KR20010089420A - 고정 연마 패드를 이용한 텅스텐 화학기계적 연마 방법 및고정 연마 패드를 이용한 화학기계적 연마에 특히사용되는 텅스텐층 화학기계적 연마 용액 - Google Patents
고정 연마 패드를 이용한 텅스텐 화학기계적 연마 방법 및고정 연마 패드를 이용한 화학기계적 연마에 특히사용되는 텅스텐층 화학기계적 연마 용액 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 고정 연마 패드를 이용한 텅스텐 화학기계적 연마 방법 및 고정 연마 패드를 이용한 화학기계적 연마에 특히 사용되는 텅스텐층 화학기계적 연마 용액에 관한 것이다. 한 실시예에서, 50% 몰 이상의 텅스텐을 포함한 층을 가지는 반도체 웨이퍼가 구성된다. 상기는 고정 연마 화학기계적 연마 패드에 근접하여 구성된다. 텅스텐층 화학기계적 연마 용액은 웨이퍼 및 패드 사이에 구성된다. 용액은 약 0.5% 내지 15%의 체적으로 존재하는 텅스텐 산화 성분 및 약 6.0 이하의 pH로 구성된다. 텅스텐 함유층은 고정 연마 패드를 사용하여 화학기계적으로 연마되고, 텅스텐층 화학기계적 연마 용액은 웨이퍼 및 패드 사이에 수용된다. 본 발명의 한 실시예에 따르면, 층으로부터의 텅스텐은 약 0.5% 내지 15%의 체적으로 존재하는 텅스텐 산화 성분 및 약 6.0 이하의 pH로 구성되는 용액으로 산화된다. 텅스텐 및 텅스텐 산화물 중 하나 또는 2개는 고정 화학기계적 연마 패드로 텅스텐 함유층으로부터 연마된다. 한 실시예에서, 본 발명은 텅스텐층 화학기계적 연마 용액으로 구성된다.
Description
반도체 웨이퍼 및 기판으로부터 집적 회로의 제작에서, 웨이퍼 연마는 재료의 제거 및/또는 평면성 형성에 사용되는 공통 기술이다. 상기 연마는 순수 화학적, 순수 기계적 또는 화학기계적 연마 수단(CMP)에 의해 수행될 수 있다. CMP를 사용하여, 화학 및 기계 연마 작용의 조합으로 연마 및 제거가 수행된다. 한 형태의 화학기계적 연마는 슬러리를 사용하고, 상기 슬러리는 화학 용액에서 부유되는 매우 강한 고형 연마 입자로 구성된다. 슬러리는 패드 및 웨이퍼 사이에 삽입되고, 상기 패드 및 웨이퍼는 회전되며, 화학 및 기계 작용에 의해 웨이퍼로부터 재료가 제거된다. 다른 형태의 CMP는 연마 패드의 표면 내에 내장된 연마재를 제공하고, 통상적으로 고정 연마 CMP로 명명된다.
그러나, 비고정 연마 CMP에 대해 구성된 종래의 CMP 슬러리는 문제점을 가지고 있고, 고정 연마 CMP 방법에서 만족스럽게 작용되지 않는다. 상기는 텅스텐이 50 원자 백분율 이상으로 존재하는 층의 CMP에서 특히 사실로 판명되었다. 텅스텐은 DRAM 및 다른 회로의 제작에 접촉/충전 재료로서 사용된다. 텅스텐의 CMP가 비고정 연마 패드 및 슬러리를 사용하여 보고되었지만, 현존 재료는 고정 연마 패드를 사용할 때 만족스럽지 못한 것으로 판명되었다. 따라서, 고정 연마 패드를 이용한 화학기계적 방법의 개선 및 연마 용액의 개선에 대한 필요가 대두된다.
본 발명은 고정 연마 패드를 이용한 텅스텐 화학기계적 연마 방법 및 고정 연마 패드를 이용한 화학기계적 연마에 특히 사용되는 텅스텐층 화학기계적 연마 용액에 관한 것이다.
도 1 은 본 발명에 따라 사용되는 공지 기술의 화학기계적 연마 장치에 대한 도면.
