KR20010098545A - 전사장치, 디바이스 제조방법, 및 그 제조방법에 의해제조된 디바이스 - Google Patents

전사장치, 디바이스 제조방법, 및 그 제조방법에 의해제조된 디바이스 Download PDF

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Abstract

전사 투영 장치는 제 1 및 제 2 대물 테이블 중의 적어도 하나를 둘러싸는 벽을 가지는 진공 챔버, 상기 장치의 투영 시스템에 대한 대물 테이블을 위치시키는 위치결정 수단에 연결되어 있는 진공 챔버내의 상기 또는 각각의 대물 테이블을 포함하여 이루어진다. 상기 위치결정 수단에는 상기 대물 테이블과 관련된 피스톤을 포함하는 공기식 중력 보상기; 대물 테이블의 무게를 적어도 부분적으로 상쇄시키도록 가동 부재상으로 작용하는 압력 챔버내의 개스로 채워진 개스 충전 압력 챔버; 개스 베어링; 및 가동 부재 및 원통형 하우징의 지지면사이의 갭을 통하여 진공 챔버쪽으로 빠져나오는 개스를 배기시키는 배기 수단이 제공된다. 부분적으로 가요성인 로드가 상기 대물 테이블에 피스톤을 연결한다.

Description

전사장치, 디바이스 제조방법, 및 그 제조방법에 의해 제조된 디바이스{LITHOGRAPHIC APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY}
본 발명은,
방사 투영 빔을 공급하는 방사 시스템;
투영 빔을 소정 패턴에 따라 패터닝할 수 있는 패터닝 수단을 지지하는 지지구조체;
기판을 고정하는 기판 테이블; 및
패터닝된 빔을 상기 기판의 목표영역에 투영시키는 투영 시스템을 포함하여 이루어진 전사투영장치에 관한 것이다.
"패터닝 수단(patterning means)"이라는 용어는 입사하는 방사 빔의 단면을 기판의 목표영역에 형성될 패턴에 맞게 패터닝하는데 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로서 광범위하게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용된다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 상기 목표영역에 형성될 디바이스내의 특정 기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝 수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 마스크의 개념은 리소그래피 분야에서 이미 잘 알려져 있고, 바이너리(binary)형, 교번 위상-쉬프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠 위상-쉬프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크 유형까지도 포함된다. 방사 빔내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크의 패턴에 따라 마스크에 입사되는 방사의 선택적인 투과(투과형 마스크의 경우) 또는 반사(반사형 마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우에 상기 제 1 대물 테이블은 입사하는 투영 빔 영역내의 소정 위치에 마스크가 고정될 수 있으며, 필요한 경우에는 마스크를 상기 빔에 대하여 상대적으로 이동시킬 수 있도록 확보해 준다.
- 프로그래밍 가능한 거울 배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성 제어층(viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본 원리는, (예를 들어) 반사면의 어드레스된 영역에서는 입사광이 회절광으로서 반사되는 한편, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광이 비회절광으로서 반사되는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 반사된 빔 중에서 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 요구되는 매트릭스 어스레싱은 적당한 전자적 수단을 사용하여 수행될 수 있다. 이러한 거울 배열에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 참고자료로 활용되고 있는 미국 특허 US 5,296,891호 및 US 5,523,193호로부터 얻을 수 있다. 이러한 프로그래밍 가능한 거울 배열의 경우, 상기 지지 구조체를 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능한 프레임 또는 테이블로서 구현될 수 있다.
- 프로그래밍 가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참고자료로 활용되고 있는 미국 특허 US 5,229,872호에 있다. 상술한 바와 같이, 이 경우의 지지 구조체는 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능한 프레임 또는 테이블로서 구현될 수 있다.
설명을 간단히 하려는 목적에서, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크 및 마스크 테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시의 일반적인 의미는 상기 서술된 패터닝 수단의 확장된 개념이라는 것을 알 수 있다.
예컨데, 전사투영장치는 집적회로(ICs)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 패터닝 수단은 집적회로의 개별 층에 대응되는 회로패턴을 만들고, 이 패턴은 이후에 감광물질(레지스트)층으로 도포된 기판(실리콘 웨이퍼)상의 목표영역(1이상의 다이로 구성)에 결상될 수 있을 것이다. 일반적으로 한 장의 웨이퍼에는 목표영역들이 인접해 있는 전체적인 네트워크가 형성되며, 이들 목표영역은 마스크를 통해 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 현재 통용되는 장치에서, 마스크 테이블 상의 마스크에 의해 패터닝시키는데는 2 가지 다른 형식의 기계를 확실히 구분되어 질 수 있다. 특정 형태의 전사투영장치에서는 한 번에 목표영역상에 전체 마스크 패턴을 노광함으로써 각 목표영역이 조사되는데, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라고 한다. 통상 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)로 불리워지는 대체장치에서는 투영 빔 하에서 소정의 기준방향("스캐닝" 방향)으로 레티클 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 상기 스캐닝 방향과 같은 방향 또는 반대 방향으로 기판 테이블을 동기화시켜 스캐닝함으로써 각 목표영역이 조사된다. 일반적으로 투영 시스템은 배율인자(magnification factor:Ｍ)(일반적으로 <1)를 가지므로 웨이퍼 테이블이 스캐닝되는 속도(V)는 레티클 테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 Ｍ배가 된다. 여기에 참고로 서술된 전사장치와 관련된 보다 상세한 정보는 미국 특허 제 6,046,792호에서 찾을 수 있다.
