KR20010086153A - 기판 캐리어 - Google Patents

기판 캐리어 Download PDF

Info

Publication number
KR20010086153A
KR20010086153A KR1020017008055A KR20017008055A KR20010086153A KR 20010086153 A KR20010086153 A KR 20010086153A KR 1020017008055 A KR1020017008055 A KR 1020017008055A KR 20017008055 A KR20017008055 A KR 20017008055A KR 20010086153 A KR20010086153 A KR 20010086153A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate carrier
substrate
sealing
carrier
chamber
Prior art date
Application number
KR1020017008055A
Other languages
English (en)
Inventor
안드레아스 슈타인뤼케
Original Assignee
페터 옐리히, 울리히 비블
스테그 마이크로테크 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 페터 옐리히, 울리히 비블, 스테그 마이크로테크 게엠베하 filed Critical 페터 옐리히, 울리히 비블
Publication of KR20010086153A publication Critical patent/KR20010086153A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)
  • Gasket Seals (AREA)

Abstract

본 발명은 기판, 특히 반도체 웨이퍼를 유지하기 위한 기판 캐리어에 관한 것이다. 웨이퍼면의 양호한 시일과 전기적 접촉은, 기판 캐리어가 기판 캐리어의 형상과 일치하는 중앙 개구를 가진 제 1 및 제 2 부품을 가질 경우 가능하다. 기판은 제 1 및 제 2 부품 사이로 수용되고 적어도 하나의 언더컷을 가진 둘레 시일은 제 2 부품의 내측 둘레에 제공된다.

Description

기판 캐리어{SUBSTRATE CARRIER}
본 발명은 기판, 특히 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 기판 캐리어에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 기판 캐리어는 종래기술에 알려져 있다. 예를 들면, 하나의 이런 캐리어 중 한 종류에서는, 웨이퍼가 그 측면에 있는 진공 핑거(vacuum finger)에 의해 진공이 적용되는 진공에 의해 지지된다. 다른 형태의 기판 캐리어에서는, 웨이퍼의 테두리(edge)에 지지요소(holding element)가 제공된다. 이런 기판 캐리어는 다양한 용도에 사용될 수 있지만, 특정 분야에서는 적절하지 않을 수 있다. 이런 특정 용도의 예로서는 금속도금, 특히 웨이퍼의 양 면 중 어느 한 면에 대한 구리 도금을 들 수 있다. 이런 형태의 금속도금에 있어, 각각의 금속-함유 처리액은 도금될 웨이퍼면으로 인도되고, 동시에 도금될 웨어퍼면과 이에 대향하여 배열된 양극(anode) 사이에 전하가 인가된다. 이런 전하를 생성하기 위해서는 도금될 웨이퍼의 전면(front side)이 전기접촉(electrical contact)되어야 한다. 웨이퍼 전면을 도금하기 위해 필요한 고전류 밀도(high current density)가 웨이퍼의 전기적 구조, 예를 들면 트랜지스터(transistors)의 파괴없이는 웨이퍼 배면에 대해 접촉될 수 없기 때문에 웨이퍼 배면에서의 전기 접촉은 불가능하다. 따라서, 전자 구조물 영역 내의 금속은 원하지 않는 오염으로 귀결될 수 있기 때문에, 처리액 내 구리에 의해 처리되지 않도록 웨이퍼면을 시일링할 필요가 있다. 구체적으로, 웨이퍼 전면에 대한 전기 접촉은 전해물(electrolytes)로부터도 보호되어야만 한다. 왜냐하면, 이런 전해물 또한 원하지 않는 금속층을 형성할 수 있기 때문이다.
상술한 기판 캐리어는 처리될 웨이퍼면의 전기 접촉 및 처리유동체로부터 처리되지 않을 기판면에 대한 시일링을 제공하지 않고 있다.
미국특허 제 5,429,733호에는 웨이퍼를 도금하기 위한 장치가 설명되어 있는는데, 웨이퍼는 기판 형상에 상응하는 중앙개구를 구비한 기저부 또는 기저부에 배치된 시일에 배치된다. 웨이퍼를 확실하게 지지하기 위해, 웨이퍼면을 수직으로 보호하는 팽창성 벌룬(balloon)에 의해 기저부 또는 시일에 웨이퍼가 프레싱된다. 이런 시일은 웨이퍼면이 전기 접촉되도록 여러개의 언더컷(undercut)을 포함한다. 따라서, 시일과 웨이퍼 사이의 언더컷은 상대적으로 크며, 이는 마진(margins) 또는 테두리를 상당히 손상시킨다. 왜냐하면, 이 영역이 임의의 처리에 대항하여 시일되어 있기 때문이다. 게다가, 처리액이 웨이퍼 위를 흐를 때, 시일과 웨이퍼 영역 사이의 경계면에서 상대적으로 중성 커렌트(netural current)를 형성하며, 이에 따라 이 영역에서는 웨이퍼가 균일하지 않게 처리된다.
마찬가지로 미국특허 제 5,477,615호에는, 웨이퍼가 기저부의 시일과 팽창성 벌룬 사이에서 유지되는 장치가 공지되어 있다. 웨이퍼의 전기 접촉은 잔존하는 시일에 대항하여 방사내향으로 돌출된 개구를 통해 시일부에서 달성된다.
일본공개특허공보 제 A-7-211724호에는, 웨이퍼를 도금하기 위한 장치가 공지되어 있는데, 웨이퍼는 처리 용기(treatment basin)의 상부 테두리에 놓여 있는시일에 대항하여 기판 캐리어에 의해 프레싱된다.
