KR20020008045A - 기판처리장치 및 막형성장치 - Google Patents

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Abstract

기판(G)을 세정처리하는 기판처리장치(UV)는 기판(G)이 재치되는 스테이지 (61)와, 스테이지(61)상에 재치된 기판(G)의 표면에 자외선을 조사하는 자외선조사실(62)과, 기판(G) 상의 복수의 점에서 자외선조사실(62)의 조사면(69)과 기판(G)의 표면과의 사이의 거리를 검출하는 거리검출부(65)와, 복수의 개소에서 자외선조사실(62)의 조사면(69)과 기판(G)의 표면과의 사이의 거리를 조절할 수 있는 조사거리조절수단(63a,63b,63c)과, 거리검출부(65)로부터의 검출 데이터에 기초하여 상기 조사거리가변수단의 동작을 제어하는 제어부(77)를 구비한다.

Description

기판처리장치 및 막형성장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND FILM FORMING APPARATUS}
본 발명은 예를 들면, 액정표시장치(LCD)용의 유리기판 등의 기판상에 레지스트막 등의 막을 형성하기에 앞서 자외선을 조사하여 세정처리를 하는 기판처리장치 및 기판에 자외선을 조사하여 세정처리를 한 후에 기판상에 막을 형성하는 막형성장치에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치(LCD)의 제조공정에서는, 유리기판의 표면에 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide)의 얇은 막이나 회로 패턴을 형성하기 위해서, 반도체제조공정의 경우와 같은 포토리소그래피기술이 이용된다. 이 경우, 예를 들면, 레지스트액 도포처리에 의해서 유리기판의 표면에 레지스트액이 도포되고, 노광처리에 의해서 유리기판상의 레지스트막에 회로 패턴이 노광되고, 현상처리에 의해서 레지스트막에 노광된 회로 패턴이 현상된다.
LCD의 제조에 있어서는, LCD용 유리기판의 표면이 청정화된 상태에 있는 것을 전제로 하여 각종 처리가 이루어진다. 따라서, 각 처리에 앞서 또는 각 처리의 중간에 피처리기판표면의 세정이 행하여지며, 예를 들면 포토리소그래피공정에서는, 레지스트도포에 앞서 피처리기판의 표면이 세정된다.
종래로부터, 피처리기판표면의 유기물을 제거하기 위한 세정법으로서, 자외선조사에 의한 건식세정기술이 알려져 있다. 이 자외선조사세정기술은 소정 파장(자외선광원으로서 저압수은램프를 사용할 때에는 185nm, 254nm, 유전체배리어방전램프에서는 172nm)의 자외선을 사용하여 산소를 여기시키고, 생성되는 오존이나 발생기의 산소에 의해서 기판표면상의 유기물을 산화·기화시켜 제거하는 것이다.
일반적으로, 그러한 자외선조사에 의한 건식세정을 행하기 위한 자외선조사세정장치는 석영유리의 창을 가진 램프실내에 자외선광원이 되는 램프를 1개 또는 복수개 나란히 수용하고, 해당 석영 유리창을 통해 램프실에 인접하는 세정처리실내에 피처리기판을 배치하고, 램프실내의 램프로부터 발생하는 자외선을 해당 석영 유리창을 통해서 피처리기판의 피처리면에 조사하도록 되어 있다. 최근에는, 피처리기판의 피처리면에 대하여 램프를 상대적으로 평행이동시켜 피처리면상에서 자외선을 주사함으로써, 램프수의 삭감이나 석영 유리창의 소형화가 도모되고 있다.
그런데, 상술한 자외선세정에 있어서, 피처리기판의 면내에서 균등한 세정효과를 얻기 위해서는, 자외선조사 램프의 조사면과 피처리기판의 사이의 거리를 기판의 전체면에 걸쳐 균등하게 유지하여 자외선조사를 해야 한다. 즉, 피처리기판의 표면전체에 걸쳐 균등하게 자외선을 조사하지 않으면, 세정이 불균일하게 되어, 충분한 세정효과를 얻을 수 없다. 그러나, LCD의 유리기판은 일반적으로 대형이며, 따라서, 이것이 재치되는 스테이지도 또한 대형이기 때문에, 스테이지 및 유리기판에 휘어짐이 발생하기 쉽다. 그 때문에, 자외선조사 램프의 조사면과 피처리기판과의 사이의 거리를 기판의 표면전체에 걸쳐 균등하게 유지하는 것이 어렵다.
한편, 상기와 같은 자외선조사식 세정장치에 있어서, 소기의 세정효과를 얻기 위해서는, 자외선 램프로부터 피처리기판에 조사되는 자외선의 조도 및 광량을 각각 소정치 이상 확보할 필요가 있으며, 그러한 자외선조사조건을 만족시키도록 장치 각부의 수단이 이루어져 있기는 하다. 그러나, 자외선 램프의 휘도가 시간이경과함에 따라 변화하여 저하하면, 피처리기판에 대한 자외선의 조도 내지 광량이 부족하여, 세정불량을 일으킬 우려가 있다.
그런데, 종래의 이 종류의 장치는 피처리기판에 있어서의 자외선조도를 정확히 측정하는 수단이나, 자외선조도의 변화를 정확하게 보상하는 수단을 구비하고 있지 않아, 자외선세정처리의 품질 및 효율을 안정적으로 유지하는 것이 어렵다.
또한, 유전체배리어방전 램프를 사용하는 장치에서는, 해당 램프로부터 방사되는 파장 172nm의 자외엑시머광이 산소에 매우 흡수되기 쉽고, 석영 유리창을 나간 후 피처리기판의 표면에 도달하기까지의 거리가 클수록 지수함수적으로 감쇠한다. 이 때문에, 양자(석영 유리창과 피처리기판)사이의 빈틈을 되도록 좁게 하는 것이 바람직하며, 통상적으로는 치수오차나 기계정밀도의 오차를 감안하여 3∼7mm로 설정하고 있다. 그러나, 이러한 작은 빈틈으로도 자외선의 조도는 수분의 1정도까지 대폭적으로 감쇠하여 버려, 에너지효율이 낮다.
또한, 이 종류의 장치에서는, 석영 유리의 바깥쪽표면(기판쪽의 표면)에 자외선에 의한 반응생성물이 부착하는 현상이 문제가 되고 있다. 즉, 피처리기판의 표면 또는 그 부근에 부착 또는 부유하고 있는 유기물이나 약품 등이 자외선의 빛에너지와 반응하여, 그 반응생성물이 기판과 아주 가까이 대향하는 석영 유리에 부착하여 백색의 석출물이 되며, 그에 따라 석영 유리의 자외선투과특성이 저하하거나, 석영 유리로부터 반응생성물 또는 석출물이 벗겨져 파티클의 원인이 되는 경우가 있다.
본 발명은 이러한 종래의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 자외선조사 램프의 조사면과 피처리기판과의 사이의 거리를 기판의 표면전체에 걸쳐 균등하게 유지하여 균등한 자외선조사처리를 할 수 있는 기판처리장치 및 막형성장치를 제공하는 데에 있다.
다른 목적은, 자외선조사처리에 있어서 피처리기판에 대한 자외선의 조도를 정확하게 관리하여, 처리품질 및 효율을 안정적으로 유지하도록 한 기판처리장치를 제공하는 데에 있다.
또 다른 목적은, 자외선조사용의 창부재를 자외선반응생성물로부터 효과적으로 보호하도록 한 기판처리장치를 제공하는 데에 있다.
도 1은 본 발명의 기판처리장치가 탑재된 레지스트 도포현상처리 시스템을 모식적으로 나타내는 평면도,
도 2는 도 1의 레지스트 도포현상처리시스템에 있어서의 처리의 순서를 나타내는 플로우챠트,
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 자외선조사 유니트를 개략적으로 나타내는 단면도,
도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 자외선조사 유니트를 개략적으로 나타낸 평면도,
도 5는 자외선조사 유니트의 동작형태를 단계적으로 나타낸 개략도,
도 6은 본 발명의 제 1 실시형태의 다른 예에 관한 자외선조사 유니트를 개략적으로 나타내는 평면도,
도 7은 도 6의 자외선조사유니트를 구성하는 스테이지의 단면도,
도 8은 본 발명의 제 1 실시형태의 또 다른 예에 관한 자외선조사 유니트를 개략적으로 나타내는 평면도,
도 9는 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 자외선조사유니트를 개략적으로 나타내는 단면,
도 10은 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 자외선조사유니트에 있어서의 조도측정용 광센서의 부착구조를 나타내는 사시도,
도 11은 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 자외선조사유니트의 주요한 제어계의 구성을 나타내는 블록도,
도 12는 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 자외선조사유니트에 있어서의 조도조정부의 한 구성예를 나타내는 블록도,
도 13은 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 자외선조사유니트에 있어서의 주요한 동작순서를 나타내는 플로우챠트,
도 14는 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 자외선조사유니트에 있어서의 조도조정의 순서를 나타내는 플로우챠트,
도 15는 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 자외선조사유니트에 있어서 자외선조사창과 기판의 사이의 빈틈에 불활성가스를 흐르게 하는 방식의 작용을 나타내는 부분측면도,
도 16은 본 발명의 제 2 실시형태의 다른 예에 관한 자외선조사 유니트의 구성을 나타내는 단면도,
도 17은 도 16에 나타내는 자외선조사 유니트의 주요부를 나타내는 평면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
38 : 주반송장치 UV : 자외선조사 유니트
61 : 스테이지 62 : 자외선조사실(광조사부)
63a, 63b, 63c : 승강축(조사거리조절수단)
65 : 거리검출부 65a, 65b,…: 센서
67a,67b,67c : 자외선 램프 69 : 자외선사출창(조사면)
70 : 승강핀(조사거리조절수단) 77 : 제어부
82 : 압전소자(조사거리가조절수단) 90 : 하우징
162 : 자외선사출창
164a, 164b, 164c : 자외선 램프
166 : 램프실 168 : 세정처리실
172 : 불활성가스분사부 174 : 불활성가스 흡입부
194 : 스테이지 194a : 기판재치영역
194b : 스테이지 오른쪽 끝단부 198 : 스테이지구동부
204 : 광센서 212 : 제어부
216 : 스테이지승강구동부 218 : 주사구동부
222 : 불활성가스류구동부 228 : 조도측정회로
230 : 판두께설정부 232 : 조도비교부
234 : 기준조도설정부 236 : 스테이지승강제어부
238 :최대/최소간격설정부 240 : 스테이지구동부
G : 기판
본 발명의 제 1 관점에 의하면, 피처리기판이 재치되는 스테이지와, 스테이지상에 재치된 피처리기판의 표면에 빛을 조사하는 광조사부와, 피처리기판상의 복수의 점에서 광조사부의 조사면과 피처리기판의 표면과의 사이의 거리를 검출하는 거리검출수단과, 복수의 개소에서 상기 광조사부의 조사면과 피처리기판의 표면과의 사이의 거리를 조절할 수 있는 조사거리조절수단과, 상기 거리검출수단으로부터의 검출 데이터에 기초하여 상기 조사조절수단의 동작을 제어하는 제어수단을 구비하고, 상기 광조사부로부터의 빛의 조사에 의해 상기 스테이지상의 피처리기판에 대하여 세정처리를 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치가 제공된다.
본 발명의 제 2 관점에 의하면, 피처리기판의 표면을 세정처리하는 세정처리부와, 세정후의 피처리기판의 표면에 도포액을 도포함으로써 막을 형성하는 막형성부를 구비하는 막형성장치로서, 상기 세정처리부는 피처리기판이 재치되는 스테이지와, 스테이지상에 재치된 피처리기판의 표면에 빛을 조사하는 광조사부와, 피처리기판상의 복수의 점에서 광조사부의 조사면과 피처리기판의 표면과의 사이의 거리를 검출하는 거리검출수단과, 복수의 개소에서 상기 광조사부의 조사면과 피처리기판의 표면과의 사이의 거리를 조절할 수 있는 조사거리조절수단과, 상기 거리검출수단으로부터의 검출 데이터에 기초하여 상기 조사조절수단의 동작을 제어하는 제어수단을 가지며, 상기 광조사부로부터의 빛의 조사에 의해 상기 스테이지상의 피처리기판에 대하여 세정처리를 하는 것을 특징으로 하는 막형성장치가 제공된다.