본 발명에 따른 전사투영장치를 사용하는 제조공정에서, 마스크의 패턴은 방사감지재료(레지스트)층이 부분적으로나마 도포된 기판상에 결상된다. 이 결상단계에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 도포 및 소프트 베이크와 같은 다양한절차를 거친다. 노광후에는, 후노광 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 결상된 형상의 측정/검사와 같은 또 다른 절차를 거칠 것이다. 이러한 일련의 절차는, 예를 들어 IC 디바이스의 개별 층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그런 다음 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 연마 등과 같이 개별 층을 마무리하기 위한 다양한 모든 공정을 거친다. 여러 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체 공정 또는 그 변형 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 종국에는, 디바이스의 배열이 기판(웨이퍼)상에 존재할 것이다. 이들 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의해 서로 분리된 후, 각각의 디바이스가 운반 장치에 탑재되고 핀에 접속될 수 있다. 그와 같은 공정에 관한 추가 정보는 예를 들어, "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill출판사, 1997, ISBN 0-07-067250-4)" 으로부터 얻을 수 있다.
설명을 간단히 하려는 목적에서, 상기 투영 시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 수도 있다. 그러나, 이 용어는 예를 들어, 굴절 광학, 반사 광학 및 카타디옵트릭 시스템을 포함한 각종 형태의 투영 시스템을 두루 일컫고 있는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한, 상기 방사 시스템은 투영 빔의 방사를 방향짓거나, 모양짓거나 또는 제어하기 위한 원리들 중 어느 것을 따라 동작하는 구성요소를 포함할 수 있으며, 이하에서는 이들 구성요소를 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 칭할 수도 있다. 또한, 전사 장치는 두개 이상의 기판 테이블(및/또는 두개 이상의 마스크 테이블)을 구비하는 형태일 수 있다. 이러한 "다단" 장치에 있어서는 부가적인 테이블이 병렬로 사용될 수 있거나, 또는 하나 이상의 다른 스테이지가노광되고 있는 동안 하나 이상의 스테이지상에 예비단계가 수행될 수 있다. 트윈 스테이지 전사 장치는 본 명세서에 참고로 포함된 미국 특허 제 5,969,441 호 및 국제특허 제 WO 98/40791 호에 기술되었다.
전사장치에서 웨이퍼상에 결상될 수 있는 형상의 크기는 투영 방사선의 파장에 의해 제한된다. 더욱 높은 소자 밀도를 구비함으로 더욱 빠른 동작속도를 가지는 집적회로를 생산하기 위해서는, 더 작은 형상을 결상시킬 수 있는 것이 바람직하다. 최근의 전사투영장치는 수은 램프에 의해 생성된 자외선이나 엑시머 레이저를 사용하는 한편, 13 nm 정도의 더욱 짧은 파장의 방사선을 사용하는 것이 제안되고 있다. 이러한 방사선은 극자외선(EUV) 또는 소프트 X-레이라고 칭하고, 가능한 방사원으로는 레이저-생성 플라즈마원, 방전원 또는 전자 저장링으로부터의 싱크로트론 방사선 등이 있다. 싱크로트론 방사를 이용한 전사 투영 장치의 개략적인 설계는 JB Murphy 등의 Applied Optics Vol. 32 No. 24 의 6920 내지 6929쪽(1993)의 "Synchrotron radiation sources and condensers for projection x-ray lithography" 에 기술되었다.
다른 제시된 방사 유형은 전자 빔 및 이온 빔을 포함한다. 이들 유형의 빔은 EUV와 마찬가지로 마스크, 기판 및 광학 요소를 포함하는 빔 경로가 고진공 상태로 유지되어야하는 필요를 EUV로 한다. 이것은 빔의 흡수 및/또는 산란을 막기 위한 것이고, 이로 인해 일반적으로 약 10-6millibar 미만의 전체 압력이 이러한 대전된 입자빔을 위하여 요구된다. 웨이퍼 및 EUV 방사용 광학 요소의 표면에 탄소층이 퇴적함으로써 웨이퍼의 오염과 EUV 방사용 광학 요소가 손상될 수 있으며, 이런 것이 탄화수소 부분 압력을 10-8또는 10-9millibar 미만으로 유지시켜야 하는 부가적인 요구를 갖게 한다. 그렇지 않다면, EUV 방사를 이용하는 장치를 위하여는, 전체 진공압력은 일반적으로 저진공으로 간주되는 10-3또는 10-4mbar만 필요하다. 전사장치에서의 전자빔 사용에 관한 더욱 자세한 정보는 예를 들면 참조로 본 명세서에 포함된 EP-A-0 965 888 뿐아니라 US 5,079,122 및 US 5,260,151 에서 찾을 수 있다.
이러한 고진공에서의 작업은 진공내로 놓여야만 하는 구성요소상 및 진공 챔버 시일(seal), 특히 외부로부터 챔버내의 구성요소로 동작이 전달되어야 하는 장치의 임의의 부분 주위의 밀봉상에 매우 번거로운 조건을 부과한다. 챔버내부의 구성요소에 대하여, 오염 물질을 최소화시키거나 또는 제거시키는 물질이 사용되어야 하며 완전한 개스 제거, 즉 물질자체의 개스 제거와 함께 그들 표면에 흡수된 가스의 개스 배기가 되어야 한다.
소정 응용에 대하여, 지지될 대상물의 중량을 적어도 부분적으로 상쇄시키도록 작용하는 편향력을 가하기 위한 중력 보상기가 요구되며, 이 보상기가 지지방향으로의 진동 전달을 상당히 방지한다. 대상물의 높이는 모터에 의해 변경될 수 있으며, 중력 보상기의 적용에 의해 모터는 중력을 극복하는 힘을 제공할 필요가 없어 모터의 전력 소모 및 발열을 상당히 감소시킨다. 그러나, 공기식 작동 원리를 가지는 이러한 중력 보상기는 공지되었지만, 진공환경에서의 그 응용은 현재 적합하지 않은데, 이는 있을 수 있는 중력 보상기로부터의 가스의 방출이 진공을 심각하게 교란시키기 때문이다. 수평방향으로의 진동 전달을 방지하기 위하여, 수평 공기 베어링을 구비한 공기식 중력 보상기와 같은 지지수단을 구비하는 것이 알려져 있다. 수평 개스 베어링으로부터 개스 유출은 진공을 심각하게 교란시킬 것이다. 상기 지지 수단은 본 명세서에 참고로 포함된 EP 0 973 067에 기술되었다.
