TW509823B - Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby - Google Patents

Description

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本發明係關於一種微影投射裝置；其包含 -一放射系統以供應投射之放射光束； -一支撑結構以支撐定型樣裝置，該定型樣裝置根據 型樣投射光束定型樣； -一基材台以固著一基材；及 -一投射系統以將具型樣光束投射到基材_目標區。 本文所用π定型樣裝置"一詞應作廣義解釋，直代表浐夠 賦予一進入放射光束具型樣剖面之裝置，其對應於該 基材一目標區產生之型樣；"光線閥"一詞亦可於本文同樣 使用。一般而言，該型樣將對應於在目標區欲產生元件之 一特定功能層，例如在積體電路或其它元件 種定型樣裝置範例包括： -一光罩。光罩的概念在微影界已廣為熟知，其包括光罩 型式如二元，交互相—轉移，以及衰減相-轉移，以及不同 之混合光罩型<。對放射光束置放此種光罩，可使撞擊在 之放射選擇性傳送（以傳送光罩為例）或反射（以反 f =為例）如光罩之型樣。以光罩例而τ，該支標結構 為=罩台，其確使該光罩固著在射入放射光束所欲位 置，且其可在需要時相對光束移動。 j扭式鏡面陳列。士卜分/生 ^ ^ ^ ^ , 此兀件之一例為一具有黏彈性控1 面之基材可作用表面。此種裝置之基本原理^ i言）反射表面可作用區將射入光線反射成散射3 ^ ^ 用區反射入射光線為未繞射光線。在使用適^ 應器下，該未繞射光線由反身丨丨‘· 509823 五、發明說明（2) 線；依此裝置，該光束會如基材可作用表面作用之型樣而 定型樣。所需基材作用可利用適當電子裝置進行。關此 種鏡面陣列更多資料，可由例如美國專利字號$ ’ 5,296,891號及US 5,523，ί93號得到，其於本1 考。在可程式鏡面陣列例中，該支撐結構可W , 例如，可以視需要而固定或移動者。 ”、、条或口 -一可程式LCD陣列。其構造一範例見於 US 5,229,872號中，並於本文併A 、國專利子號弟 Φ * #嫵n 4 7,，、於本文併為參考。如上所述，此例 者。 系或台其可視需要而固定或移動 為簡明故’本文以下草此邱、 之笳你丨·妒而卢、丄L 系二⑷伤僅針對使用光罩反光罩台 之粑例，然而在這些例中一 兀平 述之定型樣較廣泛内容。σ 〇 瓜原理，應被視為如上 舉例而言，微影投射奘處m 上。此例中，該定型在積體電路(iCs)製作 路型樣，且此型樣可印^ ^產生對應於該IC各別層之線 如包含一或多模），其、、 基材（碎晶圓）上目標區（例 一般而言，單一曰圓 塗覆一層放射感應材料（抗體）。 口 "T* 曰曰圆一攻,

近目標區完整迴路。利二3由投射系統連續照射之鄰 有裳置上，則可在兩不罩於光罩台上之定塑樣的現 微影投射裝置之一種型式5式機械間可完成兩不同者。在 部光罩型樣於目標區而=昭紅各個目標區一次由曝露該全 跡器。另一種裝置一通#二射；此種裝置一般稱為晶圓印 標區係以投射i束持二二稱，印跡一及一掃描裝置一各S 、、 參考方向（M掃描，，方向）掃描該 509823 五、發明說明（3) 時：平行或反平行此方向掃描該基材 ’掃描基材台之；度;會\射掃〜統會有-放大帽通常⑴ 所述之微影穿晉可力 、，田光罩台之Μ次倍。關於此處 得，其於本文併為參^如果國專利號第6, 046, 792號中獲 使用微影投射裝置之製 光罩者）印像到至少邱广出_方法中，會以一型樣（例如在 之基材。在此印像步驟77之前層放射感應原料（抗體）覆蓋 例如上底漆，抗體冷m 。土材已進行過各種處理， 基材可能微棋烤過程。在曝光後，該 充份烘烤，以^ I 曝露後烘烤（ΡΕβ)，顯影， r二:型:==像:檢視。此系列處理 屬各種加工，例如银刻，離子植入(掺入），金 化學機械抛光等等，全為完成…層。若 ΐ重^進三則ί部處理中’或部份變化修改者，需對各新 :ίί終可在基材（晶圓）上產生-系列元件，這 二兀牛再以切方體或鋸片技術相互分離，由此各元件可 裝在-載體或聯接到針點等等。有些此種方法其它資料， 可由例WMlcrochiP Fabrication: A Practical Guide to Senuconductor Processing”，第三版，peter _

