KR20020014217A - 반사 수단을 구비하는 박막 형성장치 - Google Patents

반사 수단을 구비하는 박막 형성장치 Download PDF

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Abstract

반사 수단을 구비하는 박막 형성 장치에 관해 개시되어 있다. 상부에 웨이퍼 로딩 영역을 갖는 웨이퍼 히팅 수단과 상기 웨이퍼 로딩 영역과 대향하는 위치에 구비되어 있으면서 상기 웨이퍼 로딩 영역에 웨이퍼가 로딩되는 경우 상기 웨이퍼 표면에 도달될 수 있는 소오스 가스를 분사시키는 샤워헤드와 상기 샤워헤드와 상기 히팅 수단 사이에 구비되어 있으면서 상기 웨이퍼 로딩 영역으로부터 방출되는 열 에너지를 상기 웨이퍼 로딩 영역으로 반사시키는 반사 수단 및 상기 웨이퍼 히팅 수단, 상기 샤워헤드 및 상기 반사 수단을 내부에 구비하는 챔버의 내부 압력을 조절하고 상기 챔버 내부에 발생되는 반응 부산물을 상기 챔버 밖으로 배출시키기 위한 펌핑 수단이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치를 제공한다. 본 발명을 이용하는 경우, 웨이퍼 온도 분포를 전 영역에 걸쳐 균일하게 유지할 수 있다. 또한, 웨이퍼 어닐링 과정에서 어닐링을 위한 안정화 온도까지 도달하는데 온도 조율이 필요치 않고, 필요하더라도 그 시간이 매우 짧아서 반도체 장치의 생산성을 증가시킬 수 있다.

Description

반사 수단을 구비하는 박막 형성 장치{Apparatus for forming thin film comprising reflective means}
본 발명은 박막 형성 장치에 관한 것으로써, 자세하게는 웨이퍼 로딩 영역과 대향하는 위쪽에 반사 수단을 구비하는 박막 형성 장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에서 웨이퍼 상에는 다양한 물질막이 형성된다. 이들 물질막은 하부막질의 표면 형태와 무관하게 어느 영역에서나 균일한 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 스텝 커버리지(step coverage)가 우수하게 형성하는 것이 바람직하다. 이를 위해서는 소오스 가스의 공급에서부터 물질막이 형성되는 웨이퍼의 온도까지 물질막 형성에 필요한 모든 공정 조건을 공정 내내 균일하게 유지하는 것이 중요하다. 곧, 형성되는 물질막의 상태는 물질막 형성에 사용되는 박막 형성 장치에 달려있다.
도 1은 종래 기술에 의한 박막 형성 장치의 단면도인데, 이를 참조하면, 종래의 박막 형성 장치는 크게 박막 형성 공정이 진행되는 동안 웨이퍼를 외부와 차단시키는 챔버(10)와 챔버(10) 바닥에 구비된 서셉터(16)와 서셉터(16) 위에 구비된 샤워헤드(18)로 크게 구성되어 있다. 서셉터(16) 상에 웨이퍼 로딩 영역(20)이 구비되어 있고, 웨이퍼 로딩 영역(20) 바로 아래에 히터(22)가 내장되어 있다. 히터(22)는 웨이퍼(24) 상에 물질막을 형성하는 공정에서, 상기 물질막이 형성되는데적합한 온도로 웨이퍼(24)를 유지하거나 상기 물질막이 형성된 후에 웨이퍼(24)를 어닐링하는데 사용된다. 샤워헤드(18)는 웨이퍼 로딩 영역(20) 위에서 웨이퍼(24)를 향해 상기 물질막을 형성하는데 필요한 소오스 가스를 분사하는데 사용된다. 상기 물질막을 형성하기 위해 챔버(10)내에 유입된 소오스 가스 중 남은 가스는 챔버(10) 외부에 구비된 펌프(26)에 의해 챔버(10) 바닥에 형성된 배기구(28)를 통해서 챔버(10) 밖으로 배기된다. 참조번호 30은 챔버(10)에 웨이퍼(24)를 출입시키기 위한 출입구를 나타낸다.
