KR20010093247A - 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체의 교정방법 및 동교정장치 - Google Patents

스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체의 교정방법 및 동교정장치 Download PDF

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Abstract

스퍼터링 타겟트와 백킹 플레이트를 접합한 조립체를 진공흡인하여 교정하는 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체의 교정방법에 관한 것이다. 타겟트 특히 세라믹 타겟트의 제조공정에 있어서, 스퍼터링 타겟트와 백킹 플레이트와의 접합공정에 있어서 발생한 휘어짐이나 변형 등의 뒤틀림을 교정할 때에, 스퍼터링 타겟트에 걸리는 가압력을 균등하게 하는 수단에 의해, 균열을 발생함이 없이 타겟트의 휘어짐 등의 뒤틀림을 효과적으로 교정하는 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체의 교정방법 및 동 교정장치를 얻을 수 있다.

Description

스퍼터링 타겟트 / 백킹 플레이트 조립체의 교정방법 및 동 교정장치{CORRECTION METHOD AND DEVICE FOR SPUTTERING TARGET/BACKING PLATE ASSEMBLY}
최근 반도체 장치나 각종 전자기기 등의 박막의 형성에 스퍼터링이 사용되고 있으나, 생산성 향상을 위해 보다 고속으로 스퍼터링하는 것이 행해지고 있다.
상기 스퍼터링법은 주지한 바와 같이, 하전(荷電) 입자를 타겟트를 향하여 조사(照射)하여, 그 입자 충격력에 의해 타겟트로부터 입자를 튀어나오게 하여, 이것을 타겟트에 대향(對向)시킨 예컨데 웨이퍼 등의 기판에 타겟트 재료로 구성되는 물질을 중심성분으로 하는 박막을 형성하는 성막(成膜) 방법이다.
타겟트는 스퍼터링 중에 하전입자의 대량의 충격을 받기 때문에 차츰 타겟트의 온도가 상승한다. 이 때문에 타겟트를 냉각시킬 필요가 있으며 대부분은 타겟트의 이면(裏面)에 순동이나 동 합금 등의 열전도성이 좋은 재료(백킹 플레이트)를 납땜,확산 접합, 압착, 앵커효과를 이용한 접합 등의 수단에 의해 접합하며, 또한 이 백킹 플레이트를 외부로부터의 냉각수단을 통하여 냉각하여 스퍼터링 타겟트의 열을 흡수하도록 하고 있다.
상기한 바와 같이, 스퍼터링 타겟트를 백킹 플레이트에 접합하는 경우에는 각종 접합 방법에 있어서 적정온도까지 가열할 필요가 있으며, 접합한 후에는 냉각되어진다. 이러한 접합시의 가열냉각과정에서 받는 열 영향에 의해, 타겟트와 백킹 플레이트와의 열 팽창율의 차이로 인한 휘어짐이나 변형이 일어난다고 하는 문제를 발생시킨다.
일단, 휘어짐이나 변형이 발생한 경우에는 그것을 교정하지 않으면, 스퍼터링 장치내에 정확하게 세트되는 것이 곤란하게 되며, 또한 스퍼터링 조작 중에 냉각이 한편으로 치우쳐 균일한 냉각이 행해지지 않는다고 하는 문제가 발생하였다.
이 때문에, 휘어짐 등이 발생한 타겟트를 회복해야 할 필요가 있지만, 타겟트는 대형일수록 변형의 비율이 크고, 휘어짐의 회복작업 중에 타겟트가 균열(龜裂)한다고 하는 문제도 발생하였다.
또한, 휘어짐 등의 회복이 적정하게 행해지지 않는 경우에는, 상기와 같이 스퍼터링 중에도 가열되기 때문에 그 열적 응력과 내재(內在)하는 변형(뒤틀림)이 복합(複合)함에 의해서 스퍼터링 타겟트에 균열이 발생하는 경우가 있다.
이러한 경우에는 스퍼터링 타겟트가 균열되는 순간에 다량의 파티클(particle)이 발생하여, 막(膜)이 불량이 되거나, 스퍼터링 타겟트가 결락(缺落)하여 스퍼터링의 계속이 불가능하게됨과 동시에, 스퍼터링 장치에 막대한 손상을 준다고 하는 큰 문제가 일어나는 경우가 있다.
스퍼터링 타겟트 재료의 종류에서 보면, 세라믹 타겟트는 취성(脆性)재료로서 열팽창율이 작고, 순동이나 동 합금 등의 백킹 플레이트 재료와의 열 팽창율의 차가 큰 재료이기 때문에, A1 이나 Ti 등의 금속 타겟트 보다도 휘어짐 또는 균열이 발생하기 쉽다.
이러한 문제를 해결하기 위하여, 종래 타겟트와 백킹 플레이트에 고온의 열이 가해지지 않도록, 접합용에 저융점의 납땜을 사용하는 제안이 있었다. 그러나, 이 경우는 접합력이 약하고, 또한 스퍼터링을 실시하여 고온으로 타겟트가 가열된 경우에는 접합용의 납땜이 녹기 시작한다는 문제가 있어서 해결에 이르지 못했다.
