KR20020026188A - 박막트랜지스터와 그 제조방법 및 그것을 사용한액정표시장치 - Google Patents
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Abstract
Description
B(cd/m2) | W(㎛) | R(kΩ/□) | OFF전류 | |
실험예 1 | 3000 | 4 | 50 | O |
실험예 2 | 5000 | 2 | 50 | O |
실험예 3 | 5000 | 3 | 30 | O |
실험예 4 | 3000 | 4 | 80 | × |
실험예 5 | 5000 | 4 | 50 | × |
Vlc(V) | △L(㎛) | Vlc/△L | W(㎛) | WㆍVlc/36 | 3ㆍ(W/L) | 온전류 | 오프전류 | |
실험예 1 | 6 | 1 | 6ㆍ106 | 5 | 0.83 | 1.25 | O | O |
실험예 2 | 6 | 1.5 | 4ㆍ106 | 5 | 0.83 | 1.25 | × | O |
실험예 3 | 3 | 0.5 | 6ㆍ106 | 5 | 0.41 | 1.25 | O | O |
실험예 4 | 3 | 0.75 | 4ㆍ106 | 3 | 0.25 | 0.75 | O | O |
실험예 5 | 6 | 2 | 3ㆍ106 | 5 | 0.83 | 1.25 | × | O |
실험예 6 | 6 | 0.5 | 12ㆍ106 | 5 | 0.83 | 1.25 | O | × |
실험예 7 | 3 | 1 | 3ㆍ106 | 3 | 0.25 | 0.75 | × | O |
Claims (20)
- 채널영역과, 이 채널영역의 양측에 배치된 소스영역 및 드레인영역이 형성된 다결정 실리콘반도체층을 가지며,상기 채널영역과 상기 드레인영역과의 사이에는 공핍층(空乏層)이 형성되고,이 공핍층의 폭과 상기 채널영역에 광이 조사된 경우에 발생하는 광전도전류와는 비례관계를 가지며, 상기 광전도전류를 소정 허용치내로 하기 위해 공핍층의 폭을 상기 비례관계에 의거해 구한 값 이하로 한 구성인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 드레인영역의 시트저항을 R(kΩ/□), 상기 채널영역의 채널폭을 W(㎛)로 한 경우, 수학식 1의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.(R + 30) ㆍ W < A (1)
- 제2항에 있어서, 상기 드레인영역의 시트저항을 R(kΩ/□), 상기 채널영역의 채널폭을 W(㎛)로 한 경우, 수학식 2의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.(R + 30) ㆍ W < 1 ×103(2)
- 제3항에 있어서, 상기 채널영역의 채널폭(W)이 2㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 제3항에 있어서, 상기 드레인영역의 시트저항이 20kΩ/□이상 100kΩ/□이하인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 제4항에 있어서, 상기 드레인영역의 시트저항이 20kΩ/□이상 100kΩ/□이하인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 채널영역과, 이 채널영역의 양측에 소스영역 및 드레인영역이 배치된 다결정 실리콘반도체층을 가지며, 액정표시장치에 스위칭소자로서 구비되는 박막트랜지스터로서,상기 액정표시장치를 구성하는 백라이트의 휘도를 2000(cd/m2)이상으로 하는 경우, 상기 소스영역과 상기 채널영역과의 사이 또는 상기 드레인영역과 상기 채널영역과의 사이의 최소한 어느 한쪽에, 불순물농도가 소스영역 및 드레인영역보다 낮은 저농도 불순물영역이 형성되고, 이 저농도불순물영역의 길이(△L)는 1.0㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 채널영역과, 채널영역의 양측에 배치된 소스영역 및 드레인영역이 형성되고, 상기 소스영역과 채널영역과의 사이 또는 드레인영역과 채널영역과의 사이의 최소한 어느 한쪽에, 불순물농도가 소스영역 및 드레인영역보다 낮은 저농도 불순물영역이 형성된 다결정 실리콘반도체층을 가진 박막트랜지스터로서,상기 저농도 불순물영역의 길이를 △L(㎛), 소스-드레인간 전압을 Vlc(V), 상기 채널영역의 채널폭을 W(㎛)로 한 경우, 수학식 3의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.△L > (W ㆍ Vlc) / 36 (3)
- 제8항에 있어서, 상기 채널영역의 채널 길이를 L(㎛)로 한 경우, 수학식 4의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.△L < 1.5 ㆍ (W / L) (4)
