KR20020019171A - 반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시 회로 - Google Patents

반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시 회로 Download PDF

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KR20020019171A
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윤종용
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Abstract

본 발명은 반도체 메모리에 관한 것으로, 특히 결함 셀을 구제하여 양품의 획득률(Yield)을 높이면서 동시에 메모리 칩 사이즈를 줄일 수 있는 반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시 회로에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시 회로는: 복수 개의 행과 열의 매트릭스로 배열된 노멀 메모리 셀들과, 상기 노멀 메모리 셀들에 대응되게 연결되는 노멀 컬럼 디코더들로 이루어진 노멀 컬럼 메모리 셀 블록, 및 다수의 열로 상기 노멀 메모리 셀들과 구분 배열된 리던던시 컬럼 메모리 셀과, 상기 리던던시 컬럼 메모리 셀에 연결되는 리던던시 컬럼 디코더로 이루어진 리던던시 메모리 셀 블록을 가지는 메모리 셀 어레이; 데이터 버스를 통해 상기 리던던시 컬럼 메모리 셀 블록에만 대응되게 연결되는 리던던시 센스 앰프 및 라이트 드라이버; 데이터 버스를 통해 상기 노멀 컬럼 메모리 셀들 각각에 대응되도록 연결되는 노멀 센스 앰프 및 라이트 드라이버들; 결함 셀 발생시 컬럼 어드레스에 따라 프로그램 퓨즈 커팅하여 커팅 출력신호를 발생하는 제1 리던던시 컬럼 프리 디코더들; 상기 리던던시 센스 앰프 및 라이트 드라이버와 상기 제1 리던던시 컬럼 프리 디코더 사이에 연결되어 상기 제1 리던던시 컬럼 프리 디코더가 결함 셀 발생에 따른 프로그램 퓨즈 커팅을 동작하면 상기 리던던시 센스 앰프 및 라이트 드라이버를 인에이블 시켜 해당 리던던시 셀의 데이터를 리던던시 데이터 통로를 통해 출력하는 제2 리던던시 컬럼 프리 디코더; 상기 노멀 컬럼 메모리 셀들 각각에 대응되도록 각 노멀 센스 앰프 및 라이트 드라이버에 대응되도록 연결되어 상기 제1 리던던시 컬럼 프리 디코더의 출력을 입력으로 사용하며, 결함 셀에 대응하는 노멀 센스 앰프 및 라이트 드라이버를 디스에이블 시켜 노멀 데이터 통로와 리던던시 데이터 통로를 연결시켜 주는 입출력 제어회로;를 가짐을 특징으로 한다.

Description

반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시 회로{COLUMN REDUNDANCY CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE}
본 발명은 반도체 메모리에 관한 것으로, 특히 결함 셀을 구제하여 양품의 획득률(Yield)을 높이면서 동시에 메모리 칩 사이즈를 줄일 수 있는 반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시 회로에 관한 것이다.
반도체 메모리를 제조하는 공정에서 수많은 미세 셀(cell) 중 한 개라도 결함이 있으면 메모리로서의 제구실을 못해 불량품으로 처리된다. 이를 개선하고자 한 것이 리던던시 회로이다. 일반적으로, 반도체 메모리 소자가 점차 고집적화 및 소형화되면서 생산성 향상이 중시되고 있다. 특히 메모리 셀의 경우 생산에 있어서 셀의 결함 발생이 가장 취약한 문제로 제기되고 있다. 이러한 셀 결함에 따른 문제를 해결하기 위해 여러 가지 방법들이 제안되었으나, 현재 가장 일반화된 방법이 결함이 발생한 셀을 여분의 셀(Redundancy Cell)로 대체하여 생산 수율을 향상하는 방법이다. 이때 이용하는 것이 리던던시 회로이다. 이러한 리던던시 회로를 이용하는 리페어 스키마(Repair Scheme)의 경우 대게 결함이 발생된 셀은 로우(행: row) 또는 컬럼(열: column) 단위로 대체된다. 이와 같은 리페어 스키마 중에서 결함 셀이 컬럼 단위로 대체되는 기술을 도 1에 도시된 비교예를 참조하여 설명한다.
상기 도 1은 비교예에 따른 반도체 메모리 장치에 적용되는 컬럼 리던던시 회로를 도시한 도면이다. 상기 도 1의 비교예에 따른 반도체 메모리 장치에 적용되는 컬럼 리던던시 회로의 구성은 다음과 같다.