상기 본 발명의 제 1 관점 및 제 2 관점에 의하면, 거리검출수단에 의해 피처리기판상의 복수의 점에서 광조사부의 조사면과 피처리기판의 표면과의 사이의 거리를 검출하여, 이 거리검출수단으로부터의 검출 데이터에 기초하여 제어수단에 의해, 상기 광조사부의 조사면과 피처리기판의 표면과의 사이의 거리를 복수개소에서 조절하기 때문에, 광조사부의 조사면과 기판과의 사이의 거리를 기판의 표면전체에 걸쳐 균등하게 유지하여 충분한 세정효과를 얻을 수 있다.
상기 본 발명의 제 1 관점 및 제 2 관점에서는, 특히, 제어수단이 광조사부의 조사면과 상기 스테이지상의 피처리기판의 표면과의 사이의 거리가 기판의 전체면에 걸쳐 대략 균등해지도록, 조사거리조절수단의 동작을 제어하는 것이 바람직하다. 또한, 광조사부에서 조사되는 빛이 자외선인 것이 바람직하고, 특히 자외엑시머광인 것이 바람직하다. 또한, 스테이지상의 피처리기판의 표면과 광조사부의 조사면과의 접촉을 방지하는 접촉방지수단을 더욱 구비하고 있어도 좋다. 바람직한실시형태에 있어서는, 조사거리조절수단이 스테이지를 승강시켜 스테이지의 높이를 조정하는 복수의 승강축을 가진다. 또한, 조사거리조절수단은 스테이지상에 설치되어 피처리기판을 지지하는 복수의 압전소자를 가진 것이어도 좋고, 스테이지의 표면에 대하여 돌몰하여 피처리기판을 승강시키는 복수의 승강 핀을 가진 것이어도 좋다. 또한, 거리검출수단으로서는 전형적으로는 복수의 광센서를 가진 것이 예시된다. 또한, 바람직한 실시형태로서, 스테이지와 광조사부와의 사이에 상대이동을 생기게 하는 구동수단을 더욱 구비하고, 상기 거리검출수단은 상기 광조사부에 도달하기 전의 피처리기판의 표면부위의 상기 광조사부의 조사면과의 사이의 거리를 측정하고, 상기 제어부는 상기 구동수단에 의해 그 부위가 광조사부의 바로 아래에 도달하였을 때에 상기 광조사부의 조사면과의 사이의 거리가 소정의 거리가 되도록 상기 조사거리조절수단으로 지령을 보내는 것을 들 수 있다.
본 발명의 제 3 관점에 의하면, 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 하는 기판처리장치로서, 피처리기판을 재치하여 지지하는 재치대와, 자외선이 발생하는 램프와 자외선을 투과시키는 창부재를 가지며, 상기 램프로부터 발생한 자외선을 상기 창부재를 통하여 상기 재치대상의 피처리기판에 조사하는 자외선조사수단과, 상기 자외선조사수단으로부터의 자외선을 소정위치에서 수광하여 상기 자외선의 조도를 측정하는 자외선조도측정수단과, 상기 자외선조도측정수단에 의해 얻어지는 자외선조도측정치에 따라서 상기 자외선조사수단과 상기 재치대와의 사이의 거리를 조정하는 조사거리조정수단을 구비하는 기판처리장치가 제공된다.
상기 본 발명의 제 3 관점에서는, 자외선조사수단으로부터 재치대상의 피처리기판에 주어지는 자외선의 조도가 변화하여도, 자외선조도측정수단에 의해 조도변화를 검출하여, 조사거리조정수단에 의해 조도변화를 보상하도록 조사거리를 가변조정하기 때문에, 자외선조도를 일정하게 또는 안정적으로 유지하여, 자외선조사처리의 품질 및 효율을 안정적으로 유지할 수 있다.
상기 본 발명의 제 3 관점에서, 조도조정의 정밀도를 높이기 위해서, 바람직하게는, 상기 자외선조도측정수단이 상기 재치대상의 상기 피처리기판에 조사되는 자외선의 조도를 측정하기 위해서 상기 피처리기판에 간섭하지 않는 위치에서 상기 재치대쪽에 설치된 광센서를 포함하는 구성으로 하여도 좋다. 특히, 주사식의 자외선조사처리를 하는 경우에는, 상기 광센서가 상기 주사방향에서 상기 피처리기판보다도 앞의 위치에 배치되는 것이 바람직하다.
또한, 조사거리조정수단이 상기 재치대상에 재치되는 상기 피처리기판의 판두께에 따라서 상기 자외선조사수단과 상기 재치대와의 사이의 거리를 가변조정하는 수단을 포함하는 구성으로 하여도 좋다. 이렇게, 피처리기판의 판두께를 조도조정의 파라미터로 하는 것도, 조도측정 내지 조도조정의 정밀도를 높이는 데에 있어서 효과적이다. 또한, 기판에 대한 자외선조도를 원하는 값으로 안정적으로 유지하기 위해서, 바람직하게는, 상기 조사거리조정수단이 원하는 기준조도를 설정하는 기준조도설정수단과, 상기 자외선조도측정치를 상기 기준조도와 비교하여, 그 비교오차가 제로에 가까워지도록 상기 재치대와 상기 자외선조사수단과의 사이의 상대위치를 조정하는 상대위치조정수단을 가진 구성으로 하여도 좋다.
또한, 안정적이고 또한 양호한 자외선조사처리를 하기 위해서, 바람직하게는, 조사거리조정수단이 창부재와 재치대 또는 그 위의 피처리기판과의 간격에 대하여 최대치를 설정하는 최대간격설정수단과, 상기 간격의 가변조정에 있어서 상기 간격이 상기 최대치에 이르고 있거나 최대치를 넘는 것이 예상될 때는 상기 간격을 상기 최대치로 제한하는 최대간격제한수단을 가진 구성으로 하여도 좋고, 창부재와 재치대 또는 그 위의 피처리기판과의 간격에 대하여 최소치를 설정하는 최소간격설정수단과, 상기 간격의 가변조정에 있어서 상기 간격이 상기 최소치에 이르고 있거나 최소치를 밑도는 것이 예상될 때에는 상기 간격을 상기 최소치로 제한하는 최소간격제한수단을 가진 구성으로 할 수도 있다.
본 발명의 제 4 관점에 의하면, 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 하는 기판처리장치로서, 피처리기판을 재치하여 지지하는 재치대와, 자외선이 발생하는 램프와 자외선을 투과시키는 창부재를 가지며, 상기 램프로부터 발생한 자외선을 상기 창부재를 통해 상기 재치대상의 피처리기판에 조사하는 자외선조사수단과, 상기 창부재와 상기 재치대상의 피처리기판과의 사이의 빈틈에 불활성가스를 흐르게 하는 수단을 구비하는 기판처리장치가 제공된다.
본 발명의 제 5 관점에 의하면, 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 하는 기판처리장치로서, 피처리기판을 재치하여 지지하는 재치대와, 자외선이 발생하는 램프와 자외선을 투과시키는 창부재를 가지며, 상기 램프로부터 발생한 자외선을 상기 창부재를 통해 상기 재치대상의 피처리기판에 조사하는 자외선조사수단과, 상기 자외선조사수단으로부터의 자외선이 상기 재치대상의 피처리기판의 피처리면을 주사하도록, 상기 재치대 및 상기 자외선조사수단중의 어느 한쪽 또는양쪽을 소정의 방향에서 이동시키는 구동수단과, 상기 자외선조사수단에서 보아 제 1 방향으로부터 상기 주사의 방향과 거의 평행하게 상기 창부재와 상기 재치대상의 피처리기판과의 사이의 빈틈에 불활성가스를 보내주는 불활성가스분사수단과, 상기 자외선조사수단에서 보아 상기 제 1 방향과는 반대쪽의 제 2 방향으로써 상기 빈틈을 지나 온 불활성가스를 흡입하여 배출하는 불활성가스 흡입수단을 구비하는 기판처리장치가 제공된다.
상기 본 발명의 제 4 관점 및 제 5 관점에서는, 창부재와 재치대상의 피처리기판과의 사이의 빈틈에 불활성가스가 흐름으로써, 그 빈틈에서 공기, 특히 산소를 몰아 내도록 하여 배제할 수 있기 때문에, 자외선조사수단의 창부재로부터 나온 자외선이 피처리기판에 도달할 때까지 산소에 흡수되어 감쇠하는 정도가 저감된다. 이에 따라, 원하는 조도를 얻기 위한 램프의 소비전력이 적어도 되고 램프수명도 연장된다. 또한, 자외선반응생성물도 불활성가스의 흐름을 타고 빈틈에서 배제되기 때문에, 창부재에 부착하기 어렵게 된다. 특히, 제 5 관점과 같이 불활성가스를 흐르게 하는 수단을 상기 자외선조사수단에서 보아 제 1 방향으로부터 상기 주사의 방향과 거의 평행하게 상기 창부재와 상기 재치대상의 피처리기판과의 사이의 빈틈에 불활성가스를 보내주는 불활성가스분사수단과, 상기 자외선조사수단에서 보아 상기 제 1 방향과는 반대쪽의 제 2 방향으로써 상기 빈틈을 지나 온 불활성가스를 흡입하여 배출하는 불활성가스흡입수단으로 구성함으로써 바람직한 것이 된다.
이하, 첨부도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 기판처리장치가 탑재된 레지스트 도포현상처리시스템을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 이 레지스트 도포현상처리시스템은 크린룸내에 설치되며, 예를 들면 LCD기판을 피처리기판으로 하고, LCD 제조프로세스에 있어서 포토리소그래피공정중의 세정, 레지스트도포, 프리베이킹, 현상 및 포스트베이크의 각 처리를 행하는 것이다. 노광처리는 이 시스템에 인접하여 설치되는 외부의 노광장치(도시하지 않음)로 행하여진다.
이 도포현상처리시스템은 크게 나누어, 카세트 스테이션(C/S)(10)과, 프로세스 스테이션(P/S)(12)과, 인터페이스부(I/F)(14)로 구성된다.
시스템의 한 끝단부에 설치되는 카세트 스테이션(C/S)(10)은 복수의 기판(G)을 수용하는 카세트(C)를 소정수 예를 들면 4개까지 재치할 수 있는 카세트 스테이지(16)와, 이 스테이지(16)상의 카세트(C)에 대하여 기판(G)을 출입시키는 반송기구(20)를 구비하고 있다. 이 반송기구(20)는 기판(G)을 유지할 수 있는 수단 예를 들면 반송 아암을 가지며, X, Y, Z, θ의 4축으로 동작이 가능하고, 후술하는 프로세스 스테이션(P/S)(12)쪽의 주반송장치(38)와 기판(G)을 주고받을 수 있도록 되어 있다.
프로세스 스테이션(P/S)(12)은 상기 카세트 스테이션(C/S)(10)쪽에서부터 차례로 세정프로세스부(22)와, 도포프로세스부(24)와, 현상프로세스부(26)를 기판중계부(23), 약액공급유니트(25) 및 스페이스(27)를 개재하여(사이에 끼워) 가로 일렬로 설치하고 있다.
세정프로세스부(22)는 2개의 스크러버세정유니트(SCR)(28)와, 상하 2단의 자외선조사/냉각유니트(UV/COL)(30)와, 가열유니트(HP)(32)와, 냉각유니트(COL)(34)를 포함하고 있다.
도포프로세스부(24)는 레지스트 도포유니트(CT)(40)와, 감압건조유니트(VD) (42)와, 에지리무버·유니트(ER)(44)와, 상하 2단형 어드히젼/냉각 유니트(AD/COL) (46)와, 상하 2단형 가열/냉각유니트(HP/COL)(48)과, 가열유니트(HP)(50)를 포함하고 있다.
현상프로세스부(26)는 3개의 현상유니트(DEV)(52)와, 2개의 상하2단형 가열/냉각유니트(HP/COL)(55)와, 가열유니트(HP)(53)를 포함하고 있다.