상기와 같은 종래의 박막 형성 장치를 이용하는 경우, 박막 형성 공정 중에 반응 부산물들이 발생되고, 이러한 반응 부산물들은 챔버 벽에 부착되어 파티클(32)로 성장된다. 또, 멀티 챔버의 경우 좁은 공간에서 웨이퍼를 이동시켜 필요한 공정이 진행되는데, 웨이퍼의 이동은 서셉터의 웨이퍼 로딩 영역 주위에 기 형성된 물질막이나 기 존재하는 부산물들의 이동을 유발할 수 있다. 따라서, 종래 기술에 의한 박막 형성 장치를 이용하여 웨이퍼 상에 물질막을 형성하는 경우, 챔버 벽에 형성된 파티클(32)이 떨어져서 웨이퍼 상에 흡착되거나, 웨이퍼 이동에 기인해서 발생되는 반응 부산물들이 웨이퍼 상에 흡착될 수 있다. 이렇게 되면, 웨이퍼 상에 형성되는 물질막에 원하지 않은 불순물이 포함되는 결과가 되기 때문에 물질막의 특성이 저하될 수 있고, 상기 물질막이 반도체 소자를 구성하는 요소로 사용되는 경우 해당 반도체 소자의 성능을 저하시킬 수 있다.
또, 웨이퍼 상에 물질막을 형성한 후, 형성된 물질막의 안정화를 위해 실시되는 어닐링 단계는 통상 물질막 형성할 때 보다 높은 온도에서 실시된다. 웨이퍼온도는 히터, 더 정확하게는 히터 블록에서 공급되는 열 에너지에 의해 결정되는데, 히터 블록의 초기 가열 상태는 균일한 온도 분포를 나타내지 않는다. 따라서, 웨이퍼의 온도 분포도 전체적으로 균일하지 못하다. 그리고 히터를 이용하여 웨이퍼의 온도를 높이는 경우, 바로 원하는 안정화 온도에 도달되지 못하고, 상기 안정화 온도를 중심으로 그 보다 높은 온도와 그 보다 낮은 온도 사이에서 몇 번의 조율을 거친 후 상기 안정화 온도에 도달되게 된다.
이와 같이, 종래의 박막 형성 장치를 이용하여 박막을 형성하는 경우, 파티클로부터 발생되는 상기한 문제외에 물질막 형성 후 어닐링을 준비하는 과정에서 웨이퍼 온도 균일성이 상실되는 문제와 이를 회복하는데 소요되는, 곧 안정화 온도에 도달하는데 소요되는 시간으로 인해 생산성이 저하되는 문제가 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 해소하여 웨이퍼 상에 형성되는 반도체 소자의 성능이 저하되는 것을 방지하고 반도체 장치의 생산성을 증가시키기 위한 것으로써, 물질막 형성 중에 오염성 파티클이 웨이퍼에 떨어지는 것을 방지할 수 있고, 상기 물질막 형성 후에 속행되는 어닐링 공정에서 웨이퍼 온도 균일성을 확보함과 아울러 안정화 온도에 도달되는 시간을 줄일 수 있는 박막 형성 장치를 제공함에 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 박막 형성 장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 의한 반사 수단을 구비하는 박막 형성 장치의 단면도이다.
도 3 및 도 4는 각각 제1 실시예에 의한 박막 형성 장치에 구비된 반사 수단의 다양한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 의한 박막 형성 장치에 구비된 반구형 반사체를 구비하는 반사 수단의 사시도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 의한 박막 형성 장치의 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명*
38, 39:챔버 40:히팅 수단
42:히터 43:웨이퍼 로딩 영역
44, 80:반사 수단 46, 64, 82:반사체
48, 66, 84:지지대 50, 70:구동체
52:샤워헤드 54:배출구
56:펌프
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 상부에 웨이퍼 로딩 영역을 갖는 웨이퍼 히팅 수단과 상기 웨이퍼 로딩 영역과 대향하는 위치에 구비되어 있으면서 상기 웨이퍼 로딩 영역에 웨이퍼가 로딩되는 경우 상기 웨이퍼 표면에 도달될 수 있는 소오스 가스를 분사시키는 샤워헤드와 상기 샤워헤드와 상기 히팅 수단 사이에 구비되어 있으면서 상기 웨이퍼 로딩 영역으로부터 방출되는 열 에너지를 상기 웨이퍼 로딩 영역으로 반사시키는 반사 수단 및 상기 웨이퍼 히팅 수단, 상기 샤워헤드 및 상기 반사 수단을 내부에 구비하는 챔버의 내부 압력을 조절하고 상기 챔버 내부에 발생되는 반응 부산물을 상기 챔버 밖으로 배출시키기 위한 펌핑 수단이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치를 제공한다.