8개의 입출력 블록에 대응되도록 로우와 컬럼 단위로 배열된 메모리 셀 어레이(10) 내에는 노멀(normal) 컬럼 셀들(10-1 ~ 10-8)과 리던던시 컬럼 셀들(20)이 포함되어 있다. 상기 도 1에 도시된 비교예의 경우 각 입출력 블록은 일 예로 노멀 컬럼 32개와 리던던시 컬럼 1개로 이루어진 구조로 되어 있다. 상기 메모리 셀 어레이(10)는 상기 입출력 블록의 개수 만큼에 대응하는 노멀 컬럼 디코더(30-1 ~ 30-8) 및 리던던시 컬럼 디코더(40)가 연결되며, 데이터 버스(90)를 통해 상기 노멀 컬럼 디코더(30-1 ~ 30-8) 및 상기 리던던시 컬럼 디코더(40)가 노멀 컬럼 프리 디코더(80) 및 리던던시 컬럼 프리 디코더(70)에 각기 연결된다. 그리고, 어드레스 버퍼(60)가 상기 리던던시 컬럼 프리 디코더(70) 및 노멀 컬럼 프리 디코더(80)에 공통 연결된다. 또한, 8개의 입출력(I/O) 회로(50)는 데이터 버스(90)를 통해 상기 메모리 셀 어레이(10) 내의 8개의 입출력 블록(10-1 ~ 10-8)과 각기 대응되게 연결된다.
상술한 바와 같은 비교예의 구성에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이(10) 내의 임의의 노멀 컬럼 셀의 결함에 기인하여 그에 대응되는 리던던시 컬럼 셀로 대체되는 과정을 설명하면 다음과 같다.
상기 노멀 컬럼 셀 내의 결함 셀을 지정하는 컬럼 어드레스 신호(XAi)가 상기 어드레스 버퍼(60)로 입력되는 경우, 상기 리던던시 컬럼 프리 디코더(70)는 내부에 구비된 퓨즈(fuse) 커팅(cutting)에 따른 프로그램에 의해 결함이 발생된 노멀 셀의 컬럼을 디스에이블 시키기 위한 N_DIS 신호를 출력하고, 그에 대응되는 리던던시 셀의 컬럼을 인에이블 시키기 위한 R_EN 신호를 출력한다. 상기 퓨즈 커팅은 메모리의 웨이퍼 상태에서 레이져 광선 등을 퓨즈에 조사하는 방법에 의해 수행될 수 있다. 상기 노멀 디스에이블 신호인 N_DIS 신호가 상기 노멀 컬럼 프리 디코더(80)를 통해 해당 노멀 컬럼 디코더에 인가되면, 해당 노멀 컬럼 디코더는 이에 응답하여 해당 노멀 컬럼을 디스에이블 시킨다. 이에 따라 결함이 발생된 노멀 셀의 컬럼은 메모리의 리드(read) 또는 라이트(write)시에 동작불능의 상태에 놓여진다. 한편, 상기 리던던시 인에이블 신호인 R_EN 신호는 상기 리던던시 컬럼 프리 디코더(70)를 통해 해당 리던던시 컬럼 디코더(40)에 인가된다. 이에 따라 상기 리던던시 셀의 컬럼이 인에이블 되어 결국 결함이 발생된 노멀 셀이 여분의 리던던시 셀의 컬럼으로 대체된다.
상기 리던던시 메모리 셀의 선택에 의해 데이터 리드시 그로부터 출력되는 셀 내의 데이터는 상기 데이터 버스(90)를 통해 미 도시된 센스 앰프(senseamplifier)에 제공된다. 상기 미 도시된 센스 앰프는 그에 따른 데이터를 센싱하여 해당 데이터를 출력 버퍼에 인가함으로써 리던던시 셀의 데이터가 입출력 회로(50)를 통하여 외부로 출력될 수 있도록 한다.