또한, 스퍼터링 타겟트와 백킹 플레이트와의 열팽창을 완화 시키기 위해서, 단계적으로 열팽창이 상이한 복수의 접합층을 형성시킨다고 하는 제안도 있었다. (일본 특허 공개 소 61-250167). 그러나, 이러한 수단은 작업 공정이 번잡하게 되어 제조비용이 증대하기 때문에 실용적이지 못하다.
더욱이, 타겟트와 백킹 플레이트와의 접합공정에서 휘어짐이 발생한 타겟트를 기계적으로 역방향의 힘을 주어서 교정하는 방법, 혹은 접합전에 휘어짐의 발생량을 예상하여 미리 타겟트에 역 휘어짐을 주고 나서 접합한다고 하는 제안(일본 특허 공개 평 1-262089호)도 있었다.
그러나, 특히 세라믹 같은 취성재료에서는 이와 같이 기계적으로 압압(押壓)하는 종래의 교정이나 변형을 주는 과정에서 재료강도 이상의 기계적 응력을 부하(負荷)시킴으로써 오히려 균열을 발생시키는 경우가 있어 이들도 유효한 해결의 수단이라고는 말할 수 없었다.
본 발명은 타겟트의 백킹 플레이트에 본딩함으로써 생기는 타겟트의 휘어짐을, 균열의 발생이 없이 효과적으로 교정할 수 있는 스퍼터링 타겟트 / 백킹플레이트 조립체의 교정방법 및 동 교정장치에 관한 것이다.
제1도는 본 발명의 스퍼터링 타겟트/백킹플레이트 조립체 교정장치의 개념도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 진공흡인공(眞空吸引孔)
2 : 정반(定盤)
3 : 스퍼터링 타겟트
4 : 백킹 플레이트
5 : 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체
6 : 시트
7 : 진공배기장치
8 : 스페이서
(발명의 개시)
본 발명자들은 타겟트 특히 세라믹 타겟트의 제조공정에 있어서 스퍼터링 타겟트와 백킹 플레이트와의 접합공정에서 발생한 휘어짐이나 변형 등의 뒤틀림을 교정할 때에, 스퍼터링 타겟트에 걸리는 가압력(加壓力)을 균등하게 하는 수단에 의해, 균열을 발생함이 없이 타겟트의 휘어짐 등의 뒤틀림을 효과적으로 교정하는 스퍼터링타겟트/백킹 플레이트 조립체의 교정방법 및 동 교정장치를 얻는 것을 과제로 하고 있다.
본 발명은 스퍼터링 타겟트의 교정시, 불균일한 가압력이 오히려 균열을 유발한다는 것을 알아내어, 스퍼터링 타겟트에 걸리는 가압력을 균등하게 함에 의하여, 균열을 발생함이 없이 타겟트의 휘어짐 등의 뒤틀림을 효과적으로 교정하는 스퍼터링 타겟트/ 백킹플레이트 조립체의 교정방법 및 동 교정장치를 얻는 것으로서 다음의 방법을 제공한다.
1. 스터터링 타겟트와 백킹 플레이트를 접합한 조립체를 진공 흡인하여 교정하는
것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟트/백킹플레이트 조립체의 교정방법
2. 진공흡인공(眞空吸引孔)을 구비한 정반(定盤)에 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이
트 조립체를 재치(載置)하여, 진공흡인 공에서 진공흡인하여 교정하는 것을 특
징으로 하는 상기 1 기재의 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체의 교정방법
3. 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체에 가요성(可撓性) 시트(sheet)를 씌워
진공흡인하는 것을 특징으로 하는 상기 1 또는 2 기재의 스퍼터링 타겟트/백킹
플레이트 조립체의 교정방법
4. 진공흡인공을 구비한 정반과, 진공배기장치와, 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트
조립체를 씌우는 가요성 시트를 구비한 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체
의 교정장치
5. 스퍼터링 타겟트가 세라믹 타겟트인 것을 특징으로 하는 상기 4 기재의 스퍼터
링 타겟트/백킹 플레이트 조립체의 교정장치
6. 백킹 플레이트가 열전도성이 양호한 금속인 것을 특징으로 하는 상기 4 또는 5
기재의 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체의 교정장치
(발명의 실시의 형태)