상기 반사 수단은 상기 웨이퍼 로딩 영역과 대향하는 반사체와 상기 반사체를 지지하기 위한 지지대로 구성되어 있다.
상기 반사체는 상기 웨이퍼 로딩 영역을 향해 평평한 반사면을 갖는 반사판이다. 또한, 상기 반사체는 상기 웨이퍼 로딩 영역에 대해 오목한 반사면을 갖는 반구형 반사체이다.
상기 반사체는 물질막 형성 공정과 그 후의 어닐링 공정에 따라 상, 하 위치 조절이 가능한 가동성 반사체이다. 상기 가동성 반사체는 상기 챔버 밖에 있는 구동체와 상기 지지대를 통해서 연결되어 있되, 챔버 바닥 또는 챔버의 천장을 통해 연결되어 있다.
상기 지지대는 상기 구동체 측에 연결된 제1 실린더와 일단이 상기 제1 실린더를 통해서 상기 구동체에 연결되어 있되, 상기 구동체로부터 발생되는 구동력을전달받을 수 있는 형태로 연결되어 있으며, 타단은 상기 반사체에 연결된 제2 실린더로 구성되어 있다. 또, 상기 지지대는 상기 샤워헤드 또는 상기 히팅 수단 둘레에 대칭적으로 구비되어 있다.
본 발명에 의한 박막 형성 장치는 서셉터 위에 반사 수단이 구비되어 있으므로, 박막 형성 중에 파티클이 웨이퍼에 떨어지는 것을 방지할 수 있다. 또, 박막 형성 단계에서 어닐링 단계로 진행되면서 추가적인 전원 공급 없이도 웨이퍼 온도를 어닐링에 적합한 안정화 온도까지 바로 상승시킬 수 있고 웨이퍼 온도도 균일하게 유지할 수 있다. 또한, 상기 안정화 온도까지 도달되는 과정에서 온도 조율이 필요치 않고, 필요하더라도 그 시간이 매우 짧아서 반도체 장치의 생산성을 증가시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 반사 수단을 구비하는 박막 형성 장치를 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
<제1 실시예>
도 2를 참조하면, 챔버(38) 바닥에 히팅 수단(40)이 구비되어 있다. 히팅 수단(40)의 상부면에 웨이퍼(W)가 로딩되는 웨이퍼 로딩 영역(43)이 구비되어 있다. 히팅 수단(40)은 웨이퍼 로딩 영역(43) 상에 웨이퍼(W)를 로딩한 후, 웨이퍼(W) 상에 임의의 물질막을 형성하는 공정에서 웨이퍼(W)를 상기 물질막 형성에 적합한 온도까지 가열시키고, 웨이퍼(W) 온도가 상기 물질막을 형성하기에 적합하고 안정한 온도로 된 후에는 상기 물질막이 웨이퍼(W) 상에 형성될 때까지 웨이퍼(W)를 상기안정화 온도로 유지시킨다. 또한, 히팅 수단(40)은 웨이퍼(W) 상에 상기 물질막이 형성된 후에, 상기 형성된 물질막을 안정화시키기 위해 실시하는 웨이퍼(W) 어닐링 공정에 사용될 수도 있다. 즉, 웨이퍼(W) 온도를 상기 어닐링 공정에 적합한 안정화 온도까지 상승시키고 상기 어닐링 공정이 완료될 때까지 유지시키는데 사용될 수도 있다.