Zant所著，McGraw Hill出版公司1 997出版，ISM 0-0 7-0 67250-4之書中獲得，其於本文併為參考。 為簡明故，該投射系統在以下稱為"透鏡"；然而此一用 詞應被視為廣泛包含各種投射系統形式，包括繞射光學，

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^射光學，以及折射及反射系統等等。此放射系統可亦包 含依據任何對放射投射光束導向，成型，或控制型式設計 而π操作之組件，而此類組件在以下亦可總體性或各別性稱 為’’透鏡”。此外，該微影裝置之型式，亦可為具二或更多 基材台者（及/或二或更多光罩台者）。在此種"多級式"元 件:，該額外台可平行使用，或是當一或多台在曝光時， =一或多台進行預備步驟。雙級微影裝置在例如美國專利 字號第5, 969, 441號及W0 98/4079 1號均有敘述，其於本文 併為參考。

在微影裝置上，可印像在晶圓之形狀大小，受到該投射 ，，波長限制。為製造元件具高密度之積體電路，以及較 作速度，需要能將較小形狀印像。雖然目前大多數微 影投射裝置使用水銀燈或準分子（excimer)雷射產生之紫 外光’然亦已有建議使用約丨3 nm之較短波長放射。此種 放射稱為極紫外光（EUV)或軟χ_光，可能之光源包含雷射 生成之電漿源，排放電源，或電子儲存環之同步放射。使 用同步放射之微影投射裝置之概要設計見述於

Synchrotron radiation sources and condensers for

Projection x-ray iith〇graphyn， jb Murphy 等人， Applied Optics 32冊24 號，6920 - 6929 頁（ 1 993 )。 其它建議放射型式包括電子束及離子束。這些光束與 EUV同樣需要在光束路徑，包括光罩，基材，以及光學組 $均在高度真空。這是為避免光束被吸收及/或散射，而 ”對此類帶電粒子束的要求總壓力，通常需要低於約丨〇_6

第9頁 509823 五、發明說明（5) mUl iba]^當表上沉積有碳層時，晶圓會受污 v 放射之光學元件可能毀壞，這表示通常步 :^ 八^ 下通吊需要令碳氫化合物 ==保持在低於1〇-8或10-9 millibar。否則對使用EUV放射 置而言，總真空壓力僅需娜或1〇-4 mbar，此點通常 被視為普通真空。有關微影利用電子束其它資料，可由例 如杲國專利字號第5, 079, 1 22號及第5, 26〇, 151號，盥 EP —A-0 965 888號中取得，其於本 :;高真空作業，對於必須置於真空及真空室封 2甚不易條件’尤其是在該裝置任何部份㈣，又必須 =外=入室内組件產生動作者。對室内組件而言，應使 二：㈣小或去除污染，以及全部除去氣體，包括本身氣 體及附於供表面氣體去除之原料。 ^某些應用方面，需要重力補償器以加諸一斜向力，其至 支撐物件重量應對作動，且該補償器可充份 :避免在支撐方向震動之傳遞。該物件高度可由馬達變 旦哺ί ^ ΐ力補侦器可免除馬達提供力量克服重量，使能 ί加熱能夠相當程度的降低。然而，此種重力 =工作原理為已知，但其在真空環境下的應用 ΐ:: =宜、，因為自重力補償器逸出氣體的可能性會 ‘水平心二為避免水平方向震動傳遞，已知是利用具 Γίΐ::;支撐裝置’例如氣動重力補償器。自水 十氣體轴承流出的氧體 π $ + Wη 可嚴重破壞真空。上述之支撐裝 一 973 °67號，其於本文併為參考。 本^明-目的，在於提供一種支撐裝置，其不需氣體轴