상술된 종래기술의 장치와 비교하여, 본 발명은 간단하면서도 확실한 방식으로, 처리될 웨이퍼면이 시일될 수 있게함과 동시에 처리될 웨어퍼면의 전기 접촉을 허용하며, 웨이퍼와 시일 사이에서 보다 작은 언더컷을 통해 웨이퍼와 시일 사이의 경계 영역에서 처리액이 양호하게 유동할 수 있게 하는 기판 캐리어를 제공한다.
기판, 특히 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 기판 캐리어를 제공하는 본 발명에 따라 상기의 목적이 해결된다. 이런 기판 캐리어는 제 1 부품과, 기판 형상에 상응하는 중앙 개구를 가진 제 2 부품을 가지며, 기판은 이런 제 1 및 제 2 부품 사이에 수용될 수 있으며, 적어도 하나의 언더컷을 구비한 둘레 시일(peripheral seal)이 제 2 부품의 내측 둘레에 제공된다. 부품의 내측 둘레에 중앙 개구를 가진 둘레 시일은, 방사내향으로 연장되는 기판 캐리어의 경계를 형성한다. 이런 둘레 시일에 기초하여, 기판이 처리액에 의해 세정될 때, 웨이퍼와 기판 사이의 경계영역에서 유동이 양호하게 된다. 게다가, 시일 내 적어도 하나의 언더컷을 통해, 중앙 개구에 마주하는 웨이퍼면 및 처리액과 접촉하는 웨이퍼 외측면이 전기적으로 접촉할 수 있다.
기판 캐리어 제 2 부품의 내측 둘레에 도포된 시일링 재료에 의해 시일이 형성되는데, 이 시일링 재료는 녹거나 용접되어 간단하면서도 저렴한 시일을 형성하는 것이 바람직하다. 확실한 시일을 제공하기 위해 시일링 재료가 기판의 테두리 영역 또는 그 둘레와 오버랩(overlap)되는 것이 바람직하다. 또한, 이 테두리 또는 둘레 영역에서, 처리될 기판면의 전기적 접촉이 가능하다.
본 발명의 바람직한 양상에서, 시일은 포인트 또는 팁으로 구성되는 것이 바람직한 시일링 립(sealing lip)을 가진다. 시일링 립, 특히 포인트 또는 팁을 구비한 시일링 립은 웨이퍼와 시일링 립 사이에서 정해진 시일 및 정해진 변이를 제공하는데, 이는 균일한 시일링을 제공한다.
시일링 립은 시일링 재료의 내측 둘레와 결합되거나 동일평면에 있는 것이 바람직하다. 즉, 시일링 립은 시일링 재료의 가장 내부 영역을 규정하여 시일링 재료의 내측 둘레를 따르는 처리액의 균일한 유동을 보장한다.
본 발명의 특히 바람직한 실시예에서, 시일링 립은 시일링 재료를 밀링가공하여 형성된다. 기판 캐리어 제 2 부품의 내측 둘레에 시일링 재료를 도포하면, 특히 재료를 용융시켜 적용하면, 시일링 립의 형상 및 위치를 정확하게 제공하기가 어렵다. 이런 이유 때문에, 시일링 재료를 밀링가공하거나 또는 기판 캐리어 제 2 부품의 내측 둘레에 시일링 재료를 도포한 후, 시일의 형상 전체를 밀링가공하는 것이 유리하다. 왜냐하면, 이렇게 해야 시일의 형상 및 배열, 특히 시일링 립이 정밀하게 될 수 있기 때문이다.
시일링 재료는 중합재료를 포함하고 탄성적인 것이 바람직하다. 이런 점에서, 탄성력은 시일이 웨이퍼에 대항하여 충분한 압력과 양호한 시일이 제공되도록, 지나치게 커서는 안된다.
본 발명의 다른 특히 바람직한 실시예에서, 시일에 대항하는 탄성요소는 기판 캐리어의 제 1 부품에 제공되어, 필요한 접촉압력을 형성하고 시일링 재료의 최소의 탄성 균형성을 제공한다. 이런 탄성요소에 의해, 기판은 상대적으로 강한 시일에 대항하여 프레싱되고 시일로부터 웨이퍼의 손상을 방지한다. 따라서, 탄성요소는 시일링 립에 대향하여 배치되는 것이 바람직하고, 이는 시일링 립의 포인트 또는 립에 탄성적으로 대항하여 기판을 프레싱함으로써 양호한 시일을 제공한다. 탄성 요소로서는 간단하면서도 저렴한 오-링(O-ring)이 사용된다. 탄성요소는 기판 캐리어의 제 1 부품 내 홈, 특히 도브테일 홈에 유지되어 탄성요소의 위치에 고정되는 것이 바람직하다. 도브테일 홈은 한편으로는 오-링을 양호하게 고정시키고 다른 한편으로는 오-링이 측면으로 연장되게 하기 때문에 유리하다.
본 발명의 특히 바람직한 실시예에서, 적어도 하나의 센터링 요소가 기판 캐리어의 제 2 부품에 제공된다. 센터링 요소는 시일의 균일한 작용을 제공하기 위해, 기판 캐리어의 제 1 및 제 2 부품에 대한 상호 위치 뿐만아니라 시일링에 대한 기판의 위치를 결정한다. 바람직하게는, 적어도 하나의 센터링 요소가 베벨(bevel) 또는 경사면(slant)을 포함하며, 이를 따라 활주식 센터링이 수행될 수 있다. 바람직하게는, 수 개의 센터링 요소가 기판의 외측 둘레에 실질적으로 상응하는 내측 둘레를 규정하여, 처리되는 동안 기판의 측면 이동을 억제하고 시일을 동시에 그리고 정밀하게 배치시킬 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 센터링 요소는 시일링 재료와 일체식으로 구성되고 시일링 재료가 밀링가공됨으로써, 센터링 요소의 저렴한 제조가 가능하다. 게다가, 시일링 재료를 밀링가공함으로써 높은 정밀성이 유지될 수 있는 장점이 제공된다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에서, 기판 캐리어의 제 1 및 제 2 부품의 센터링이 확실하게 결정되도록 적어도 하나의 센터링 요소가 기판 캐리어의 제 1부품에 제공된다. 따라서, 두 부품의 센터링을 위해, 기판 캐리어의 제 1 부품의 센터링 요소는 베벨 또는 경사면을 가지는 것이 바람직하다. 이 베벨 또는 경사면은 제 2 부품의 베벨에 대향하는 곳에 놓여 상호보완작용을 한다. 바람직하게는, 탄성요소를 수용하는 홈이 센터링 요소의 범위를 정한다.