본 발명의 목적은 수평 방향으로의 진동 전달을 방지하기 위하여, 개스 베어링 및 개스 공급을 필요로 하지 않는 지지 수단을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 지지될 대상물의 수평면에서의 변위를 수용하여 대상물로의 진동 전달을 상당히 방지하며 진공 챔버내에 채용될 수 있는 전사 투영 장치에 사용되는 지지 수단을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시에 따른 전사 투영 장치를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명에 따른 단행정 위치결정수단의 일부를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명에 따른 배기 수단의 상세도.
도 4a는 힌지방식으로 연결된 견고한 로드상의 질량체를 개략적으로 나타낸 도면.
도 4b는 견고하게 연결된 가요성 로드상의 질량체를 개략적으로 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 실시예 2에 따른 단행정 위치결정수단의 일부를 나타낸 도면.
도 6은 실시예 3에 따른 지지 수단을 개략적으로 나타낸 도면.
본 발명에 따르면, 상기 목적 및 다른 목적들은,
- 방사 투영빔을 제공하는 방사 시스템;
- 소정의 패턴을 따라 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝 수단을 지지하는 지지 구조체;
- 기판을 잡아주는 기판 테이블;
- 기판의 타겟부상으로 패터닝된 빔을 투영하는 투영 시스템을 포함하여 이루어지고;
- 지지 부재의 지지 방향에 실질적으로 수직인 수직 방향으로 유한 강성을가지는 지지 부재를 포함하는 지지 수단을 더욱 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치로 달성된다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 장치는 지지 수단을 둘러싼 벽을 가진 진공 챔버를 더욱 포함하며, 이때 지지 수단은 개스로 채워진 압력 챔버를 더욱 포함하며, 압력 챔버내의 개스는 지지 방향과 실질적으로 평행한 힘을 적어도 부분적으로 상쇄시키도록 가동 부재상에서 작용하며, 배기 수단은 가동 부재 및 베어링 표면사이의 갭을 통하여 진공 챔버쪽으로 빠지는 개스를 배기시키기 위하여 구성되고 배치된다.
본 발명의 다른 형태에 따르면,
방사선 감지 물질 층에 의해 적어도 부분적으로 도포된 기판을 제공하는 단계;
방사 시스템을 이용하여 방사 투영 빔을 제공하는 단계;
투영빔에 단면 패턴을 제공하기 위하여 패터닝 수단을 이용하는 단계;
방사선 감지 물질 층의 타겟부상으로 패터닝된 방사빔을 투영하는 단계; 및
격리된 기준 프레임을 제공하는 단계를 포함하여 이루어지는 디바이스 제조 방법에 있어서,
지지 부재의 지지 방향에 실질적으로 수직인 수직방향으로 유한 강성을 가진 지지 부재를 구비한 지지 구조체, 기판 테이블 및 격리된 기준 프레임중 하나를 지지하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따른 장치를 사용함에 있어 본 명세서에서는 IC의 제조에 대해서만 언급하였으나, 이러한 장치가 다른 여러 응용예를 가지고 있음은 명백히 이해될 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학 시스템, 자기영역 메모리용 유도 및 검출 패턴, 액정표시패널, 박막 자기헤드 등의 제조에도 사용될 수 있다. 당업자라면, 전술한 기타 응용분야들을 고려할 때, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어는 "마스크", "기판" 및 "목표영역" 등과 같이 좀 더 일반적인 용어로 각각 대체되어 있음을 이해할 것이다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이란 용어는 전자기 방사선의 모든 형태를 내포하는 것으로 사용되며, 자외선(UV) 방사선(예를 들면, 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm 또는 126 nm의 파장을 가짐), EUV(극자외선, 예를 들면, 5 ~ 20 nm 범위의 파장을 가짐) 뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔 등의 입자 빔을 포함한다.
도 1은 본 발명의 소정의 실시예에 따른 전사투영장치의 개략적인 도면이다. 상기 장치는,
방사선(예를 들면, UV 또는 EUV 방사, 전자 또는 이온)의 투영 빔(PB)을 공급하는 방사 시스템(Ex, IL)(이러한 특정의 경우에, 방사 시스템은 방사원(LA)도 포함);
마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 고정시키는 마스크 홀더가 제공되고, 부품(PL)에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제 1 위치결정수단에 연결된 제 1 대물 테이블(마스크 테이블)(MT);
기판(W)(예를 들어, 레지스트가 도포된 실리콘 웨이퍼)을 고정시키는 기판 홀더가 제공되고, 부품(PL)에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제 2 위치결정수단에 연결된 제 2 대물 테이블(기판 테이블)(WT); 및
기판(W)의 목표영역(C)(예를 들면, 하나 이상의 다이를 포함)에 마스크(MA)의 조사된 부분을 결상시키는 투영 시스템("렌즈")(PL)(예를 들면, 굴절 또는 케타디옵트릭 시스템, 미러 그룹 또는 필드 디플렉터 어레이)을 포함하여 이루어진다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 반사형이다(예를 들어, 반사 마스크를 구비한다). 그러나, 일반적으로, 예를 들어 굴절형(투과 마스크를 구비)일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 상술한 바와 같은 유형의 프로그램가능한 미러 어레이등의 다른 종류의 패터닝 수단을 채용할 수 있다.