히팅 수단(40)은 서셉터(susceptor)로써 상부면 바로 아래에 히터(42)가 내장되어 있다. 히터(42)는 전원을 공급받아서 웨이퍼(W)에 열에너지를 공급하는 실질적인 웨이퍼 히팅 수단이다. 히팅 수단(40)의 웨이퍼 로딩 영역(43)과 대향하는 히팅 수단(40) 위쪽에 반사 수단(44)이 구비되어 있다. 반사 수단(44)은 히팅 수단(40)의 히터(42)로부터 방출되는 열에너지를 웨이퍼 로딩 영역(43)으로 반사시키기 위한 것이다. 따라서, 웨이퍼 로딩 영역(43)에 로딩된 웨이퍼(W)는 전면이 가열된다. 이것은 추가로 웨이퍼(W)를 가열하여 웨이퍼(W) 전 영역을 고르게 히팅시키는 것과 동일하다. 다시 말하면, 반사 수단(44)에 의해 웨이퍼 로딩 영역(43) 상에 균일한 열 에너지 분포를 갖는 열섬(HI, Heat Island)이 형성된다. 웨이퍼(W)는 열섬(HI) 내에 있으므로, 전 영역은 균일하게 가열된다. 이와 같이, 물질막 형성 공정에서 웨이퍼(W) 전 영역은 균일한 온도 분포를 가질 수 있다. 특히, 히터(42)가 다수의 히터블록으로 구성된다는 점을 고려하면, 웨이퍼(W)는 먼저 가열된 히터블록과 접촉되는 부분이 먼저 히팅될 것이므로, 상기 물질막을 형성한 후에 어닐링을 준비하는 과정에서 웨이퍼(W)의 온도 분포는 불균일할 수밖에 없는데, 반사 수단(44)를 사용함으로써 이를 해소할 수 있고, 웨이퍼(W) 상에 두께 및 물질 특성이균일한 물질막을 형성할 수 있다.
반사 수단(44)은 히팅 수단(40)으로부터 방출되는 열에너지를 웨이퍼(W)로 반사시키는 반사체(46)와 이를 지지하는 지지대(48)로 구성되어 있다. 반사체(46)는 웨이퍼(W)와 대향하는 반사면이 평면이다. 웨이퍼(W)와 대향하는 반사체(46)의 반사면의 면적은 웨이퍼(W)의 면적보다 넓다. 웨이퍼(W) 형태를 고려할 때, 반사체(46)의 반사면은 도 3에 도시한 바와 같이 원형인 것이 바람직하지만, 도 4에 도시한 반사 수단(58)의 반사체(60)와 같이 웨이퍼(W)의 전면을 덮을 수 있을 정도의 면적을 갖는 사각형이라도 무방하다. 이 경우에, 지지대(62)는 반사체(60)의 네 모서리에 각각 구비되어 있다.
다시 도 2를 참조하면, 웨이퍼 로딩 영역(43)과 대향하는 반사체(46)의 반사면의 최소 면적은 웨이퍼(W)와 동일한 면적이라도 무방하나, 열 에너지의 반사효율과 웨이퍼 로딩 영역(43)에 열섬(HI)이 형성되는 것을 고려할 때, 웨이퍼(W) 면적보다 넓은 것이 바람직하고, 평면보다는 곡면인 것이 더 바람직하다. 반사체(46)의 반사면이 곡면인 경우는 도 5에 도시되어 있다.
도 5를 참조하면, 참조번호 64는 반사체이다. 반사체(64)는 히팅 수단(40)을 향하는 반사면이 히팅 수단(40)을 향해 오목한 반구면이다. 반사체(64)는 웨이퍼(W)를 완전히 덮을 수 있을 정도의 대향 면적을 갖는다. 반사체(64)의 서로 마주하는 가장자리에 두 개의 지지대(66)가 연결되어 있다. 두 개의 지지대(66)만으로도 반사체(64)를 상, 하로 안정되게 이동시킬 수 있으나, 보다 안정적인 이동을 위해서 세 개의 지지대를 대칭적으로 구비할 수도 있을 것이다. 지지대(66)는두 개의 실린더 구성되어 있으나, 도 2에 도시한 제1 및 제2 실린더(48a, 48b)와 동일하여 그 자세한 도시는 생략하였다.