기판면의 전기 접촉을 보장하기 위해, 기판 캐리어는 컨택트 어셈블리(contact assembly) 또는 컨택트 어랜지먼트(contact arrangement)를 가지고 있다. 시일이 놓여 있는 기판 전면을 접촉시키기 위해, 컨택트 어랜지먼트는 기판 홀더의 제 2 부품에 배치되는 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명의 특히 바람직한 실시예에서, 컨택트 어랜지먼트는 시일의 언더컷 영역 내로 돌출되어 있다.
양호하고 신뢰성 있는 기판의 전기 접촉을 위해, 컨택트 어랜지먼트는 기판방향에 편심된 적어도 하나의 접촉 스프링을 가지는데, 이는 기판을 최소의 움직임 또는 진동 하에서 양호한 접촉을 보장한다. 간단하면서도 비용상 효율적인 방식으로 기판의 외측 둘레에 걸쳐 균일하게 전기 접촉되도록, 다수의 접촉 스프링이 컷아웃된(cut-out) 링형 접촉부재에 구성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에서, 적어도 하나의 챔버가 기판 캐리어의 제 1 및 제 2 부품 사이에 형성되고 컨택트 접촉 어랜지먼트를 수용하는 것이 바람직하다. 바람직하게는, 제 1 챔버가 원형 기판 또는 각진 기판과 더불어 링형으로 기판 캐리어의 중앙 개구 주위에 연장된다. 제 1 실시예에서, 제 1 챔버의 내측 둘레는 기판 캐리어의 제 1 부품에서 전기 접촉에 의해 시일되고 기판 캐리어의 제 2 부품은 이런 시일링에 의해 시일링된다. 제 1 챔버의 외측 둘레는 기판 캐리어의 제 1 및/또는 제 2 부품에서 시일링 요소에 의해 시일된다. 이런 점에서, 양호하고 비용상 효율적인 시일을 위한 시일링 요소는 오-링이다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시예에 따라, 적어도 하나의 제 2 챔버가 기판 캐리어의 제 1 및 제 2 부품 사이에 제공된다. 제 2 챔버는 제 1 챔버 주위에 연장되고 제 2 챔버의 시일링을 위해 기판 캐리어의 제 1 및/또는 제 2 부품에 적어도 하나의 시일링 요소를 포함하는 것이 바람직하다. 제 2 챔버를 위한 두 개의 시일링 요소, 바람직하게는 오-링 제공되는 것이 유리하다.
기판 홀더의 제 1 및 제 2 부품을 함께 유지하기 위해서는, 제 1 및 제 2 챔버에 진공을 적용시키기 위한 장치가 제공되는 것이 바람직하다. 진공 상태에서는, 제 1 및 제 2 부품은 간단한 방식으로 서로에 대항하여 유지될 수 있고, 진공이 해제된 상태에서는, 두 부품 사이에 유지된 기판을 그립하기 위해 제 1 및 제 2 부품이 서로로부터 용이하게 분리될 수 있다.
시일링 립을 안정화시키기 위해서는, 제 1 챔버가 유동체, 예를 들면 N2로 채워져, 시일링 립에 작용하는 처리액의 압력에 대해 역압력이 형성되도록 하는 것이 유리하다. 처리되는 동안 기판의 벤딩 또는 변형이 방지되도록, 처리되지 않을 기판면을 위한 기판 지지면이 기판 캐리어의 제 1 부분에 제공되며, 지지면은 실질적으로 기판과 동일한 형상을 가진다.
기판 캐리어에 필요한 강직성(rigidity) 및 강도가 제공되도록 기판 캐리어의 제 1 및 제 2 부품 각각은 금속몸체를 가지는 것이 바람직하다. 중합 재료 코팅이 각각의 금속몸체에 제공되어, 금속성 오염과 기판간의 접촉을 방지하거나 금속- 유착 처리액과 금속몸체간의 접촉을 방지한다. 바람직하게는, 상술한 캐널, 챔버 또는 이와 유사한 것이 형성되도록 코팅이 다양한 두께의 영역을 가진다.
본 발명은 첨부된 도면을 참조로 하여 설명된다.
도 1은 처리 또는 프로세싱 장치 위에 배치된 본 발명의 기판 캐리어를 개략적으로 도시하는 단면도;
도 2는 본 발명의 기판 캐리어의 독창적인 시일링 배열을 상세히 도시하는 도면;
도 3은 도 1에 따른 기판 캐리어의 영역(area)을 부분 확대한 도면; 그리고
도 4는 본 발명의 기판 캐리어의 제 2 실시예로서, 도 3의 도면과 유사하게 기판 캐리어의 영역을 확대한 도면이다.
도 1은 프로세싱 장치 또는 처리 장치(3) 위에 배치되어 웨이퍼(2)를 지지하는 기판 캐리어(1)의 단면을 개략적으로 도시하고 있다. 처리장치(3)는 구리도금 장치와 같은 금속도금 장치로서, 아래로부터 웨이퍼(2)로 금속-함유 처리액을 공급한다. 전류는, 처리장치(3)에 있는 양극 어랜지먼트(anode arrangement)와 처리장치에 의해 처리될 기판면 사이에 생성된다.