각 프로세스부(22,24,26)의 중앙부에는 길이 방향으로 반송로(36,52,58)가 설치되고, 주반송장치(38,54,60)가 각 반송로를 따라 이동하여 각 프로세스부내의 각 유니트에 액세스하고, 기판(G)의 반입/반출 또는 반송을 행하도록 되어 있다. 또, 이 시스템에서는, 각 프로세스부(22,24,26)에 있어서, 반송로(36,52,58)의 한쪽에 스피너계의 유니트(SCR,CT,DEV 등)가 배치되고, 다른쪽에 열처리 또는 조사처리계의 유니트(HP,COL,UV 등)가 배치되어 있다.
시스템의 다른 끝단부에 설치되는 인터페이스부(I/F)(14)는 프로세스스테이션(P/S)(12)과 인접하는 쪽에 익스텐션(기판주고받음부)(57) 및 버퍼 스테이지(56)를 설치하고, 노광장치와 인접하는 쪽에 반송기구(59)를 설치하고 있다.
도 2에, 이 도포현상처리시스템에 있어서의 처리의 순서를 나타낸다. 먼저, 카세트 스테이션(C/S)(10)에 있어서, 반송기구(20)가 스테이지(16)상의 소정의 카세트(C)속에서 1개의 기판(G)을 꺼내어, 프로세스 스테이션(P/S)(12)의 세정프로세스부(22)의 주반송장치(38)에 건네 준다(스텝 S1).
세정프로세스부(22)에 있어서, 기판(G)은 먼저 자외선조사/냉각 유니트 (UV/COL)(30)에 차례로 반입되어, 상단의 자외선조사유니트(UV)에서는 자외선조사에 의한 건식세정이 실시되고, 이어서 하단의 냉각유니트(COL)로는 소정온도까지 냉각된다(스텝 S2). 이 자외선조사세정으로 기판표면의 유기물이 제거된다. 이에 따라, 기판(G)의 젖는 성질이 향상하여, 다음공정의 스크러빙세정에 있어서의 세정효과를 높일 수 있다.
다음에, 기판(G)은 스크러버세정유니트(SCR)(28)의 하나로 스크러빙세정처리를 받아, 기판표면에서 입자형상의 오염이 제거된다(스텝 S3). 스크러빙세정한 후, 기판(G)은 가열 유니트(HP)(32)로 가열에 의한 탈수처리를 받고(스텝 S4), 이어서 냉각 유니트(COL)(34)로 일정한 기판온도까지 냉각된다(스텝 S5). 이로서 세정프로세스부(22)에 있어서의 전처리가 종료하고, 기판(G)은 주반송장치(38)에 의해 기판중계부(23)를 개재하여 도포프로세스부(24)로 반송된다.
도포프로세스부(24)에 있어서, 기판(G)은 먼저 어드히젼/냉각유니트(AD/COL) (46)로 차례로 반입되고, 최초의 어드히젼유니트(AD)로는 소수화처리(HMDS)를 받고 (스텝 S6), 이어서 냉각유니트(COL)로 일정한 기판온도까지 냉각된다(스텝 S7).
그 후, 기판(G)은 레지스트 도포유니트(CT)(40)로 레지스트액이 도포되고, 이어서 감압건조유니트(VD)(42)로 감압에 의한 건조처리를 받으며, 다음에 에지리무버·유니트(ER)(44)로 기판둘레가장자리부의 여분(불필요)의 레지스트가 제거된다 (스텝 S8).
다음에, 기판(G)은 가열/냉각유니트(HP/COL)(48)로 차례로 반입되어, 최초의 가열유니트(HP)에서는 도포후의 베이킹(프리베이크)이 행하여지고(스텝 S9), 다음에 냉각 유니트(COL)로 일정한 기판온도까지 냉각된다(스텝 S10). 한편, 이 도포후의 베이킹에 가열유니트(HP)(50)를 사용할 수도 있다.
상기 도포처리후, 기판(G)은 도포프로세스부(24)의 주반송장치(54)와 현상프로세스부(26)의 주반송장치(60)에 의해 인터페이스부(I/F)(14)로 반송되고, 여기서 노광장치로 건네진다(스텝 S11). 노광장치에서는 기판(G) 상의 레지스트에 소정의 회로 패턴이 노광된다. 그리고, 패턴노광을 끝낸 기판(G)은 노광장치로부터 인터페이스부(I/F)(14)로 되돌아간다. 인터페이스부(I/F)(14)의 반송기구(59)는 노광장치로부터 받아들인 기판(G)을 익스텐션(57)을 통해 프로세스 스테이션(P/S)(12)의 현상프로세스부(26)에 건네준다(스텝 S11).
현상프로세스부(26)에 있어서, 기판(G)은 현상유니트(DEV)(52)중의 어느 하나로 현상처리를 받고(스텝 S12), 이어서 가열/냉각유니트(HP/COL)(55)의 하나로 차례로 반입되어, 최초의 가열유니트(HP)로는 포스트베이킹이 행하여지고(스텝 S13), 다음에 냉각유니트(C0L)로 일정한 기판온도까지 냉각된다(스텝 S14). 이 포스트베이킹에 가열 유니트(HP)(53)를 사용할 수도 있다.
현상프로세스부(26)에서의 일련의 처리가 끝난 기판(G)은 프로세스 스테이션(P/S)(12)내의 주반송장치(60,54,38)에 의해 카세트 스테이션(C/S)(10)까지 되돌아가고, 거기서 반송기구(20)에 의해 어느 하나의 카세트(C)에 수용된다(스텝 S1).
다음에, 이상과 같은 레지스트 도포현상처리시스템에 탑재된, 자외선조사유니트(UV)의 제 1 실시형태에 관해서 설명한다. 도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 자외선조사유니트(UV)를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 또한, 도 4는 그 자외선조사유니트(UV)를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
자외선조사유니트(UV)는 세정실을 형성하는 하우징(90)을 구비하고 있으며, 하우징(90)내에는 사각형의 스테이지(61)와 자외선조사실(62)이 수용되어 있다. 스테이지(61)는 기판(G)이 재치되는 재치면을 가지고 있으며, 반송로(36)와 대략 평행(X방향)으로 이동(슬라이드)이 가능하다. 또한, 자외선조사실(62)은 스테이지 (61)의 이동경로의 중간에 배치되어 있으며, 스테이지(61)의 위쪽에서 스테이지 (61)상에 재치된 기판(G)에 자외선을 조사한다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 스테이지(61)는 반송로(36)와 대략 평행하게 이어지는 가이드 레일(72)에 연결장치(73)를 개재하여 연결되는 동시에, 스테이지구동부(75)에 의해서 구동되어 가이드 레일(72)을 따라 왕복운동이 가능하도록 되어 있다. 구체적으로는, 스테이지(61)는 예를 들면 스테이지구동부(75)로부터의 구동신호에 의해서 구동되는 에어 실린더(도시하지 않음)의 신축동작이나 볼나사(도시하지 않음)의 회전동작 등에 의해, 주반송장치(38)의 아암(38a)에서 기판(G)을 받아들이는 홈포지션(도 4에 실선으로 표시한 제 1 위치)과, 자외선조사실(62)을 거의 완전히 통과한 반환 포지션(도 4에 일점쇄선으로 표시한 제 2 위치)과의 사이에서 왕복이동한다.
한편, 자외선조사실(62)은 아랫면에 조사면으로서 기능하는 석영 유리로 이루어지는 자외선사출창(69)이 설치되고, 실내에 예를 들어 3개의 원통형자외선 램프(67a,67b,67c)가 스테이지(61)의 이동방향(X방향)을 따라 배열한 상태로 설치되어 있다. 각 램프(67a,67b,67c)는 기판(G)의 폭전체에 걸쳐 균일하게 자외선을 조사할 수 있도록, 스테이지(61)의 이동방향에 대하여 대략 직교하는 방향(Y방향)으로 소정의 길이로 연장되어 있다. 각 램프(67a,67b,67c)는 조사구동부(78)에 접속되어 있으며, 이 조사구동부(78)로부터의 구동신호에 의해서 ON/OFF 된다.
자외선조사실(62)내의 각 램프(67a,67b,67c)로서는, 예를 들면 유전체 배리어방전램프를 사용할 수 있으며, 상용교류전력의 공급을 받아 발광하고, 유기오염의 세정에 적합한 파장 172nm의 자외선(자외엑시머광)을 방사한다. 각 램프 (67a,67b,67c)의 배후 또는 위에는 횡단면이 원호형상인 오목면 반사경(68)이 배치되어 있고, 각 램프로부터 위쪽 내지 옆쪽으로 방사된 자외선은 바로 위의 반사경 오목면(68)으로 반사하여 자외선 사출창(69)쪽을 향하도록 되어 있다.
자외선조사실(62)내에는 자외선 램프(67a,67b,67c)를 예를 들면 수냉방식으로 냉각하는 냉각재킷(도시하지 않음)이나, 자외선을 흡수하는(따라서 램프발광효율을 악화시키는) 산소의 실내에의 진입을 방지하기 위한 불활성가스 예를 들면 N2가스를 도입하고 또한 충만시키는 가스유통기구(도시하지 않음) 등이 설치되어도 좋다.
스테이지(61)의 이동경로의 위쪽에는, 조사면인 자외선사출창(69)과 기판(G)의 표면과의 사이의 거리를 검출하는 거리검출부(65)가, 자외선조사실(62)보다도 홈 포지션쪽에 위치하여 설치되어 있다. 이 거리검출부(65)는, 부착부(66)에 의해자외선조사실(62)에 부착되고 있으며, Y방향[기판(G)의 폭방향]에 나란하게 기판 (G) 상의 복수의 점에서 조사면인 자외선사출창(69)과 기판(G)의 표면과의 사이의 거리를 계측하기 위해, Y방향으로 배열된 예를 들면 광센서로 이루어지는 복수의 센서(65a,65b…)를 가지고 있다. 거리검출부(65)의 각 센서에 의해서 얻어진 검출신호는 스테이지구동부(75)와 조사구동부(78) 및 후술하는 승강구동부(76)의 구동을 제어하는 제어부(77)에 입력되도록 되어 있다.
스테이지(61)의 아래쪽에는 조사거리조정수단으로서의 승강기구(63)가 설치되어 있다. 승강기구(63)는 조사면인 자외선사출창(69)과 기판(G)의 표면과의 사이의 거리를 조절하기 위한 것으로, 스테이지(61)의 바닥면에 연결된 예컨대 3개의 승강(신축)축(63a,63b,63c)과, 이들 승강축(63a,63b,63c)를 승강(신축)시키는 모터 (64a,64b,64c)로 이루어진다. 각 모터(64a,64b,64c)는 승강구동부(76)에 접속되어 있으며, 승강구동부(76)로부터의 구동신호에 의해서 개별로 구동되어, 대응하는 승강축(63a,63b,63c)을 승강시킨다. 즉, 승강구동부(76)로부터의 구동신호에 의해서 승강축(63a,63b,63c)이 개별로 승강되어, 스테이지(61)의 높이, 즉 조사면인 자외선사출창(69)과 기판(G)의 표면과의 사이의 거리가 조절된다. 그 때문에, 상술한 연결장치(73)는 스테이지(61)의 승강동작을 허용하도록, 스테이지(61)가 가이드 레일(72)에 연결되어 있다.
또한, 스테이지(61)의 전체면에 걸쳐 그 높이를 조정(보정)하여 조사면인 자외선사출창(69)과 기판(G)의 표면과의 사이의 거리를 기판(G)의 전체면에 걸쳐 균등하게 유지할 수 있도록, 3개의 승강축(63a,63b,63c)은 서로 스테이지(61)의 폭방향(Y방향) 및 길이 방향(X방향)으로 소정거리만큼 떨어진 상태, 구체적으로는, 삼각형을 이루는 배치형태로 설치되어 있다.
또한, 스테이지(61)에는 스테이지(61)에 대하여 기판(G)을 승강시키는 복수의 승강 핀(70)이 스테이지(61)의 표면에서 돌몰할 수 있도록 설치되어 있다. 이들 승강 핀(70)은 승강구동부(76)로부터의 구동신호에 의해서 그 승강동작이 제어되도록 되어 있다.
다음에, 이상과 같이 구성된 자외선조사유니트(UV)의 동작에 대하여 설명한다.