보통, 세라믹 타겟트는 열팽창율이 작고 동제(銅製) 등의 백킹 플레이트와의 열팽창율의 차이가 크다. 이 때문에, 금속계의 타겟트에 비하여 휘어짐이나 균열의 발생이 많고 당연한 일이지만 스퍼터링 타겟트가 대형화함에 따라서 뒤틀림의 발생량이 커진다.
휘어짐이 발생한 타겟트를 가압 치구(治具)에 의해 가압하는 교정방법에서는, 스퍼터링 타겟트에 균열을 발생시킨다고 하는 현상을 검토한 결과, 가압력이 타겟트에 국부적으로 가해져서 그 때문에 균열이 발생한다는 것을 알았다.
여기서, 타겟트에 걸리는 압력이 타겟트 전체면에 균등하게 걸리도록 하는 것을 생각해냈다.
본 발명은 스퍼터링 타겟트와 백킹플레이트를 접합한 조립체를 진공흡인하여 교정함에 의해 이것을 달성할 수 있었다.
구체적으로는 제1도에 나타낸 바와 같이, 진공흡인공(1)을 구비한 평탄한 정반(2)에 스퍼터링 타겟트(3)와 백킹플레이트(4)를 접합한 조립체(5), 즉 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체(5)를 재치하여, 진공흡인공(1)에서 진공흡인하여 교정하는 것이다.
제1도에 나타낸 바와 같이, 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체는 휘어짐이 발생하고 있다. 휘어짐의 조정량에 대해서는 정반(2)과 백킹플레이트(4)의 외주(外周)사이에 위치시키는 스페이서(8)의 높이를 조정함에 의해 행해진다.
스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체(5)의 진공흡인에 의한 교정을 효과적으로 행하기 위해서는 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체(5)의 위에 가요성 시트(6)를 씌워 진공흡인하는 것이 바람직하다.
이 가요성 시트(6)의 재료로서는 실리콘 고무, 천연 고무, 이소프렌 고무, 니트릴고무, 불소 고무 등의 연성이 풍부한 재질의 시트를 사용할 수 있다. 특히 실리콘 고무가 적합하지만 상기 이외의 재료를 사용하더라도 좋다.
또한, 교정을 효과적으로 행하기 위해서는 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체 (5)를 가열하는, 즉 열간에서 교정하는 것도 가능하다.
예를들면, 인듐 납땜을 사용하여 접착한 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체의 경우에는 인듐 납땜의 융점인 156℃까지 가열하여 교정을 행할 수 있다.
또한, 그 이상으로 가열하는 경우에는 고융점 납땜을 사용하며, 예컨데 내열성이있는 실리콘 고무 (280℃까지의 내열성을 가진다)를 사용하여 교정할 수 있다. 이와 같이 피(被) 가열체인 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체의 가열온도에 따라서, 본딩용 납땜 재료와 가요성 시트를 적당하게 선정한다. 당연한 사실이지만, 이 방법으로 교정한 경우에는 교정을 행하면서 상온까지 냉각하는 것이 필요하다.
본 발명장치에 있어서 필요로 하는 기구로서는, 진공흡인공(1)을 구비한 평탄한 정반(2)과, 진공배기장치(7)와, 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체를 씌우는 가요성 시트(6)를 구비하는 것만으로 충분한 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체의 교정을 행하는 것이 가능하다.
세라믹 타겟트는 취성재료로 열팽창율이 작고, 순동이나 동 합금 등의 백킹 플레이트 재료와의 열팽창율의 차가 큰 재료이기 때문에, 이러한 휘어짐이나 균열의 경향이 강하다. 본 발명은 이와 같은 세라믹 타겟트에 있어서의 균열의 발생방지에 대단히 유효한 것이다.
이하, 실시예 및 비교예에 따라서 설명한다. 또, 본 실시예는 어디까지나 일례이고 이 실시예에 제한되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 기술사상에 포함되는 기타의 태양 또는 변형을 포함하는 것이다.
