CN116926469A - 一种二氧化硅靶材及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种二氧化硅靶材及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：1)对二氧化硅靶坯、背板和焊料进行分段加热，然后对所述二氧化硅靶坯和背板进行浸润处理，使焊料分别浸润所述二氧化硅靶坯的焊接面和所述背板的焊接面；2)将浸润处理后的所述二氧化硅靶坯扣合在浸润处理后的所述背板上，并在所述二氧化硅靶坯的溅射面上放置压块加压，实现焊接；3)冷却，对焊接组件进行整平处理，得到所述二氧化硅靶材。本发明提供了一种操作简单且成本低的方法，不仅缩短了焊接周期，提高了焊接效率，使得焊接结合率≥97％，焊接后的平面度小于1mm，而且解决了靶材变形以及开裂问题。该二氧化硅靶材磁控溅射过程稳定，可满足使用要求。
Description
技术领域
本发明属于半导体制备技术领域，具体涉及一种二氧化硅靶材及其制备方法和应用。
背景技术
二氧化硅靶材在半导体领域应用广泛，多用来制备半导体设备中的绝缘层。二氧化硅靶坯较脆，在与无氧铜背板焊接过程中，预热、焊接、整平极易出现断裂；长板状二氧化硅靶材焊接时由于靶坯和背板热膨胀系数相差较大，焊接后整体易产生翘曲变形，影响靶材的使用安装，在溅射中易脱落；此外，二氧化硅材料本身的浸润性较差，焊接易产生缺陷。以上问题会造成靶材报废率增加，提高制备成本。
因此，选择合适的焊接工艺和整平方式是高效制备二氧化硅靶材的关键。专利CN106695047A提供了一种二氧化硅陶瓷基复合材料表面活化辅助钎焊的方法，即利用等离子处理在复合材料表面覆盖薄碳层，然后真空钎焊，实现二氧化硅陶瓷复合材料的焊接。真空钎焊的焊接方式焊接周期长，生产效率不能保证。此外，现有技术靶坯焊接前为了增加浸润性，需要进行表面活化-等离子处理表面，成本较高并且活化层的均匀性不能保证。
因此，如何降低成本，提高焊接效率和焊接质量，同时解决靶材的变形以及开裂问题，是当前研究的重点。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种二氧化硅靶材及其制备方法和应用。本发明提供了一种操作简单且成本低的方法，在焊接前对焊接平台进行分段加热，并浸润二氧化硅靶坯和背板的焊接面，不仅缩短了焊接周期，提高了焊接效率，使得焊接结合率≥97％，焊接后的平面度小于1mm，而且同时解决了靶材焊接后的变形问题，以及焊接及整平时靶材开裂的问题。采用该方法制备得到的二氧化硅靶材磁控溅射过程稳定，可满足使用要求。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供一种二氧化硅靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
(1)对二氧化硅靶坯、背板和焊料进行分段加热，然后对所述二氧化硅靶坯和背板进行浸润处理，使焊料分别浸润所述二氧化硅靶坯的焊接面和所述背板的焊接面；
(2)将浸润处理后的所述二氧化硅靶坯扣合在浸润处理后的所述背板上，并在所述二氧化硅靶坯的溅射面上放置压块加压，实现焊接；
(3)冷却，对焊接组件进行整平处理，得到所述二氧化硅靶材。
本发明提供了一种操作简单且成本低的方法，在焊接前对焊接平台进行分段加热，并浸润二氧化硅靶坯和背板的焊接面，不仅缩短了焊接周期，提高了焊接效率，使得焊接结合率≥97％，焊接后的平面度小于1mm，而且同时解决了靶材焊接后的变形问题，以及焊接及整平时靶材开裂的问题。采用该方法制备得到的二氧化硅靶材磁控溅射过程稳定，可满足使用要求。
本发明提供的制备方法中，将靶坯、背板以及焊料分别放置在加热平台上，同时进行分段加热，可以有效防止靶坯在升温过程中由于升温速度过快，靶坯受热不均出现开裂的问题。
需要说明的是，本发明提供的制备方法在焊接过程中需要控制靶坯与其他焊接辅助工具之间的温差在30℃以内，以防止因温差过大导致靶坯开裂。
需要说明的是，焊接组件指的是完成焊接后，并将压块取下后，二氧化硅靶坯与背板组合成的整体。
作为本发明一种优选的技术方案，所述分段加热包括将所述二氧化硅靶坯、背板和焊料分别放置在加热平台上进行。
优选地，步骤(1)所述分段加热包括预热、一段加热、二段加热、三段加热和四段加热。