금속도금 장치(3)의 구조에 대해서는 반복 설명을 피하기 위해, 독일특허출원공개공보 제 199 34 298-9호에 "기판을 프로세싱하기 위한 장치 및 방법(Device and Method for Processing Substrates)"이란 발명의 명칭으로 본 출원인에 의해본 출원과 동일한 날짜에 특허출원된 출원을 참조하면 된다.
기판 캐리어(1)는 상판부 또는 상부 커버(5) 및 하부 링(6)을 포함하고, 기판(2)은 커버(5)와 링 요소(6) 사이에 유지되며, 이에 대한 보다 상세한 설명은 아래에 설명될 것이다.
커버(5)는, 중합 재료 코팅(polymeric material coating; 9)으로 도포된 금속몸체(8)를 가진다. 금속몸체(8)의 상측부(10)는 매끈하고 평탄하며, 하측부(11)는 계단식으로 형성되어, 금속몸체(8)는 금속몸체(8)의 둘레부보다 근본적으로 웨이퍼(2)의 형상에 상응하는 중앙부에서 보다 두꺼운 두께를 가진다.
코팅(9)은 금속몸체(8)의 측면과 상부면에서 실질적으로 균일한 두께를 가진다. 도면에 도시된 바와 같이, 적어도 부분적으로는 두껍지만 금속몸체(8) 하측부의 둘레부 또는 테두리에서는 보다 얇은 두께의 코팅이 되어있다. 그러나, 코팅(9)이 금속몸체(8) 전체에 걸쳐 균일한 두께를 가질 수도 있고, 부수적인 재료가 용접에 의해 금속몸체 둘레부의 코팅 상에 부착될 수 있다.
도 2에 잘 도시된 바와 같이, 코팅(9)이 보다 두껍게 형성된 제 1 부분은 금속몸체(8)가 제 1 두께로부터 제 2 두께로 가는 곳에 놓여져 있다. 이 부분에서의 코팅(9)에는 오-링(O-ring; 15)을 수용하는 도브테일 홈(dovetail groovel; 13)이 형성되어 있다. 도브테일 홈(13)은 금속몸체(8)가 도포된 후, 코팅(9)을 형성하고 있는 재료로부터 밀링가공될 수 있다. 또는, 금속몸체가 도포되는 동안 도브테일 홈이 이런 형상으로 구성될 수도 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 도브테일 홈(13)에 인접해 있는 코팅(9) 재료는 사각으로 또는 경사져서 안쪽으로 비스듬히기울어진 스텝 또는 레그(17)를 형성하고 있다. 도 3에 잘 도시된 바와 같이, 코팅(9)이 보다 두껍게 형성된 제 2 부분은 커버(5)의 가장자리에 존재한다. 이 부분에는 오-링(21)이 배치된 도브테일 홈(20)이 형성되어 있다. 코팅(9)의 제 1 및 제 2 두께부 사이에는 아래쪽으로 개방된 챔버(23)가 커버의 둘레 전체에 걸쳐 형성되어 있다.
기판 캐리어(1)의 하부 링(6)은 링형, 실질적으로는 가장자리가 구형으로 형성된 직각형 단면의 금속몸체(25)를 가지고 있다. 금속몸체(25)의 내측면(26)은 다소 기울어져 있으며 내측 둘레는 위쪽으로 경사져 있다. 내측면(26)의 상부에는 작은 돌출부(27)가 제공되어 있는데, 이는 금속몸체(25)의 구형 가장자리를 형성한다. 금속몸체(25)의 상부면에는, 링(6)에 접촉배열(contact arrangement)이 고정되도록 나사(screw; 29)를 수용하기 위한 나사식 보어(thread bores; 28)가 있으며, 이에 대해선 아래에서 설명될 것이다. 나사식 보어(28)부에서, 금속몸체는 위쪽으로 상승된 돌출부(30)를 가지고 있다.
돌출부(30)를 제외하고는 금속몸체(25)가 거의 완벽하게 코팅(32)에 의해 둘러싸인다. 필수적이지는 않지만, 코팅(32)은 코팅(9)과 같은 동일한 재료로 이루어진다.
코팅(32)은 커버(5)를 위해 상승된 지지체(34)를 제공하기 위해 링(6)의 상부 외측에서 보다 두껍게 형성되어 있다. 상승된 지지체(34)에는 리세스가 제공되어 있고, 커버(5)와 링(6)이 접촉될 때, 이 리세스 내에는 커버(5) 상에 오-링이 돌출되어 있다.