우선, 상술한 바와 같이, 반송로(36)를 이동하는 주반송장치(38)의 아암 (38a)으로부터 기판(G)이 자외선조사유니트(UV)의 스테이지(61)상으로 받아넘겨진다. 이 경우, 도 5(a)에 나타낸 바와 같이, 미리 승강 핀(70)이 스테이지(61)의 표면에서 소정의 높이까지 돌출된 상태로, 스테이지(61)가 홈 포지션에 대기된다. 그리고, 이 홈 포지션에서 기판(G)이 주반송장치(38)의 아암(38a)으로부터 승강 핀 (70)으로 받아넘겨진다.
도 5(a)에 나타낸 바와 같이 기판(G)이 승강 핀(70)으로 받아넘겨지면, 승강구동부(76)에 의해서 승강 핀(70)이 하강되고, 기판(G)이 스테이지(61)의 재치면상에 재치된다. 그리고, 도 5(b)에 나타낸 바와 같이, 자외선조사실(62)의 조사면과 기판(G)의 표면과의 사이의 거리가 미리 정해진 거리가 되도록, 승강구동부(76)에 의해서 승강축(63a,63b,63c)이 상승된다.
이상의 동작이 완료하면, 계속해서, 스테이지구동부(75)에 의해서 스테이지(61)가 홈 포지션으로부터 자외선조사실(62)을 향하여 X방향으로 이동하여, 그 이동방향쪽에 위치하는 기판(G)의 표면에서 차례로 조사면인 자외선사출창(69)에 대향되어 자외선에 의한 유기물세정이 이루어진다.
그런데, 유기물제거를 위해서 바람직한 자외엑시머광은 자외선내에서도 특히 단파장이고, 그 공간전달거리가 매우 짧기 때문에, 자외엑시머광을 사용하여 기판 (G)에 대하여 충분한 세정효과를 부여하기 위해서는, 기판(G)과 조사면과의 사이의 거리를 수백㎛∼수mm의 오더로 설정해야 한다. 즉, 자외엑시머광에 의해 유기물세정을 하는 경우에는, 선기판(G)과 조사면인 자외선사출창(69)과의 사이의 거리의 관리를 엄격하게 하여, 기판(G)의 전체면에 걸쳐 균등하게 자외엑시머광을 조사하지 않으면, 기판(G)의 면내에서 균등하고 또한 충분한 세정효과를 얻을 수 없다.
그러나, LCD용 유리기판은 최근, 점점 대형화의 경향이 강해지고 있으며, 따라서, 이것이 재치되는 스테이지(61)도 또한 대형화하고 있기 때문에, 단지 자외선조사실(62)의 자외선사출창(69)과 기판(G)의 표면과의 사이의 거리가 미리 정해진 거리가 되도록 승강축(63a,63b,63c)을 상승시켜도, 실제로는, 스테이지(61) 및 기판(G)에 생기는 휘어짐에 의해서, 자외선사출창(69)과 기판(G)과의 사이의 거리가 기판(G)의 표면전체에 걸쳐 균등하게 되고 있지 않다.
그래서, 본 실시형태에서는, 기판(G)이 조사면인 자외선사출창(69)과 대향하기 전에, 이동하는 기판(G)과 자외선사출창(69)과의 사이의 거리를 거리검출부(65)의 각 센서에 의해서 미리 검출하고, 그 검출치에 기초하여 스테이지(61)의 높이를 스테이지(61)의 이동중에 승강축(63a,63b,63c)의 승강에 의해서 차차 보정하면서,조사면인 자외선사출창(69)과 기판(G)의 표면과의 사이의 거리가 기판(G)의 표면전체에 걸쳐 균등해지도록 기판(G)을 자외선사출창(69)과 대향하는 위치로 보내주도록 한다.
이하에, 이에 대하여 상세하게 설명한다.
먼저, 도 3에 나타낸 바와 같이, 기판(G)은 그 폭방향의 열을 단위로 하여, 거리검출부(65)의 각 센서에 의해 소정의 타이밍으로 자외선 사출창(69)과의 사이의 거리가 검출된다. 구체적으로는, 각 센서(65a,65b…)로부터 발생하는 빛에 의해서 각 센서(65a,65b…)와 이에 대향하는 기판(G) 상의 점과의 사이의 거리가 계측되어, 그 계측치와 자외선사출창(69)의 기지의 높이로부터 자외선사출창(69)과 기판(G)상의 계측점과의 사이의 거리가 제어부(77)에 의해서 연산된다. 이 때, 자외선사출창(69)과 기판(G)상의 계측점과의 사이의 거리를 L로 설정하고 있는 경우에는, 설정된 거리 L을 만족시키고 있지 않은 계측점에서의 기판높이를 보정하기 위해서, 제어부(77)는 거리검출부(65)의 각 센서에 의해서 검출된 기판(G)의 폭방향의 열이 조사면인 자외선사출창(69)과 대향하기 전에, 승강구동부(76)를 통해 각 모터(64a,64b,64c)를 개별로 구동시켜, 폭방향의 열의 모든 계측점에서 자외선사출창(69)과의 사이의 거리가 L이 되도록 제어한다. 이러한 동작은 소정의 타이밍으로 거리검출부(65)의 각 센서에 의한 검출이 행하여질 때마다 이루어지고, 이에 따라, 결과적으로, 조사면인 자외선사출창(69)과 기판(G)의 표면과의 사이의 거리가 기판(G)의 표면전체에 걸쳐 균등(거리 L)해지도록 기판(G)이 자외선사출창(69)과 대향하는 위치로 보내진다[도 5(c)참조]. 또, 거리검출부(65)로부터의 검출정보에기초하여, 자외선조사실(62)에 가까운 모터로부터 차례로 구동시킴으로써, 즉 모터 (64a,64b,64c)의 차례로 구동시킴으로써, 스테이지(61)의 높이를 그 이동방향 측단부로부터 차례로 보정하도록 하여도 좋다. 또, 홈 포지션으로부터 반환 포지션으로 향하는 진행로에 있어서, 거리검출부(65)의 각 센서로부터의 검출데이터는 제어부(77)의 메모리에 기억된다.
이상과 같이 하여 광조사가 기판(G)의 전체면에 걸쳐 행하여져, 기판(G)이 반환포지션(도 4에 일점쇄선으로 나타내는 위치)에 이르면, 이번에는 스테이지(61)가 홈 포지션을 향하여 역방향으로 이동된다. 이 복귀로에 있어서도, 자외선조사실(62)로부터 기판(G)에 자외선이 조사되어, 상술한 것과 같은 조작에 의해서 기판(G)의 표면전체에 걸쳐 균등하게 유기물세정이 이루어진다. 이 경우, 상술한 진행로에서 제어부(77)의 메모리에 기억된 검출 데이터에 기초하여, 스테이지(61)의 높이가 보정되면서 기판(G)의 전체면에 걸쳐 균등하게 자외선이 조사된다. 그리고, 기판(G)이 홈 포지션에 도달한 단계에서, 자외선조사유니트(UV)의 스테이지 (61)상에서 주반송장치(38)의 아암(38a)에 기판(G)이 받아넘겨진다.
또한, 본 실시형태의 자외선조사 유니트(UV)에는, 승강축(63a,63b,63c)의 승강동작에 의해서 기판(G)이 조사면인 자외선사출창(69)과 접촉하지 않도록, 승강축 (63a,63b,63c)의 상승동작을 규제하는 접촉방지 인터록기구가 설치되어 있다. 이 접촉방지 인터록기구는 구체적으로는, 거리검출부(65)와 제어부(77)와 승강구동부 (76)로 주로 구성되어 있으며, 거리검출부(65)에 의해서 검출되는 기판(G)과 자외선사출창(69)과의 사이의 거리가 소정의 간격보다도 작은 것이 제어부(77)에 의해서 인식되면, 승강구동부(76)에 의한 모터(64a,64b,64c)의 구동에 의해서, 승강축 (63a,63b,63c)의 상승이 정지되거나, 혹은, 기판(G)이 자외선사출창(69)과 대향하기 전에, 승강구동부(76)에 의한 모터(64a,64b,64c)의 구동에 의해서 승강축 (63a,63b,63c)이 소정량만큼 하강되도록 되어 있다. 또한, 기판(G)의 만곡에 의해서 자외선사출창(69)에 가장 가까워질 가능성이 있는 기판(G) 상의 포인트를 실측이나 슈미레이션에 의해 찾아내어, 그 포인트를 거리검출부의 각 센서에 의해서 적극적으로 검출하여 접촉의 유무의 가능성을 확인하면서 기판(G)을 자외선사출창 (69)쪽으로 슬라이드시키도록 하여도 좋다.
이상과 같이, 본 실시형태의 자외선조사유니트(UV)에 있어서는, 기판(G)이 자외선사출창(69)과 대향하기 전에, 기판(G)과 자외선사출창(69)과의 사이의 거리를 거리검출부(55)에 의해서 미리 검출하여, 그 검출치에 기초하여 스테이지(61)의 높이를 승강축(63a,63b,63c)의 승강에 의해서 차차 보정하면서, 기판(G)을 자외선사출창(69)과 대향하는 위치로 보내주도록 하고 있다. 구체적으로는, 스테이지 (61) 및 기판(G)의 휘어짐에 의해서 생기는 조사면인 자외선사출창(69)과 기판(G)의 표면과의 사이의 거리의 불균형을, 스테이지(61)의 복수의 개소에서 스테이지 (61)의 높이를 조정함으로써 시정하고, 조사면인 자외선사출창(69)과 기판(G)의 표면과의 사이의 거리가 기판(G)의 표면전체에 걸쳐 균등해지도록 하고 있다. 따라서, 기판(G)의 전체면에 걸쳐 균등하게 자외선을 조사할 수 있어, 세정의 불균일을 피하고 기판(G)의 면내에서 균등하고 또한 충분한 세정효과를 얻을 수 있다.
이러한 효과는 특히, 자외선으로서 기판(G)과 자외선사출창(69)과의 사이의거리를 수백㎛∼수mm의 오더로 설정해야 하는 자외엑시머광을 사용는 경우에 유익하다. 자외엑시머광은 상술한 바와 같이, 단파장이고, 그 공간전달거리가 매우 짧기 때문에, 기판(G)과 조사면과의 사이의 거리의 관리를 통상의 자외선보다도 엄격히 해야 하는 반면, 통상의 자외선에 비해서 ON/OFF의 응답이 양호하기 때문에, 스루풋을 향상시킬 수 있다. 따라서, 자외엑시머광조사에 의해서 기판(G)을 세정하면서, 상술한 거리검출부(65)에 의해서 기판(G)과 조사면인 자외선사출창과의 사이의 거리의 관리를 엄격히 하면, 스루풋을 향상시키면서 세정효과도 상승시킬 수 있어, 그 후의 레지스트막 형성처리의 정밀도 및 효율을 비약적으로 상승시키는 것이 가능해진다.
또한, 본 실시형태의 자외선조사유니트(UV)는 기판(G)과 자외선사출창(69)과의 접촉을 방지하는 접촉방지 인터록기구를 구비하고 있기 때문에, 기판(G)의 세정을 안전하고 또한 확실하게 할 수 있다.
한편, 홈 포지션으로부터 반환 포지션을 향하는 진행로에서 거리검출부(65)에 의한 검출만을 행하고, 반환포지션로부터 홈 포지션을 향하는 복귀로에서 비로소 엑시머UV광을 조사하도록 하여도 좋다. 즉, 홈 포지션으로부터 반환 포지션을 향하는 진행로에서는, 자외선을 조사하지 않고, 거리검출부(65)에 의해서 기판(G)과 자외선사출창(69)과의 사이의 거리를 검출하여 그 검출 데이터를 제어부(77)의 메모리에 기억시키고, 반환 포지션으로부터 홈 포지션을 향하는 복귀로에서, 메모리에 기억된 검출 데이터에 기초하여 스테이지(61)의 높이를 보정하면서, 기판(G)의 전체면에 걸쳐 균등하게 자외선을 조사하도록 하여도 좋다.