상기한 바와 같이 상기 도 1의 비교예에 의한 컬럼 리던던시 회로는 노멀 메모리 셀의 결함시 그에 대응되는 리던던시 셀은 8 컬럼 단위, 즉 바이트(Byte) 단위로 대체시키는 기술이다. 하지만 이 경우와 같이 바이트 단위의 리던던시 대체기술은 결함 셀의 구제 확률을 저하시키게 된다. 왜냐하면, 대체되는 여분의 컬럼 중에서 하나의 셀이라도 결함을 가지고 있다면 리던던시 대체는 실패로 끝나 수율에 도움이 되지 못하기 때문이다. 또한, 다수 개의 메모리 셀에 결함이 발생된 경우에는 이를 대체하기 위한 여분의 컬럼 수가 최대로 결함난 개수의 8 배가 되어야함으로써 컬럼 리던던시 메모리 셀 블록의 면적 증가가 야기되어 그에 따른 칩 사이즈의 증가는 자명한 일이며, 이는 결국 비용의 증가를 초래하게 된다.
따라서 본 발명의 목적은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 리던던시 회로를 이용하는 리페어 스키마(Repair Scheme) 중에서 결함 셀이 컬럼 단위로 대체되는 기술에 있어서, 결함 셀을 구제하여 양품의 획득률(Yield)을 높이면서 동시에 메모리 칩 사이즈를 줄일 수 있는 반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시 회로를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시 회로는: 복수 개의 행과 열의 매트릭스로 배열된 노멀 메모리 셀들과, 상기 노멀 메모리 셀들에 대응되게 연결되는 노멀 컬럼 디코더들로 이루어진 노멀 컬럼 메모리 셀 블록, 및 다수의 열로 상기 노멀 메모리 셀들과 구분 배열된 리던던시 컬럼 메모리 셀과, 상기 리던던시 컬럼 메모리 셀에 연결되는 리던던시 컬럼 디코더로 이루어진 리던던시 메모리 셀 블록을 가지는 메모리 셀 어레이; 데이터 버스를 통해 상기 리던던시 컬럼 메모리 셀 블록에만 대응되게 연결되는 리던던시 센스 앰프 및 라이트 드라이버; 데이터 버스를 통해 상기 노멀 컬럼 메모리 셀들 각각에 대응되도록 연결되는 노멀 센스 앰프 및 라이트 드라이버들; 결함 셀 발생시 컬럼 어드레스에 따라 프로그램 퓨즈 커팅하여 커팅 출력신호를 발생하는 제1 리던던시 컬럼 프리 디코더들; 상기 리던던시 센스 앰프 및 라이트 드라이버와 상기 제1 리던던시 컬럼 프리 디코더 사이에 연결되어 상기 제1 리던던시 컬럼 프리 디코더가 결함 셀 발생에 따른 프로그램 퓨즈 커팅을 동작하면 상기 리던던시 센스 앰프 및 라이트 드라이버를 인에이블 시켜 해당 리던던시 셀의 데이터를 리던던시 데이터 통로를 통해 출력하는 제2 리던던시 컬럼 프리 디코더; 상기 노멀 컬럼 메모리 셀들 각각에 대응되도록 각 노멀 센스 앰프 및 라이트 드라이버에 대응되도록 연결되어 상기 제1 리던던시 컬럼 프리 디코더의 출력을 입력으로 사용하며, 결함 셀에 대응하는 노멀 센스 앰프 및 라이트 드라이버를 디스에이블 시켜 노멀 데이터 통로와 리던던시 데이터 통로를 연결시켜 주는 입출력 제어회로;를 가짐을 특징으로 한다.
도 1은 비교예에 따른 반도체 메모리 장치에 적용되는 컬럼 리던던시 회로를 도시한 도면
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 장치에 적용되는 컬럼 리던던시 회로를 도시한 도면
도 3은 도 2에 따른 노멀 센스 앰프 및 라이트 드라이버의 내부 구체 회로의 일 예를 도시한 도면
도 4는 도 2에 따른 리던던시 센스 앰프 및 라이트 드라이버의 내부 구체 회로의 일 예를 도시한 도면
도 5는 도 2에 따른 입출력 제어회로의 내부 구체 회로의 일 예를 도시한 도면
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100: 메모리 셀 어레이 110: 리던던시 메모리 셀 블록
120; 노멀 메모리 셀 블록 111: 리던던시 컬럼 메모리 셀
113: 리더던시 컬럼 디코더 121: 노멀 컬럼 메모리 셀
123: 노멀 컬럼 디코더
210: 리던던시 센스 앰프 및 라이트 드라이버
220: 센스 앰프 및 라이트 드라이버
230: 제2리던던시 컬럼 프리 디코더
240: 입출력 제어회로
250: 제1리던던시 컬럼 프리 디코더
260: 어드레스 버퍼
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 하기의 설명에서 구체적인 회로 구성과 같은 많은 특정 상세들은 본 발명의 보다 전반적인 이해를 제공하기 위해 나타나 있다. 이들 특정 상세들 없이 본 발명이 실시될 수 있다는 것은 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다. 그리고 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 장치에 적용되는 컬럼 리던던시 회로 구성은 도 2와 같이 나타나고, 그에 따른 각 구성부의 세부 회로구성의 실시예가 도 3 내지 도 5에 나타난다. 상기 도 3은 도 2에 따른 노멀 센스 앰프 및 라이트 드라이버의 내부 구체 회로의 일 예를 도시한 도면이고, 상기 도 4는 도 2에 따른 리던던시 센스 앰프 및 라이트 드라이버의 내부 구체 회로의 일 예를 도시한 도면이고, 상기 도 5는 도 2에 따른 입출력 제어회로의 내부 구체 회로의 일 예를 도시한 도면이다.