링의 안쪽 상부 가장자리에는 시일링 재료(38)가 코팅(32)에 용접된다. 또는, 시일링 재료(38)가 코팅(32)과 같은 동일한 재료로 코팅과 하나의 구성체로서 구성될 수 있다. 시일링 재료(38)는 링(6)으로부터 방사내향으로 연장된다. 시일링 재료(38)의 상부면(40)은, 도 2에 잘 도시된 바와 같이, 코팅(32)의 상측면 또는 상부면과 정렬되도록 형성된다. 시일링 재료는 링(6)의 내측 둘레 전체에 연장되어 있고, 도 2에 잘 도시된 바와 같이, 측방향에서 웨이퍼(2)의 둘레 또는 가장자리부와 겹쳐진다. 시일링 재료(38)에서, 시일링 립(sealing lip; 42)은 상부면(40)에 대해 수직으로 형성되며 포인트 또는 팁(43)에서 종결된다. 따라서, 시일링 립은 시일링 재료의 내측 둘레와 동일한 평면상에서 종결된다. 즉, 시일링 립(42)은 가장 먼 웨이퍼(2)와 겹쳐진다. 시일링 재료가 시일링 립(42)으로부터 방사외향하는 부분에서는, 시일링 재료와 웨이퍼(2) 가장자리부 또는 둘레 사이에 빈 공간의 챔버(45)를 형성하기 위해 시일링 재료(38)의 상부면(40) 구조가 절단되어 있다. 측방향에서 웨이퍼(2)와 시일링 재료(38)가 겹쳐지는 부분은 평균적으로 3mm이다. 즉, 3mm의 가장자리 또는 둘레부는, 웨이퍼 위에 있는 처리장치(3)로부터의 처리액 유입으로부터 시일링된다. 그러나, 이 간격은 2 또는 심지어 1 밀리미터 또는 그밖에 다른 값들로 바뀔 수도 있다. 그러나, 프로세싱될 웨이퍼(2)와 시일링 재료(38) 사이에서 처리될 웨이퍼면의 전기적 접촉이 실행되는 실질적으로 빈 공간의 챔버(45)가 보장되어야 한다. 이에 대해서는 아래에 설명될 것이다. 일명 둘레 연결부(peripheral connection)라 불리는 이곳은, 웨이퍼 전면을 도금하는 동안, 구리가 웨이퍼(2)의 후면에 들러붙는 것을 억제하고 도금될 웨이퍼면의전기적 접촉을 보장하기 위해 필요한다. 도금처리를 위한 고전류 밀도가, 웨이퍼의 어떤 전기적 구성요소, 가령 트랜지스터의 파괴없이는 웨이퍼 후면에 달성될 수 없기 때문에, 웨이퍼 후면에서의 전기적 접촉은 불가능하다. 따라서, 도금처리를 위해 필요한 전류, 즉 고전류 밀도를 형성하기 위해 웨이퍼의 전면에 적절한 금속의 박층이 스퍼터링에 의해 적용될 수 있다.
균일한 둘레 연결부를 제공하기 위해 시일링 립은 웨이퍼의 중심점에 대해 동심을 이루며 놓여져 있다. 이런 점에서, 웨이퍼(2)가 오-링(15)과 시일링 립(42)사이에서 유지될 때, 오-링의 압력이 시일링 립의 포인트 또는 팁 위에 충분하게 가하는 방식으로 시일링 립(42)은 커버(5)의 오-링(15)에 대향하여 놓여진다.
또한, 시일링 재료(38)는 시일링 립(42)에 대해 반경 바깥쪽에 그리고 시일링 립(42)보다 높게 배열된 다수의 돌출부(28)를 형성하고 있다. 각각의 돌출부(48)는 이 장치의 중심점에 마주하는 측면(49)의 상부에 아래쪽으로 경사진 베벨(bevel) 또는 경사진 표면(50)을 포함한다. 중심점에 마주하는 돌출부(48) 측면(49)의 하부는 직선모양으로 형성되어 있다. 돌출부(48) 측면(49)의 직선부는 웨이퍼(2)의 외측 둘레에 상응하는 내측 둘레를 규정한다. 이런 베벨(50)에 의해서 링에 배열된 웨이퍼(2)가 링에 대해 중심을 잡고, 측면(49)의 직선부에 의해서는 측면이동에 대항하여 유지될 수 있다. 또한, 링(6)에 대한 커버(5)의 센터링을 제공하기 위해 돌출부(48)의 베벨(50)과 커버(5)의 사각면(19)은 서로 보완 작용을 한다.
금속 링(54)은 나사(29)에 의해 하부 링(6)에 고정된다. 금속 링(54)과 나사(29)의 헤드 사이에는 강화 링(reinforcing ring; 55)이 제공된다. 금속 링(54)은, 금속몸체(45)를 통해 전압을 인가하기 위한 장치에 부착되어 있다. 이 장치는 도면에 구체적으로 도시되어 있지 않다. 금속 링(54)은 중간부분에 스프링 요소(58)의 형성을 위한 절단부를 가지며, 이 중 하나는 도 2에 도시되어 있다. 도 2에서 알 수 있듯이, 스프링 요소(58)는 시일링 재료(38)와 웨이퍼(2) 사이에서 시일링 재료(38)의 절단부를 통해 형성된 챔버(45) 내에 돌출되어 있다. 금속몸체(25)와 결합되는 외부에 대향하는 스프링 요소(58)는 위쪽으로 굽혀있으며, 시일링 립(42)의 포인트 또는 팁(43) 위에서 스트레스를 받지 않는 상태로 돌출되도록 배열되어 있다. 웨이퍼(2)가 링(6) 위에 배치되면, 웨이퍼(2)의 후면이 스프링 요소(58)에 접촉하게 되고, 스프링 요소는 아래쪽으로 휘게되어, 웨이퍼(2) 후면과의 양호한 접촉을 보장한다. 이런 모습이 도면에 도시되어 있지는 않지만, 아치형의 접촉부가 스프링 요소(58)에 형성될 수 있으며, 이는 접촉된 웨이퍼면에 대한 손상을 방지한다.
도 3에 도시된 바와 같이 커버(5)가 제조되면, 챔버(60)가 그 중간에 형성되고, 챔버 사이의 하부 링(6)에 놓인 웨이퍼(2)에는 커버(5)에 링(6)이 지지되도록 진공이 장치(도시 안됨)에 의해 적용될 수 있다. 챔버(60)는 오-링(21)에 의해 외측 둘레가 시일링되고, 시일링 립(42), 오-링(15) 및 그 사이에 지지된 웨이퍼에 의해 그 내측 둘레가 시일링된다. 그러나, 링(6)은 어떤 다른 적절한 방식 및 방법에 의해 커버(5)에 지지될 수도 있다.