방사원(LA)(예를 들면, 엑시머 레이저, 스토리지 링이나 싱크로트론에서 전자빔의 경로 주위에 제공된 언듈레이터 또는 위글러, 레이저-생성 플라즈마원, 방전원 혹은 전자 또는 이온빔원)은 방사 빔을 생성한다. 이 빔은 예를 들어 직접 또는 빔 신장기 등의 컨디셔닝 수단(conditioning means)을 통과한 후에 투광 시스템(투광기)(IL)에 공급된다. 투광기(IL)는 빔의 강도 분포의 외측 및/또는 내측 반경 범위(통상 σ-외측 및 σ-내측으로 각각 나타냄)를 설정하는 조절수단을 포함할 수 있다. 또, 일반적으로 집적기 및 집광기 등의 다양한 구성요소를 포함할 것이다. 이 경우, 마스크(MA)에 투사되는 빔(PB)은 그 단면에 있어서 소정의 균일성 및 강도 분포를 가진다.
방사원(LA)은 (예를 들어, 흔히 방사원(LA)이 수은램프인 경우에서와 같이)전사투영장치의 하우징내에 있을 수 있지만, 전사투영장치로부터 떨어져서 그것이 생성하는 방사 빔이 (예를 들어, 적당한 지향 미러의 도움을 받아) 상기 장치로 유도되도록 할 수도 있다는 것을 도 1을 참조하면 알 수 있을 것이다. 후자는 방사원(LA)이 엑시머 레이져인 경우이기 쉽다. 본 발명 및 청구항들은 이들 시나리오 모두를 내포한다.
빔(PB)은 이어서 마스크 테이블(MT)에 고정된 마스크(MA)에 조사된다. 마스크(MA)에 의해 반사된 후, 빔(PB)은 기판(W)의 목표영역(C)상에 상기 빔(PB)을 집속시키는 렌즈(PL)를 통과한다. 제 2 위치결정수단(및 간섭계 측정수단(IF))에 의해, 예를 들면 빔(PB)의 경로에 상이한 목표영역(C)을 위치시키도록 기판 테이블(WT)이 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후 또는 스캐닝하는 동안에, 제 1 위치결정수단을 사용하여 빔(PB)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시킬 수 있다. 일반적으로, 대물 테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 장행정 모듈(개략 위치결정) 및 단행정 모듈(미세 위치결정)에 의해 행해질 수 있다. 그러나, 웨이퍼 스테퍼의 경우에는(스텝 앤드 스캔 장치와는 대조적으로) 마스크 테이블은 단지 단행정 엑츄에이터에 연결되거나 고정되기도 한다.
상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝모드에서는, 마스크 테이블(MT)이 기본적으로 고정상태로 유지되며, 전체 마스크 이미지는 한 번(즉, 단일 "섬광")에 목표영역(C)에 투영된다. 이후 기판 테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 쉬프트되어 빔(PB)에 의해 다른 목표영역(C)이 방사될 수 있다.
2. 스캔 모드에서는, 소정의 목표영역(C)이 단일 "섬광"에서 노광되지 않는것을 제외하고는, 기본적으로 상기와 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크 테이블(MT)은 ν의 속도로 소정의 방향(소위 "스캔 방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동 가능하여, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하게 된다. 동시에, 기판 테이블(WT)은 속도 V = Mν, 여기서 M은 렌즈(PL)의 배율(통상 M=1/4 또는 M=1/5)로 동일한 방향 또는 그 반대 방향으로 동시에 이동한다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고 비교적 넓은 목표영역(C)이 노광될 수 있다.
상기 실시예는 EUV 방사의 투영빔을 채용하고 있으며, 대부분의 개스가 EUV 방사선을 흡수하는 경향이 있기 때문에, 따라서 진공 환경 또는 챔버(10)가 제공된다.
도 2는 기판 테이블(WT)에 연결된 단행정 위치결정수단의 일부를 나타내며, 상기 위치결정수단은 투영 시스템(PL)에 대하여 기판(W)(도 2에 도시되지 않음)의 미세한 위치결정을 위하여 채용된다. 도시된 구성의 하부, 또는 밑바닥(foot)(22)은 투영 시스템(PL)에 대하여 기판 테이블(WT)의 대략적인 위치결정을 위한 장행정 위치결정 수단(도시되지 않음)에 연결된다. 상기 밑바닥(22)은 베이스 플레이트(BP)(도 1에 도시됨)위에서 이동이 가능하다. 도 2에 도시된 바와 같은 구성은 진공 챔버(10)에 장착된다.
기판 테이블(WT)은 소위 로렌츠 힘 모터의 형태를 가지는 단행정 모터에 의해 하부(22)에 대하여 높이가 변경될 수 있다. 높이를 변경시키는 하나의 로렌츠 힘 모터(30)가 도 2에 개략적으로 도시되며 동일한 자성 방향을 갖도록 장착되는 영구 자석(31) 시스템 및 기판 테이블(WT)과 하부(22)사이의 거리를 변경시키는 수직 Z-방향으로의 로렌츠 힘을 생성시키기 위한 전류를 흘릴 수 있는 전기 전도체(32) 시스템을 포함한다. 일반적으로, 하나보다 많은 수직 방향용 로렌츠 힘 모터가 제공된다. 자석(31) 시스템은 기판 테이블(WT)에 고정되며 전기 전도체(32) 시스템은 하부(22)에 고정된다. 또한 로렌츠 힘 모터(도시되지 않음)는 하부(22)에 대하여 기판 테이블(WT)을 수평 변위, 경사 및 회전시키기 위하여 마련된다. 로렌츠 힘 모터의 치수는 하나의 로렌츠 힘 모터에 의해 유도되는 변위가 선택된 단행정 범위의 변위에 걸쳐 다른 로렌츠 힘모터에 의해 방해받지 않도록 선택된다.