509823 五、發明說明（6) 承及氣體供應 目的，在於提 配合被支撐物 傳遞到該物件 根據本發明 成’其包含： 一一提供放射 一一支樓定型 所需型樣以對 一一固著基材 一投射糸統 其特徵在於 ~ 一支撐裝置 以避免在水平方向震動的傳遞。本發 供一種用於微影投射裝置之支撐裝置 件在水平平面之移位，由此充份的避 ，且其可於真空室内使用。 ’以上及其它目的可由一微影投射裝置達 明另一，其可 免震動 向之垂 本發 裝置之 室，壓 平行於 置，其 間間隙 根據 驟為： 一提供 一以一 直方向 明另項 壁之真 力室内 支撐方 構造與 抽出流 本發明 至少部 放射系 投射光 樣裝置 投射光 之基材 ，其用 該裝置 ，其包 有限硬 具體實 空室， 氣體作 向作用 安置裝 向真空 另項特 束之放 之支撐 束定型 台； 以投射 尚包含 含.具有 度之支 例中， 其中該 用在可 力產生 置為自 室之氣 色，提 射系統； 結構，該定型樣裝置用以根據 樣； 該定型樣光束於基材目標區； 直於一支摟元件支撐方 實質垂 撐元件 該裝置 支撐裝 移動元 應對動作，以及一抽真 介於該可移動元件與軸 體。 供一種製造元件方法，包含步 尚包含具有封密 置尚包含一充氣 件，以至少部份 該支樓 壓力 對實質 空裝 承表面 份由放射感應材料層覆蓋之基材； 統提供一放射投射光束；

第11頁 509823 五、發明說明（7) 一利用定型樣裝置以賦予該投射光束在剖面一型樣； -投射該放射定型光束於該放射感應材料層目標區；及 - 提供一種隔絕參考架 特徵在於 以 — 在，、貝質垂直於支撐元件支撐方向之垂直方向且 支撐元件支撐著支撐結構，基材台及該隔絕參 雖然在本文中使用根據本發明裝置之特定例可 ，，咸應認知此種裝置仍具許多其它可能應用。二衣: 曰，/、可用於製造積體光學系統，導 :域記憶體，液晶顯示幕，薄膜磁頭以等侦; "Λ知，在,這些它種應用内容上，任何使用的、"標、:片 日日固或模”等詞，在本文中夂别丨、；Α ^ ”基材"及"目標區"代表 較一般用詞"光罩'，， 放射'中包：3外及後等詞用於包含各種型式的"電磁 〇1126 1 I外線放射（例如波長為365，248 193 157 或2“m)_v(極紫外 波=1 3 157 乂’：及粒子束，例如離子束或電;ί長乾圍在5， 本务明及其優點可藉範 闡明，其中： 八體貝例及所附圖之助更易 圖1為根據本發明一項具 圖2為根據本發明之一錄^ f j之微顯投射裝置； 圖3為根據本發明之抽氣裝置的部份； 為以鉸鏈聯於硬桿之物質之代表圖；及 五、發明說明（8) 圖4b為一以鉸鏈聯 圖RW y'軟杯之物質之代表圖。 圃b為根據本發明且 者 圖β兔钿Μ B /、體貝例2之短行程定位裝置部份。 圖6為根據具體實例3 ^1 t # ^ ^ ^ ^ ^又杈展置之代表圖。 且：：二形狀為同樣參考代號表示。 1.體實例1 圖1為根據本發明—涵4全^ n A & 呤驻里—a n 項特疋具體實例之微影投射裝置。 孩裝置包含： ϊ?πν^ Ϊ放射系統EX，IL，提供放射投射光束PB(例如訂或 EUV放射，雷早疣輪上、 4 ^ ET 成離子）。此項特例中，該放射系統亦包含 一敌射源LA ; -本物件台（光罩台）MT，具有—光罩固著器以固著 例如標線片），並聯結到一第一定位裝置以精確 相對於PL項定位該光罩； I 第物件口（基材台）WT，具有一基材固著器以固一 基材W(例如以抗體塗覆石夕晶圓），並聯接到一第二定位 置以精確相對PL項定位該基材； 衣 • 一投射系統（”透鏡”）PL(例如一繞射或折射和反射系 ，，-鏡面群或-地域反射器陣列）以令光罩隐照射部份 卩像於基材W目標區c(例如包含一或多模者）。 此處所述裝置為-種反射式（亦即具有反射光罩）。 -般而言’亦可為如繞射式（具有傳送光罩）。此外該；： 5可利用它種定型樣裝置’例如上述型式之可程式鏡面5 該光源LA(例如以一種準分子雷射，一種波動器，或— 509823

