2 (ja) * | 2007-02-01 | 2013-04-24 | ローム株式会社 | GaN系半導体素子 |
CN102099976B (zh) | 2008-05-30 | 2013-06-12 | 加利福尼亚大学董事会 | 在降低的温度下制造的(Al、Ga、In)N二极管激光器 |
FR2953328B1 (fr) * | 2009-12-01 | 2012-03-30 | S O I Tec Silicon On Insulator Tech | Heterostructure pour composants electroniques de puissance, composants optoelectroniques ou photovoltaiques |
US10490691B2 (en) | 2015-07-31 | 2019-11-26 | Apple Inc. | Light emitting diode with displaced P-type doping |
EP3916817B1 (en) | 2016-02-09 | 2024-09-18 | Lumeova, Inc | Ultra-wideband, wireless optical high speed communication devices and systems |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL122607C (ko) | 1961-07-26 | 1900-01-01 | ||
US3351502A (en) | 1964-10-19 | 1967-11-07 | Massachusetts Inst Technology | Method of producing interface-alloy epitaxial heterojunctions |
US3355636A (en) | 1965-06-29 | 1967-11-28 | Rca Corp | High power, high frequency transistor |
US3959045A (en) | 1974-11-18 | 1976-05-25 | Varian Associates | Process for making III-V devices |
US4169000A (en) | 1976-09-02 | 1979-09-25 | International Business Machines Corporation | Method of forming an integrated circuit structure with fully-enclosed air isolation |
DE2926785C2 (de) | 1979-07-03 | 1985-12-12 | HIGRATHERM electric GmbH, 7100 Heilbronn | Bipolarer Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE2926757C2 (de) | 1979-07-03 | 1983-08-04 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Halbleiteranordnung mit negativem differentiellen Widerstand |
EP0161740B1 (en) | 1984-05-09 | 1991-06-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor substrate |
JPH0770474B2 (ja) | 1985-02-08 | 1995-07-31 | 株式会社東芝 | 化合物半導体装置の製造方法 |
JPS61182280A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-14 | Toshiba Corp | 青色発光素子の製造方法 |
US4914667A (en) * | 1987-01-21 | 1990-04-03 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Hybrid laser for optical communications, and transmitter, system, and method |
US4883215A (en) | 1988-12-19 | 1989-11-28 | Duke University | Method for bubble-free bonding of silicon wafers |
US5008718A (en) * | 1989-12-18 | 1991-04-16 | Fletcher Robert M | Light-emitting diode with an electrically conductive window |
US5376580A (en) * | 1993-03-19 | 1994-12-27 | Hewlett-Packard Company | Wafer bonding of light emitting diode layers |
TW289837B (ko) | 1994-01-18 | 1996-11-01 | Hwelett Packard Co | |
US5869849A (en) | 1995-10-05 | 1999-02-09 | Industry Technology Research Institute | Light-emitting diodes with high illumination |
US5724376A (en) * | 1995-11-30 | 1998-03-03 | Hewlett-Packard Company | Transparent substrate vertical cavity surface emitting lasers fabricated by semiconductor wafer bonding |
US5917202A (en) * | 1995-12-21 | 1999-06-29 | Hewlett-Packard Company | Highly reflective contacts for light emitting semiconductor devices |
US6072196A (en) * | 1996-09-05 | 2000-06-06 | Ricoh Company, Ltd. | semiconductor light emitting devices |
US6144683A (en) * | 1998-01-07 | 2000-11-07 | Xerox Corporation | Red, infrared, and blue stacked laser diode array by wafer fusion |
US6066862A (en) * | 1998-08-31 | 2000-05-23 | United Epitaxy Company, Ltd. | High brightness light emitting diode |
US6201264B1 (en) * | 1999-01-14 | 2001-03-13 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Advanced semiconductor devices fabricated with passivated high aluminum content III-V materials |
US20010042866A1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-11-22 | Carrie Carter Coman | Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal |
US6320206B1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-11-20 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Light emitting devices having wafer bonded aluminum gallium indium nitride structures and mirror stacks |
US6280523B1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-08-28 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Thickness tailoring of wafer bonded AlxGayInzN structures by laser melting |
US6355541B1 (en) * | 1999-04-21 | 2002-03-12 | Lockheed Martin Energy Research Corporation | Method for transfer of thin-film of silicon carbide via implantation and wafer bonding |
-
2000
- 2000-11-06 US US09/707,495 patent/US6525335B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-10-18 JP JP2001320214A patent/JP2002151735A/ja active Pending
- 2001-10-29 EP EP01204133.1A patent/EP1204150B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-06 KR KR1020010068736A patent/KR100952401B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6525335B1 (en) | 2003-02-25 |
EP1204150B1 (en) | 2018-05-09 |
JP2002151735A (ja) | 2002-05-24 |
KR100952401B1 (ko) | 2010-04-14 |
EP1204150A1 (en) | 2002-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100952401B1 (ko) | 발광 반도체 장치 및 그 형성 방법 | |
US7939833B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device | |
US7417258B2 (en) | Semiconductor light-emitting device, and a method of manufacture of a semiconductor device | |
US10304997B2 (en) | III-nitride light emitting device with a region including only ternary, quaternary, and/or quinary III-nitride layers | |
US6881602B2 (en) | Gallium nitride-based semiconductor light emitting device and method | |
TWI403002B (zh) | 半導體發光元件 | |
US7821019B2 (en) | Triple heterostructure incorporating a strained zinc oxide layer for emitting light at high temperatures | |
US7964882B2 (en) | Nitride semiconductor-based light emitting devices | |
JP2890390B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
US7791081B2 (en) | Radiation-emitting semiconductor chip | |
JP4505147B2 (ja) | 相分離の少ないiii族窒化物4元材料系を用いた半導体構造体および加工方法 | |
US10685835B2 (en) | III-nitride tunnel junction with modified P-N interface | |
JP2003198045A (ja) | 半導体レーザ構造体 | |
JP2007066981A (ja) | 半導体装置 | |
US20100038674A1 (en) | Light-Emitting Diode With Current-Spreading Region | |
KR102587949B1 (ko) | 질화물 기반의 발광 장치에서 정공 주입을 위한 이종 터널링 접합 | |
US20080078439A1 (en) | Polarization-induced tunnel junction | |
JP4288030B2 (ja) | Iii族窒化物4元材料系を用いた半導体構造体 | |
US6324200B1 (en) | Semiconductor laser device | |
JP2005183592A (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
JP4836382B2 (ja) | 発光素子 | |
JPH11220172A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
JP2003514402A (ja) | 相分離が抑制されたiii族窒化物材料系を用いた半導体構造及び製造方法 | |
JP4284103B2 (ja) | 酸化物半導体発光素子 | |
JPWO2008117788A1 (ja) | 発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130403 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140326 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160406 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170327 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180323 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190318 Year of fee payment: 10 |