*부호 설명
10...평면화 기계 12...반도체 웨이퍼
14...지지 테이블 16...상단 패널
20...공급 로울러 21a,21b...아이들러 로울러
22a,22b...안내 로울러 23...테이크업 로울러
40...평면화 패드 A...작업부
본 발명은 고정 연마 패드를 이용한 텅스텐 화학기계적 연마 방법 및 고정 연마 패드를 이용한 화학기계적 연마에 특히 사용되는 텅스텐층 화학기계적 연마 용액에 관한 것이다. 본원에서, 다른 언급이 없다면, "텅스텐층"은 50% 몰 이상으로 존재하는 텅스텐을 가진 층으로 구성된다. 한 실시예에서, 50% 몰 이상의 텅스텐을 포함한 층을 가지는 반도체 웨이퍼가 구성된다. 상기는 고정 연마 화학기계적 연마 패드에 근접하여 구성된다. 텅스텐층 화학기계적 연마 용액은 웨이퍼 및 패드 사이에 구성된다. 용액은 약 0.5% 내지 15%의 체적으로 존재하는 텅스텐 산화 성분 및 약 6.0 이하의 pH로 구성된다. 텅스텐 함유층은 고정 연마 패드를 사용하여 화학기계적으로 연마되고, 텅스텐층 화학기계적 연마 용액은 웨이퍼 및 패드 사이에 수용된다. 본 발명에 따라 연마가 수행되는 방법 메커니즘이 기술되나, 각 청구범위에서 특별한 언급이 없는 한, 제한적인 것으로 간주되지 않는다. 한실시예에서, 본 발명은 텅스텐층 화학기계적 연마 용액으로 구성된다.
본 발명의 한 실시예에 따라, 50% 몰 이상의 텅스텐으로 구성된 외층 또는 영역을 가지는 반도체 웨이퍼가 고정 연마 패드를 이용한 개선된 용액으로 연마된다. 본 발명은 주로 텅스텐 성분으로 구성된 텅스텐층의 화학기계적 연마를 위해 제시되었다. 그러나, 본 발명은 주로 텅스텐 합금으로 구성된 상기 층을 포함하여 50% 몰 이상의 텅스텐 함유량을 가지는 임의의 텅스텐층의 연마에도 적용될 수 있다.
상기 층을 가지는 웨이퍼는 고정 화학기계적 연마 패드로 구성된 적합한 화학기계적 연마 장치내에 구성된다. 임의의 적합한 장치가 사용가능하고, 상기 장치는 예를 들어 고정 연마 패드 및 웨이퍼를 회전시키는 장치, 고정 연마 패드를 회전/이동시키나 웨이퍼는 회전/이동시키지 않는 장치, 웨이퍼를 회전시키나 고정 연마 패드는 회전시키지 않는 장치 등이다. 고정 연마 패드는 미국, 미네소타, 세인트 폴의 3M Company와 같은 많은 공급처로부터 구입할 수 있다. 본 발명에 따른 텅스텐층 화학기계적 연마 용액이 연마 장치를 사용하여 패드 및 웨이퍼 사이에 구성된다. 한 실시예에서, 용액은 약 0.5% 내지 15%의 체적으로 존재하는 텅스텐 산화 성분 및 약 6.0 이하의 pH로 구성된다.
선호되는 산화 성분의 예에 질산염 및 다른 화합물이 포함된다. 특정 예는 과망간산칼륨, 질산철, 과산화수소, 질산, 과황산암모늄, 옥소산칼륨, 질산칼륨, 몰리브덴산 암모늄 및 상기 성분의 혼합물이다. 용액 pH는 3.0 내지 4.0과 같이 4.0 아래로 유지되는 것이 더 선호된다. 용액은 또한 pH 버퍼(buffer)로 구성되는것이 선호되고, 상기 pH 버퍼의 예는 수소프탈산칼륨, 시트르산암모늄, 인산암모늄 및 상기 성분의 혼합물이다. 버퍼에 대한 선호되는 농도 범위는 약 0.1% 내지 10%의 중량이다. 적어도 화학기계적 연마를 시작하기 전에, 용액은 고형 연마재가 없이 구성되는 것이 가장 이상적이다. 고정 연마 패드로 연마가 시작되면, 패드로부터의 일부 연마재가 패드로부터 제거되고, 용액으로 유입되나, 이상적으로 용액은 본 발명의 가장 선호되는 실시예에 따라 연마재가 없이 구성된다. 용액은 또한 예를 들어 체적이 1% 내지 10%의 농도로 존재하는 계면활성제로 구성될 수 있다. 계면활성제의 예는 폴리에틸렌 글리콜, 폴리옥시에틸렌 에테르, 글리세롤, 폴리프로필렌 글리콜, 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 세틸 에테르, 폴리옥시에틸렌 스테아릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 올레일 에테르 및 상기 성분의 혼합물이다. 용액은 소요 점도를 이루기 위해 또한 농축제로 구성될 수 있고, 실온에서 약 10 센티포이즈 내지 20 센티포이즈의 선호되는 범위를 가진다. 농축제의 예는 미국, 코네티컷, 댄버리의 Union Carbide의 PolyoxTM과 미국, 오하이오, 클리블랜드의 B.F. Goodrich의 CarbopolTM이다.