種搖動器提供在貯存環或同步器電子束途徑附近，一產生 雷射電漿源，-放電源或-電子或離子束源）產生一放射 光束。此光束供入一照明系統（照明器）IL·，或為直接或經 過橫向調整裝置，例如一種光束放大器等）。該照明器可二 包含調節裝置以設定光束密度分佈之外及/或内徑向程度 (一般各別稱為σ -外侧及σ —内侧）。此外，其一般會包含 各種它種組件，例如整合器及凝結器。依此叢置，該撞擊 光罩ΜΑ之光束ΡΒ在剖面具所需之均勻及密度分佈。 參考圖1應可得知，光源LA應可在該微影投射裝置（當多 ，例中以水銀燈為光.LA時）外殼内，然其亦可遠離該微+ 影投射裝置，其產生之放射光束被導向該裝置（例如以適 合=向鏡面之助）；此後者安排裝置通常是在當光源以為 準分子雷射例中。本發明及申請專利範圍包含以上兩種 排裝置。 光束PB接著攔截該光罩―，其固著在光罩台MT。該光束 PB由光罩MA反射後，通過透鏡pl，其令光罩pb集焦在基材 W目標區C。藉第二定位裝置之助（以及干擾測量裝置丨F)， 该基材台WT可精確移動，例如令不同目標區c定位在光束 PB途徑。同樣可以第一定位裝置精確令光罩“相對於光束 PB途徑定位，例如在以機械力令光罩自一光罩侧移出， 或在掃描之中。一般而言，物件台MT，WT的移動，可藉一 長行程模組（粗定位）及一短行程模組（微定位）進行，見圖 1所示。然而在晶圓印跡器例中（相反於印跡及掃描裝 置）’該光罩台MT可能僅聯在短行程制動器，或為固定。

第14頁 509823 五、發明說明（ίο) 所述裝置可依兩種不同模式使用： 1·在印跡模式，該光罩台mt保持實質固定，以整個光罩 型樣於一次（亦即一次"閃光"）投射在一目標區C。其後該 基材台WT在X或y方向移動，以令不同目標區C可由光束ΡΒ 放射； 2·在掃描模式，實質上裝置相同，唯以一特定目標區C不 曝露在該單一”閃光”。相反的，該光罩台MT在一定方向可 以V速度移動（或稱"掃描方向"，例如y方向），以造成投射 光束Ρβ掃描一光罩型樣；同樣的，該基材台WT同步以V = Mv 速度在同方向或相反方向移動，其中Μ為透鏡pl之放大率 (一般為M = 1/4或1/5)。依此裝置，可曝露相當大目標區 C，不需犧牲解析度。 所示具體實例利用一種EUV放射之投射系統，並由此提 供有真空環境，或室，1〇，因為大多數氣體吸收EUV放 射。 圖2所示為聯結基材台ψτ短行程定位裝置之部份，該定 位方位裝置用以令基材(圖2未示）相對投射系統PL作精細 定位。該所示構造底部，或足部，2 2聯結到一長行程定位 裝置（圖上未示）以令基材台WT相對於投射系統PL作粗定 位。此足部2 2能在底板BP (圖1所示）移動。該圖2所示構造 係安裝在真空室1 0。 基材台WT可相對底部22改變高度，藉所謂Lorentz-力馬 達型式之短行程馬達30之助完成。圖2所示包含改變高度 之一種Lorentz -力馬達，且包含一永久磁鐵31系統，其安