지지 수단, 또는 중력 보상기(40)가 하부(22)에 대하여 중력에 대항하도록 기판 테이블(WT)을 적어도 실질적으로 지지하도록 제공된다. 따라서, 로렌츠 힘 모터(30)는 도체(32)내의 고에너지 낭비를 유도하는 지지력등을 생성할 필요가 없게된다. 일반적으로, 하나보다 많은 중력 보상기가 제공될 것이다.
중력 보상기(40)는 압력 챔버(42)가 제공되는 원통형 하우징(41)과, 수직 또는 지지 방향으로 상기 하우징에 대하여 저널로 지지된 피스톤(43)으로 이루어진다. 하우징(41)은 하부(22)에 고정되며 피스톤(43)은 로드(50)를 통해 기판 테이블(WT)에 연결된다. 압력 챔버(42)는 채널(44)을 통하여 개스 공급 수단(G)(도시되지 않음)과 유체로 연통되어 있어 압력 챔버내에서 소정의 압력을 가지는 개스를 제공한다. 이러한 방식으로 압력 챔버(42)내에 존재하는 개스 압력으로 인해 하우징(41)내의 피스톤(43)을 수직으로 지지하도록 공기식 지지력이 생성되며 피스톤(43)의 하부표면(43a)상에 작용한다. 개스 공급 수단은 압력 챔버(42)내의 압력을 조절하여 공기식 지지력이 중력에 대항하여 기판 테이블(WT)을 지지하도록한다. 지지력은 수직 Z-방향으로의 피스톤(43) 위치와 관계없이 본질적으로 일정하다.
장행정 및 단행정 위치결정수단 및 중력 보상기에 대한 더욱 자세한 사항에 대해서, 본 명세서에 참고로 포함된 유럽 특허 출원 EP 0 973 067에 언급되었다.
개스는 피스톤(43) 및 원통형 하우징(41)의 내벽사이의 갭(45)을 통하여 압력 챔버(42)로부터 빠져나가 진공챔버(10)로 들어가고, 이것은 진공 챔버내부의 진공을 실질적으로 교란시킨다. 하우징(41)의 내벽은 피스톤(43)의 지지면 역할을 한다. 진공 챔버(10)로 개스가 빠져나가는 것을 방지하기 위하여, 중력 보상기(40)에는 피스톤(43)을 둘러싸는 내벽에 배기 홈(60a, 60b)이 제공된다. 홈(60a, 60b)은 이들 홈 및 갭(45)으로부터 개스를 뽑아내기 위하여 도관(61a, 61b)을 통하여 각각 진공 펌프(P)(도시되지 않음) 및 저장기(R)(도시되지 않음)에 연결된다. 따라서, 하우징(41) 및 피스톤(43)사이의 갭(45)을 통하여 나온 개스는 진공 챔버(10)로가 아니라 홈(60a, 60b)을 경유하여 저장기(R) 및 진공 펌프(P)로 실질적으로 빠져나갈 것이다. 진공 홈(60a)은 홈(60b)보다 낮은 압력으로 설정될 것이다. 챔버(10)의 요구되는 진공 수준에 따라, 좀더 많은 진공 홈을 제공하여 진공 챔버방향으로의 각 홈은 좀 더 낮은 압력 수준(즉, 높은 진공 수준)으로 배기될 수 있도록 할 수도 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 2 개의 개스 베어링(70)이 하우징(41)의 내벽 및 피스톤(43)사이에 제공된다. 개스 베어링은 하우징(41)내의 피스톤(43)의 마찰없이 변위를 하여, 하부(22)로부터 기판 테이블(WT)로의 수직방향으로 진동 전달을 방지하도록 한다. 수 bars 압력의 개스가 도관(71)을 통하여 개스 공급원(G)으로부터 갭(45)으로 도입되어 개스 베어링(70)을 구축한다. 홈(60b)은 갭(45)으로부터 도입된 개스를 배기시키기 위하여 개스 베어링옆에 제공되어, 진공 챔버(10)로 개스가 빠져나가는 것을 방지하며 안정된 개스 베어링을 제공한다. 도시된 실시예에 있어서, 개스 베어링은 동일한 압력으로 설정된다. 그러나, 상기 압력은 다른 실시예에서 분리된 도관(71)에 의해 다른 압력으로 설정될 수 있다. 또한, 2 보다 많은 또는 단지 1 개의 개스 베어링이 제공될 수 있다.
도 3은 공기 베어링(70) 및 배기 홈(60a, 60b)을 자세히 나타낸다. 공기 베어링(70)은 6 bar의 압력으로 설정되고 홈(60b)은 개스가 대기압에서 저장기(R)로 빠져나가도록 한다. 진공 홈(60a)은 1.5 mbar의 압력 수준으로 배기시키는 진공 펌프(P)(도시되지 않음)에 연결된다. 개스 베어링(70) 및 홈(60b), 홈(60b) 및 홈(60a), 홈(60a) 및 진공 챔버사이의 5 mm 내지 10 mm 의 길이 및 2 ㎛ 내지 25 ㎛의 폭을 가지는 갭들은 진공 챔버(10)내부가 5 ×10-7mbar의 진공에 이르도록 한다. 도 3은 진공 챔버(10)내부에서 더욱 높은 진공을 가능하게 하는 다른 진공 펌프(P2)에 연결되는 다른 진공 홈(60c)을 나타낸다.
로드(50)는 피스톤(43)을 기판 테이블(WT)에 연결하고 수평 XY-평면, 즉, 지지 방향과 수직으로 상부가 변위하도록 허용한다. 로드(50)의 구성은 기판 테이블(WT)을 안정적으로 지지하지만, 수평 방향으로 기판 테이블에 무시할 수 있는 힘이 가해지거나 아무런 힘이 가해지지 않아도 수평면내에서 변위를 허용하도록채택된다. 따라서, 수평면내의 기판 테이블로의 진동 전달이 크게 방지된다. 도 4a 및 도 4b는 로드(50)에 대한 상기 필요조건을 더욱 명백히 나타낸다.