용액은 또한 텅스텐 또는 산화물을 착염화하기 위해 용액에 착화제를 포함한다. 선호되는 착화제는 아민 화합물이다. 특정 예는 트리에탄올아민, 트리에틸렌디아민, 시트르산암모늄, 인산암모늄, 옥살산암모늄, 탄산암모늄 및 상기 성분의 혼합물이다. 착화제의 선호되는 농도 범위는 중량으로 약 0.1% 내지 약 10%이다.
저영역에서 텅스텐을 보호하도록 또한 연마제의 디싱(dishing) 성능 및 평면성을 개선하도록, 용액은 또한 텅스텐 부식방지제(즉, 중량으로 0.01% 내지 2%의 농도에서)를 포함하는 것이 선호된다. 예는 인산염, 다인산염 및 규산염을 포함하고, 차인산칼륨 및 규산칼륨이 특정 예가 된다.
웨이퍼 및 패드 사이에 수용되는 본 발명의 상기 용액에서, 텅스텐 함유층은 고정 연마 패드로 화학기계적으로 연마된다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 연마되는 층으로부터의 텅스텐은, 약 0.5% 내지 15%의 체적으로 존재하는 텅스텐 산화 성분 및 약 6.0 이하의 pH로 구성되는 용액으로 산화된다. 텅스텐 함유층으로부터의 텅스텐 및 텅스텐 산화물 중 하나 또는 2개는 고정 화학기계적 연마 패드로 연마된다. 산화된 텅스텐은 제거 이전에 층에서 산화될 수 있고, 또는 텅스텐으로 층으로부터 연마될 수 있으며, 용액에서 산화 및 용해될 수 있다. 상기 작용은 하나 또는 다른 하나의 제어로 발생될 수도 있다. 연마 중 용액 성분은 전술된 상기 성분을 구성하고, 고형 연마재의 결여가 고려된다.
연마된 텅스텐 표면에 발생되는 스크래치 또는 채터(chatter) 마크를 감소 또는 방지하기 위해, 텅스텐의 연마는 SiO2와 같은 연질 연마재로 수행되는 것이 선호된다. 또한, 연마를 용이하게 하기 위해 pH는 4 아래로 유지되는 것이 선호된다. 공지기술의 화학기계적 연마 용액 및 방법에서, pH가 4 아래로 떨어질 때 SiO2연마제가 용액에 양호하게 분산되지 않음이 판명되었다. 상기로 인해, 연마 중 적합한 용액을 형성하기 위해, 원하는 것보다 더 경질의 연마재가 필요하다. 본 발명의 용액을 이용한 고정 연마는 4.0 이하의 pH에서도 패드의 연마제로서 SiO2의 사용을 가능하게 한다.
여러 경우에, 텅스텐 연마 중 실온 이하로(즉, 74℉ 이하로) 온도를 유지하는 것이 바람직하다. 낮은 슬러리 온도가 연마 중 슬러리를 통한 연마재의 분산을 불충분하게 하는 경우는 거의 없다. 따라서, 연마 중 상승된 온도가 이용된다. 본 발명의 실시예에 따라, 연마 중 슬러리 온도는 실온 이하로(65℉ 이하가 선호됨) 유지될 수 있고, 연마제는 패드에 고정되며, 슬러리내에서의 연마제의 응집은 문제가 되지 않는다. 모든 실시예에서 연마는 대기압 및 40℉ 내지 145℉에서 수행되는 것이 선호되고, 다른 조건에서도 물론 가능하다.
본 발명에 사용되는 장치 및 방법에 대한 실시예가 도 1 에 도시되어 있고, 웹(web)형 평면화 기계(10)가 반도체 웨이퍼(12)의 화학기계적 연마에 사용된다. 평면화 기계(10)는 작업 스테이션에서 상단 패널(panel)(16)을 가진 지지 테이블(14)을 가지고, 상기 작업 스테이션에 평면화 패드(40)의 작업부(A)가 구성된다. 상단 반쪽 패널(16)은 평평한 강성 표면을 제공하기 위한 강판이고, 상기 상단 반쪽 패널(16)에 연마 중 평면화 패드(40)의 특정 영역이 고정될 수 있다.