第15頁 509823 五、發明說明（11) 裝以具同樣磁性方位，以及一電導體3 2系統，其可帶電流 產生在垂直Z-方向的Lorentz力。以改變基材台WT及底部 22間距離。一般而言，係提供一組以上的L〇rentz—力馬達 於垂直方向。磁鐵31系統固定在基材台WT，而電導體3 2系 統固定在底部22。其它Lorentz-力馬達（圖上未示）相對於 底部22在水平位移，傾斜，旋轉基材台WT方向。L〇rentz-力馬達尺寸需選擇勿使一組L〇renfZ-力馬達在選擇之位移 短行程範圍内阻礙到另一組L〇rentz_力馬達。 另以一支撐裝置，或重力補償器，4〇提供作為實質支撐 基材σ WT相對應底部22重力。Lorentz-力馬達3〇由此解開❹ 產生此支撐力，其可在導體32造成高能量消散。一般會使 用一個以上重力補償器。 殼41， 或支撐 塞43通 置G(圖 設定壓 塞43底 殼41内 力，以 實質為 其具有壓力室42，及活 方向，相對於該外殼。 過桿5 0聯接到基材台 上未示）經管道44為流 力氣體。依此裝置，可 面43a之氣體壓力產生 之支撐活塞43。該氣體 使氣動支持力可相對重 固定，不受活塞43在垂 重力補償器40包含柱狀外 塞43 ,其以軸頸式在垂直， 外殼41固定在底部22，而活 訂壓力室42與氣體供應裝 體交通，以在壓力室提供預 藉在壓力室42内且作用於活 氣動支撐力以垂直支持在外 供應裝置調整壓力室42内壓 力支撐基材台WT。該支撐力 直Z方向位置而變化。 其匕長行程及短行程定位 考歐洲專利申請字號第EP 0 裝置及重力補償器細節，可參 973 0 67號，其於本文併為參

五、發明說明（12) 考。 氣體有可能經由活塞43與柱 力室42逸出，進入真空室1〇，二卜= _自遷 空。外殼41内壁係作為活塞43 ^壞室之真 ，真空室Η，在重力補償器4。提供J:氣=免氣體逸 ，塞43内壁上。軸，_經管二抽：：，m在 以(圖上未示)及-貯猶(圖上未二以到-?抽氣。自外殼41及活塞43間間隙45逸出)：2及間隙 自溝60a，60b逸出到貯槽Ra真空；匕而實質 f Tk供更多數真空溝，各溝在朝向二：¾ 成較低壓力程度，亦即較高真空程度。一至方向上，抽 如圖2所示，在外殼41内壁及活塞43 『。避=體轴承提供活塞43在外殼41内、 bar壓力氣體經管71送入氣體供應(；到間隙45，= 。數 軸承7〇。溝60b係提供在氣體軸承彎邊，以 立氣體 進入氣體，避免氣體進入真空室1〇，提 出自，_ 70。在所示具體實例中，氣體轴承設定為㈣體轴承 另項具體實例中，可以不同管71設定為不同壓力l然於 可使用兩只以上或僅一只氣體軸承。 此外， 圖3所示為空氣軸承7〇及抽氣溝6〇3， 6〇b之細節。处友 轴承70可設壓力在6 bar，而溝_容許氣體逸到 ^氣 下之貯槽R。真空溝6〇a係聯到一真空泵p(圖上未示）乳堅^力