장착과 해제를 위해, 링(6)은 지지체(도시 안됨) 상에 배치되고, 진공은 챔버(60)로부터 제거되어 커버(5)가 링(6)으로부터 상승된다. 이 위치에서, 웨이퍼-핸들링 로봇(wafer-handling robot)은 커버(5)와 링(6) 사이에 형성된 갭을 통해 웨이퍼(2)를 그립하고, 돌출부(48) 위로 이를 들어올리며, 기판 캐리어로부터 웨이퍼를 측면으로 이동시킬 수 있다. 장착의 경우, 이 웨이퍼 핸들링 로봇은 커버(5)와 링(6) 사이의 갭을 통해 한 쪽으로부터 웨이퍼(2)를 이동시켜 링(2) 상에 이 웨이퍼(2)를 위치시킨다. 웨이퍼(2)는 링(6)에 대해 정확하게 센터링되지 않으면, 센터링은 돌출부(48)의 베벨(50)을 통해 이루어질 것이다. 웨이퍼(2)는 스프링 요소(58)와 접촉된다. 이어서, 웨이퍼 핸들링 로봇은 커버(5)와 링(6) 사이의 부분으로부터 후퇴되고, 커버(5)는 아래쪽으로 내려간다. 커버(5)는 사각면(15, 19)에 의해 링에 대해 센터링된다. 그 다음, 웨이퍼(2)는 오-링에 의해 시일링 립(42)의 포인트(43)에 대항하여 확실하게 프레싱됨으로써 양호한 시일링 효과가 달성된다. 오-링(21)은 리세스(36)와 결합되어 양호한 시일링 효과를 또한 제공한다. 그 다음, 링(6)이 커버(5)에 확실하게 지지되고 링(6)과 커버(5)가 처리장치(3)에 위로 이송될 수 있도록 진공이 챔버(60)에 다시 한 번 적용된다.
도 4는 기판 캐리어(1)의 다른 실시예를 도시하고 있다.
도 4에 따른 실시예에서는 다른 실시예에서 언급된 동일 부품에 대해 동일한 도면부호가 사용된다. 도 4에 따른 기판 캐리어(1)는 커버(5) 및 하부 링(6)을 구비하며, 이들 각각은 금속몸체(8) 또는 금속몸체(25)를 가진다. 제 1 실시예에서와 같이, 금속몸체(8) 및 금속몸체(25)는 코팅(9) 또는 코팅(32)으로 덮혀있다.
도 1 내지 도 3의 기판 캐리어와 도 4의 기판 홀더 사이의 주요 차이는, 도4에 따른 커버(5) 및 링(6)이 보다 큰 직경을 이루며, 챔버(62)가 상부커버(5)와 하부 링(6) 사이에 추가로 형성되어 있다는 것이다. 이런 챔버(62)는 챔버(60)의 바깥쪽에 반경을 따라 연장되어 있다. 이들 챔버는 서로에 대해 코팅(9)에 형성된 도브테일 홈(66) 내에 배치된 오-링(64)으로 시일링되어 있다. 상부(5)가 하부 링(6) 위에 배치되면, 오-링(64)은 코팅(32)이 한층 높은 일부(68)를 프레싱하여 챔버(60, 62)를 서로에 대해 시일링한다. 챔버(60)의 내측 둘레는 제 1 실시예에서 언급된 방식과 유사한 방식, 즉 오-링(15), 웨이퍼(2) 및 시일링 립(42)에 의해 시일링된다.
챔버의 외측 둘레는, 코팅(9)의 도브테일 홈(72) 내에 배치된 오-링(70)에 의해 시일링되어, 기판 캐리어가 폐쇄된 상태에서 코팅(32)이 한층 높은 일부(74)에 대항하여 프레싱된다.
도면에 도시되지 않은 장치를 통해, 상부커버(5)에 하부 링(6)이 고정되도록 진공이 챔버(62)에 적용될 수 있다.
진공이 적용될 수 있는 제 2 챔버(62) 사용의 장점은, 챔버(62)에 적용되는 진공이 챔버(60)에 적용되는 진공과 달리 시일링 립(42)에 영향을 미치지 않는다는 것이다. 따라서, 웨이퍼(2)와 접하는 시일링 립(42)의 시일링 효과에 대한 간섭을 배제시킬 수 있다.
본 발명이 특정 실시예들을 참조로하여 설명되었지만, 기판 캐리어는 상세한 설명에 나타난 특정 형태에 제한되지는 않는다. 예를 들면, 진공을 적용하기 위한 그리고 커버(5)에 하부 링(6)을 지지하기 위한 장치 대신에, 상부 커버에 하부링(6)을 확실하게 지지하기 위한 자석 배열, 특히 전자식 배열(electromagnetic arrangement)이 제공될 수 있다. 또한, 커버(5)와 하부 링(6)을 동시에 지지하기 위한 기계적 유지 장치(mechanical holding device), 예를 들면, 클램핑 장치가 제공될 수도 있다. 커버(5)가 하부 링(6)처럼 설계된다 할지라도, 기판 캐리어는 임의의 방향, 예를 들면 수직방향 또는 약 180°회전할 수 있는 방향에서도 사용될 수 있다. 기판 캐리어는 각진 기판 뿐만아니라 둥근형의 기판, 즉 어떤한 형상을 가진 기판에서도 사용될 수 있으며, 이에 따라 커버의 형상 뿐만아니라 하부 링의 형상은 기판 형상에 따를 수 있다. 또한, 하부 링은 각진 중앙 개구를 구비한 각진형을 포함할 수 있다. 동일한 방식으로, 커버와 하부 링 사이에 형성된 챔버도 다양한 형상을 취할 수 있다.