평면화 기계(10)는 또한 상단 패널(16) 위로 평면화 패드(40)를 안내, 구성 및 유지시키기 위한 다수의 로울러를 가진다. 로울러는 공급 로울러(20), 제 1 아이들러 로울러(21a) 및 제 2 아이들러 로울러(21b), 제 1 안내 로울러(22a) 및 제 2 안내 로울러(22b)와 테이크업(take-up) 로울러(23)를 포함한다. 공급 로울러(20)는 평면화 패드(40)의 비사용 또는 작업이전부를 지지하고, 테이크업 로울러는 평면화 패드(40)의 사용된 또는 작업이후부를 지지한다. 작업 중 평면화 패드(40)를 정지유지시키도록, 제 1 아이들러 로울러(21a) 및 제 1 안내 로울러(22a)는 평면화 패드(40)를 상단 패널(16) 위로 인장시킨다. 본 발명에 따른 평면화 패드(40)는 전술된 바와 같은 고정 연마 패드로 구성되고, 연마되는 웨이퍼의 최대 직경보다 큰 길이를 가진다. 상단 패널(16)을 가로질러 평면화 패드(40)를 순서대로 진행시키도록, 모터(도시되지 않음)는 공급 로울러(20) 및 테이크업 로울러(23) 중 하나 이상을 구동시킨다. 상기와 같이, 기판의 평면화 및/또는 세척을 위한 일관성 표면을 제공하도록, 평면화 패드(40)의 작업이전부는 신속하게 사용 영역에 대체될 수 있다.
웹형 평면화 기계(10)는 캐리어 조립체(30)를 가지고, 상기 캐리어 조립체(30)는 연마 중 웨이퍼(12)를 보호 및 제어한다. 캐리어 조립체(30)는 연마 사이클의 적합한 단계에서 웨이퍼(12)를 픽업, 유지 및 배출시키기 위한 기판 홀더(32)를 가진다. 기판 홀더(32)에 부착된 다수의 노즐(33)은 본 발명에 따른 평면화 용액(44)을 평면화 패드(40)의 평면화 표면(42)으로 분배시킨다. 캐리어 조립체(30)는 또한 구동 조립체(35)를 지지하는 지지 갠트리(gantry)를 가지고, 상기 구동 조립체(35)는 갠트리(34)를 따라 이동된다. 구동 조립체(35)는 작동기(36), 작동기(36)에 연결된 구동축(37) 및 구동축(37)으로부터 돌출된 아암(arm)(38)을 가진다. 구동 조립체(35)가 웨이퍼(12)의 중심점(C-C)으로부터 이탈된 축(B-B)에 대해 기판 홀더(32) 주위로 회전되도록, 아암(38)은 다른 축(39)을 통해 기판 홀더(32)를 지지한다.
본 발명의 실시예에 따라, 직전의 웨이퍼 연마에 사용되지 않은 새 패드 부분에 연마된 웨이퍼가 노출되도록, 방법은 웨이퍼의 최대 직경보다 작은 거리로 웹/패드(40)를 이동시키는 것으로 구성된다. 연마의 균일성 및 패드의 수면 연장을 위해, 이동된 거리는 최대 직경의 1.0% 이하인 것이 선호된다. 예를 들어 8인치 직경의 웨이퍼에 대해, 각 연마 사이의 패드/웹(40)의 증분 이동은 0.25인치이다.
Claims (58)
- 화학기계적 연마 방법에 있어서,50% 몰 이상의 텅스텐을 포함하는 층을 가진 반도체 웨이퍼를 구성하고,웨이퍼를 고정 화학기계적 연마 패드에 근접하여 구성시키며,웨이퍼 및 패드 사이에 텅스텐층 화학기계적 연마 용액을 구성시키고, 텅스텐층 화학기계적 연마 용액은 약 0.5% 내지 15%의 체적으로 존재하는 텅스텐 산화 성분 및 약 6.0 이하의 pH로 구성되며,텅스텐 함유층을 고정 연마 패드로 화학기계적으로 연마하고, 텅스텐층 화학기계적 연마 용액은 웨이퍼 및 패드 사이에 수용되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 용액 pH는 4.0 이하인 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 용액 pH는 3.0 내지 4.0인 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 착화 텅스텐 또는 산화물로 구성되고, 용액의 착화제는 용액의 중량으로 0.1% 내지 10%를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마방법.