H乳使壓力程度為丨.5 mbar。氣體軸承70與溝60b間， ' 及溝60a，以及溝60a與真空室間間隙長度為5_1〇 :，寬度在2-25 p，可容許5x 1〇-7 mbar真空度到達 圖3亦顯示另只真空果？2聯到另條真空溝6〇c，以': 真空室1 〇得到更高真空度。 在 桿50聯接活塞43到基材台WT，並容許上部在水平χγ_ 亦在垂直支撐方向。桿5°構造係為能夠穩定支撐 =^wt.，但容許水平平面上的位移，且在水平方向不會 :之於該基材台。因此在水平平面對基材 。之震動傳遞可大篁避免。圖“及41)更說明上述對 之 要求。 物質Ml由硬質桿Rdl支撐，其為以鉸鏈速在物質…，支 fS1因文到沿垂直支撐方向重力，而在當物質Μ1不是 確定位在桿Rdl支撐對支撐表面§1聯接處正上方時，亦 即當Ml相對V有偏移時，在水平平面作用一力以在某些支 撐S2，產生重力平衡狀態。此情形如圖仏所示。彈性桿 固著於物質M2及支樓表面Si兩者，會在當M2偏離 ^直於水平平面對物質M2作用一力F2，而M2之底面 保持=行支撐表面si，如圖4b所示，以使在彈性桿Rd2作 用考曲力距。然而如參考圖4a，物質M2亦對桿桿Rd2作 ^力FI，F1力與F2力相反。該桿Rd2構造可為使至少部 伤力F1及F2相互抵銷。物質M2則可安定平衡在桿Rd2，並 可在^直V周圍之χγ-平面位移，不會在物質M2上作用明顯 的力里。因此該作用於平行支撐方向重力，對桿5〇提供所

509823 五、發明說明（14) 謂的”負硬直度π 。 圖2桿50構造為在垂直於支撐方向具硬直度，故可應用 於圖4b所述情況。該桿可由在長度具均勻硬直度之實體材 料製成，然該桿亦可包含（如圖2所示）一硬度中間部5 1及 兩彈性部52。一彈性部堅硬固著於活塞43，而另一彈性部 堅固著於基材台W T。彈性部份之彈性，長度，以及剖面， 需選擇為配合桿50所選長度及基材台WT之質量，以使維持 圖4 b所述情況。 具體實例2 圖5所示為依據第二項具體實例之支撐裝置4〇，其中桿 5 0為空心。通過空心部份為一條管，管中通過例如一液體 (例如冷卻水）或一電氣或訊號接點到基材台WT。一般管所 用材料會在真空環境下傾向放出不欲之污染物。此處建議 之安排裝置可避免此種污染。 - 具體實例3 圖6所示為根據本發明第三項具體實例之裝置4 〇。此第 三項具體實例中，在聯結長行程定位裝置之支撐上部2 2的 下方’提供被支撐光罩台MT。第一項具體實例中所述各種 組件亦存在於圖6。圖中更顯示出該管6丨係個別不同於桿 而提供。提供有一風箱6〇，管61由此通到光罩sMT。風 箱6 0及管6 1兩者在水平方向提供額外硬直性。為補償此額 外硬直性以及提供可調節之負硬直性，故提供在沿支撐方 向可產生可調整力AF之裝置。藉著例如使用（可調整）彈簧 或藉加入空氣壓力，AF力可由在光罩台MT加上一（額外）物

第19頁 509823 五、發明說明（15) 質而完成。 以上雖已揭示本發明特定具體實例，咸應認知本發明可 以不同所述裝置操作。以上所述内容並非限制本發明。舉 例而言，本發明雖以晶圓或基材台參考說明，然其亦可應 用於光罩台，反之亦然。

第20頁 509823 圖式簡單說明

第21頁

Claims (1)

1. 509823 -------------— 六、申請專利範圍 _____________ ； 1· 一種微影投射裝置，其包含： 一一放射系統，以供應投射之放射光束； 一一支撐結構，以支撐定型樣裝置，該定型樣裝置根 據所需型樣投射光束定型樣； —一基材台，以固著一基材； —一投射系統，以投射該定型樣光束到基材之一目標 區’ 其特徵在於該裴置尚包含： 一一支撐裴置，其包含在實質垂直於支撐元件支撐方 向之垂直方向有一定硬度之支撐元件。 ¥ 2 · t申請利範圍第1項之裝置，其中該支撐元件之硬直 度為當支撐元件在垂直方向變形產生之該支撐元件垂直方 向變形力’實質應對作用在實質平行於支撐元件支撐方向 產生於垂直方向之相反位移力。 3·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該支撐元件 -桿。 4 ·如申請專利範圍第3項之裝置，其中該桿包含一硬 邛份及一彈性部份。 、