무산소 동제(銅製)의 치수 860 × 970 × 11t(mm)의 백킹 플레이트 30매와 치수 810 ×910 ×6t(mm)의 인듐-주석 복합 산화물(ITO) 6분할(分割) 타겟트 30매를 조합하여, 무산소 동제의 치수 910 ×1010 ×11t(mm)의 백킹플레이트 30매와 치수 860 ×950 ×6t(mm)의 인듐-주석 복합 산화물(ITO) 6분할 타겟트 30매를 조합, 및 무산소 동제의 치수 980 ×1140 ×11t(mm)의 백킹플레이트 40매와 치수 930 ×1080 ×6t(mm)의 인듐-주석 복합 산화물(ITO) 8분할 타겟트 40매의 조합으로 이루어진 인듐-주석 복합 산화물(ITO) 타겟트/백킹 플레이트 100조(組)를 각각 인듐(융점156℃)접착제를 사용하여 접합하여 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체 100조를 제작하였다.
이 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체는 제1도에 나타낸 바와 같이, 접합 후에 3.5∼5.5 mm의 휘어짐이 발생하였다. 또, 제1도에서는 알기 쉽게 설명하기 위해서 휘어짐의 양을 과장하여 나타내고 있다.
다음에, 이 휘어짐을 교정하기 위해서 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체(5)를 진공 흡인공(1)을 구비한 평탄한 정반(2) 상에 재치하였다. 휘어짐의 조정에는 스페이서(8)의 높이를 조정하여 행하였다.
상기 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체(5)의 전체를 실리콘 고무의 시트(6)로 씌운 후, 진공배기장치를 사용하여 진공흡인공(1)으로부터 진공흡인하였다.
이 결과 상기 100조의 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체의 휘어짐은 교정되어 0 mm∼1.5 mm까지 평탄하게 되어 이 교정에 의해 균열을 발생하는 것은 1조도 존재하지 않았다.
즉, 이 실시예에 나타낸 바와 같이 진공 흡인에 의한 교정은 균열을 발생함이 없이 타겟트의 교정이 가능하다.
(비교예)
실시예 1과 같이, 무산소 동제의 치수 860 ×970 ×1lt(mm)의 백킹플레이트 30매와 치수 810 ×910 ×6t(mm)의 인듐-주석 복합 산화물(ITO) 6분할 타겟트 30매의조합, 무산소 동제의 치수 910 ×1010 ×1lt(mm)의 백킹 플레이트 30매와 치수 860 × 950 ×6t(mm)의 인듐-주석 복합 산화물(ITO) 6분할 타겟트 30매의 조합, 및 무산소 동제의 치수 980 ×1140 ×11t(mm)의 백킹 플레이트 40매와 치수 930 ×1080 ×6t(mm)의 인듐-주석 복합 산화물(ITO) 8분할 타겟트 40매의 조합으로 이루어진 인듐-주석 복합 산화물(ITO)타겟트/백킹플레이트 100조를 각각 인듐(융점156℃)접착제를 사용하여 접합하여, 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체 100조를 제작하였다.
이 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체는 실시예와 같이 접합한 후에 3.5∼5.5 mm의 휘어짐이 발생하였다.
다음에, 이 휘어짐을 교정하기 위하여 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체를 프레스의 정반(2)상에 재치하여, 실리콘 고무의 시트를 완충재로 하여 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체를 씌운 후, 500 kg의 하중을 걸어 타겟트를 교정하였다.
이 결과 상기 l00조의 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체의 휘어짐은 교정되어 0.5∼2.5 mm까지 평탄하게 되었으나 이 교정에 의해 3조에 균열이 발생하였다. 이 균열 발생율은 3% 이고, 균열이 발생한 것은 불량품으로서 재료의 재생처리 공정에 돌렸다. 또한, 평탄도도 본 발명과 비교하면 불충분하였다.
이와 같이, 종래의 기계적 압압에 의한 교정에서는 휘어짐의 교정이 가능하더라도, 평탄도가 나쁘고, 또한 가압력에 국소적 격차가 발생하여 균열의 발생이 높아짐을 알았다.
스퍼터링 타겟트, 특히 세라믹 타겟트의 제조공정에 있어서 스퍼터링 타겟트와 백킹 플레이트와의 접합공정에 있어서 발생한, 휘어짐이나 변형 등의 뒤틀림을 교정할 때에, 스퍼터링 타겟트에 걸리는 가압력을 균등하게 하는 진공흡인수단에 의하여, 균열을 발생함이 없이 타겟트의 휘어짐 등의 뒤틀림을 효과적으로 교정할 수 있다고 하는 우수한 효과를 가지고 있다.