Claims (49)

  1. 기판의 형태와 일치하는 중앙 개구를 가진 제 1 부품(5) 및 제 2 부품(6)을 구비하고, 상기 제 1 부품과 상기 제 2 부품 사이에 수용될 수 있는 기판(2), 특히 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 기판 캐리어(1)에 있어서,
    상기 제 2 부품(6)의 내측 둘레에는, 적어도 하나의 언더컷을 가지며 기판으로부터 멀어지는 방향으로 확장된 외형 또는 내측면을 형성하는 둘레 시일(42)이 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  2. 제 1항에 있어서, 상기 시일(42)이 상기 기판 캐리어(1)의 상기 제 2 부품(6)의 내측 둘레에 적용된 시일링 재료(3)로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 시일링 재료(38)가 상기 기판(2)의 둘레 영역에 오버랩(overlap)되는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  4. 전 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 시일(42)이 시일링 립(42)을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  5. 제 3항에 있어서, 상기 시일링 립(42)에 포인트(43)가 형성된 것을 특징으로하는 기판 캐리어(1).
  6. 제 4항 또는 제 5항에 있어서, 상기 시일링 립(42)이 상기 시일링 재료(38)의 내측 둘레에 결합되거나 동일 평면상에 있는 것을 특징으로 기판 캐리어(1).
  7. 제 2항 및 제 4항 내지 제 6항에 있어서, 상기 시일링 립(42)이 상기 시일링 재료(38)의 밀링가공에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  8. 전 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 시일링 재료(28)가 중합 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  9. 전 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 시일링 재료(28)가 탄성적인 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  10. 전 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 캐리어(1)의 상기 제 1 부품(5)의 시일(42)에 대향하여 배치된 탄성 요소(15)를 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  11. 제 10항에 있어서, 상기 탄성 요소(15)가 시일링 립(42)에 대향하는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  12. 제 10항 또는 제 11항에 있어서, 상기 탄성 요소(15)가 오-링(15)인 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  13. 제 10항 내지 제 12항에 있어서, 상기 탄성 요소(15)가 상기 기판 캐리어(1)의 상기 제 1 부품(5)의 홈(13)에 유지되는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  14. 제 13항에 있어서, 상기 홈(13)이 도브테일 홈(dovetail groove)인 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  15. 전 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 캐리어(1)의 상기 제 2 부품에 있는 적어도 하나의 센터링 요소를 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  16. 제 15항에 있어서, 상기 센터링 요소(48)가 베벨(bevel; 50)을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  17. 제 15항 또는 제 16항에 있어서, 여러개의 센터링 요소(48)가 상기 기판(2)의 외측 둘레에 실질적으로 상응하는 내측 둘레를 규정하는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  18. 제 15항 내지 제 17항에 있어서, 상기 센터링 요소(48)가 상기 시일링재료(38)와 일체식으로 구성된 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  19. 제 18항에 있어서, 상기 센터링 요소(48)가 상기 시일링 재료(38)의 밀링가공에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  20. 전 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 캐리어(1)의 상기 제 1 부품의 적어도 하나의 센터링 요소(17)를 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  21. 제 20항에 있어서, 상기 기판 홀더(1)의 상기 제 1 부품에 상기 센터링 요소(17)가 베벨(19)을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  22. 제 21항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 부품(5, 6)의 상기 센터링 요소(17, 48)의 상기 베벨(19, 50)이 서로 대향하며 서로에 대해 보완작용을 하는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  23. 제 20항 내지 제 22항에 있어서, 상기 탄성요소(15)를 수용하기 위한 홈이 상기 센터링 요소(17)에 접하여 있는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  24. 전 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판(1)의 표면에 탄성 접촉되도록 상기 기판 캐리어(1)에 있는 적어도 하나의 컨택트 어랜지먼트(54, 58)를 특징으로하는 기판 캐리어(1).
  25. 제 24항에 있어서, 상기 컨택트 어랜지먼트(54, 58)가 상기 기판 캐리어(1)의 상기 제 2 부품(6) 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  26. 제 24항 또는 제 25항에 있어서, 상기 컨택트 어랜지먼트(54, 58)가 상기 시일(42)의 언더컷 영역 내에 적어도 부분적으로 연장되는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  27. 제 24항 내지 제 26항에 있어서, 상기 컨택트 어랜지먼트(54, 58)가 적어도 하나의 접촉 스프링(58)을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  28. 제 27항에 있어서, 상기 접촉 스프링(58)이 상기 기판(2)의 방향에서 편향되는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  29. 제 27항 또는 제 28항에 있어서, 다수의 접촉 스프링(58)이 링형의 접촉부재(54)의 컷아웃을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  30. 전 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 캐리어(1)의 상기 제 1 및 제 2 부품(5, 6) 사이에 형성된 적어도 제 1 챔버(60)를 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  31. 제 30항에 있어서, 상기 제 1 챔버(60)가 상기 제 2 부품의 상기 중앙 개구 주위에 연장되는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  32. 제 30항 또는 제 31항에 있어서, 상기 제 1 챔버(60)의 내측 둘레가 상기 기판 캐리어(1)의 상기 제 1 부품에서 상기 탄성요소(15), 기판(2), 그리고 상기 기판 캐리어의 제 2 부품(6)에 의해 시일링되는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  33. 제 30항 내지 제 32항에 있어서, 상기 제 1 챔버(60)의 외측 둘레가 적어도 하나의 시일링 요소(21, 64)에 의해 상기 기판 캐리어의 제 1 및/또는 제 2 부품에서 시일링되는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  34. 제 33항에 있어서, 상기 시일링 요소(21, 64)가 오-링인 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  35. 제 30항 내지 제 34항에 있어서, 상기 기판 캐리어(1)의 상기 제 1 및 제 2 부품(5, 6) 사이에 있는 적어도 하나의 제 2 챔버(62)를 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  36. 제 35항에 있어서, 상기 제 2 챔버(62)가 상기 제 1 챔버 주위에 연장되는것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  37. 제 35항 또는 제 36항에 있어서, 상기 제 2 챔버(62)를 시일링하기 위해 상기 기판 캐리어의 상기 제 1 및 제 2 부품에 있는 적어도 하나의 시일링 요소(64, 70)를 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  38. 제 37항에 있어서, 상기 제 2 챔버(62)를 시일링하는 두 개의 시일링 요소(64, 70)를 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  39. 제 37항 또는 제 38항에 있어서, 상기 시일링 요소(64, 70)가 오-링인 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  40. 제 30항 내지 제 39항에 있어서, 상기 제 1 및/또는 제 2 챔버(60, 62)에 진공을 적용하는 장치를 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  41. 전 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 캐리어(1)의 상기 제 1 부품(5)에 있는 기판 지지면(11)을 특징으로 기판 캐리어(1).