   5 ·如申請專利範圍第丨項之裝置，其中該支撐元件提供 有一中空部份。 6 ·如申請專利範圍第5項之裝置，其中於該中空部份設 置一管通過。 t申請專利範圍第1項之裝置，《中另設有-裝置以 /σ克撐方向施加外力在支撐元件上。

   第22頁 509823 六、申請專利範圍 8·如申請專利範圍第i項之 ^〜 容該二二具〜 至少部份應對實質平哕 移動元件，估 抽氧駐番甘仃該支撐方向力而作用，Λ 使 ' 、 ^構造及安排為可抽Λ ϋ π -Γ 表面間間隙朝向該真空室之氣體了抽出通過可移動及料承 9·如申請專利範圍第8項 接到該可移動元件。 、、，/、中該支撐元件係聯 10·如申請專利範 ' 含一軸承以承受可移件=,其中該支撐裝置尚包 表面間間隙，該轴；=:氣=住可移動元件及轴； :隙，由此產生作用力傾向提 面，且該抽氣裝置提供在沿可:移t疋，运離轴承表 空室之間，以自間隙移出氣體。兀件之虱體軸承及該真 八11 ·如申請專利範圍第丨0項之裝 3在界定間隙一表面上之 t置，其中該氣體轴承包 力下之氣體到該長溝。 / ’而供應氣體裝置供應受壓 I2·如申請專利範圍第8項之 一管裝置以在該間隙及至少_懕f，其中該抽氣裝置包含 於欲自該間隙移出氣體者之師；^高於該真空室者而低 13.如申請專利範圍第12項之曰間“流體交流。 至少—長溝於界定間隙之一表面'置，其中該管裝置包含 如申請專利範圍第8項之署 3官裝置以在該間隙及至少—;置，其中該抽氣裝置另包 〜t果間提供流體交流。

   mm 第23頁 ’、申睛專利範圍 1 5 ·如申請專利蔚图筮 至少一長直处意於π — 員之裝置，其中該管裝置包含 长具工溝於界定間隙之一表面。 1 6·如申請專利範圍第 # ψ ^ ^ ^ ^ ^ > 具工溝於界定間隙之一矣而，梦直*、签丄t 仃，且各朝向該真空室瀵#直办表面該八工溝大致平 1 7 &由咬奎溝被真空泵抽向更高真空。 含-活塞，以軸頸結合在且：5 ’，、中该：移動元件包 内壁以提供軸承表面。八 氧壓力室之外殼，一外殼 1 8·如申請專利範圍第1項之 甘士 β 士〜 排為支樓該支撐結構及該基材^之丄’。、“ #裝置係安 1 9·如申請專利範圍第1項之 ^ ^ ^ ^ 抓住光罩之光罩台。 、ι置，/、中以支撐結構包含 2 〇 ·如申請專利範圍第1 Jg 隔絕參考架，而該支撐裝置安|其裝置尚包含一 21·如申請專利範圍第1 甘击兮必 -放射源。 $項之裳置，其中該放射系統包含 2 2. — β種製造裝置之方法，其包含步驟為·· -提供一種至少部份由放射感應原料層覆蓋之基 —提供利用一放射系統之放射投射光束； ， 利用定型樣裝置在投射光束剖面賦予型樣； 區 —投射該定型樣放射光束在該放射感應材料層目栌 及 示 提供一隔絕參考架 特徵在於

   第24頁 509823 六、申請專利範圍 -以在對實質垂直支撐元件支撐方向為垂直方向，具 有一定硬直之支撐元件，支撐該支撐元件，該基材台，及 該隔絕參考架之一者。 23. —種根據申請專利範圍第22項之方法所製造之裝 置。

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