먼저, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 장치에 적용되는 컬럼 리던던시 회로 구성을 도 2를 참조하여 설명한다. 상기 도 2에서 메모리 셀 어레이(100)는 노멀 메모리 셀 블록(120)과 리던던시 메모리 셀 블록(110)으로 크게 구분되어 배열된다. 상기 노멀 메모리 셀 블록(120)은 복수 개의 행과 열의 매트릭스로 배열된 노멀 컬럼 메모리 셀들(I/O 1~8)과, 상기 노멀 컬럼 메모리 셀들(121)에 대응되게 연결되는 노멀 컬럼 디코더들(123)로 이루어진다. 상기 도 2에서 노멀 컬럼 메모리 셀 블록(120)은 예를 들어 8개의 입출력(I/O 1~8), 즉 1바이트에 대응되도록 구성되고, 하나의 입출력(I/O)당 컬럼의 개수는 32개로 구성되어 있다고 가정한 것이다. 또한, 리던던시 메모리 셀 블록(110)은 다수의 열로 상기 노멀 컬럼 메모리 셀들(121)과는 구분 배열된 리던던시 컬럼 메모리 셀(111)과, 상기 리던던시 컬럼 메모리 셀(111)에 대응되게 연결되는 리던던시 컬럼 디코더(113)로 이루어진다.
이 밖에, 리던던시 센스 앰프 및 라이트 드라이버(RSA 및 W/D)(210)가 데이터 버스를 통해 상기 리던던시 컬럼 메모리 셀 블록(110)에만 대응되게 연결된다. 그리고, 노멀 센스 앰프 및 라이트 드라이버들(S/A 및 W/D)(220)이 데이터 버스를 통해 상기 노멀 컬럼 메모리 셀들(121) 각각에 1:1 대응되도록 연결된다. 제2 리던던시 컬럼 프리 디코더(230)는 상기 리던던시 센스 앰프 및 라이트 드라이버(210)와 제1 리던던시 컬럼 프리 디코더(250) 사이에 연결되어 상기 제1 리던던시 컬럼 프리 디코더(250)가 결함 셀 발생에 따른 프로그램 퓨즈 커팅을 동작하면 상기 리던던시 센스 앰프 및 라이트 드라이버(210)를 인에이블 시켜 해당 리던던시 셀의 데이터를 리던던시 데이터 통로를 통해 출력한다. 상기 제1 리던던시 컬럼 프리 디코더들(250)은 어드레스 버퍼(260)로부터 셀의 어드레스 신호를 인가 받아 결함난 셀의 어드레스에 따른 내부 프로그램을 위해 트랜지스터 소자 및 퓨즈 소자를 구비하여 결함 셀 발생시 컬럼 어드레스에 따라 프로그램 퓨즈 커팅하여 커팅 출력신호를 상기 리던던시 컬럼 디코더(113) 및 입출력 제어회로들(240)과 연결되는 데이터 버스로 출력한다. 그리고, 상기 입출력 제어회로(240)는 각 노멀 센스 앰프 및 라이트 드라이버(220)에 1:1 대응되도록 연결되어 상기 제1 리던던시 컬럼 프리 디코더(250)의 출력을 입력으로 사용하며, 결함 셀에 대응하는 노멀 센스 앰프 및 라이트 드라이버(220)를 디스에이블 시켜 노멀 데이터 통로와 리던던시 데이터 통로를 연결시켜 준다. 따라서, 상기 리던던시 데이터 통로 및 노멀 데이터 통로는 상기 입출력 제어회로(240)에 의해 제어되어 결함 셀 발생시 결함 셀에 대응하는 노멀 데이터 통로와 리던던시 데이터 통로가 상호 연결된다.