다음에, 본 실시형태의 다른 예에 대하여, 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한다. 한편, 본 예에 있어서, 종전의 예와 공통하는 구성부분에 대해서는, 동일부호를 붙이고 그 설명을 생략한다.
도 3 및 도 4에 나타낸 종전의 예에서는, 승강축(63a,63b,63c)에 의한 스테이지(61)의 높이 조정에 의해 간접적으로 기판(G)의 높이조정 즉 자외선사출창(69)과 기판(G)의 표면과의 사이의 거리를 기판(G) 상의 복수의 점에서 변화시켰지만, 본 예에서는, 스테이지(61)상에 배설되어 기판(G)을 지지하는 다수의 압전소자(82)에 의해서 직접적으로 기판(G)의 높이 즉 자외선사출창(69)과 기판(G)의 표면과의 사이의 거리를 미세하게 변화시킨다.
구체적으로는, 압전소자(82) 예를 들면 스테이지(61)의 폭방향 및 길이 방향에 따른 다수의 열을 형성하도록, 스테이지(61)의 표면상에 고정되고 있다. 또한, 각 압전소자(82)는 승강구동부(76)에 전기적으로 접속되고, 승강구동부(76)는 압전소자(82)에 대하여 개별로, 혹은 폭방향의 열을 단위로 하여 전압을 인가할 수 있도록 되어 있다. 그리고, 제어부(77)는 거리검출부(65)로부터의 검출결과에 근거하여, 승강구동부(76)로부터 압전소자(82)에 인가되는 전압을 제어한다.
또한, 압전소자(82)의 변형에 의한 기판(G)의 어긋남을 방지하기 위해서, 스테이지(61)에는 기판(G)의 이면에 흡인력을 작용시켜 기판(G)을 압전소자(82)에 흡착시키기 위한 다수의 흡인구멍(80)이 형성되어 있다. 또, 도 7에 나타낸 바와 같이, 이들 흡인구멍(80)은 흡인관로(84)를 통해, 예를 들면 흡인 펌프(85)에 접속되고 있다.
본 예의 그 밖의 구성은 상기 도 3 및 도 4에 나타낸 예와 동일하다.
이러한 구성에 의하면, 전압의 인가에 따른 압전소자(82)가 기계적인 비뚤어짐(변형)에 의해서, 압전소자(82)와 접촉하는 기판(G)상의 다수의 점에서 기판(G)의 높이가 조정된다. 상술한 제 1 실시형태에서는, 3개의 보정점에서 스테이지 (61)[기판(G)]의 높이가 조정되었지만, 본 실시형태에서는 압전소자(82)의 수에 대응하여 보정점의 수가 종전의 예에 비하여 비약적으로 증대되고, 그만큼, 기판(G)의 높이가 미세하게 조정되기 때문에, 조사거리의 균등율을 비약적으로 높일 수 있다.
다음에, 본 실시형태의 또 다른 예에 대하여, 도 8을 참조하면서 설명한다. 한편, 본 예에 있어서, 종전의 두가지 예와 공통하는 구성부분에 대해서는, 동일부호를 붙여 그 설명을 생략한다.
본 예에서는, 상기예의 압전소자(82)를 승강 핀(70)으로 대신하고 있다. 즉, 다수의 승강 핀(70)을 개별로 구동함으로써 기판(G)의 높이 조정이 기판(G) 상의 다수의 점에서 행하여지도록 되어 있다. 그 이외의 구성은 상기 도 6 및 도 7에 나타낸 예와 동일하고, 따라서, 그 예와 동일한 작용효과를 얻을 수 있다.
또, 제 1 실시형태에서는, 조사면인 자외선사출창(69)이 고정되고, 기판(G)이 자외선사출창(69)으로 슬라이드되고 있지만, 기판(G)이 고정되어, 자외선사출창 (69)이 기판(G)을 향하여 슬라이드되는 구성이더라도 좋다. 또한, 자외선으로 세정한 예에 대하여 나타내었으나, 이에 한정되지 않고 다른 빛을 사용하여 세정하여도 좋다.
다음에, 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 자외선조사유니트(UV)에 대하여 설명한다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 자외선조사유니트(UV)는 아랫면에 합성석영 유리로 이루어지는 자외선사출창(162)을 부착하고, 실내에 3개의 원통형자외선 램프(164a,164b,164c)를 램프의 길이 방향으로 직교하는 수평방향으로 나란히 하여 수용하여 이루어지는 램프실(166)과, 이 램프실(166)의 아래에 인접하여 설치된 세정처리실(168)을 갖는다.
램프실(166)내에서, 각 자외선 램프(164a,164b,164c)는 예를 들면 유전체 배리어방전 램프이고, 후술하는 램프전원부(220)로부터 상용교류전력의 공급을 받아 발광하여, 유기오염의 세정에 적합한 파장 172nm의 자외선(자외엑시머광)을 방사한다. 각 자외선 램프(164a,164b,164c)의 배후 즉 위에는 횡단면이 원호형상인 오목면 반사경(170)이 배치되어 있고, 각 램프(164a,164b,164c)로부터 위쪽 내지 옆쪽으로 방사된 자외선은 바로 위의 반사경오목면부에서 반사하여 자외선사출창(162)쪽을 향하도록 되어 있다.
램프실(166)내에는, 자외선 램프(164a,164b,164c)를 예를 들면 수냉방식으로 냉각하는 냉각재킷(도시하지 않음)이나, 자외선을 흡수하는(따라서 램프발광효율을 악화시키는) 산소의 실내에의 진입을 방지하기 위한 불활성가스 예를 들면 N2가스를 도입하고 또한 충만시키는 가스유통기구(도시하지 않음)등을 설치할 수 있다.
램프실(166)의 양쪽에는, 자외선세정처리중에 자외선사출창(162)의 아랫면을따라 산소 또는 공기배제용의 불활성가스 예를 들면 N2가스를 흐르게 하기 위한 불활성가스 분사부(172) 및 불활성가스 흡입부(174)가 설치되어 있다.
불활성가스분사부(172)는 도 9에 있어서 램프실(166)의 오른쪽 부근 즉 후술하는 주사시의 테이블이동방향(Y방향)에 있어서 전방쪽에 배치되어 있고, 자외선 램프(164a,164b,164c)와 평행하게 연재하는 가스배관(176)과, 이 가스배관(176)에 일정한 간격을 두고 일렬로 설치된 다수의 불활성가스분사구(178)와, 가스배관 (176)에 불활성가스를 소정의 유량 및 압력으로 공급하는 불활성가스공급부(180)와, 각 불활성가스분사구(178)로부터 분사되는 불활성가스를 자외선사출창(162)의 아래로 안내하는 가스안내부재(182)를 가지고 있다.
불활성가스흡입부(174)는 도 9에 있어서 램프실(166)의 왼쪽 옆 즉 주사시의 테이블이동방향(Y방향)에 있어서 후방쪽에 배치되어 있고, 자외선 램프 (164a,164b,164c)와 평행하게 연재하는 가스배관(184)과, 이 가스배관(184)에 일정한 간격을 두고 일렬로 설치된 다수의 가스흡기구(186)와, 가스배관(184)에 부압을 주는 동시에, 유입한 가스를 배기하는 가스배기부(188)와, 불활성가스분사부(172)로부터 자외선조사창(162)의 아래를 흘러 온 불활성가스를 가스흡기구(186)를 향하여 안내하기 위한 가스안내부재(190)를 가지고 있다. 한편, 램프실(166)에 대하여 불활성가스분사부(172) 및 불활성가스흡입부(174)의 배치위치를 반대로 하여도 좋다.
불활성가스분사부(172) 및 불활성가스흡입부(174)의 바깥쪽에 인접하여, 이자외선조사유니트(UV)내의 각부에 필요한 용력 또는 제어신호를 공급하기 위한 용력공급부 및 제어부를 수용하는 유틸리티·유니트(192)가 설치되어 있다.
세정처리실(168)내에는, 기판(G)을 재치하여 지지하기 위한 수평이동 및 승강이 가능한 스테이지(194)가 설치되어 있다. 이 실시형태에서는, 볼나사(196)를 사용하는 자주식의 스테이지구동부(198) 위에 스테이지(194)를 수직방향(도면의 Z방향)으로 승강할 수 있도록 탑재하여, 스테이지구동부(198)가 볼나사(196) 및 이것과 평행하게 연재하는 가이드(200)를 따라 도면의 Y방향으로, 즉 램프실(166)의 바로 아래를 램프배열방향과 평행하게 가로지르도록, 가변제어 가능한 속도로 왕복이동할 수 있도록 구성되어 있다.
스테이지(194)에는, 기판(G)의 반입/반출시에 기판(G)을 수평자세로 담지하기 위한 복수개(예를 들면 6개)의 리프트핀(202)이 수직으로 관통하고 있다. 이 실시형태에서는, 각 리프트핀(202)이 기판 주고받음용 소정높이 위치에서 고정되어, 기판(G)의 반입/반출시에는, 이들 고정 리프트핀(202)에 대하여 스테이지(194)가 기판(G)의 반입/반출이 방해되지 않는 후퇴용의 하한높이위치(Hb)와 스테이지 (194) 스스로 기판(G)을 재치하여 지지하기 위한 일점쇄선으로 나타내는 상한높이위치(Ha)와의 사이에서 승강기구(도시하지 않음)에 의해 승강가능하도록 되어 있다.
스테이지(194)는 기판(G)보다도 한둘레 큰 사이즈로 형성되어, 기판(G)을 재치하는 중심부 부근의 소정영역(기판재치영역)(194a)에는, 기판(G)을 지지하기 위한 다수의 지지핀(도시하지 않음)이나 기판(G)을 흡인유지하기 위한 진공척흡인구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 그리고, 도 9에 있어서 기판재치영역(194a)의 오른쪽 부근, 보다 상세하게는 도 10에 나타낸 바와 같이 스테이지왕복이동방향(Y방향)의 앞쪽 옆에 위치하는 스테이지 오른쪽 끝단부(194b)상에는, 램프실(166)로부터 스테이지(194)상의 기판(G)에 조사되는 자외선의 조도를 측정하기 위한 광센서(204)가 설치되어 있다.
도 9에 있어서, 스테이지(194)의 Y방향 원점위치에 인접하는 세정처리실 (168)의 측벽에는, 고정 리프트핀(202)의 상단부에 가까운 높이 위치로써 기판(G)을 반입/반출하기 위한 개폐가 가능한 셔터(문)(206)가 부착되어 있다. 이 셔터(206)는 세정 프로세스부(22)의 반송로(36)(도 1 참조)에 면하여 있으며, 반송로(36)상에서 주반송장치(38)가 열린 상태의 셔터(206)를 지나 세정처리실 (168)내에의 기판(G)의 반입·반출을 행할 수 있도록 되어 있다.
세정처리실(168)의 측벽 또는 바닥면에는 1개 또는 복수의 배기구(208)가 설치되어 있고, 각 배기구(208)는 배기관(210)을 통해 배기 덕트 등의 배기계통(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 또한, 세정처리실(168)의 적당한 개소에 외기흡입구 (도시하지 않음)가 설치되어도 좋다.
도 11에, 이 자외선조사유니트(UV)에 있어서의 제어계의 구성을 나타낸다. 제어부(212)는 마이크로컴퓨터 및 소요의 주변회로로 구성되어 있고, 내장의 메모리에는 본 유니트내의 각부 및 전체를 제어하기 위한 필요한 프로그램을 격납하고 있으며, 적당한 인터페이스를 개재하여, 본 도포현상처리시스템의 전체적인 처리순서를 통괄하는 메인 콘트롤러(도시하지 않음)이나 본 자외선조사유니트(UV)내의 제어계의 각부에 접속되어 있다.
이 실시형태에 있어서, 제어부(212)와 관계되는 본 자외선조사유니트(UV)내의 주요한 부분은 셔터(206)를 개폐구동하기 위한 셔터구동부(214), 스테이지(194)를 Z방향에서 승강구동하기 위한 스테이지승강구동부(216), 스테이지(194)를 Y방향에서 수평구동 또는 주사구동하기 위한 주사구동부(218), 램프실(166)내의 자외선 램프(164a,164b,164c)를 점등구동하기 위한 램프전원부(220), 램프실(166)의 자외선조사창(162)의 아래에 불활성가스의 흐름을 형성하기 위한 불활성가스류구동부 (222), 장치내의 각부의 상태 또는 상태량을 검출하기 위한 센서류(224)등이다.
