KR20020010869A - 액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치 및 액티브매트릭스형 유기 ｅｌ 표시 장치 - Google Patents

액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치 및 액티브매트릭스형 유기 ｅｌ 표시 장치 Download PDF

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Abstract

유기 EL 표시 장치 등의 자발광형 표시 장치로 소비 전력과 비용을 저감할 수 있다. 게이트가 게이트선(1)에 접속되고, 선택 TFT(4)의 소스가 게이트에 접속된 구동 TFT(6)를 갖는 자발광형 표시 장치에 있어서, 정전원 PV와 구동 TFT(6)와 유기 EL 발광 소자(7), 부전원 CV를 직렬로 접속한다. 부전원 CV에는 게이트 신호-발광 휘도 상관 곡선을 시프트시키기 위한 시프트 전압이 인가되어 있기 때문에, 데이터 신호에 대하여 계조 표시에 기여하지 않는 전압의 상승을 행할 필요가 없다. 따라서, 소비 전력이 저감됨과 함께, 데이터 신호를 통상의 CMOS 프로세스로 제조할 수 있어 제조 비용을 저감할 수 있다.

Description

액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치 및 액티브 매트릭스형 유기 ＥＬ 표시 장치{ACTIVE MATRIX TYPE SELF-LUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND ACTIVE MATRIX TYPE ORGANIC EL DISPLAY DEVICE}
본 발명은 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor ; TFT) 등으로 구성된 선택 구동 회로에 의해서 화소마다 독립하여 배치된 자발광 소자를 갖는 액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치에 관한 것으로, 특히 액티브 매트릭스형 유기 일렉트로 루미네센스(Electro Luminescence ; EL) 표시 장치에 관한 것이다.
자발광 표시 장치는 CRT와 비교하면 저소비 전력이며, 소형이고, 게다가 LCD와 같은 시야각 의존성이 없기 때문에, 최근, EL 소자를 이용한 EL 표시 장치가 CRT나 LCD를 대신하는 표시 장치로서 주목받고 있다. 또한, 예를 들면, 그 EL 소자를 구동시키는 스위칭 소자로서 TFT를 구비한 EL 표시 장치의 개발이 진행되고 있다.
도 5에 유기 EL 표시 장치의 등가 회로도를 나타낸다. 행 방향으로 연장되는 복수의 게이트선(1)이 배치되고, 이것과 교차하도록 열 방향으로 복수의 데이터선(2) 및 구동선(3)이 배치되어 있다. 구동선(3)은 전원 PV에 접속되어 있다. 전원 PV는 플러스의 일정한 전압을 출력하는 전원이고, 그 전압은, 예를 들면 접지 전압을 기준으로 10V의 정전압이다. 게이트선(1)과 데이터선(2)과의 각각의 교점에는 선택 TFT(4)가 접속되어 있다. 선택 TFT(4)는 두개의 TFT(4a, 4b)를 직렬로 접속한 더블 게이트 구조이며, 선택 TFT(4)의 각각의 TFT(4a, 4b)의 게이트는 게이트선(1)에 접속되고, 선택 TFT(4a)의 드레인이 데이터선(2)에 접속되어 있다. 선택 TFT(4b)의 소스는 유지 컨덴서(5)와 구동 TFT(6)의 게이트에 접속되어 있다. 구동 TFT(6)의 드레인은 구동선(3)에 접속되고, 소스는 유기 EL 발광 소자(7)의 양극에 접속되어 있다. 유기 EL 발광 소자(7)의 음극은 접지되어 있다. 유지 컨덴서(5)의 반대 극에는 열 방향으로 연장되는 용량선(9)이 접속되어 있다.