优选地，所述预热的温度＜40℃，例如可以是35℃、30℃、25℃、20℃、15℃或10℃等，优选为20-30℃。
本发明中，为防止靶坯与加热平台的温差过大，导致其靶坯开裂，故优先考虑加热平台的初始温度小于45℃。
优选地，所述一段加热的温度为70-90℃，例如可以是70℃、72℃、74℃、76℃、78℃、80℃、82℃、84℃、86℃、88℃或90℃等。
优选地，所述预热的温度升至所述一段加热的温度的时间为15-20min，例如可以是15min、16min、17min、18min、19min或20min等。
优选地，所述二段加热的温度为110-130℃，例如可以是110℃、112℃、114℃、116℃、118℃、120℃、122℃、124℃、126℃、128℃或130℃等。
优选地，所述一段加热的温度升至所述二段加热的温度的时间为15-20min，例如可以是15min、16min、17min、18min、19min或20min等。
优选地，所述三段加热的温度为170-190℃，例如可以是170℃、172℃、174℃、176℃、178℃、180℃、182℃、184℃、186℃、188℃或190℃等。
优选地，所述一段加热的保温时间、所述二段加热的保温时间和所述三段加热的保温时间独立地为10-15min，例如可以是15min、16min、17min、18min、19min或20min等。
需要说明的是，本发明中，“独立地”指的是一段加热的保温时间为10-15min，二段加热的保温时间为10-15min，三段加热的保温时间为10-15min，三者的时间可以相等，也可以不相等，各自的选择互不干扰。
优选地，所述二段加热的温度升至所述三段加热的温度的时间为15-20min，例如可以是15min、16min、17min、18min、19min或20min等。
优选地，所述四段加热的温度为210-220℃，例如可以是210℃、212℃、214℃、216℃、218℃或220℃等。
优选地，所述三段加热的温度升至所述四段加热的温度的时间为15-20min，例如可以是15min、16min、17min、18min、19min或20min等。
作为本发明一种优选的技术方案，步骤(1)所述浸润处理的方式包括超声波处理。
本发明采用超声波设备处理靶坯和背板，可以使焊料较好的浸润靶坯表面，操作简单，成本较低，效率较高。
需要说明的是，浸润过程中要避免直接将焊料放于靶坯焊接面处。
需要说明的是，由于二氧化硅靶坯易碎裂，对其焊接面不能使用钢刷等尖锐工具进行粗糙处理。
优选地，步骤(1)所述二氧化硅靶坯的溅射面以及侧面均采用耐热胶带进行粘贴。
优选地，步骤(1)所述背板除焊接面以外的区域均粘贴耐热胶带。
本发明在二氧化硅靶坯的溅射面以及侧面，和背板除焊接面以外的区域均采用耐热胶带进行粘贴，可以防止焊料沾染溅射面和靶坯侧面，难以去除，造成靶材磁控溅射后获得的杂质含量增加、薄膜纯度降低。
作为本发明一种优选的技术方案，步骤(1)所述二氧化硅靶坯为四方形靶坯。
优选地，步骤(1)所述背板的材质包括无氧铜。
需要说明的是，无氧铜的纯度为99.9％。
优选地，步骤(1)所述焊料包括铟焊料。
优选地，所述铟焊料的纯度≥99.99％。
作为本发明一种优选的技术方案，步骤(2)所述压块的质量为40-60kg，例如可以是40kg、42kg、44kg、46kg、48kg、50kg、52kg、54kg、56kg、58kg或60kg等。
本发明在二氧化硅靶坯的溅射面上放置压块加压，目的是：通过施加压力固定二氧化硅靶坯，减少因温度增加造成变形；通过加压使焊接面与背板焊接面紧密结合。
优选地，步骤(2)所述压块的材质包括不锈钢。
优选地，步骤(2)所述放置压块之前，先在所述二氧化硅靶坯的溅射面上放置垫块。
本发明中，由于二氧化硅的热传导性能与背板相差较大，在冷却过程中易与背板产生较大温度差距，影响焊接质量，故采用垫块将压块与二氧化硅靶坯隔开，增加空气流动性，加快二氧化硅的冷却速率。
优选地，所述垫块包括木垫块或硅胶垫块。
优选地，步骤(2)所述焊接时的环境温度为20-30℃，例如可以是20℃、22℃、24℃、26℃、28℃或30℃等。
优选地，步骤(2)所述焊接时的环境相对湿度为20-30％，例如可以是20％、22％、24％、26％、28％或30％等。
作为本发明一种优选的技术方案，步骤(3)所述冷却的方式包括空冷。