질량체(M1) 및 지지면(S1)에 힌지방식으로 연결되는 견고한 로드(Rd1)에 의해 지지되는 질량체(M1)는, 수직 지지방향을 따라 작용하는 중력때문에, 질량체(M1)가 지지면(S1)에의 로드(Rd1)의 연결선상으로 정확하게 위치되지 않을 때, 즉, M1이 중력 평형 상태인 수직선(V)에 대하여 변위될 때, 소정의 지지체(S2)상에 수평면으로 힘(F1)을 가한다. 이러한 상황이 도 4a에 도시된다. 질량체(M2) 및 지지면(S1) 양자에 견고하게 고정된 가요성 로드(Rd2)는, 도 4b에 도시된 바와 같이, 후자가 수직선(V)으로부터 변위되고 질량체(M2)의 저면이 지지면(S1)에 평행하게 유지될 때, 굽힘 모멘트가 가요성 로드(Rd2)상으로 가해지도록 수평면으로 힘(F2)을 질량체(M2)상에 가한다. 그러나, 질량체(M2)는 또한 도 4a를 참고로 설명된 바와 같이 힘(F2)에 반대되는 힘(F1)을 로드(Rd2)상에 가할 것이다. 로드(Rd2)의 구성은 힘(F1 및 F2)이 적어도 실질적으로 서로 상쇄될 수 있도록 선택될 수 있다. 그 다음 질량체(M2)는 로드(Rd2)상에서 안정적으로 평형이 될 것이며 질량체(M2)상에 가해지고 있는 실질적인 힘없이 수직선(V)주위로 수평 XY 평면으로 변위될 수 있다. 따라서, 지지방향에 평행하게 작용하는 중력은 로드(50)에 소위 "네거티브 강성"을 제공한다.
도 4b를 참고로 설명된 바와 같은 상황이 적용가능도록 도 2에서의 로드(50)가 구성된다(즉, 지지 방향과 수직인 방향으로 강성을 가짐). 로드는 그것의 길이 전체에 걸쳐 균일한 강성을 가지는 속이 찬 재료로 만들어 질 수 있으나, 로드는 1개의 견고한 중간 부분(51) 및 2 개의 가요성 부분(52)으로 이루어질 수 있다(도 2에 도시된 바와 같음). 일 가요성 부분은 피스톤(43)에 견고하게 고정되며 다른 가요성 부분이 기판 테이블(WT)에 견고하게 고정된다. 가요성 부분의 탄성, 길이 및 단면 형상은 로드(50)의 선정된 길이 및 기판 테이블(WT)의 질량에 맞도록 선택되어 도 4b에 대해 설명된 바와 같은 상황이 유지되어야 한다.
실시예 2
도 5는 로드(50)에 중공부가 제공되는 제 2 실시예에 따른 지지 수단(40)을 개략적으로 나타낸다. 중공부를 관통하여 도관이 삽입될 수 있고 이것을 통해 예를 들면 액체(예를 들면, 냉각수) 또는 전기 또는 신호 연결이 기판 테이블(WT)에 제공된다. 도관은 일반적으로 진공 환경에서 바람직하지 않은 오염물질을 방출하는 경향을 가진 재료로 만들어 진다. 제시된 장치는 이러한 오염을 방지한다.
실시예 3
도 6은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 수단(40)을 개략적으로 나타낸다. 제 3 실시예에 있어서, 지지되는 마스크 테이블(MT)은 장행정 위치결정수단에 연결되는 지지 상부(22)아래에 제공된다. 제 1 실시예에 대하여 기술된 바와 같은 여러가지 부분들이 도 6에서도 구별될 수 있다. 상기 도면은 또한 도관(61)이 로드(50)와 분리되어 제공되는 것을 나타낸다. 벨로스(60)가 제공되며, 이를 통해 도관(60)이 통과하여 마스크 테이블(MT)에 이른다. 벨로스(60) 및 도관(60)은 수평방향으로 부가적인 강성을 제공한다. 이러한 여분의 강성을 보상하기 위하여, 더우기 조절가능한 네거티브 강성을 제공하기 위하여, 지지방향을 따라 조절가능한 힘(AF)을 생성하는 수단이 제공된다. 힘(AF)은 예를 들어 마스크 테이블(MT)상의 (여분의) 질량체의 부가, (조절가능한)스프링의 사용 또는 공기 압력의 적용함으로 달성될 수 있다.
지금까지 본 발명의 특정 실시예를 상술하였지만, 본 발명은 앞서 기술된 것과는 다르게도 실시될 수 있음을 이해할 수 있다. 본 명세서에 기술된 내용은 본 발명을 제한하려는 의도를 갖고 있지 않다. 예를 들면, 본 발명은 웨이퍼 또는 기판 테이블에 관하여 기술하였지만, 반대로 마스크 테이블에도 응용가능하다.
본 발명에 따르면, 개스 베어링 및 개스 공급을 필요로 하지 않는 지지 수단을 제공하여 지지될 대상물의 수평면에서의 변위를 수용하여 수평 방향으로의 진동 전달을 방지할 수 있다.