게이트선(1)은 도시하지 않은 게이트선 드라이버에 접속되며, 게이트선(1)에는 게이트선 드라이버에 의해 순차적으로 게이트 신호가 인가된다. 게이트 신호는 온 혹은 오프의 2치 신호이고, 온일 때는 플러스의 소정 전압, 오프일 때는 0V가 된다. 게이트선 드라이버는 복수 접속되는 게이트선(1) 중, 선택된 소정의 게이트선의 게이트 신호를 온으로 한다. 게이트 신호가 온으로 되면, 그 게이트선(1)에 접속된 모든 선택 트랜지스터(4)의 TFT가 온으로 되고, 선택 트랜지스터(4)를 통해데이터선(2)과 구동 트랜지스터(6)의 게이트가 접속된다. 데이터선(2)에는 데이터선 드라이버(8)로부터 표시하는 영상에 따라서 결정되는 데이터 신호가 출력되고, 데이터 신호는 구동 트랜지스터(6)의 게이트에 입력됨과 함께, 유지 컨덴서(5)에 충전된다. 구동 트랜지스터(6)는 데이터 신호의 크기에 따른 도전율로 구동선(3)과 유기 EL 발광 소자(7)를 접속한다. 이 결과, 데이터 신호에 따른 전류가 구동 트랜지스터(6)를 통해 구동선(3)으로부터 유기 EL 발광 소자(7)에 공급되며, 데이터 신호에 따른 휘도로 유기 EL 발광 소자(7)가 발광한다. 유지 컨덴서(5)는 전용 용량선(9) 혹은 구동선(3) 등 다른 전극 간에서 정전 용량을 형성하고 있고, 일정 시간 데이터 신호를 축적할 수 있다. 데이터 신호는 게이트선 드라이버가 다른 게이트선(1)을 선택하고, 그 게이트선(1)이 비선택으로 되어 선택 트랜지스터(4)가 오프된 후에도, 유지 컨덴서(5)에 의해서 1수직 주사 기간 동안 유지되며, 그 동안, 구동 트랜지스터(6)는 상기 도전율을 유지하고, 유기 EL 발광 소자(7)는 그 휘도로 발광을 계속할 수 있다.
이상이 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치의 동작 원리이지만, 본 명세서에 있어서, 상술한 선택 트랜지스터(4), 구동 트랜지스터(6) 등을 갖고, 게이트 신호와 같은 표시 소자의 하나 혹은 복수를 동시에 선택하는 신호와, 표시하는 영상에 의해 결정되는 데이터 신호에 따라서, 소정의 표시 소자에 데이터 신호에 따른 전류를 공급하는 회로를 총칭하여 선택 구동 회로로 칭한다. 선택 구동 회로는 상술한 것 이외에도 여러 가지 패턴을 생각할 수 있고, 또한, 이미 제안되어 있다.
도 6은 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치의 단면도를 나타낸다. 유리기판(11) 상에 복수의 구동 TFT(6)가 배치되어 있다. 구동 TFT(6)는 게이트 전극(6G)이 층간 절연막(12)을 통해 소스(6S), 채널(6C), 드레인(6D)과 대향하는 구조이고, 여기에 나타내는 예에서는 채널(6C)보다도 게이트 전극(6G)이 아래에 있는 보텀 게이트 구조이다. 구동 TFT(6) 상에 층간 절연막(13)이 형성되고, 그 위에 데이터선(2) 및 구동선(3)이 배치되어 있다. 구동선(3)은 구동 TFT(6)의 드레인(6D)에 컨택트를 통해 접속되어 있다. 이들 위에, 평탄화 절연막(14)이 형성되어 있고, 평탄화 절연막(14) 상에는 화소마다 유기 EL 발광 소자(7)가 배치되어 있다. 유기 EL 발광 소자(7)는 ITO(indium tin oxide) 등의 투명 전극을 포함하는 양극(15), 홀 수송층(16), 발광층(17), 전자 수송층(18), 알루미늄 등의 금속을 포함하는 음극(19)이 순서대로 적층되어 형성되어 있다. 양극(15)으로부터 홀 수송층(16)으로 주입된 홀과, 음극(19)으로부터 전자 수송층(18)으로 주입된 전자가 발광층(17)의 내부에서 재결합함으로써 발광하고, 이 광이 도 6 중 화살표로 나타낸 바와 같이, 투명한 양극(15)측으로부터 유리 기판(11)을 투과하여 외부로 방사된다. 양극(15), 발광층(17)은 각 화소마다 독립하여 형성되며, 홀 수송층(16), 전자 수송층(18), 음극(19)은 각 화소 공통으로 형성된다.