상기 도 2와 같은 본 발명의 바람직한 실시예는 결함난 노멀 메모리 셀을 리던던시 메모리 셀들로 교체하는 경우 상기 제1 리던던시 컬럼 프리 디코더(250)의 내부 퓨즈를 프로그램 하는 것에 의해 상기 리던던시 컬럼 디코더(113)를 인에이블 시키는 동작은 상기 비교예와 같으나, 본 발명의 경우에는 상기 노멀 컬럼 디코더(123)를 디스에이블 시키지 않고 결함난 노멀 컬럼 메모리 셀에 대응하는 노멀 센스 앰프 및 라이트 드라이버(220)(도 3에 도시됨.)를 디스에이블 시킨다. 그리고, 본 발명에서는 상기한 바와 같이 노멀 컬럼 메모리 셀의 입출력(I/O) 개수만큼 입출력 제어회로(240)를 구비하며, 상기 입출력 제어회로(240)는 상기 도 5에 도시된 예와 같이 각기 내부에 구비되는 퓨즈에 의해 프로그램 되어 결함 셀에 대응되는 노멀 센스 앰프 및 라이트 드라이버(220)를 디스에이블 시키고, 상기 노멀 데이터 통로와 리던던시 데이터 통로를 연결시킨다. 그리고, 도 4에 도시된 바와 같이 리던던시 센스 앰프 및 라이트 드라이버(210)를 인에이블 시킨다. 따라서, 본발명은 상기 비교예에서 1바이트의 컬럼 단위로 대체 되던 것을 블록에 무관하게 하나의 입출력 단위로 대체할 수 있도록 한 것이다.
상기 도 2 내지 도 5는 상기 메모리 셀 어레이(100) 내에서 'm' 개의 리던던시 컬럼 셀을 가지는 실시예에 있어서의 구체 회로를 도시한 것이다.
만약 도 2에서 노멀 컬럼 메모리 셀 I/O 1(121)에 결함 셀이 있다고 가정하여 본 발명에 따른 결함 구제 동작을 상기의 도 2 내지 도 5를 참조하여 상세히 설명한다.
먼저, 제1 리던던시 프리 디코더(250)를 어드레스 코딩에 따라 프로그램 퓨즈 커팅을 한다. 본 발명에서는 블록에는 무관하기 때문에 상기 'm'개 중 임의의 하나를 선택하여 커팅을 하면 된다. 커팅된 상기 제1 리던던시 프리 디코더(250)의 출력신호 N_DIS 신호가 논리 하이를 가지며, 이 출력신호를 입력으로 사용하는 입출력 제어회로(240)(상기 도 5에 도시됨.)의 NMOS 트랜지스터(241)에 연결된 퓨즈 F1은 I/O 1용 입출력 제어회로1(240)를 제외하고 나머지 입출력 제어회로2~8(240)에서는 모두 커팅한다. 상기 입출력 제어회로1(240)에서 상기 N_DIS 신호가 하이 이면 상기 입출력 제어회로1(240)의 출력인 IO_CNTb 신호가 논리 로우가 된다. 그러면 이 신호는 선택된 블록의 I/O 1용 노멀 센스 앰프 및 라이트 드라이버(220)(도 3에 도시됨.)에 노어 입력단(도 3의 NOR1)으로 입력되고, 선택된 블록이므로 블록 신호(Sib)가 논리 로우를 가지므로 SA_DIS 신호는 논리 하이를 가지므로 노멀 센스 앰프 및 먹스(221)와 노멀 라이트 드라이버(220)를 디스에이블 시켜 출력단을 플로팅 시킨다. 그리고, 패스 게이트(Pass Gate) PG1을 턴-온 시켜 노멀 데이터 통로(NMDLb)와 리던던시 데이터 통로(RMDLb)를 연결시킨다. 그리고, 상기 제1 리던던시 컬럼 프리 디코더(250)의 출력 신호 논리 하이는 상기 리던던시 컬럼 디코더(113)를 인에이블 시키고, 상기 제1 리던던시 컬럼 프리 디코더(250)의 출력을 모두 모은 후, 하나라도 셀을 구제하면 인에이블 되는 제2 리던던시 컬럼 프리 디코더(230)의 출력은 논리 로우를 가지며, 이 출력은 상기 리던던시 센스 앰프 및 라이트 드라이버(210)를 인에이블 시켜 리던던시 데이터 통로(RMDLb)를 통해 데이터를 출력한다.