지지대(48)는 히팅 수단(40) 둘레에 직립된 형태로 구비되어 있다. 지지대(48)의 수는 반사체(46)의 형태에 따라 적어도 두 개 이상이다. 다만, 지지대(48) 수는 박막 형성에 필요한 소오스 가스의 유입이 방해되지 않는 범위내에서 고려되는 것이 바람직하다. 각각의 지지대(48)는 제1 및 제2 실린더(48a, 48b)로 구성되어 있다. 제1 실린더(48a)는 제2 실린더(48b)를 안내하는 안내관으로써, 챔버(38) 바닥을 관통해서 챔버(38) 아래에 구비된 구동체(50)에 체결되어 있다. 제1 실린더(48a)와 챔버(38) 바닥이 접촉되는 부분은 챔버(38)내의 압력이 진공에 가까운 낮은 압력(예컨대 ∼10-7토르(torr))이 되더라도 챔버(38)내의 압력 상태에 어떠한 영향을 주지 않을 정도로 완전히 밀폐되어 있다. 제2 실린더(48b)의 일단은 제1 실린더(48a)를 통해서 구동체(50)에 연결되어 있되, 구동체(50)에서 발생되는 구동력을 직접 전달받을 수 있는 형태로 연결되어 있다. 그리고 제2 실린더(48b)의 타단은 반사체(46)의 양단에 연결되어 있다. 따라서, 반사체(46)은 구동체(50)에 의해 웨이퍼 로딩 영역(43)과 대향하는 위치에서 상, 하로 움직여질 수 있다. 즉, 반사체(46)은 도 2에 실선으로 도시한 바와 같이 웨이퍼(W) 상에 물질막(예컨대, 절연막 또는 도전막)이 형성되는 단계에서 샤워헤드(52)와 웨이퍼(W) 사이의 적정 위치에 위치시킨다. 상기 물질막 형성단계에서 챔버(38)내 압력은 ∼10-7토르 정도로 매우 낮기 때문에 반사체(46)이 샤워헤드(52)와 웨이퍼(W) 사이에 위치해 있더라도 샤워헤드(52)에서 분사된 소오스 가스가 웨이퍼(W)에 도달되는 것은 전혀 방해받지 않는다. 그렇다 하더라도, 반사체(46)과 웨이퍼(W) 사이의 거리가 지나치게 가까울 경우, 반사체(46)이 상기 소오스 가스의 공급에 영향을 줄 수도 있으므로, 상기 물질막 형성 단계에서의 반사체(46) 위치는 이를 고려하여 웨이퍼(W)에 최대한 가깝게 위치시킬 수 있다.
상기 물질막 형성이 완료된 후에 실시하는 어닐링 단계에서는 도 2에 점선으로 도시한 바와 같이 반사체(46)을 물질막 형성 단계에서 위치한 위치보다 아래로 내려서 웨이퍼(W)와 반사체(46) 사이의 거리를 보다 가깝게 한다. 이렇게 해서, 추가적인 히팅없이 웨이퍼(W)의 온도를 어닐링에 적합한 온도까지 높일 수 있고, 웨이퍼(W) 전면에 걸친 온도 균일성도 확보할 수 있다. 또한, 반사체(46)은 웨이퍼 로딩 영역(43) 위에 위치하므로, 상기 물질막 형성 중에 챔버 벽에 존재하는 파티클(P)이 웨이퍼(W)에 떨어져서 상기 물질막에 포함되는 것을 방지할 수도 있다.
참조번호 54는 상기 물질막 형성 중에 발생되는 부산물들을 배출시키기 위한 배출구이다. 이를 위해, 배출구(54)는 펌프(56)와 연결되어 있다. 펌프(56)는 터보 펌프가 바람직하나, 챔버(38)내의 압력 조건이나 공정 조건에 따라 다른 종류의 펌프를 사용할 수 있다. 참조번호 57은 트랜스퍼 챔버와 연결된 웨이퍼 출입구이다.
<제2 실시예>
지지대의 위치와 구동체의 위치가 각각 제1 실시예와 다르다.
구체적으로, 도 6을 참조하면, 구동체(70)는 제1 실시예와 달리 챔버(39) 상에 구비되어 있다. 반사 수단(80)도 그 구성은 제1 실시예와 마찬가지로 반사체(82)과 지지대(84)로 구성되어 있으나, 지지대(84)가 챔버(39)의 천장을 통해 구동체(70)에 연결되어 있다. 곧, 구동체(70)와 지지대(84)가 구비된 위치가 제1 실시예와 정반대로 되어 있다. 지지대(84)는 구동체(70)에 고정되어 안내관 역할을 하는 제1 실린더(84a)와 제1 실린더(84a)를 통해 구동체(70)에 연결되어 있고 구동체(70)로부터 발생되는 구동력을 반사체(82)에 전달하는 제2 실린더(84b)로 구성되어 있다. 지지대(84)는 샤워헤드(52) 둘레에 구비되어 있다. 챔버(39)내의 압력이 매우 낮아서 가능성은 희박하지만, 샤워헤드(52)로부터 분사되는 소오스 가스의 흐름에 영향을 주지 않고, 소오스 가스가 웨이퍼(W)에 고르게 도달되도록 하기 위해, 지지대(84)는 샤워헤드(52) 둘레에 대칭적으로 배치하는 것이 바람직하다. 물질막 형성 과정에서 구동체(70)의 운용은 제1 실시예와 동일하다. 또, 반사체(82)의 형태도 제1 실시예에서 기술한 바와 같이 다양한 형태가 있을 수 있다.