优选地，所述冷却后的温度为110-150℃，例如可以是110℃、115℃、120℃、125℃、130℃、135℃、140℃、145℃或150℃等。
本发明在110-150℃下对焊接组件进行整平处理，可以通过预先施加变形量抵消铜背板因加热冷却循环形成的形变，获得平面度较低的产品，保证靶材在磁控溅射过程中均匀参与溅射，获得厚度均匀，质量稳定的薄膜。
作为本发明一种优选的技术方案，步骤(3)所述整平处理包括以下步骤：
在焊接组件的中间位置放置G型夹具进行过整，降温后得到所述二氧化硅靶材。
优选地，所述过整的凹陷程度为0.5-2mm，例如可以是0.5mm、0.8mm、1mm、1.2mm、1.5mm、1.7mm或2mm等。
本发明中，过整的凹陷程度为0.5-2mm，可以避免靶坯开裂，同时也可保证整平效果。若过整的凹陷程度过小，则过整量不能完全抵消铜背板经加热冷却产生的形变，整形效果不佳，冷却后产品仍变形严重呈“拱桥状”，平面度较差；若过整的凹陷程度过大，则冷却后背板呈“凹陷状”，并且由于过整量较大，靶坯中部受力较大，极易产生脆性断裂。
优选地，所述G型夹具包括G字夹。
优选地，所述过整在整形平台上进行。
优选地，所述降温后的温度为室温。
需要说明的是，室温指的是25±5℃，例如可以是20℃、22℃、24℃、26℃、28℃或30℃等。
作为本发明优选的技术方案，所述制备方法包括以下步骤：
(Ⅰ)将所述二氧化硅靶坯、背板和焊料分别放置在加热平台上进行分段加热，在20-30℃进行预热，经15-20min升温至70-90℃进行一段加热，保温时间为10-15min，然后经15-20min升温至110-130℃进行二段加热，保温时间为10-15min，然后经15-20min升温至170-190℃进行三段加热，保温时间为10-15min，然后经15-20min升温至210-220℃，达到设定温度；
其中，二氧化硅靶坯为四方形靶坯，二氧化硅靶坯的溅射面以及侧面均采用耐热胶带进行粘贴，背板除焊接面以外的区域均粘贴耐热胶带，背板为无氧铜背板，焊料包括纯度≥99.99％的铟焊料；
(Ⅱ)通过超声波对所述二氧化硅靶坯和背板进行浸润处理，使焊料分别浸润所述二氧化硅靶坯的焊接面和所述背板的焊接面；
(Ⅲ)将浸润处理后的所述二氧化硅靶坯扣合在浸润处理后的所述背板上，实现焊接面之间的接触，并在所述二氧化硅靶坯的溅射面上先放置垫块，再放置40-60kg的压块进行加压，实现焊接；
(Ⅳ)采用空冷的方式冷却至110-150℃，取下垫块和压块，将焊接组件放置在整形平台上，并在所述焊接组件的中间位置放置G型夹具，过整至凹陷程度为0.5-2mm，降温至室温后，得到二氧化硅靶材。
第二方面，本发明提供一种二氧化硅靶材，所述二氧化硅靶材采用如第一方面所述的制备方法得到。
优选地，所述二氧化硅靶材的平面度＜1mm，例如可以是0.8mm、0.6mm、0.4mm或0.2mm等。
第三方面，本发明提供一种如第二方面所述的二氧化硅靶材的应用，所述二氧化硅靶材应用于半导体领域。
本发明所述的数值范围不仅包括上述例举的点值，还包括没有例举出的上述数值范围之间的任意的点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
(1)本发明提供的制备方法中，将靶坯、背板以及焊料分别放置在加热平台上，同时进行分段加热，可以有效防止靶坯在升温过程中由于升温速度过快，靶坯受热不均出现开裂的问题。
(2)本发明提供了一种操作简单且成本低的方法，在焊接前对焊接平台进行分段加热，并浸润二氧化硅靶坯和背板的焊接面，不仅缩短了焊接周期，提高了焊接效率，使得焊接结合率≥97％，焊接后的平面度小于1mm，而且同时解决了靶材焊接后的变形问题，以及焊接及整平时靶材开裂的问题。采用该方法制备得到的二氧化硅靶材磁控溅射过程稳定，可满足使用要求。
附图说明
图1为本发明中实施例1进行焊接的工艺流程图。
其中，1-二氧化硅靶坯；2-铟焊料层；3-无氧Cu背板。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
以下实施例中，室温指的是25℃。
实施例1
本实施例提供了一种二氧化硅靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