스테이지승강구동부(216) 및 주사구동부(218)는 각각의 구동원으로서 예를 들면 서보모터를 가지며, 스테이지구동부(198)내에 설치된다. 불활성가스류구동부 (222)는 불활성가스분사부(172)의 불활성가스공급부(180) 및 불활성가스흡입부 (174)의 가스배기부(188)에 각각 설치되는 개폐밸브를 개폐구동한다. 센서류(224)에는, 스테이지(194)의 오른쪽 끝단부(194b)에 설치되어 있는 상기 광센서(204)가 포함된다.
도 12에, 이 자외선조사유니트(UV)에 있어서 램프실(166)로부터 스테이지 (194)상의 기판(G)에 조사되는 자외선의 조도를 소정치로 조정하기 위한 조도조정부의 구성을 나타낸다. 이 조도조정부에 있어서, 광센서(204) 및 스테이지승강구동부(216)를 제외하는 이하에 나타내는 부분(228∼238)은 제어부(212)에 포함된다.
광센서(204)의 출력신호(예를 들면 광전류)는 조도측정회로(228)에 입력된다. 조도측정회로(228)는 광센서(204)의 출력신호의 값과 광센서(204)의 수광면과기판(G)의 표면과의 사이의 높이 위치의 오프세트(d)를 변수로 하여 스테이지(194)상의 기판(G)의 표면에서의 자외선조도의 측정치(또는 추정치라도 좋다)(E)를 소요의 신호처리 또는 연산처리로 구한다. 여기서, 스테이지(194)의 기판재치면(194a)을 기준면으로 하여, 광센서(204)의 수광면의 높이 위치(Sh)는 일정하고, 기판(G)의 판두께(Gt)는 이 도포현상처리시스템에서 현재 흐르고 있는(처리를 받고 있는) 피처리기판에 관한 조건 데이터 또는 속성 데이터의 하나로서 판두께설정부(230)에 세트된다. 따라서, 상기의 높이 위치 오프세트(d)는 d=Gt-Sh으로 주어진다.
조도측정회로(228)에서 얻어진 자외선조도측정치(E)는 조도비교부(232)에 주어진다. 조도비교부(232)는 자외선조도측정치(E)를 기준조도설정부(234)로부터의 기준조도(Es)와 비교하여, 양자의 차이분 즉 오차(δE)를 구한다. 여기서, 기준조도(Es)는 소정의 주사속도하에서 원하는 자외선세정효과를 보증할 수 있는 적당한 조도로 설정되어도 좋다.
스테이지승강제어부(236)는 조도비교부(232)로부터의 조도오차(δE)에 따라서, 그 오차(δE)를 제로에 근접하도록 스테이지승강구동부(216)를 구동제어하여 스테이지(194)의 기판재치용 높이 위치(Ha)를 바꾼다. 이에 따라, 조도측정회로 (228)로부터 얻어지는 자외선조도측정치(E)가 기준조도(Es)에 일치한 곳에서, 스테이지 높이위치의 가변조정을 정지하도록 되어 있다.
단, 스테이지승강제어부(236)는 소정의 위치센서(도시하지 않음)등으로부터의 스테이지 높이위치를 나타내는 위치정보와, 판두께설정부(230)로부터의 기판판두께(Gt) 데이터로부터 스테이지(194)상의 기판(G)과 램프실(166)의 자외선사출창(162)과의 사이의 간격(D)을 모니터하는 동시에, 이 간격(D)에 대하여 최대/최소간격설정부(238)로부터 최대치(Dmax) 및 최소치 (Dmin)의 데이터를 받아들인다. 그리고, 조도비교부(232)로부터의 조도오차(δE)에 따라서 스테이지(194)의 높이위치를 바꿔 가는 과정에서 간격(D)이 최대치(Dmax)(예를 들면 7mm)또는 최소치(Dmin)(예를 들면 3mm)에 도달하였을 때는, 거기서 강제적으로 스테이지(194)의 높이조정을 정지하고, 간격(D)을 최대치(Dmax) 또는 최소치(Dmin)로 제한 또는 고정유지하도록 되어 있다.
도 13에, 이 자외선조사유니트(UV)에 있어서의 주요한 동작순서를 나타낸다. 우선, 상기 메인 콘트롤러로부터의 지시를 받아 제어부(212)를 포함해서 유니트내의 각부를 초기화한다(스텝 A1). 이 초기화중에서, 스테이지(194)는, Y방향에서는 셔터(206)에 근접하는 소정의 원점위치에 위치 결정되고, Z 방향에서는 후퇴용의 높이 위치(Hb)에 내리게 된다.
주반송장치(38)(도 1참조)가 카세트 스테이션(C/S)(10)으로부터 처리전의 기판(G)을 본 자외선조사유니트(UV)의 앞까지 반송하여 오면, 제어부(212)는 주반송장치(38)와 기판(G)을 주고받도록 해당 각부를 제어한다(스텝 A2).
보다 상세하게는, 우선 셔터구동부(214)를 제어하여 셔터(206)를 열게 한다. 주반송장치(38)는 한 쌍의 반송 아암을 가지고 있으며, 한쪽의 반송 아암에 세정전의 기판(G)을 싣고, 다른쪽의 반송 아암은 빈(기판이 없는)상태에서 본 자외선조사유니트(UV)를 향하여 이동된다. 본 자외선조사유니트(UV)내에 세정이 끝난 기판(G)이 없을 때에는, 세정전의 기판(G)을 지지하는 쪽의 반송 아암을 그대로 열린 상태의 셔터(206)를 지나 세정처리실(168)내에 펼쳐, 그 세정되지 않은 기판(G)을 고정 리프트핀(202) 상에 재치한다. 본 자외선조사유니트(UV)내에 세정이 끝난 기판(G)이 있을 때에는, 제일 처음 비어 있는 반송아암으로 그 세정이 끝난 기판(G)을 반출하고 나서, 세정되지 않은 기판(G)을 상기와 마찬가지로 하여 반입한다. 상기한 바와 같이 하여 본 자외선조사 유니트(UV)로 자외선세정처리를 받아야 할 기판(G)이 주반송장치(38)에 의해 고정 리프트핀(202)상으로 반입되어 재치되면, 셔터(206)를 닫는다.
이어서, 제어부(212)는 스테이지승강구동부(216)를 제어하여 스테이지(194)를 기판재치용의 기준높이위치(Ha0)까지 상승시킨다(스텝 A3). 이 때, 스테이지 (194)가 상승하는 동안에 진공척부의 흡인을 시작하여, 스테이지(194)가 기판재치용의 기준높이 위치(Ha0)에 도달하는 동시에 기판(G)을 흡인유지할 수 있도록 하여도 좋다. 한편, 기판재치용의 기준높이 위치(Ha0)와 고정리프트핀(202)의 선단의 높이위치와의 사이에 적당한 마진을 설정할 수가 있다.
다음에, 제어부(212)는 램프전원부(220)를 제어하여 자외선 램프 (164a,164b,164c)를 점등시키는 동시에(스텝 A4), 불활성가스류구동부(222)를 제어하여 불활성가스분사부(172) 및 불활성가스흡입부(174)를 작동시킨다(스텝 A5). 이에 따라, 램프실(166)의 오른쪽의 불활성가스분사부(172)가 자외선사출창(162)의아래를 향하여 불활성가스(N2가스)를 보내고, 램프실(166)의 왼쪽 또는 하류쪽에서 불활성가스흡입부(174)가 불활성가스를 흡입함으로써, 자외선사출창(162)의 아랫면을 따라 스테이지이동방향(Y방향)과 평행하게 불활성가스의 흐름(flow)이 형성된다.
다음에, 제어부(212)는 자외선세정처리에 앞서 조도조정을 행한다(스텝 A6).
도 14에, 조도조정의 순서의 일례를 나타낸다. 먼저, 램프실(166)에 대하여 조도측정용 광센서(204)의 위치 맞춤이 필요하면 이것을 행한다(스텝 B1). 예를 들면, 도 9의 Y방향원점위치에서는 스테이지 오른쪽 끝단부(194b) 상의 광센서(204)가 자외선사출창(162) 바로 아래의 자외선조사영역에서 벗어나도록 하면, 스테이지 (194)를 Y방향으로 얼마간 이동시켜 광센서(204)를 해당 자외선조사영역 속에 넣도록 한다. 또한, Z방향에 있어서는, 상기 기판재치용의 기준높이위치(Ha0)와는 다른 조도조정용의 기준위치(Ha1)를 설정하여, 스테이지(194)를 그 높이 위치(Ha1)에 맞추는 것도 가능하다.
상기한 바와 같이 램프실(166)에 대하여 광센서(204)를 소정위치에 세트한 뒤에, 상기 조도제어부(도 12 참조)에 있어서의 조도측정회로(228)및 판두께설정부 (230)에 의해 스테이지(194)상의 기판(G)에 대한 자외선의 조도를 측정한다(스텝 B2). 이어서, 조도비교부(232) 및 기준조도설정부(234)에 의해 기준조도(Es)에 대한 조도측정치(E)의 오차(δE)(δE= Es-E)를 구한다(스텝 B3).
그리고, 스테이지 승강제어부(236)가 이 오차(δE)의 극성 및 절대치를 판정하여(스텝 B4), 스테이지 승강구동부(216)를 제어하여 스테이지(194)의 높이 위치를 선택적으로 가변조정한다(스텝 B5∼B11).
즉, 본 예에서는 δE<0일 때, 즉 조도측정치(E)가 기준조도(Es)보다도 클 때에는, 간격(D)이 최대치(Dmax)에 도달하고 있는지의 여부를 판단하여(스텝 B6), 도달하고 있지 않은 통상의 경우에는 스테이지 높이위치(Ha)를 소정 피치(예를 들면 0.1mm)만큼 내려 자외선사출창(162)과 스테이지(194)상의 기판(G)과의 간격(D)을 해당 피치만큼 확대하고(스텝 B7), 그리고 나서 조도측정으로 되돌아간다(스텝 B12, B2). 그러나, 간격(D)이 최대/최소간격설정부(238)로부터 주어지는 최대치(Dmax)에 도달하고 있거나, 이것을 넘는 것이 예상될 때에는, 간격(D)이 최대치(Dmax)에 멈추는 높이 위치에서 스테이지(194)를 고정한다(스텝 B8). 통상, 간격(D)이 최대치 (Dmax) 부근으로 조정되는 것은 램프실(166)쪽의 램프휘도가 최대일 때, 요컨대 자외선 램프(164a,164b,164c)의 사용개시직후 또는 교환직후이다.
또한, δE> 0일 때, 즉 조도측정치(E)가 기준조도(Es)보다 작을 때에는, 간격(D)이 최소치(Dmin)에 도달하고 있는지의 여부를 판단하여(스텝 B9), 도달하고 있지 않은 통상의 경우에는 스테이지 높이위치(Ha)를 소정 피치(예를 들면 0.1mm)만큼 올려 자외선사출창(162)과 스테이지(194)상의 기판(G)과의 간격(D)을 해당 피치만큼 좁히고(스텝 B10), 그리고 나서 조도측정으로 되돌아간다(스텝 B12, B2). 그러나, 간격(D)이 최대/최소간격설정부(238)로부터 주어지는 최소치(Dmin)에 도달하고 있거나, 이보다도 작은 값인 것이 예상될 때에는, 간격(D)이 최소치(Dmin)에서 멈추는 높이위치에 스테이지(194)를 고정한다(스텝 B11). 또한, 이와 같이 간격(D)이 최소치(Dmin)로 조정되는 것은 램프실(166)에 있어서의 자외선 램프(164a, 164b, 164c)의 휘도가 시간 경과함에 따라 열화 등에 의해 상당히 저하하고 있을 때이기 때문에, 램프교환 등의 유지관리를 촉진하기 위한 알람을 발생시켜도 좋다(스텝 B11). 또한, 그러한 알람을 발생시킨 경우에는, 자외선세정처리를 중지하여도 좋다.