- 제 4 항에 있어서, 착화제는 트리에탄올아민, 트리에틸렌디아민, 시트르산암모늄, 인산암모늄, 옥살산암모늄, 탄산암모늄 및 상기 성분의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 적어도 상기 화학기계적 연마 전에 용액에 고형 연마재가 없는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 층은 텅스텐 성분으로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 층은 텅스텐 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 산화 성분은 질산염 화합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 산화 성분은 과망간산칼륨, 질산철, 과산화수소, 질산, 과황산암모늄, 옥소산칼륨, 질산칼륨, 몰리브덴산암모늄 및 상기 성분의 혼합물로구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 용액은 체적으로 1% 내지 10%의 농도에서 존재하는 계면활성제로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 용액은 계면활성제로 구성되고, 상기 계면활성제는 폴리에틸렌 글리콜, 폴리옥시에틸렌 에테르, 글리세롤, 폴리프로필렌 글리콜, 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 세틸 에테르, 폴리옥시에틸렌 스테아릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 올레일 에테르 및 상기 성분의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 용액은 농축제로 구성되고, 실온에서 약 10 센티포이즈 내지 20 센티포이즈의 점도를 가지는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 용액은 용액의 중량으로 0.01% 내지 2%의 텅스텐 부식방지제로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 용액은 텅스텐 부식방지제로 구성되고, 상기 텅스텐 부식방지제는 인산염, 다인산염, 규산염 및 상기 성분의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 용액은 용액의 중량으로 0.1% 내지 10%의 pH 버퍼로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 용액은 pH 버퍼로 구성되고, 상기 pH 버퍼는 수소프탈산칼륨, 시트르산암모늄, 인산암모늄 및 상기 성분의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 패드에서 고정 연마제의 대부분은 SiO2로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 패드에서 고정 연마제의 대부분은 SiO2로 구성되고, 용액 pH는 4.0 이하인 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 연마 중 용액의 온도는 약 74℉ 이하로 유지되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 연마 중 용액의 온도는 약 65℉ 이하로 유지되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 1 항에 있어서, 고정 연마 패드를 이용한 다른 연마 단계에서 다른 상기 반도체 웨이퍼가 화학기계적으로 연마되고, 고정 연마 패드는 연마되는 상기 웨이퍼의 최대 직경보다 큰 길이를 가지는 고정 연마 패드 재료의 연장된 웹으로 구성되며, 제 1 연마 웨이퍼의 연마에 사용되지 않은 새로운 패드 부분으로 다른 웨이퍼를 연마하도록, 최대 직경보다 작은 거리로 웹을 이동시키는 것으로 방법이 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 22 항에 있어서, 거리는 최대 직경의 1.0% 이하인 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 화학기계적 연마 방법에 있어서,50% 몰 이상의 텅스텐을 포함하는 층을 가진 반도체 웨이퍼를 구성하고,텅스텐층 화학기계적 연마 용액은 약 0.5% 내지 15%의 체적으로 존재하는 텅스텐 산화 성분 및 약 6.0 이하의 pH로 구성된 용액으로 층으로부터 텅스텐을 산화시키며,텅스텐 함유층으로부터 텅스텐 및 텅스텐 산화물 중 하나 또는 2개를 고정 화학기계적 연마 패드로 연마하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 24 항에 있어서, 텅스텐 산화는 층으로부터의 제거 전에 발생되는 것을특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 24 항에 있어서, 텅스텐 산화는 층으로부터의 제거 후에 발생되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 24 항에 있어서, 텅스텐 산화는 층으로부터의 제거 후 및 제거 전에 발생되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 24 항에 있어서, 적어도 상기 연마 전에 용액에 고형 연마재가 없는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 24 항에 있어서, 용액 pH는 4.0 이하인 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 24 항에 있어서, 용액 pH는 3.0 내지 4.0인 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 24 항에 있어서, 용액은 용액의 중량으로 0.1% 내지 10%로 이루어진 pH 버퍼로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 24 항에 있어서, 용액은 3.0 내지 4.0의 pH로 구성되고, 용액의 중량으로 0.1% 내지 10%로 이루어진 pH 버퍼로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 24 항에 있어서, 용액은 pH 버퍼로 