JPH0513324A - ステージ位置の測定方法 - Google Patents

ステージ位置の測定方法

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Publication number
JPH0513324A
JPH0513324A JP3168013A JP16801391A JPH0513324A JP H0513324 A JPH0513324 A JP H0513324A JP 3168013 A JP3168013 A JP 3168013A JP 16801391 A JP16801391 A JP 16801391A JP H0513324 A JPH0513324 A JP H0513324A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stage
probe
wafer
board
measuring
Prior art date
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Pending
Application number
JP3168013A
Other languages
English (en)
Inventor
Koju Ikeda
弘寿 池田
Toshiaki Fujito
利昭 藤戸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi High Tech Fielding Corp
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi High Tech Fielding Corp
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi High Tech Fielding Corp filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPH0513324A publication Critical patent/JPH0513324A/ja
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  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】アッシングにとって重要なガス流路の厚さを誤
差なく測定し、また測定によるアッシング装置の金属汚
染を防止する。 【構成】測定子8をアッシングによる中間生成物の付着
がない位置(ウェハが置かれる位置)に設置して測定
し、測定子8の全体または一部を非金属とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置、例え
ば、光アッシャ,オゾンアッシャのように間隙が重要な
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の方式では、ステージ上の定められ
た位置で測定しているが、処理時の中間反応生成物がス
テージ上に付着している場合があり、測定時の誤差にな
ったり、この付着物を取り除く手間がかかっていた。
【0003】また、測定子の先端は金属であり、ステー
ジの汚染の恐れがあった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記誤差や、手間を取
り除くことが必要であり、また、金属汚染を防止するこ
とも必要である。
【0005】
【課題を解決するための手段】ステージ上のうち、実際
に被処理基板が置かれる位置でこの間隙を測定する。測
定子の先端を非金属とする。
【0006】
【作用】ステージ上の付着物は被処理基板が置かれる範
囲外に付着するため、被処理基板が置かれる範囲内で間
隙を測定する限り付着物の影響を受けずに測定すること
ができる。
【0007】測定子の先端を非金属とすることにより金
属の汚染を防止できる。
【0008】
【実施例】以下に一実施例を示す。図1は紫外線とオゾ
ンを使用してウェハ上のレジストを除去するアッシング
装置の処理室内部を表している。ステージ1の上に石英
板6が乗っており、その上にシリコンウェハ2が真空吸
着されている。ウェハの上方には、石英製の円板(プレ
ート)3が一定の距離を置いて設置されており、この円
板にはオゾンガスを導入するためのノズル4が貫いてい
る。なお、円板3の上方には紫外線を放射するランプが
設置されているが図には省略している。このような構成
でアッシングするとウェハが置かれていない外側のステ
ージ上にレジストの中間反応生成物が付着する場合があ
る。
【0009】このようなアッシング方式で円板3と石英
板6の乗ったステージ1との間の間隙を一定に管理する
ことが重要で、アッシング特性に影響を与える。
【0010】このため、間隙を測定する必要があるが、
従来はステージの周辺付近で測定していたため、付着物
の影響を受けて、測定値に誤差を生じる場合があった。
また、このような付着物を除去してから測定する必要が
あった。
【0011】本発明では、図2に示すように、測定子8
をウェハが乗せられる部分に置き、測定器7で測定する
こととした。また、測定子またはその一部をダイヤモン
ドのような非金属物とし、石英板の金属汚染を防ぐこと
とした。
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、付着物のない位置で測
定するため、間隙の測定値に誤差は発生しない。また、
測定子を非金属としているため、石英板を汚染すること
もない。
【図面の簡単な説明】
【図1】アッシング装置の処理室内構造説明図。
【図2】本発明による間隙測定方法の説明図。
【符号の説明】
1…ステージ、2…基板、3…円板、4…ノズル、5…
付着物、6…石英板、7…測定器、8…測定子。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ステージ上に基板を置き、その上方にプレ
    ートを設置し、前記基板と前記プレートとの間隙にガス
    を流して処理をする装置において、前記プレートと前記
    ステージとの間隙を測定するとき、その測定位置を前記
    ステージ上の前記基板が載置される範囲に限定したこと
    を特徴とするステージ位置の測定方法。
  2. 【請求項2】請求項1において、前記間隙の測定の際、
    前記ステージに接触する測定子の材質を非金属とするス
    テージ位置の測定方法。
JP3168013A 1991-07-09 1991-07-09 ステージ位置の測定方法 Pending JPH0513324A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6752275B2 (en) 2000-01-31 2004-06-22 Michiko Sakamoto Extraction bag with support for containing a material to be extracted and sheet composite therefor
KR100873265B1 (ko) * 2000-07-19 2008-12-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 막형성장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6752275B2 (en) 2000-01-31 2004-06-22 Michiko Sakamoto Extraction bag with support for containing a material to be extracted and sheet composite therefor
KR100873265B1 (ko) * 2000-07-19 2008-12-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 막형성장치

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