도 7에, 유기 EL 발광 소자(7)에 거는 전압 VEL과 그 때의 발광 휘도의 상관곡선을 나타낸다. 전압 VEL이 일정치 IO 이하인 동안은 전압치에 상관없이 전혀 발광되지 않는다. 그리고, 전압 VEL이 일정치 VO를 초과하면 발광하고, 그 이후는, 전압 VEL이 증가함에 따라서 휘도가 커진다. 표시 장치의 발광 소자로서 유기 EL을이용하는 경우, EL 발광 소자가 소정의 휘도 Lmin으로 약하게 발광할 때의 전류를 최저 전압 Vmin으로 하고, 그 휘도에 대하여 예를 들면 일정한 콘트라스트, 예를 들면 콘트라스트가 100으로 된 휘도 LMAX를 최대 휘도로 하고, 이 휘도에 대응하는 전류를 최대 전압 VMAX로 하여 이 전압 간에서 EL 발광 소자에 걸리는 전압 VEL을 제어하여 표시를 행한다. 전압 VEL을 더욱 높게 설정하면, 보다 강하게 발광시켜 콘트라스트를 더 크게 취하는 것도 가능하지만, 유기 EL은 강하게 발광시키면 수명이 짧아지는 특성이 있고, 또한, 강하게 발광시키기 위해서는 보다 큰 전류를 흘릴 필요가 있다. 따라서, 수명, 소비 전류 양방의 관점에서, 그 표시 장치의 사용 환경에 의해서 구해지는 한도의 최대 휘도 및 콘트라스트로 설정된다.
도 8은 도 5에 도시한 회로도로부터 1화소분의 전원 PV, 구동 TFT(6), EL 발광 소자(7)를 추출하여 나타낸 회로도이다. 도 8로부터 알 수 있는 바와 같이, 구동 TFT(6)와 유기 EL 발광 소자(7)는 전원 PV와 접지 간에 직렬로 접속되어 있다. 유기 EL 발광 소자(7)에 흐르는 전류 IEL은 전원 PV로부터 구동 트랜지스터(6)를 통해 유기 EL 발광 소자(7)에 공급되고, 그리고, 이 전류 IEL은 구동 트랜지스터(6)의 게이트 전압 VG를 변화시킴으로써 제어할 수 있다. 상술한 바와 같이, 게이트 전극에는 데이터 신호가 입력되어 있고, 게이트 전압 VG는 데이터 신호에 따른 값이 된다. 도 9는 구동 트랜지스터(6)의 게이트 전압 VG에 대한 EL 발광 소자(7)의 발광 휘도의 상관을 나타낸다. 구동 트랜지스터(6)가 p형 TFT인 경우가 도 9의 (a),n형 TFT인 경우가 도 9의 (b)이다. 구동 트랜지스터(6)가 p형 TFT인 경우, 게이트 전압 VG=4.5V에서 최대 휘도 LMAX가 되고, 게이트 전압 VG의 상승에 따라 휘도가 저하되며, VG=6.5V에서 최소 휘도 Lmin이 된다. 그리고, VG=8V 근방에서 발광이 없어진다. 구동 트랜지스터(6)가 n형 TFT인 경우, 게이트 전압 VG=3V 근방에서 발광하기 시작하여 게이트 전압 VG의 상승에 따라 휘도가 증가하고, VG=4.5V에서 최소 휘도 Lmin이 되며, VG=6.5V에서 최대 휘도 LMAX가 된다.
상술한 것으로부터, 유기 EL 발광 소자(7)의 발광 휘도를 제어하기 위해서, 구동 트랜지스터(6)의 게이트 전압, 즉 데이터 신호는 VGmin=4.5V로부터 VGMAX=6.5V 사이에 표시하는 계조에 따른 값으로 출력되도록 조정하면 좋다. 도 10은 유기 EL 표시 장치에 이용하는 데이터 신호의 시간 변화의 일례를 나타낸다.