조도측정치(E)가 기준조도(Es)에 일치할 때(δE= 0)에는, 스테이지(194)의 높이 위치(Ha)를 바꾸지 않고서 조도측정으로 되돌아간다(스텝 B5,B2). 또, 기준조도(Es)의 값에 적당한 폭 또는 범위를 갖게 하여, 조도측정치(E)가 그 범위내에 있을 때에는 양자일치(δE= 0)로 간주하는 것도 가능하다.
이 예에서는, 조도측정치(E)가 기준조도(Es)에 일치할 때까지 피드백을 걸기 때문에, 정밀도가 높은 조도조정을 할 수 있다. 그러나, 조도비교부(232)로부터의 비교오차(δE)에 따른 간격 또는 스테이지 높이위치의 조정목표치를 연산하여, 그 조정목표치에 도달하도록 스테이지(194)의 높이 위치를 오픈루프제어로 조정하는 것도 가능하다.
상기와 같은 조도조정(스텝 A6)이 행하여지고 있는 동안에, 자외선사출창 (162)과 스테이지 오른쪽 끝단부(194b)와의 빈틈(P)에는 후술하는 자외선조사세정처리시와 거의 같은 조건으로 불활성가스분사부(172)로부터 불활성가스흡입부(174)를 향하여 불활성가스(N2가스)가 흐른다. 이 불활성가스의 흐름(F)(도 12)은 빈틈 (P)에서 공기, 특히 산소를 효과적으로 배제하는 작용이 있다. 이에 따라, 램프실 (166)의 자외선사출창(162)으로부터 수직아래쪽으로 방사된 자외선(자외엑시머광)이 광센서(204)의 수광면에 도달할 때까지 산소에 흡수되어 감쇠하는 정도가 대폭 경감되어, 불활성가스의 흐름이 없을 때와 비교하여 같은 간격(D)에서의 스테이지상의 조도는 크게 향상한다. 한편, 불활성가스의 흐름(F)은 스테이지쪽보다는 자외선사출창(162)쪽 가까이에 흐르는 것이 바람직하다.
상기와 같은 조도조정(스텝 A6) 후에, 스테이지(194)상의 기판(G)에 대한 자외선세정처리가 실행된다(스텝 A7). 이 자외선조사세정처리를 하기 위해서, 제어부 (212)는 스테이지구동부(198)내의 주사구동부(218)에 의해 스테이지(194)를 원점위치와 점선으로 나타내는 왕복이동위치(194')와의 사이에서 Y방향으로 편도이동 또는 왕복이동시킨다. 이 스테이지이동에서는 스테이지(194)가 램프실(166)의 바로 아래를 앞서의 조도조정(스텝 A6) 으로 결정된 높이 위치로 Y방향으로 가로지르는 것으로, 램프실(166)의 자외선사출창(162)보다 거의 수직아래쪽을 향하여 방사되는 파장 172nm의 자외선이 기판(G)을 기준조도와 거의 같은 조도로 조사하면서 스테이지이동방향(Y방향)과는 역방향으로 기판의 한 끝단에서 다른 끝단까지 주사한다.
이와 같이 기판(G)에 대하여 파장 172nm의 자외선이 조사됨으로써, 기판표면부근에 존재하고 있는 산소가 해당 자외선에 의해 오존(O3)으로 변하고, 더욱 이 오존(O3)이 해당 자외선에 의해서 여기되어 산소원자라디칼(O*)이 생성된다. 이 산소원자 라디칼에 의해, 기판(G)의 표면에 부착하고 있는 유기물이 이산화탄소와 물로 분해하여 기판표면에서 제거된다. 분해·기화한 유기물은 배기구(208)로부터 배기된다.
이러한 주사식의 자외선세정처리에 있어서, 기판(G)에 대한 자외선의 조사량 또는 적산광량은 스테이지(194)의 이동속도(주사속도)에 반비례한다. 결국, 주사속도를 빨리 할수록 기판(G)에 대한 자외선조사시간이 줄어들어 자외선조사량은 적어지고, 반대로 주사속도를 느리게 할수록 기판(G) 에 대한 자외선조사시간이 길어져 자외선조사량은 많아진다. 일정한 한도내에서, 자외선조사량이 많을수록, 기판(G)의 표면에서 제거되는 유기물도 많아진다.
이 실시형태에서는, 상기한 바와 같이 조도조정(스텝 A6)으로 램프실(166)로부터 스테이지(194)상의 기판(G)에 주어지는 자외선의 조도를 기준조도부근의 값으로 조정하고 나서, 상기와 같은 주사식의 자외선세정처리(스텝 A7)를 행하기 때문에, 램프실(166)에 있어서의 자외선 램프(164a,164b,164c)의 휘도가 시간이 경과함에 따른 열화 등에 의해 저하하여도 자외선 조사시간 및 주사속도를 설정치로 유지한 채로(따라서 스루풋을 내리는 일없이), 양호한 세정처리품질을 유지할 수 있다.
또한, 자외선세정처리중에는, 도 15에 나타낸 바와 같이, 불활성가스분사부 (172) 및 불활성가스흡입부(174)에 의해 램프실(166)의 자외선사출창(162)과 스테이지(194)상의 기판(G)과의 사이의 빈틈(P)에 불활성가스(N2가스)의 흐름(F)이 형성된다. 앞서의 조도조정(스텝 A6)일 때와 마찬가지로, 이 불활성가스의 흐름(F)은 빈틈(P)에서 공기, 특히 산소를 효과적으로 배제하는 활동이 있다. 또, 기판(G)의 표면부근에 부착 또는 부유하고 있는 산소는 그 정도로 배제되지 않고, 자외선세정처리용의 오존의 생성에 필요한 산소는 충분히 확보된다.
이와 같이 불활성가스의 흐름(F)에 의해 빈틈(P)에서 공기중의 산소가 제거됨으로써, 램프실(166)의 자외선사출창(162)보다 수직아래쪽으로 방사된 자외선(자외엑시머광)이 그만큼 감쇠하지 않고 기판표면의 각부에 도달할 수 있다. 이 때문에, 램프실(166)쪽에서는 램프투입전력을 그만큼 저감할 수 있는 동시에, 자외선 램프(164a,164b,164c)의 수명을 연장시킬 수 있다. 또한, 자외선세정처리에 부수적으로 생성되는 자외선반응생성물은 불활성가스의 흐름(F)에 말려들어 불활성가스흡입부(174)에 흡입되어 외부로 배출되기 때문에, 자외선사출창(162)에는 부착하기 어렵다고 하는 이점도 있다.
상기와 같은 스테이지(194)상의 기판(G)에 대한 주사식의 자외선세정처리가 종료하면, 제어부(212)는 램프전원부(220)를 제어하여 자외선 램프(164a, 164b,164c)를 소등시킨다(스텝 A8). 그리고, 직후에 불활성가스류구동부(222)를 제어하여, 자외선사출창(162) 바로 아래의 불활성가스의 흐름(F)을 멈추게 한다(스텝 A9).
이어서, 제어부(212)는 스테이지(194)를 시작위치로 되돌린다(스텝 A10). 이 실시형태에서는, 우선 주사구동부(218)에 의해 스테이지(194)를 왕복이동시켜, 다음에 Y방향의 원점위치로써 진공척을 오프로 하고 나서 스테이지승강구동부(216)에 의해 스테이지(194)를 후퇴용의 높이위치(Hb)까지 내리게 하고, 기판(G)을 고정 리프트핀(202)에 지지시킨다. 이렇게 해서, 1매의 기판(G)에 대한 본 자외선세정 유니트(UV)내의 전체공정이 종료하여, 주반송장치(38)(도 1)가 오는 것을 기다린다.
본 실시형태와 같이 주사식으로 자외선세정처리를 하는 경우에는, 스테이지 (194)상의 조도측정용의 광센서(204)가 램프실(166)의 자외선사출창(162)을 통과할 때에 조도조정부(도 12)의 조도모니터기능을 작용시켜, 자외선사출창(162) 바로 아래의 자외선조도(분포)를 측정 내지 감시하는 것도 가능하다. 이 조도모니터기능에 의해, 램프실(166)내의 각 자외선 램프(164a, 164b,164c)의 휘도를 스테이지 (194)쪽에서 모니터하고, 휘도가 매우 낮은 램프 또는 점등이 불가능한 램프를 검출할 수 있다.
상기 구성에서는, 램프실(166)쪽을 고정하고, 스테이지(194)쪽을 기판(G)의 표면과 평행하게 이동시키는 주사방식이었다. 그러나, 스테이지(194)쪽을 소정위치에서 고정하고, 램프실(166)쪽을 기판(G)의 표면과 평행하게 이동시키는 주사방식도 가능하다.
또한, 자외선주사를 위한 램프실(166)과 스테이지(194)와의 사이의 상대이동을 회전이동으로 실현하는 것도 가능하다. 도 16 및 도 17에 회전주사식의 장치구성예를 나타낸다. 도면중, 상기한 실시형태와 같은 구성 또는 기능을 가진 부분에는 동일한 부호를 붙인다. 이 구성예에서는, 스테이지구동부(240)에 스테이지승강기구와 회전기구(도시하지 않음)를 설치하고, 자외선조사처리를 할 때는 해당 회전기구가 작동하여 스테이지(194) 및 기판(G)을 스테이지중심연직축(O)의 둘레에 소정의 속도로 회전이동시키도록 하고 있다. 또, 스테이지(194)쪽을 고정하여, 램프실(166)쪽을 회전이동시키는 구성도 가능하다.
이러한 회전주사식에 의하면, 스테이지(194) 또는 램프실(166)의 평면적 스페이스는 필요최소한으로 끝나기 때문에, 장치 스페이스의 소형화를 실현할 수 있다. 또한, 도 17에 나타낸 바와 같이, 램프실(166)내의 자외선램프 (164a,164b,164c)의 필요한 길이 칫수를 짧게 할 수도 있다.
제 2 실시형태에 있어서의 램프실(166)내나 세정처리실(168)내의 구성, 특히 자외선사출창(162), 자외선램프(164a,164b,164c), 스테이지(194), 스테이지구동부 (198,240), 조도조정부(도 12)등의 구성도 일례이고, 각 부에 대하여 각종 변형이 가능하다.
상기 제 2 실시형태에서는, 조도측정용의 광센서(204)를 스테이지(194)상의 기판(G)에 가장 접하는 위치에 배치하고, 광센서(204)의 출력신호를 기초로 기판 (G)에 있어서의 자외선조도를 측정하기 때문에, 정밀도 높은 조도측정을 할 수 있다. 그러나, 정밀도는 떨어지지만, 그러한 조도측정용의 광센서(204)를 다른 장소, 예를 들면 스테이지(194)의 바깥쪽에 배치하는 것도 가능하고, 혹은 스테이지(194)상의 기판재치영역(194a) 내에 수광면을 노출시켜 매설하여 배치하는 것도 가능하다.
또한, 상기 제 2 실시형태에서는, 램프실(166)과 스테이지(194)와의 거리(조명거리)를 가변조정하기 때문에, 램프실(166)을 고정배치하여, 스테이지(194)의 높이위치를 가변조정하였다. 그러나, 반대로, 스테이지(194)의 높이위치를 고정하여, 램프실(166)의 높이 위치를 가변조정하는 구성도 가능하고, 혹은 쌍방의 위치를 각각 가변조정하는 구성도 가능하다.
더욱, 상기 제 2 실시형태에서는, 스테이지(194)상에 재치되는 기판(G)의 판두께(Gt)에 따른 조도측정 내지 스테이지 높이위치조정을 하기 때문에, 보다 정밀도가 높은 조도조정을 실현할 수 있다. 그러나, 정밀도는 낮아지지만, 기판(G)의 판두께(Gt)를 무시하여 램프실(166)과 스테이지(194)와의 거리(조명거리)를 가변조정하여도, 실용상 충분한 조도조정이 가능하다.
더욱 또한, 상기 제 2 실시형태는, 자외선조사세정장치(UV)에 적용한 예에 대하여 나타내었으나, 유기오염의 제거이외의 목적으로 피처리기판에 자외선을 조사하는 처리에도 적용이 가능하다. 예를 들면, 상기와 같은 도포현상처리시스템에 있어서, 포스트베이킹(스텝 S13) 후에 레지스트를 경화시킬 목적으로 기판(G)에 자외선을 조사하는 공정에 상기 실시형태와 같은 자외선조사장치를 사용할 수 있다.