(1)将所述二氧化硅靶坯1、无氧Cu背板3和纯度≥99.99％的铟焊料层2分别放置在加热平台上进行分段加热，在25℃进行预热，经17min升温至80℃进行一段加热，保温时间为12min，然后经17min升温至120℃进行二段加热，保温时间为12min，然后经17min升温至180℃进行三段加热，保温时间为12min，然后经17min升温至215℃，达到设定温度；
其中，二氧化硅靶坯1为四方形靶坯，二氧化硅靶坯1的溅射面以及侧面均采用耐热胶带进行粘贴，无氧Cu背板3除焊接面以外的区域均粘贴耐热胶带；
(2)通过超声波对所述二氧化硅靶坯和无氧Cu背板3进行浸润处理，使铟焊料层2分别浸润所述二氧化硅靶坯1的焊接面和所述无氧Cu背板3的焊接面；
(3)将浸润处理后的所述二氧化硅靶坯1扣合在浸润处理后的所述无氧Cu背板3上，实现焊接面之间的接触，并在所述二氧化硅靶坯1的溅射面上先放置木垫块，再放置50kg的压块进行加压，实现焊接；
其中，压块的材质为不锈钢，环境的温度为25℃，环境的相对湿度为25％；
(4)采用空冷的方式冷却至130℃，取下垫块和压块，将焊接组件放置在整形平台上，并在所述焊接组件的中间位置放置G字夹，过整至凹陷程度为1mm，降温至室温后，得到二氧化硅靶材。
图1示出了本实施例进行焊接的工艺流程图。
实施例2
本实施例提供了一种二氧化硅靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
(1)将所述二氧化硅靶坯、无氧Cu背板和纯度≥99.99％的铟焊料分别放置在加热平台上进行分段加热，在20℃进行预热，经15min升温至70℃进行一段加热，保温时间为15min，然后经15min升温至110℃进行二段加热，保温时间为15min，然后经15min升温至170℃进行三段加热，保温时间为15min，然后经15min升温至210℃，达到设定温度；
其中，二氧化硅靶坯为四方形靶坯，二氧化硅靶坯的溅射面以及侧面均采用耐热胶带进行粘贴，无氧Cu背板除焊接面以外的区域均粘贴耐热胶带；
(2)通过超声波对所述二氧化硅靶坯和无氧Cu背板进行浸润处理，使铟焊料层分别浸润所述二氧化硅靶坯的焊接面和所述无氧Cu背板的焊接面；
(3)将浸润处理后的所述二氧化硅靶坯扣合在浸润处理后的所述无氧Cu背板上，实现焊接面之间的接触，并在所述二氧化硅靶坯的溅射面上先放置木垫块，再放置40kg的压块进行加压，实现焊接；
其中，压块的材质为不锈钢，环境的温度为25℃，环境的相对湿度为25％；
(4)采用空冷的方式冷却至110℃，取下垫块和压块，将焊接组件放置在整形平台上，并在所述焊接组件的中间位置放置G字夹，过整至凹陷程度为0.5mm，降温至室温后，得到二氧化硅靶材。
实施例3
本实施例提供了一种二氧化硅靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
(1)将所述二氧化硅靶坯、无氧Cu背板和纯度≥99.99％的铟焊料分别放置在加热平台上进行分段加热，在30℃进行预热，经20min升温至90℃进行一段加热，保温时间为10min，然后经20min升温至130℃进行二段加热，保温时间为10min，然后经20min升温至190℃进行三段加热，保温时间为10min，然后经20min升温至220℃，达到设定温度；
其中，二氧化硅靶坯为四方形靶坯，二氧化硅靶坯的溅射面以及侧面均采用耐热胶带进行粘贴，无氧Cu背板除焊接面以外的区域均粘贴耐热胶带；
(2)通过超声波对所述二氧化硅靶坯和无氧Cu背板进行浸润处理，使铟焊料层分别浸润所述二氧化硅靶坯的焊接面和所述无氧Cu背板的焊接面；
(3)将浸润处理后的所述二氧化硅靶坯扣合在浸润处理后的所述无氧Cu背板上，实现焊接面之间的接触，并在所述二氧化硅靶坯的溅射面上先放置木垫块，再放置60kg的压块进行加压，实现焊接；
其中，压块的材质为不锈钢，环境的温度为25℃，环境的相对湿度为25％；
(4)采用空冷的方式冷却至150℃，取下垫块和压块，将焊接组件放置在整形平台上，并在所述焊接组件的中间位置放置G字夹，过整至凹陷程度为2mm，降温至室温后，得到二氧化硅靶材。
实施例4
本实施例与实施例1的不同之处为，步骤(1)中不进行二段加热和三段加热，而是在80℃保温后直接升温至215℃。
其余制备方法和参数与实施例1保持一致。
实施例5
本实施例与实施例1的不同之处为，步骤(1)中不进行一段加热和二段加热，而是在25℃预热后直接升温至180℃。