그러나, 그와 같은 데이터 신호를 출력하기 위해서는, 데이터 신호의 최대치에 따라서 큰 전원을 설치할 필요가 있다. 데이터 신호는 도시하지 않은 외부 부착 데이터 신호 처리 회로에 의해서 외부로부터 입력되는 영상 신호를 게이트 전압에 최적이 되도록 신호 처리하여 생성하지만, 출력해야 할 데이터 신호의 전압이 높으면, 이 데이터 신호 처리 회로의 구동 전압을 높게 할 필요가 있어 소비 전력의 증대로 연결되었다.
특히, VGMAX가 5V를 초과하면, 데이터 신호 처리 회로의 내압을 높게 설계할 필요가 있고, 통상의 CMOS 프로세스로 제조하는 것이 곤란하다. 따라서, 종래의액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치는 소비 전력이 높고, 또한, 제조 비용이 높은 과제가 있었다.
그래서, 본 발명은 보다 저소비 전력으로 동작하고, 또한 제조 비용이 낮은 액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치를 얻는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 행 방향으로 연장되는 복수의 게이트선과, 열 방향으로 연장되는 복수의 데이터선과, 게이트선 및 데이터선의 각각의 교점에 대응하여 배치되는 선택 구동 회로와, 선택 구동 회로에 접속되는 발광 소자를 갖고, 게이트선에 입력되는 선택 신호에 의해서 선택 구동 회로가 온되며, 데이터선에 입력되는 데이터 신호에 따른 전류가 발광 소자에 공급되고, 데이터 신호에 따른 휘도로 발광 소자가 발광하는 액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치에 있어서, 발광 소자는 제1 극성 전압을 출력하는 제1 전원과, 제1 극성과는 역극성의 전압을 출력하는 제2 전원 간에 접속되어 있는 액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치이다.
또한, 개개의 화소마다 선택 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 발광 소자를 갖고, 선택 트랜지스터에 선택 신호를 입력함으로써, 선택 트랜지스터를 온하고, 선택 트랜지스터를 통해 데이터 신호를 구동 트랜지스터에 입력하며, 구동 트랜지스터를 통해 데이터 신호에 따른 전류를 발광 소자에 흘리고, 데이터 신호에 따른 휘도로 발광 소자를 발광시켜 표시를 행하는 액티브 매트릭스형 표시 장치에 있어서, 발광 소자는 일극성의 제1 전원과, 제1 전원과 역극성의 제2 전원 간에 구동 트랜지스터와 함께 직렬로 접속되어 있는 액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치이다.
또한, 행 방향으로 연장되어 선택 신호가 순차적으로 입력되는 복수의 게이트선과, 열 방향으로 연장되는 복수의 데이터선과, 게이트선 및 데이터선의 각각의 교점에 대응하여 배치되며, 게이트선에 게이트가 접속되고, 데이터선에 드레인이 접속되는 선택 트랜지스터와, 선택 트랜지스터의 소스가 게이트에 접속된 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 소스에 양극이 접속된 발광 소자와, 구동 트랜지스터를 통해 발광 소자에 전류를 공급하는 정전원을 갖는 액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치에 있어서, 발광 소자의 음극에는 부전원이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치이다.
또한, 선택 신호는, 선택 시는 소정 극성의 전위이고, 비선택 시는 소정 극성과는 역극성의 전위이다.
또한, 선택 신호는, 선택 시는 일극성의 소정치이고, 비선택 시는 일극성과는 역극성이며 또한 절대치가 소정치보다도 작은 값이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치를 나타내는 회로도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 일부를 나타내는 회로도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 있어서의 구동 TFT 게이트 전압에 대한 유기 EL 소자의 발광 휘도를 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 있어서의 데이터 신호의 일례를 나타내는 도면.
도 5는 종래의 유기 EL 표시 장치를 나타내는 회로도.