- 제9항에 있어서, 상기 채널영역의 채널폭(W)이 2㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 제9항에 있어서, 상기 저농도 불순물영역의 시트저항이 20kΩ/□이상 100kΩ/□이하인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 제10항에 있어서, 상기 저농도 불순물영역의 시트저항이 20kΩ/□이상 100kΩ/□이하인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 제11항에 있어서, 상기 저농도 불순물영역이 드레인영역과 채널영역과의 사이에만 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 제1항에 기재한 박막트랜지스터를 스위칭소자로서 구비한 액정패널부와,상기 액정패널부에 이면측에서 광을 공급하는 백라이트부를 구비한 액정표시장치로서,상기 드레인영역의 시트저항을 R(kΩ/□), 상기 백라이트부의 휘도를 B(cd/m2), 상기 채널영역의 채널폭을 W(㎛)로 한 경우, 수학식 5의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.(R + 30) ㆍ B ㆍW < C (5)
- 제14항에 있어서, 상기 드레인영역의 시트저항을 R(kΩ/□), 상기 백라이트부의 휘도를 B(cd/m2), 상기 채널영역의 채널폭을 W(㎛)로 한 경우, 수학식 6의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.(R + 30) ㆍ B ㆍW < 1 ×106(6)
- 박막트랜지스터를 갖는 기판에 형성된 화소전극 상층에 발광층을 가지며, 이 발광층 상층에 대향전극이 형성된 EL장치로서,상기 박막트랜지스터는 제1항에 기재한 박막트랜지스터이며, 이 박막트랜지스터의 채널영역에 조사되는 광강도를 B(cd/m2)로 한 경우, 수학식 5의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는 EL장치.(R + 30) ㆍ B ㆍW < C (5)
- 제16항에 있어서, 상기 드레인영역의 시트저항을 R(kΩ/□), 상기 채널영역에 조사되는 광강도를 B(cd /m2), 상기 채널영역의 채널폭을 W(㎛)로 한 경우, 수학식 6의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는 EL표시장치.(R + 30) ㆍ B ㆍW < 1 ×106(6)
- 절연성 기판상에 다결정 실리콘반도체층을 형성하는 다결정 실리콘반도체층 형성공정과,상기 다결정 실리콘반도체층상에 게이트절연막을 형성하는 게이트절연막 형성공정과,상기 게이트절연막상에 게이트전극을 패턴형으로 형성하는 게이트전극 형성공정과,상기 게이트전극의 측면을 산화하여, 이 게이트전극의 측면을 덮는 금속산화막을 형성하는 양극(陽極)산화공정과,상기 다결정 실리콘반도체층에 상기 게이트전극을 마스크로서 불순물을 도프하는 불순물도프공정을 갖는 박막트랜지스터의 제조방법으로서,상기 양극산화공정에서 형성되는 금속산화막의 막두께를 제어하여, 상기 불순물도프공정에서 형성되는 저농도 불순물영역의 길이(△L)를 1.0㎛ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
- 절연성기판상에 다결정 실리콘반도체층을 형성하는 다결정 실리콘반도체층 형성공정과,상기 다결정 실리콘반도체층상에 게이트절연막을 형성하는 게이트절연막 형성공정과,상기 게이트절연막상에 게이트전극을 패턴형으로 형성하는 게이트전극 형성공정과,상기 다결정 실리콘반도체층상에 상기 게이트전극을 마스크로서 불순물을 도프하는 제1의 불순물도프공정과,상기 제1의 불순물도프공정에 의해 불순물이 도프된 반도체영역상에 차폐막을 형성하고, 이 차폐막을 이방성 에칭에 의해 패턴형으로 형성하는 차폐막 형성공정과,상기 다결정 실리콘반도체층에 상기 차폐막을 마스크로서 불순물을 도프하고, 차폐막의 하부영역과 그 이외의 영역에서 불순물농도차가 존재하도록 하여 소스영역과 채널영역과의 사이 또는 드레인영역과 채널영역과의 사이의 최소한 어느 한쪽에 불순물농도가 소스영역 및 드레인영역보다 낮은 저농도 불순물영역을 형성하고, 이 저농도 불순물영역의 길이를 1.0㎛ 이하로 하는 제2의 불순물도프공정을 가지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제19항에 있어서, 상기 저농도 불순물영역의 길이(△L)가 1.0㎛ 이하인 것을 양품으로 하는 검사공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
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