Claims (23)

  1. - 방사 투영빔을 제공하는 방사 시스템;
    - 소정의 패턴을 따라 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝 수단을 지지하는 지지 구조체;
    - 기판을 고정하는 기판 테이블;
    - 기판의 타겟부로 패터닝된 빔을 투영하는 투영 시스템을 포함하여 이루어지고;
    - 지지 부재의 지지 방향에 실질적으로 수직인 수직 방향으로 유한 강성을 가지는 지지 부재를 포함하는 지지 수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    지지 부재의 강성이 수직 방향으로의 지지 부재의 변형에 기인한 지지 부재에 의한 수직 방향으로의 변형력이 지지 부재상에 작용하는 지지방향와 실질적으로 평행한 힘에 기인한 수직방향으로의 대향하는 변위력을 실질적으로 상쇄시키게 하는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 지지 부재가 로드를 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 로드가 견고한 부분 및 가요성 부분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항에 있어서,
    상기 지지 부재에 중공부가 제공되는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    도관이 중공부를 관통하여 배치되는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    지지 방향을 따라 지지 부재상에 부가적인 힘을 적용하는 수단이 제공되는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항중 어느 한 항에 있어서,
    지지 수단을 둘러싸는 벽을 가진 진공 챔버를 더욱 포함하고,
    상기 지지 수단은,
    지지 방향에 실질적으로 평행한 힘을 적어도 부분적으로 상쇄시키도록 가동 부재상에 작용하는 개스로 그 내부가 채워진 개스가 충전된 압력 챔버, 및
    가동 부재 및 베어링 표면사이의 갭을 통하여 진공 챔버쪽으로 빠져나가는 개스를 배기시키도록 구성되고 배치되는 배기 수단을 더욱 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 지지 부재가 상기 가동 부재에 연결되는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 지지 수단은 가동 부재를 지지하고 가동 부재 및 베어링 표면사이의 갭을 유지시키며, 갭내에 가압된 개스를 제공하여 가동 부재를 베어링 표면으로부터 떨어지도록 유지하는 힘을 발생시키는 개스 베어링을 포함하는 베어링, 및 갭으로부터 개스를 제거하기 위하여 가동 부재를 따라 개스 베어링 및 진공 챔버사이에 제공되는 배기 수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 개스 베어링은 갭을 형성하는 일 표면내의 기다란 홈; 및
    압력하에서 상기 기다란 홈으로 개스를 공급하는 개스 공급 수단을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  12. 제 8 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 배기 수단은 진공 챔버의 압력보다는 높고 갭으로부터 제거될 개스의 압력보다는 낮은 압력으로 갭 및 적어도 하나의 저장기사이에서 유체 전달을 제공하는 도관 수단을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 도관 수단은 갭을 형성하는 표면내에 적어도 하나의 기다란 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  14. 제 8 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 배기 수단은 갭과 적어도 하나의 진공 펌프사이에서 유체 전달을 제공하는 다른 도관 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 다른 도관 수단은 갭을 형성하는 표면내에 적어도 하나의 기다란 진공 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 다른 도관 수단은 갭을 형성하는 표면내에 하나 이상의 기다란 진공 홈을 포함하는데, 일반적으로 상기 진공 홈은 평행하며 진공 챔버쪽으로의 각각의 홈들이 진공 펌프(들)에 의해 더욱 강력한 진공으로 배기되는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  17. 제 8 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    가동 부재는 개스로 충전된 압력 챔버가 제공된 하우징에 저널로 지지 피스톤을 포함하고 상기 하우징의 내벽은 베어링 표면을 제공하는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  18. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 수단이 지지 구조체 및 기판 테이블 중의 하나를 지지하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  19. 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 구조체가 마스크를 고정시키는 마스크 테이블을 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  20. 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치가 격리된 기준 프레임을 더욱 포함하며, 상기 지지 수단이 상기 격리된 기준 프레임을 지지하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  21. 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사 시스템이 방사 공급원을 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  22. 방사선 감지 물질 층에 의해 적어도 부분적으로 도포된 기판을 제공하는 단계;
    방사 시스템을 이용하여 방사 투영 빔을 제공하는 단계;
    투영빔에 패터닝된 단면을 제공하는 패터닝 수단을 이용하는 단계;
    방사 감지 물질 층의 타겟부상으로 패터닝된 방사빔을 투영하는 단계; 및
    격리된 기준 프레임을 제공하는 단계를 포함하여 이루어지고,
    지지 구조체, 기판 테이블 및 격리된 기준 프레임중 하나를 지지 부재의 지지 방향에 실질적으로 수직인 수직방향으로 유한 강성을 가진 지지 부재로 지지하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  23. 제 22 항의 방법에 따라 제조된 디바이스.