도 6은 유기 EL 표시 장치의 단면도.
도 7은 유기 EL 발광 소자의 전압에 대한 발광 휘도를 나타내는 도면.
도 8은 종래의 유기 EL 표시 장치의 일부를 나타내는 회로도.
도 9는 종래의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 구동 TFT 게이트 전압에 대한 유기 EL 소자의 발광 휘도를 나타내는 도면.
도 10은 종래의 유기 EL 표시 장치의 데이터 신호의 일례를 나타내는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 게이트선
2 : 데이터선
3 : 구동선
4 : 선택 트랜지스터
5 : 유지 컨덴서
6 : 구동 트랜지스터
7 : 유기 EL 발광 소자
PV : 정전원
CV : 부전원
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 EL 표시 장치의 등가 회로도이다. 행 방향으로 연장되는 복수의 게이트선(1)이 배치되고, 이것과 교차되도록 열 방향으로 복수의 데이터선(2) 및 구동선(3)이 배치되어 있다. 게이트선(1)과 데이터선(2)과의 각각의 교점에는 선택 TFT(4)가 접속되어 있다. 선택 TFT(4)는 두개의 TFT(4a, 4b)를 직렬로 접속한 더블 게이트 구조이고, 선택 TFT(4)의 각각의 TFT(4a, 4b)의 게이트는 게이트선(1)에 접속되며, 선택 TFT(4a)의 드레인이 데이터선(2)에 접속되어 있다. 선택 TFT(4b)의 소스는 유지 컨덴서(5)와 구동 TFT(6)의 게이트에 접속되어 있다. 구동 TFT(6)의 드레인은 구동선(3)에 접속되고, 소스는 유기 EL 발광 소자(7)의 양극에 접속되어 있다. 이상은 종래의 EL 표시 장치와 마찬가지이고, 그 단면도에 대해서도 종래와 마찬가지이다.
본 실시예의 특징적인 부분은 유기 EL 발광 소자(7)의 음극이 접지되지 않고서, 부전압인 시프트 전압 VSHIFT를 인가하는 전원 CV에 접속되어 있는 점이다. 도 2는 도 1의 회로도로부터 1화소분의 양극측 전원 PV, 구동 TFT(6), EL 발광 소자(7) 및 음극측 전원 CV를 추출하여 나타낸 회로도이다. 접지 전압을 기준으로 정전압을 인가하는 전원 PV와 부전압을 인가하는 전원 CV 간에 구동 TFT(6)와 유기 EL 발광 소자(7)가 직렬로 접속되어 있다.
상술한 바와 같이, 적절한 휘도로 유기 EL 발광 소자(7)를 발행시키기 위해서는, 종래, VGmin내지 VGMAX간에서 구동할 필요가 있었지만, VGmin미만의 전압은 단순하게 전압을 상승시킬 뿐이고, 계조 표시에는 아무런 기여도 하지 않는다. 그래서, 본 실시예에 있어서는, 도 9에 도시한 상승분의 전압을 극성 반전시키고, 시프트 전압 VSHIFT로서 부전원 CV에 인가하고 있다. 본 실시예에 있어서, 전원 CV의 전압, 즉 시프트 전압 VSHIFT는 -4V이다.
유기 EL 발광 소자(7)의 발광 휘도는 그 양극과 음극 간의 전위차에 의해서 결정된다. 종래와 같이, 정전원 PV와 접지 간에서 이 전위차를 제공하는 것이 아니라, 정전원 PV와 부전원 CV를 병용함으로써, 유기 EL 발광 소자(7)의 구동 트랜지스터(6)의 게이트 전압에 대한 발광 휘도는 도 9에 도시한 상관으로부터 도 3에 도시한 상관으로 시프트시킬 수 있다. 이것은, 도 9에 도시한 전압의 상승분이 계조 표시에 전혀 기여하지 않는 것에 주목하여, 그 만큼을 반전하여 부전압으로 인가하는 역전의 발상에 의해서 이루어진 것이다.