Claims (6)

  1. 스퍼터링 타겟트와 백킹 플레이트를 접합한 조립체를 진공흡인하여 교정하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체의 교정방법.
  2. 제1항에 있어서, 진공흡인공을 구비한 정반에 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체를 재치하여, 진공흡인공에서 진공흡인하여 교정하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체의 교정방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체에 가요성 시트를 씌워 진공흡인하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체의 교정방법.
  4. 진공흡인공을 구비한 정반과, 진공배기장치와, 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체를 씌우는 가요성 시트를 구비한 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체의 교정장치.
  5. 제4항에 있어서, 스퍼터링 타겟트가 세라믹 타겟트인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체의 교정장치.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 백킹 플레이트가 열 전도성이 양호한 금속인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체의 교정장치.
KR10-2001-7008547A 1999-11-09 2000-07-19 스퍼터링 타겟트/백킹 플레이트 조립체의 교정방법 및 동교정장치 KR100429667B1 (ko)

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014169473A (ja) * 2013-03-01 2014-09-18 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk バッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法
US20160211124A1 (en) * 2013-09-12 2016-07-21 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Warp correction method for sputtering target with backing plate

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8200902A (nl) * 1982-03-05 1983-10-03 Philips Nv Magnetron-kathodesputtersysteem.
JPH02122071A (ja) * 1988-10-28 1990-05-09 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk スパッタリングターゲットの製造方法
JPH05214518A (ja) * 1992-02-04 1993-08-24 Hitachi Metals Ltd スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合体の矯正方法およびスパッタリングターゲット材
JPH05315307A (ja) * 1992-05-12 1993-11-26 Kawasaki Steel Corp 基板表面の形状矯正方法および研磨加工方法
JP3983862B2 (ja) * 1997-10-24 2007-09-26 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 スパッタリングターゲットとその接合方法及び接合装置

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