상기 어느 실시형태나 피처리기판으로서 LCD의 유리기판을 사용한 예에 대하여 나타내었으나, 이에 한정되지 않고, 반도체웨이퍼, CD기판, 칼라필터기판, 포토마스크, 프린트기판, 등의 다른 기판에도 적용이 가능하다.
이상 설명한 실시형태는, 어디까지나 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하는 것을 의도하는 것으로서, 본 발명은 이러한 구체예에만 한정하여 해석되는 것이 아니라 본 발명의 정신과 클레임에 기술된 범위에서, 여러 가지로 변경하여 실시할 수 있는 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 광조사부의 조사면과 기판과의 사이의 거리를 기판의 표면전체에 걸쳐 균등하게 유지하여 충분한 세정효과를 얻을 수 있다.
또한, 자외선조사처리에 있어서 피처리기판에 대한 자외선의 조도를 정확하게 관리하여, 처리품질 및 효율을 안정적으로 유지할 수가 있다. 또한, 자외선조사용의 창부재를 자외선반응생성물로부터 효과적으로 보호할 수도 있다.

Claims (32)

  1. 피처리기판이 재치되는 스테이지와,
    스테이지상에 재치된 피처리기판의 표면에 빛을 조사하는 광조사부와,
    피처리기판상의 복수의 점에서 광조사부의 조사면과 피처리기판의 표면과의 사이의 거리를 검출하는 거리검출수단과,
    복수의 개소에서 상기 광조사부의 조사면과 피처리기판의 표면과의 사이의 거리를 조절할 수 있는 조사거리조절수단과,
    상기 거리검출수단으로부터의 검출 데이터에 기초하여 상기 조사조절수단의 동작을 제어하는 제어수단을 구비하며,
    상기 광조사부로부터의 빛의 조사에 의해 상기 스테이지상의 피처리기판에 대하여 세정처리를 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제어수단은 광조사부의 조사면과 상기 스테이지상의 피처리기판의 표면과의 사이의 거리가 기판의 전체면에 걸쳐 대략 균등해지도록, 상기 조사거리조절수단의 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 광조사부에서 조사되는 빛이 자외선인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 광조사부에서 조사되는 자외선이 자외엑시머광인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 스테이지상의 피처리기판의 표면과 상기 광조사부의 조사면과의 접촉을 방지하는 접촉방지수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 조사거리조절수단은 상기 스테이지를 승강시켜 스테이지의 높이를 조정하는 복수의 승강축을 가진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 조사거리조절수단은 상기 스테이지상에 설치되어 피처리기판을 지지하는 복수의 압전소자를 가진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 조사거리조절수단은 상기 스테이지의 표면에 대하여 돌몰하여 피처리기판을 승강시키는 복수의 승강 핀을 가진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 거리검출수단은 복수의 광센서를 가진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 스테이지와 상기 광조사부와의 사이에 상대이동을 생기게 하는 구동수단을 더욱 구비하고, 상기 거리검출수단은 상기 광조사부에 도달하기 전의 피처리기판의 표면부위의 상기 광조사부의 조사면과의 사이의 거리를 측정하고, 상기 제어부는 상기 구동수단에 의해 그 부위가 광조사부의 바로 아래에 도달하였을 때에 상기 광조사부의 조사면과의 사이의 거리가 소정의 거리가 되도록 상기 조사거리조절수단에 지령을 보내는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 피처리기판의 표면을 세정처리하는 세정처리부와, 세정후의 피처리기판의 표면에 도포액을 도포함으로써 막을 형성하는 막형성부를 구비하는 막형성장치로서,
    상기 세정처리부는
    피처리기판이 재치되는 스테이지와,
    스테이지상에 재치된 피처리기판의 표면에 빛을 조사하는 광조사부와,
    피처리기판상의 복수의 점에서 광조사부의 조사면과 피처리기판의 표면과의 사이의 거리를 검출하는 거리검출수단과,
    복수의 개소에서 상기 광조사부의 조사면과 피처리기판의 표면과의 사이의 거리를 조절할 수 있는 조사거리조절수단과,
    상기 거리검출수단으로부터의 검출 데이터에 기초하여 상기 조사조절수단의 동작을 제어하는 제어수단을 가지며,
    상기 광조사부로부터의 빛의 조사에 의해 상기 스테이지상의 피처리기판에 대하여 세정처리를 하는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 세정처리부의 상기 제어수단은 광조사부의 조사면과 상기 스테이지상의 피처리기판의 표면과의 사이의 거리가 기판의 전체면에 걸쳐 대략 균등해지도록, 상기 조사거리조절수단의 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 세정처리부의 상기 광조사부에서 조사되는 빛이 자외선인 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 세정처리부의 상기 광조사부에서 조사되는 자외선이 자외엑시머광인 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 세정처리부는 상기 스테이지상의 피처리기판의 표면과 상기 광조사부의 조사면과의 접촉을 방지하는 접촉방지수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  16. 제 11 항에 있어서, 상기 세정처리부의 상기 조사거리조절수단은 상기 스테이지를 승강시켜서 스테이지의 높이를 조정하는 복수의 승강축을 가진 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  17. 제 11 항에 있어서, 상기 세정처리부의 상기 조사거리조절수단은 상기 스테이지상에 설치되어 피처리기판을 지지하는 복수의 압전소자를 가진 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  18. 제 11 항에 있어서, 상기 세정처리부의 상기 조사거리조절수단은 상기 스테이지의 표면에 대하여 돌몰하여 피처리기판을 승강시키는 복수의 승강 핀을 가진 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  19. 제 11 항에 있어서, 상기 세정처리부의 상기 거리검출수단은 복수의 광 센서를 가진 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  20. 제 11 항에 있어서, 상기 세정처리부는 상기 스테이지와 상기 광조사부와의 사이에 상대이동을 생기게 하는 구동수단을 더욱 구비하고, 상기 거리검출수단은 상기 광조사부에 도달하기 전의 피처리기판의 표면부위의 상기 광조사부의 조사면과의 사이의 거리를 측정하며, 상기 제어부는 상기 구동수단에 의해 그 부위가 광조사부의 바로 아래에 도달하였을 때에 상기 광조사부의 조사면과의 사이의 거리가 소정 거리가 되도록 상기 조사거리조절수단에 지령을 보내는 것을 특징으로 하는 막형성장치.
  21. 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정 처리를 하는 기판처리장치로서,
    피처리기판을 재치하여 지지하는 재치대와,
    자외선이 발생하는 램프와 자외선을 투과시키는 창부재를 가지며, 상기 램프로부터 발생한 자외선을 상기 창부재를 개재하여 상기 재치대상의 피처리기판에 조사하는 자외선조사수단과,
    상기 자외선조사수단으로부터의 자외선을 소정위치에서 수광하여 상기 자외선의 조도를 측정하는 자외선조도측정수단과,
    상기 자외선조도측정수단에서 얻어지는 자외선조도측정치에 기초하여 상기 자외선조사수단과 상기 재치대와의 사이의 거리를 조정하는 조사거리조정수단을 구비하는 기판처리장치.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 조사거리조정수단은 상기 재치대상에 재치되는 피처리기판의 판두께에 따라 상기 자외선조사수단과 상기 재치대와의 사이의 거리를 조정하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  23. 제 21 항 또는 제 22 항에 있어서, 상기 조사거리조정수단은
    원하는 기준조도를 설정하는 기준조도설정수단과,
    상기 자외선조도측정치를 상기 기준조도와 비교하여, 그 비교오차를 제로에 근접하도록 상기 재치대와 상기 자외선조사수단과의 사이의 상대위치를 조정하는 상대위치조정수단을 가진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  24. 제 21 항 또는 제 22 항에 있어서, 상기 조사거리조정수단은
    상기 창부재와 상기 재치대 또는 상기 재치대상의 피처리기판과의 간격에 대하여 최대치를 설정하는 최대간격설정수단과,
    상기 간격의 조정에 있어서 상기 간격이 상기 최대치에 도달하고 있거나 최대치를 넘는 것이 예상되는 경우에 상기 간격을 상기 최대치로 제한하는 최대간격제한수단을 가진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  25. 제 21 항 또는 제 22 항에 있어서, 상기 조사거리조정수단은
    상기 창부재와 상기 재치대 또는 상기 재치대상의 피처리기판과의 간격에 대하여 최소치를 설정하는 최소간격설정수단과,
    상기 간격의 가변조정에 있어서 상기 간격이 상기 최소치에 도달하고 있거나 최소치를 밑도는 것이 예상되는 경우에 상기 간격을 상기 최소치로 제한하는 최소간격제한수단과,
    상기 간격이 상기 최소치에 도달하고 있거나 최소치를 밑도는 것이 예상될 때에 알람을 발생시키는 경보수단을 가진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  26. 제 21 항에 있어서, 상기 자외선조사수단으로부터의 자외선이 상기 재치대상의 상기 피처리기판의 피처리면을 주사하도록, 상기 재치대 및 상기 자외선조사수단중의 어느 한쪽 또는 양쪽을 소정의 방향으로 이동시키는 구동수단을 가진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  27. 제 21 항에 있어서, 상기 자외선조도측정수단은 상기 재치대상의 피처리기판에 조사되는 자외선의 조도를 측정하기 위해서 상기 피처리기판에 간섭하지 않는 위치로 상기 재치대쪽에 설치된 광센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  28. 제 27 항에 있어서, 상기 자외선조사수단으로부터의 자외선이 상기 재치대상의 상기 피처리기판의 피처리면을 주사하도록, 상기 재치대 및 상기 자외선조사수단중 의 어느 한쪽 또는 양쪽을 소정의 방향으로 이동시키는 구동수단을 가지며, 상기 광센서는 상기 주사방향에서 상기 재치대상의 피처리기판보다도 앞의 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  29. 제 28 항에 있어서, 상기 구동수단은 상기 재치대 및 상기 자외선조사수단중의 어느 한쪽을 제 1 위치에서 고정한 채로 다른쪽을 제 2 위치로 회전이동시키는 회전구동수단을 가진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  30. 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 하는 기판처리장치로서,
    피처리기판을 재치하여 지지하는 재치대와,
    자외선이 발생하는 램프와 자외선을 투과시키는 창부재를 가지며, 상기 램프로부터 발생한 자외선을 상기 창부재를 통해 상기 재치대상의 피처리기판에 조사하는 자외선조사수단과,
    상기 창부재와 상기 재치대상의 피처리기판과의 사이의 빈틈에 불활성가스를 흐르게 하는 수단을 구비하는 기판처리장치.
  31. 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 하는 기판처리장치로서,
    피처리기판을 재치하여 지지하는 재치대와,
    자외선이 발생하는 램프와 자외선을 투과시키는 창부재를 가지며, 상기 램프로부터 발생한 자외선을 상기 창부재를 통해 상기 재치대상의 피처리기판에 조사하는 자외선조사수단과,
    상기 자외선조사수단으로부터의 자외선이 상기 재치대상의 피처리기판의 피처리면을 주사하도록, 상기 재치대 및 상기 자외선조사수단중의 어느 한쪽 또는 양쪽을 소정의 방향으로 이동시키는 구동수단과,
    상기 자외선조사수단에서 보아 제 1 방향으로부터 상기 주사의 방향과 거의 평행하게 상기 창부재와 상기 재치대상의 피처리기판과의 사이의 빈틈에 불활성가스를 보내주는 불활성가스분사수단과,
    상기 자외선조사수단에서 보아 상기 제 1 방향과는 반대쪽의 제 2 방향으로써 상기 빈틈을 지나 온 불활성가스를 흡입하여 배출하는 불활성가스흡입 수단을 구비하는 기판처리장치.
  32. 제 31 항에 있어서, 상기 구동수단은 상기 재치대 및 상기 자외선조사수단중의 어느 한쪽을 제 1 위치에서 고정한 채로 다른쪽을 제 2 위치로 회전이동시키는 회전구동수단을 가진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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