본 실시예의 구동 트랜지스터(6)의 게이트 전압 VG와 유기 EL 발광 소자(7)의 발광 휘도의 상관을 도 3에 나타낸다. 구동 트랜지스터(6)가 p형 TFT인 경우가 도 3의 (a), n형 TFT인 경우가 도 3의 (b)이다. 구동 트랜지스터(6)가 p형 TFT인 경우, 게이트 전압 VG=0.5V에서 최대 휘도 LMAX가 되고, 게이트 전압 VG의 상승에 따라 휘도가 저하되며, VG=2.5V에서 최소 휘도 Lmin이 된다. 그리고, VG=3V 근방에서 발광이 없어진다. 그리고 구동 트랜지스터(6)가 n형 TFT인 경우에는 VG=0.5V에서 최소 휘도 Lmin이 되고, VG=2.5V에서 최대 휘도 LMAX가 된다. 즉, 본 실시예의 데이터 전압은 VGmin=0.5V로부터 VGMAX=2.5V 사이가 되도록 설정하면 좋고, 종래에 비해 낮은 데이터 전압으로 구동할 수 있다. 따라서, 본 실시예는 종래보다도 저소비 전력으로 구동할 수 있다. 또한, 시프트 전압 VSHIFT=-4V, 데이터 전압의 최대치 VGMAX=2.5V와, 어떠한 전압도 절대치가 5V보다도 작기 때문에, 본 실시예에 이용하는 데이터 신호 처리 회로는 CMOS 프로세스로 작성할 수 있어 제조 비용을 저감할 수 있다.
그리고, 시프트 전압 VSHIFT는 전압의 상승만큼 임의의 값으로 설정할 수 있고, 시프트 전압 VSHIFT에 따른 분량만큼 데이터 신호를 시프트시킬 수 있다. 본 실시예와 같이 VSHIFT=-4V로 하여도 좋고, 이보다 작은 값으로 하여도 물론 좋다. VSHIFT=-4V 보다 크게 취하면, 그만큼 데이터 신호를 시프트시킬 수 있고, 그만큼 소비 전력을 저감시킬 수 있다. 적어도, 시프트시킨 후의 데이터 신호의 최대치가 5V 이하가 되도록 하는 것이 좋다. 또한, 시프트시킨 후의 데이터 신호의 최소치 VGmin이 0V가 되도록, 본 실시예에 이용한 패널이면 VSHIFT=-4.5V로 설정해도 좋다.
그런데, 선택 트랜지스터(4)의 게이트 전압은 통상 온과 오프의 2치로 제어되고, 오프는 0V, 온은 소정의 정전압으로 설정된다. 그런데, VG의 하한 VGmin을 0V가 되도록 시프트 전압을 설정하면, 데이터 신호가 VGmin이 되었을 때 문제가 생긴다. 즉, 데이터 신호가 0V이었을 때, 게이트선(1)의 선택 기간이 종료되고, 선택 트랜지스터(4)의 게이트 신호가 오프, 즉 0V가 되면, 선택 트랜지스터(4)에 있어서 활성층과 게이트 전극이 모두 0V로 되어 전위차가 없어진다. 일반적으로 트랜지스터의 활성층과 게이트 전극 간의 전위차가 없어지면, 채널에 누설 전류가 생긴다. 이 문제를 해결하기 위해서는, 선택 트랜지스터(4)의 게이트 신호는 VSHIFT에 따른 부전압과, 소정의 정전압 사이에서 변화시키도록 한다. 그렇게 함으로써, VGmin=0V일 때도 누설 전류가 흐르지 않는다.
본 실시예에 있어서, 음극(19)은, 도 6에 도시한 바와 같이, 복수의 화소에 걸쳐 공통으로 형성되어 있다. 따라서, 음극(19) 중 어느 하나의 부분에 부전원을접속하면, 본 실시예는 용이하게 실시할 수 있고, 부전원 CV를 접속하는 데 있어서는 특단의 마스크 변경 등의 대폭적인 비용을 요하지 않는다.