KR1020010019538A 2000-04-17 2001-04-12 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및 그 제조방법에 의해 제조된 디바이스 KR100592573B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100585474B1 (ko) * 2000-11-30 2006-06-02 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스
KR20110098734A (ko) * 2008-12-11 2011-09-01 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 투영 노광 장치에서의 광학 요소에 대한 중력 보상

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6246204B1 (en) * 1994-06-27 2001-06-12 Nikon Corporation Electromagnetic alignment and scanning apparatus
US20030155882A1 (en) * 2002-02-19 2003-08-21 Nikon Corporation Anti-gravity mount with air and magnets
US7239369B2 (en) 2002-09-30 2007-07-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4175086B2 (ja) * 2002-10-29 2008-11-05 日本電気株式会社 検査用ウエハ支持装置及び検査用ウエハ支持方法
JP5041810B2 (ja) * 2003-09-12 2012-10-03 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学素子操作装置
US7156174B2 (en) * 2004-01-30 2007-01-02 Halliburton Energy Services, Inc. Contained micro-particles for use in well bore operations
KR20070039926A (ko) * 2004-07-23 2007-04-13 가부시키가이샤 니콘 지지 장치, 스테이지 장치, 노광 장치, 및 디바이스의 제조방법
US7394076B2 (en) 2004-08-18 2008-07-01 New Way Machine Components, Inc. Moving vacuum chamber stage with air bearing and differentially pumped grooves
US7462958B2 (en) * 2004-09-21 2008-12-09 Nikon Corporation Z actuator with anti-gravity
US20060061218A1 (en) * 2004-09-21 2006-03-23 Nikon Corporation Dual force wafer table
US7869000B2 (en) * 2004-11-02 2011-01-11 Nikon Corporation Stage assembly with lightweight fine stage and low transmissibility
US7417714B2 (en) * 2004-11-02 2008-08-26 Nikon Corporation Stage assembly with measurement system initialization, vibration compensation, low transmissibility, and lightweight fine stage
JP2006140366A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Nikon Corp 投影光学系及び露光装置
US7193683B2 (en) * 2005-01-06 2007-03-20 Nikon Corporation Stage design for reflective optics
US7459260B2 (en) * 2005-03-29 2008-12-02 Intel Corporation Method of reducing sensitivity of EUV photoresists to out-of-band radiation and EUV photoresists formed according to the method
US7999910B2 (en) * 2005-04-27 2011-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for manufacturing a mask for semiconductor processing
US20070236854A1 (en) * 2006-04-11 2007-10-11 Lee Martin E Anti-Gravity Device for Supporting Weight and Reducing Transmissibility
US7642523B1 (en) * 2006-05-02 2010-01-05 New Way Machine Components, Inc. Vacuum chamber stage with application of vacuum from below
EP1882983A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-30 Carl Zeiss SMT AG Gravity compensating support for an optical element
US8282281B2 (en) * 2007-02-14 2012-10-09 Integrated Dynamics Engineering Gmbh Air bearing with consideration of high-frequency resonances
EP2034593B1 (de) * 2007-09-10 2016-07-13 Etel S. A.. Senkrechter Stellantrieb mit Mitteln für die Kompensation der Schwerkraft
US9422978B2 (en) * 2013-06-22 2016-08-23 Kla-Tencor Corporation Gas bearing assembly for an EUV light source
JP6563600B2 (ja) * 2015-11-23 2019-08-21 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 振動絶縁デバイス、リソグラフィ装置、および振動絶縁システムを調節する方法
DE102015225537B4 (de) 2015-12-17 2019-11-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Ausrichtung eines Bauteils, Betätigungseinrichtung und Projektionsbelichtungsanlage
US11249403B2 (en) 2017-08-08 2022-02-15 Asml Netherlands B.V. Vibration isolation system and lithographic apparatus
WO2019096644A1 (en) * 2017-11-14 2019-05-23 Asml Netherlands B.V. Object stage bearing for lithographic apparatus
US11915863B2 (en) 2019-02-01 2024-02-27 Zaber Technologies Inc. Adjustable magnetic counterbalance

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4349244A (en) 1980-04-23 1982-09-14 Jenoptik Jena Gmbh High quality objective using air bearing
JPS6232613A (ja) 1985-08-05 1987-02-12 Canon Inc 投影露光装置
US4818838A (en) 1988-01-11 1989-04-04 The Perkin-Elmer Corporation Apparatus for preselecting and maintaining a fixed gap between a workpiece and a vacuum seal apparatus in particle beam lithography systems
US5523193A (en) * 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
DE59105735D1 (de) * 1990-05-02 1995-07-20 Fraunhofer Ges Forschung Belichtungsvorrichtung.
JP2652263B2 (ja) * 1990-07-13 1997-09-10 キヤノン株式会社 物体移動装置
NL9100202A (nl) 1991-02-05 1992-09-01 Asm Lithography Bv Lithografische inrichting met een hangende objecttafel.
JP3182158B2 (ja) * 1991-02-25 2001-07-03 キヤノン株式会社 露光装置用のステージ支持装置
NL9100421A (nl) * 1991-03-08 1992-10-01 Asm Lithography Bv Ondersteuningsinrichting met een kantelbare objecttafel alsmede optisch lithografische inrichting voorzien van een dergelijke ondersteuningsinrichting.
US5229872A (en) * 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US5337560A (en) 1992-04-02 1994-08-16 Abdelmalek Fawzy T Shock absorber and a hermetically sealed scroll gas expander for a vehicular gas compression and expansion power system
JP3255707B2 (ja) * 1992-06-02 2002-02-12 日立建機株式会社 微細位置決め装置
JP2881363B2 (ja) 1993-02-02 1999-04-12 キヤノン株式会社 平行移動装置およびレンズ移動装置
JPH08229759A (ja) 1995-02-24 1996-09-10 Canon Inc 位置決め装置並びにデバイス製造装置及び方法
TW316874B (ko) 1995-05-30 1997-10-01 Philips Electronics Nv
JP3634483B2 (ja) * 1996-02-13 2005-03-30 キヤノン株式会社 ステージ装置、及びこれを用いた露光装置やデバイス生産方法
JP4075966B2 (ja) * 1996-03-06 2008-04-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 差分干渉計システム及びこのシステムを具えたリソグラフステップアンドスキャン装置
JPH09289155A (ja) * 1996-04-19 1997-11-04 Nikon Corp 走査型露光装置
DE69817750T2 (de) 1997-07-22 2004-07-01 Asml Netherlands B.V. Stützvorrichtung mit gaslager
US6459472B1 (en) * 1998-05-15 2002-10-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic device
JP2000031007A (ja) * 1998-07-08 2000-01-28 Nikon Corp ステージ装置及びそれを用いた光学装置
EP0973067A3 (en) * 1998-07-17 2001-10-24 ASM Lithography B.V. Positioning device and lithographic projection apparatus comprising such a device
TWI242113B (en) * 1998-07-17 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Positioning device and lithographic projection apparatus comprising such a device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100585474B1 (ko) * 2000-11-30 2006-06-02 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스
KR20110098734A (ko) * 2008-12-11 2011-09-01 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 투영 노광 장치에서의 광학 요소에 대한 중력 보상

Also Published As

Publication number Publication date
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US6747731B2 (en) 2004-06-08
JP2002025903A (ja) 2002-01-25
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DE60132944T2 (de) 2009-02-19
US20040001188A1 (en) 2004-01-01

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