其余制备方法和参数与实施例1保持一致。
实施例6
本实施例与实施例1的不同之处为，步骤(1)中不进行一段加热和三段加热，而是在25℃预热后直接升温至120℃，保温后直接升温至215℃。
其余制备方法和参数与实施例1保持一致。
实施例7
本实施例与实施例1的不同之处为，步骤(4)所述过整的凹陷程度为0.3mm。
其余制备方法和参数与实施例1保持一致。
实施例8
本实施例与实施例1的不同之处为，步骤(4)所述过整的凹陷程度为2.5mm。
其余制备方法和参数与实施例1保持一致。
对比例1
本对比例与和实施例1的不同之处为，不进行步骤(1)中的一段加热、二段加热和三段加热，而是预热后直接升温至预设温度。
其余制备方法和参数与实施例1保持一致。
性能测试
将上述实施例1-8和对比例1制备得到的二氧化硅靶材利用水平十字架及塞尺进行平面度检测，利用超声波C扫描成像探伤仪进行焊接结合率检测并判断是否出现裂纹。
测试结果如表1所示。
表1
分析：
由上表可知，本发明提供了一种操作简单且成本低的方法，在焊接前对焊接平台进行分段加热，并浸润二氧化硅靶坯和背板的焊接面，不仅缩短了焊接周期，提高了焊接效率，使得焊接结合率≥97％，焊接后的平面度小于1mm，而且同时解决了靶材焊接后的变形问题，以及焊接及整平时靶材开裂的问题。采用该方法制备得到的二氧化硅靶材磁控溅射过程稳定，可满足使用要求。
由实施例1与实施例4-6的数据结果可知，若升温过快，则靶坯受热不均，会导致开裂，并且靶坯表面未均匀达到焊接温度，焊料浸润效果不良，从而导致焊接结合率降低较差。
由实施例1与实施例7-8的数据结果可知，若过整的凹陷程度过小，则过整变形量不能抵消冷却后背板变形量，从而导致平面度较差，变形的背板易造成焊接面内形成孔洞等缺陷，从而导致焊接结合率较差；若过整的凹陷程度过大，则靶坯中心受力严重，从而导致靶坯开裂。
由实施例1与对比例1的数据结果可知，若直接预热后升温至预设温度，则加热速度过快，从而导致靶坯开裂；并且由于靶坯尚未均匀受热即铺展焊料易导致浸润不良，从而致使焊接结合率结果较差。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的工艺，但本发明并不局限于上述实施例，即不意味着本发明必须依赖上述实施例才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (10)
1.一种二氧化硅靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)对二氧化硅靶坯、背板和焊料进行分段加热，然后对所述二氧化硅靶坯和背板进行浸润处理，使焊料分别浸润所述二氧化硅靶坯的焊接面和所述背板的焊接面；
(2)将浸润处理后的所述二氧化硅靶坯扣合在浸润处理后的所述背板上，并在所述二氧化硅靶坯的溅射面上放置压块加压，实现焊接；
(3)冷却，对焊接组件进行整平处理，得到所述二氧化硅靶材。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述分段加热包括将所述二氧化硅靶坯、背板和焊料分别放置在加热平台上进行；
优选地，步骤(1)所述分段加热包括预热、一段加热、二段加热、三段加热和四段加热；
优选地，所述预热的温度＜40℃，优选为20-30℃；
优选地，所述一段加热的温度为70-90℃；
优选地，所述二段加热的温度为110-130℃；
优选地，所述三段加热的温度为170-190℃；
优选地，所述一段加热的保温时间、所述二段加热的保温时间和所述三段加热的保温时间独立地为10-15min；
优选地，所述四段加热的温度为210-220℃。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述浸润处理的方式包括超声波处理；
优选地，步骤(1)所述二氧化硅靶坯的溅射面以及侧面均采用耐热胶带进行粘贴；
优选地，步骤(1)所述背板除焊接面以外的区域均粘贴耐热胶带。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述二氧化硅靶坯为四方形靶坯；
优选地，步骤(1)所述背板的材质包括无氧铜；
优选地，步骤(1)所述焊料包括铟焊料；