또한, 상기 실시예에서는, 선택 구동 회로로서 도 1에 도시한 선택 TFT(4), 구동 TFT(6)를 갖는 회로를 예시하여 설명하였지만, 예를 들면 선택 TFT(4)를 더블 게이트 구조가 아닌 통상의 TFT 구조로 하거나, 그 밖의 특성 개선을 위한 또 다른 TFT를 추가하는 등 임의의 형태로 할 수 있다. 요약하면, 화소마다 배치된 자발광 소자 각각에 대하여 소정의 전류를 공급하는 회로이면, 일극성의 전원과 역극성의 전원 간에 자발광 소자를 배치하여 마찬가지로 실시할 수 있다.
이상으로 상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 발광 소자가 제1 극성 전압을 출력하는 제1 전원과, 제1 극성과는 역극성의 전압을 출력하는 제2 전원 간에 접속되어 있기 때문에, 제2 전원 전압분만큼 데이터 신호를 시프트하여 저전압화할 수 있기 때문에, 표시 장치를 저소비 전력화할 수 있다.
그리고, 데이터 신호 처리 회로에 고내압 트랜지스터를 이용할 필요가 없고, 통상의 CMOS 프로세스로 제조할 수 있어 표시 장치의 제조 비용을 저감할 수 있다.

Claims (6)

  1. 행 방향으로 연장되는 복수의 게이트선과, 열 방향으로 연장되는 복수의 데이터선과, 상기 게이트선 및 상기 데이터선의 각각의 교점에 대응하여 배치되는 선택 구동 회로와, 상기 선택 구동 회로에 접속되는 발광 소자를 구비하고,
    상기 게이트선에 입력되는 선택 신호에 의해서 상기 선택 구동 회로가 온되며, 상기 데이터선에 입력되는 데이터 신호에 따른 전류가 상기 발광 소자에 공급되고, 데이터 신호에 따른 휘도로 상기 발광 소자가 발광하는 액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치에 있어서,
    상기 발광 소자는, 기준의 전압에 대하여 제1 극성의 전압을 인가하는 제1 전원과, 상기 제1 극성과는 역극성의 전압을 인가하는 제2 전원 간에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치.
  2. 개개의 화소마다 선택 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 발광 소자를 구비하고,
    상기 선택 트랜지스터에 선택 신호를 입력함으로써, 선택 트랜지스터를 온하고, 상기 선택 트랜지스터를 통해 데이터 신호를 상기 구동 트랜지스터에 입력하며, 상기 구동 트랜지스터를 통해 상기 데이터 신호에 따른 전류를 상기 발광 소자에 흘리고, 상기 데이터 신호에 따라 상기 발광 소자를 발광시켜 표시를 행하는 액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치에 있어서,
    상기 발광 소자는, 기준 전압에 대하여 일극성의 제1 전원과, 상기 제1 전원과 역극성의 제2 전원 간에 구동 트랜지스터와 함께 직렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치.
  3. 행 방향으로 연장되어 선택 신호가 순차적으로 입력되는 복수의 게이트선과, 열 방향으로 연장되는 복수의 데이터선과, 상기 게이트선 및 상기 데이터선의 각각의 교점에 대응하여 배치되며, 상기 게이트선에 게이트가 접속된 선택 트랜지스터와, 상기 선택 트랜지스터를 통해 상기 데이터선이 게이트에 접속된 구동 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터에 양극이 접속된 발광 소자와, 상기 구동 트랜지스터를 통해 상기 발광 소자에 전류를 공급하는 정전원을 갖는 액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치에 있어서,
    상기 발광 소자의 음극에는 부전원이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 선택 신호는, 선택 시는 소정 극성의 전위이고, 비선택 시는 상기 소정극성과는 역극성의 전위인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 선택 신호는, 선택 시는 일극성의 소정치이고, 비선택 시는 상기 일극성과는 역극성이며 또한 절대치가 상기 소정치보다도 작은 값인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 기재의 액티브 매트릭스형 자발광 표시 장치에서 발광 소자는 유기 EL 발광 소자인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치.
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