구성되고, 상기 pH 버퍼는 수소프탈산칼륨, 시트르산암모늄, 인산암모늄 및 상기 성분의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 24 항에 있어서, 층은 텅스텐 성분으로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 24 항에 있어서, 층은 텅스텐 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 24 항에 있어서, 착화 산화 텅스텐으로 구성되고, 용액의 착화제는 용액의 중량으로 0.1% 내지 10%로 이루어진 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 36 항에 있어서, 착화제는 트리에탄올아민, 트리에틸렌디아민, 시트르산암모늄, 인산암모늄, 옥살산암모늄, 탄산암모늄 및 상기 성분의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 24 항에 있어서, 용액은 용액의 중량으로 0.01% 내지 2%의 텅스텐 부식방지제로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 24 항에 있어서, 용액은 텅스텐 부식방지제로 구성되고, 상기 텅스텐 부식방지제는 인산염, 다인산염, 규산염 및 상기 성분의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 24 항에 있어서, 패드에서 고정 연마제의 대부분은 SiO2로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 24 항에 있어서, 패드에서 고정 연마제의 대부분은 SiO2로 구성되고, 용액 pH는 4.0 이하인 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 24 항에 있어서, 연마 중 용액의 온도는 약 74℉ 이하로 유지되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 24 항에 있어서, 연마 중 용액의 온도는 약 65℉ 이하로 유지되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 24 항에 있어서, 고정 연마 패드를 이용한 다른 연마 단계에서 다른 상기 반도체 웨이퍼가 화학기계적으로 연마되고, 고정 연마 패드는 연마되는 상기 웨이퍼의 최대 직경보다 큰 길이를 가지는 고정 연마 패드 재료의 연장된 웹으로 구성되며, 제 1 연마 웨이퍼의 연마에 사용되지 않은 새로운 패드 부분으로 다른 웨이퍼를 연마하도록, 최대 직경보다 작은 거리로 웹을 이동시키는 것으로 방법이 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 제 44 항에 있어서, 거리는 최대 직경의 1.0% 이하인 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 방법.
- 특히 고정 연마 패드로 화학기계적 연마에 사용되는 텅스텐층 화학기계적 연마 용액에 있어서,용액은 약 0.5% 내지 15%의 체적으로 존재하는 텅스텐 산화 성분 및 약 6.0 이하의 pH로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 용액.
- 제 46 항에 있어서, 용액에 고형 연마재가 없는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 용액.
- 제 46 항에 있어서, 4.0 이하의 pH를 가지는 것을 특징으로 하는 화학기계적연마 용액.
- 제 46 항에 있어서, 3.0 내지 4.0의 pH를 가지는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 용액.
- 제 46 항에 있어서, 산화 성분은 질산염 화합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 용액.
- 제 46 항에 있어서, 산화 성분은 과망간산칼륨, 질산철, 과산화수소, 질산, 과황산암모늄, 옥소산칼륨, 질산칼륨, 몰리브덴산암모늄 및 상기 성분의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 용액.
- 제 46 항에 있어서, 용액은 체적으로 1% 내지 10%의 농도에서 존재하는 계면활성제로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 용액.
- 제 46 항에 있어서, 용액은 계면활성제로 구성되고, 상기 계면활성제는 폴리에틸렌 글리콜, 폴리옥시에틸렌 에테르, 글리세롤, 폴리프로필렌 글리콜, 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 세틸 에테르, 폴리옥시에틸렌 스테아릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 올레일 에테르 및 상기 성분의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 용액.
- 제 46 항에 있어서, 용액은 농축제로 구성되고, 실온에서 약 10 센티포이즈 내지 20 센티포이즈의 점도를 가지는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 용액.
- 제 46 항에 있어서, 용액은 용액의 중량으로 0.01% 내지 2%의 텅스텐 부식방지제로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 용액.
- 제 46 항에 있어서, 용액은 텅스텐 부식방지제로 구성되고, 상기 텅스텐 부식방지제는 인산염, 다인산염, 규산염 및 상기 성분의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 용액.
- 제 46 항에 있어서, 용액은 용액의 중량으로 0.1% 내지 10%의 pH 버퍼로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 용액.
- 제 46 항에 있어서, 용액은 pH 버퍼로 구성되고, 상기 pH 버퍼는 수소프탈산칼륨, 시트르산암모늄, 인산암모늄 및 상기 성분의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 용액.
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