이와 같이 결함 셀의 대체시 상기 비교예에서는 1바이트 단위로 대체 되던 것을 본 발명에서는 하나의 입출력(I/O) 단위로 대체하므로 하나의 입출력당 컬럼의 수를 8개로 한 경우 상기 비교예에 비해 8배로 리던던시 셀 면적을 줄일 수 있어 결함 구제율을 개선할 수 있음은 물론 메모리 칩 사이즈를 줄일 수 있게 된다.
한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예를 들어 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구의 범위뿐 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
상술한 바와 같이 본 발명은 결함 셀의 대체시 하나의 입출력(I/O) 단위로 대체함으로써 결함 셀을 효과적으로 구제하여 양품의 획득률을 얻을 수 있고, 바이트 단위의 결함 셀 대체보다 리던던시 셀 면적을 줄일 수 있고, 결함 구제율을 개선할 수 있음은 물론 메모리 칩 사이즈를 줄일 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 복수 개의 행과 열의 매트릭스로 배열된 노멀 메모리 셀들과, 상기 노멀 메모리 셀들에 대응되게 연결되는 노멀 컬럼 디코더들로 이루어진 노멀 컬럼 메모리 셀 블록, 및 다수의 열로 상기 노멀 메모리 셀들과 구분 배열된 리던던시 컬럼 메모리 셀과, 상기 리던던시 컬럼 메모리 셀에 연결되는 리던던시 컬럼 디코더로 이루어진 리던던시 메모리 셀 블록을 가지는 메모리 셀 어레이;
    데이터 버스를 통해 상기 리던던시 컬럼 메모리 셀 블록에만 대응되게 연결되는 리던던시 센스 앰프 및 라이트 드라이버;
    데이터 버스를 통해 상기 노멀 컬럼 메모리 셀들 각각에 대응되도록 연결되는 노멀 센스 앰프 및 라이트 드라이버들;
    결함 셀 발생시 컬럼 어드레스에 따라 프로그램 퓨즈 커팅하여 커팅 출력신호를 발생하는 제1 리던던시 컬럼 프리 디코더들;
    상기 리던던시 센스 앰프 및 라이트 드라이버와 상기 제1 리던던시 컬럼 프리 디코더 사이에 연결되어 상기 제1 리던던시 컬럼 프리 디코더가 결함 셀 발생에 따른 프로그램 퓨즈 커팅을 동작하면 상기 리던던시 센스 앰프 및 라이트 드라이버를 인에이블 시켜 해당 리던던시 셀의 데이터를 리던던시 데이터 통로를 통해 출력하는 제2 리던던시 컬럼 프리 디코더;
    상기 노멀 컬럼 메모리 셀들 각각에 대응되도록 각 노멀 센스 앰프 및 라이트 드라이버에 대응되도록 연결되어 상기 제1 리던던시 컬럼 프리 디코더의 출력을입력으로 사용하며, 결함 셀에 대응하는 노멀 센스 앰프 및 라이트 드라이버를 디스에이블 시켜 노멀 데이터 통로와 리던던시 데이터 통로를 연결시켜 주는 입출력 제어회로;를 가짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시 회로.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 리던던시 센스 앰프 및 라이트 드라이버는 상기 리던던시 컬럼 디코더와 상기 제2 리던던시 컬럼 프리 디코더 사이에 연결되어 구제된 셀이 선택될 때 인에이블 되어 활성화됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시 회로.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 노멀 센스 앰프 및 라이트 드라이버는 상기 노멀 컬럼 디코더와 상기 입출력 제어회로 사이에 연결되어 결함된 셀이 선택될 때 디스에이블 되어 비활성화 되고, 상기 리던던시 데이터 통로와 노멀 데이터 통로를 패스 게이트를 이용하여 연결하여 리던던시 데이터를 노멀 데이터 통로로 입출력함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시 회로.
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