KR200173810Y1 - 후막저항 - Google Patents

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KR200173810Y1
KR200173810Y1 KR2019940034536U KR19940034536U KR200173810Y1 KR 200173810 Y1 KR200173810 Y1 KR 200173810Y1 KR 2019940034536 U KR2019940034536 U KR 2019940034536U KR 19940034536 U KR19940034536 U KR 19940034536U KR 200173810 Y1 KR200173810 Y1 KR 200173810Y1
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resistor
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유재찬
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송재인
엘지정밀주식회사
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
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Abstract

본 고안은 기판위에 형성된 2개의 도체 사이에 길이방향으로 간격을 가지고 형성되는 복수개의 절연체와, 상기 복수개의 절연체와 2개의 도체위에 적층되어 기판과 면접촉되는 저항체로 형성되어, 저항체를 일정한 두께로 적층하여 전기적 특성을 향상시키고, 저항체에서 발생한 열을 빨리 방열시키는 후막저항에 관한 것이다.

Description

후막저항
제1도는 종래예에 의한 후막저항을 나타낸 사시도.
제2도는 본 고안에 따른 후막저항을 나타낸 사시도.
제3도는 본 고안의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 저항체 2, 2' : 도체
3 : 기판 4 : 절연체
본 고안은 후막저항에 관한 것으로, 보다 상세하게는 저항체에서 발생하는 열을 빨리 방열시키는 반도체장치에 관한 것이다.
제1도를 종래예에 의한 후막저항을 나타낸 사시도이다. 종래예에 의한 후막저항은 제1도에 도시된 바와 같이 기판(3) 상단의 서로 다른 위치에 전극인 도체(2), (2')를 형성하고, 상기 도체(2), (2') 사이에 이 도체(2), (2')와 같은 높이로 절연체(4)로 막을 형성한 후 도체(2), (2')와 절연체(4)위에 일정두께를 가진 저항체(1)를 적층한 구조로 되어 있다.
상기와 같은 구조를 가진 후막저항에서 도체(2), (2') 사이에 절연체(4) 막을 형성하는 이유는 도체(2), (2')의 굴곡을 제거하여 저항체(1)가 일정두께로 적층되도록 하여 불균일한 저항값 오차를 개선한다.
이와 같이 저항값의 오차를 개선하기 위한 수단으로 도체(2), (2') 사이에 절연체(4) 막을 형성하면 저항체(1)와 기판(1) 사이가 단락된 상태가 되므로 저항체(1)에서 발생한 열을 빨리 방열시키지 못하는 문제점이 있었다.
따라서, 본 고안은 상기와 같은 제반 결점을 해소하기 위하여 안출한 것으로, 본 고안의 목적은 저항체에서 발생하는 열을 빨리 방열시키는 후막저항을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 고안은, 기판과, 이 기판 위에 형성된 2개의 도체 사이에 길이방향으로 간격을 가지고 형성되는 절연체와, 상기 절연체와 2개의 도체 위에 적층됨과 동시에 기판과 면접촉되는 저항체로 형성된 것이다.
따라서, 기판 위에 형성된 도체와 도체 사이에 절연체를 형성하여 도체간의 굴곡을 최소화하므로 저항체를 일정한 두께로 적층할 수 있어 전기적 특성을 향상시키고, 저항체와 세라믹 기판이 면접촉되므로 저항체에서 발생한 열이 빨리 방열되는 효과가 있다.
이하, 예시된 도면을 참조하여 본 고안을 더욱 상세히 기술한다.
제2도는 본 고안에 따른 후막저항을 나타낸 사시도, 제3도는 본 고안의 단면도이다.
제2도 및 제3도에 도시된 반도체 장치는, 세라믹 기판(1) 위의 양단에 전극인 도체(2), (2')를 형성하고 이 도체(2), (2') 사이에 길이방향으로 일정한 간격을 갖도록 2개의 절연체(4)를 형성한 후 상기 도체(2), (2')와 절연체(4)위에 저항체(1)를 적층한 구조로 되어있다.
상기한 바와 같은 구조를 갖는 반도체장치는 기판(3) 위에 형성된 도체(2), (2')사이에 절연체(4)가 형성되기 때문에, 상기 도체(2)와 도체(2')사이에 굴곡이 없게 되어 저항체(7)를 적층할 때 저항체(1)의 두께를 일정하게 할 수 있어서 전기적인 특성을 좋게 할 수 있다. 그리고, 상기 도체(2), (2') 사이에 간격을 가진 2개의 절연체(4)가 형성되어 있기 때문에, 도체(2), (2')의 절연체(4)위에 저항체(1)를 적층하면 상기 간격에 의해 저항체(1)와 세라믹 기판(3)이 면접촉되어 저항체(1)에서 발생한 열이 세라믹 기판(3)으로 전도되어 빨리 방열된다.
상술한 바와 같은 본 고안의 후막저항에 위하면, 기판 위에 형성된 도체와 도체사이에 절연체를 형성하여 도체간의 굴곡을 최소화하므로 저항체를 일정한 두께로 적층할 수 있어 전기적 특성을 향상시키고, 또한 저항체와 세라믹 기판이 면접촉되므로 저항체에서 발생한 열이 빨리 방열되는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 기판과, 이 기판 위에 형성된 2개의 도체 사이에 길이방향으로 간격을 가지고 형성되는 절연체와, 상기 절연체와 2개의 도체 위에 적층됨과 동시에 기판과 면접촉되는 저항체로 형성된 것을 특징으로 하는 후막저항.
KR2019940034536U 1994-12-19 1994-12-19 후막저항 KR200173810Y1 (ko)

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