상기한 설명에서 반사체의 재질에 대해서는 언급하지는 않았는데, 반사체의 재질은 열 에너지 반사 효율이 높으면서도 공정 중에 형태가 변형되거나 특성이 변화되지 않고 오염성 파티클을 발생시키지 않는 재질인 것이 바람직하다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 지지대의 구성을 다르게 할 수도 있을 것이며, 구동체도 모터를 이용하지 않는 다른 구동체를 사용할 수 있을 것이다. 또한, 반사체도 상, 하 이동뿐만 아니라 수평 이동이 가능한 반사체를 고려할 수도 있을 것이다. 또 반사체의 상부면은 평면이고 웨이퍼 로딩 영역과 대향하는 내면은 평면이 아닌 반사체도 고려할 수 있을 것이다. 이와 같은 다양성 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 박막 형성 장치는 서셉터 위에 서셉터로부터 방출되는 열 에너지를 웨이퍼에 반사시킬 수 있는 반사 수단이 구비되어 있다. 따라서, 박막 형성 중에 오염성 파티클이 웨이퍼에 떨어지는 것을 방지할 수 있다. 또한 박막 형성 단계에서 어닐링 단계로 진행되면서 추가적인 전원 공급 없이도 웨이퍼 온도를 어닐링에 적합한 안정화 온도까지 바로 상승시킬 수 있고, 웨이퍼 온도 분포도 전 영역에 걸쳐 균일하게 유지할 수 있다. 또한, 상기 안정화 온도까지 도달되는 과정에서 온도 조율이 필요치 않고, 필요하더라도 그 시간이 매우 짧아서 반도체 장치의 생산성을 증가시킬 수 있다.

Claims (9)

  1. 상부에 웨이퍼 로딩 영역을 갖는 웨이퍼 히팅 수단;
    상기 웨이퍼 로딩 영역과 대향하는 위치에 구비되어 있으면서 상기 웨이퍼 로딩 영역에 웨이퍼가 로딩되는 경우 상기 웨이퍼 표면에 도달될 수 있는 소오스 가스를 분사시키는 샤워헤드;
    상기 샤워헤드와 상기 히팅 수단 사이에 구비되어 있으면서 상기 웨이퍼 로딩 영역으로부터 방출되는 열 에너지를 상기 웨이퍼 로딩 영역으로 반사시키는 반사 수단; 및
    상기 웨이퍼 히팅 수단, 상기 샤워헤드 및 상기 반사 수단을 내부에 구비하는 챔버의 내부 압력을 조절하고 상기 챔버 내부에 발생되는 반응 부산물을 상기 챔버 밖으로 배출시키기 위한 펌핑 수단이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 반사 수단은 상기 웨이퍼 로딩 영역과 대향하는 반사체와 상기 반사체를 지지하기 위한 지지대로 구성된 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 반사체는 상기 웨이퍼 로딩 영역을 향해 평평한 반사면을 갖는 반사판인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 반사체는 상기 웨이퍼 로딩 영역에 대해 오목한 반사면을 갖는 반구형 반사체인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 반사체는 상, 하 이동이 가능한 가동성 반사체인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 가동성 반사체는 상기 챔버 밖에 있는 구동체와 상기 지지대를 통해서 연결되어 있되, 챔버 바닥을 통해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 가동성 반사체는 상기 챔버 밖에 있는 구동체와 상기 지지대를 통해서 연결되어 있되, 상기 챔버의 천정을 통해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 지지대는 상기 구동체 측에 연결된 제1 실린더와 일단이 상기 제1 실린더를 통해서 상기 구동체에 연결되어 있되, 상기 구동체로부터 발생되는 구동력을 전달받을 수 있는 형태로 연결되어 있으며, 타단은 상기 반사체에 연결된 제2 실린더로 구성된 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  9. 제 2 항에 있어서, 상기 지지대는 상기 샤워헤드 또는 상기 히팅 수단 둘레에 대칭적으로 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
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