优选地，所述铟焊料的纯度≥99.99％。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述压块的质量为40-60kg；
优选地，步骤(2)所述压块的材质包括不锈钢；
优选地，步骤(2)所述放置压块之前，先在所述二氧化硅靶坯的溅射面上放置垫块；
优选地，所述垫块包括实木垫块或硅胶垫块。
6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述冷却的方式包括空冷；
优选地，所述冷却后的温度为110-150℃。
7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述整平处理包括以下步骤：
在焊接组件的中间位置放置G型夹具进行过整，降温后得到所述二氧化硅靶材；
优选地，所述过整的凹陷程度为0.5-2mm；
优选地，所述G型夹具包括G字夹；
优选地，所述过整在整形平台上进行；
优选地，所述降温后的温度为室温。
8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(Ⅰ)将所述二氧化硅靶坯、背板和焊料分别放置在加热平台上进行分段加热，在20-30℃进行预热，经15-20min升温至70-90℃进行一段加热，保温时间为10-15min，然后经15-20min升温至110-130℃进行二段加热，保温时间为10-15min，然后经15-20min升温至170-190℃进行三段加热，保温时间为10-15min，然后经15-20min升温至210-220℃，达到设定温度；
其中，二氧化硅靶坯为四方形靶坯，二氧化硅靶坯的溅射面以及侧面均采用耐热胶带进行粘贴，背板除焊接面以外的区域均粘贴耐热胶带，背板为无氧铜背板，焊料包括纯度≥99.99％的铟焊料；
(Ⅱ)通过超声波对所述二氧化硅靶坯和背板进行浸润处理，使焊料分别浸润所述二氧化硅靶坯的焊接面和所述背板的焊接面；
(Ⅲ)将浸润处理后的所述二氧化硅靶坯扣合在浸润处理后的所述背板上，实现焊接面之间的接触，并在所述二氧化硅靶坯的溅射面上先放置垫块，再放置40-60kg的压块进行加压，实现焊接；
(Ⅳ)采用空冷的方式冷却至110-150℃，取下垫块和压块，将焊接组件放置在整形平台上，并在所述焊接组件的中间位置放置G型夹具，过整至凹陷程度为0.5-2mm，降温至室温后，得到二氧化硅靶材。
9.一种二氧化硅靶材，其特征在于，所述二氧化硅靶材采用如权利要求1-8任一项所述的制备方法制备得到；
优选地，所述二氧化硅靶材的平面度＜1mm。
10.一种如权利要求9所述的二氧化硅靶材的应用，其特征在于，所述二氧化硅靶材应用于半导体领域。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202310992604.8A CN116926469A (zh) | 2023-08-08 | 2023-08-08 | 一种二氧化硅靶材及其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116926469A true CN116926469A (zh) | 2023-10-24 |
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Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN112935443A (zh) * | 2021-02-03 | 2021-06-11 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种脆性靶材的焊接方法 |
| CN115041767A (zh) * | 2022-07-07 | 2022-09-13 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种ITO靶材与Cu背板绑定的方法 |
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2023
- 2023-08-08 CN CN202310992604.8A patent/CN116926469A/zh active Pending
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