  42. 제 41항에 있어서, 상기 기판 지지면(11)이 상기 기판(2)의 전체적인 형상에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  43. 전 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 캐리어(1)의 상기 제 1 부품(5)이 금속몸체(8)를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  44. 제 43항에 있어서, 상기 금속몸체(8)가 코팅(9)으로 도포되는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  45. 제 44항에 있어서, 상기 코팅(9)이 국부적으로 다른 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  46. 전 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 캐리어(1)의 상기 제 2 부품(6)이 금속몸체(25)를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  47. 제 48항에 있어서, 상기 금속몸체(25)가 코팅(32)으로 도포되는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  48. 제 47항에 있어서, 상기 코팅(32)이 국부적으로 다른 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
  49. 제 44항 또는 제 42항에 있어서, 상기 코팅(9, 32)이 중합 재료를 포함하는것을 특징으로 하는 기판 캐리어(1).
KR1020017008055A 1998-12-22 1999-12-15 기판 캐리어 KR20010086153A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19859467.4 1998-12-22
DE19859467A DE19859467C2 (de) 1998-12-22 1998-12-22 Substrathalter
PCT/EP1999/009942 WO2000038222A1 (de) 1998-12-22 1999-12-15 Substrathalter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010086153A true KR20010086153A (ko) 2001-09-08

Family

ID=7892263

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020017008055A KR20010086153A (ko) 1998-12-22 1999-12-15 기판 캐리어

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6569302B1 (ko)
EP (1) EP1145292A1 (ko)
JP (1) JP2002540011A (ko)
KR (1) KR20010086153A (ko)
DE (1) DE19859467C2 (ko)
WO (1) WO2000038222A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100600584B1 (ko) * 2004-10-25 2006-07-13 삼성전자주식회사 반도체 제조용 공정챔버

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10059451C1 (de) * 2000-11-30 2002-08-14 Maerzhaeuser Senso Tech Gmbh Werkstückaufnahme für galvanische Beschichtungen
JP3588777B2 (ja) * 2002-04-12 2004-11-17 株式会社山本鍍金試験器 電気めっき試験器の陰極カートリッジ
CN101281858B (zh) * 2002-06-21 2011-02-02 株式会社荏原制作所 基片保持装置和电镀设备
US9593430B2 (en) 2002-07-22 2017-03-14 Ebara Corporation Electrochemical deposition method
US6814808B1 (en) 2002-10-08 2004-11-09 Sci-Tech Glassblowing, Inc. Carrier for semiconductor wafers
US20050125036A1 (en) 2003-08-14 2005-06-09 Mark Roby Heterogeneous yarns for surgical articles
AU2006206525A1 (en) * 2005-01-20 2006-07-27 Array Biopharma Nc. Macrocyclic analogs for the treatment of immunoregulatory disorders and respiratory diseases
US20070145231A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-28 Chunghwa Picture Tubes, Ltd Substrate buffer clamp
US7823452B2 (en) * 2007-09-27 2010-11-02 International Business Machines Corporation Slip ring positive Z force liquid isolation fixture permitting zero net force on workpiece
US7905994B2 (en) * 2007-10-03 2011-03-15 Moses Lake Industries, Inc. Substrate holder and electroplating system
US9512538B2 (en) 2008-12-10 2016-12-06 Novellus Systems, Inc. Plating cup with contoured cup bottom
JP5237924B2 (ja) * 2008-12-10 2013-07-17 ノベルス・システムズ・インコーポレーテッド ベースプレート、及び電気メッキ装置
US8262894B2 (en) 2009-04-30 2012-09-11 Moses Lake Industries, Inc. High speed copper plating bath
US12070224B2 (en) 2009-12-22 2024-08-27 Cook Medical Technologies Llc Medical devices with detachable pivotable jaws
US9653339B2 (en) * 2010-02-16 2017-05-16 Deca Technologies Inc. Integrated shielding for wafer plating
DK2627264T3 (en) 2010-10-11 2015-09-07 Cook Medical Technologies Llc MEDICAL DEVICES WITH DETACHABLE, pivotal jaws
JP2011080607A (ja) * 2011-01-26 2011-04-21 Daikin Industries Ltd 弾性シール部材
US9221081B1 (en) 2011-08-01 2015-12-29 Novellus Systems, Inc. Automated cleaning of wafer plating assembly
US10066311B2 (en) 2011-08-15 2018-09-04 Lam Research Corporation Multi-contact lipseals and associated electroplating methods
US9988734B2 (en) 2011-08-15 2018-06-05 Lam Research Corporation Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses
US9228270B2 (en) 2011-08-15 2016-01-05 Novellus Systems, Inc. Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses
SG11201406133WA (en) 2012-03-28 2014-10-30 Novellus Systems Inc Methods and apparatuses for cleaning electroplating substrate holders
US9476139B2 (en) 2012-03-30 2016-10-25 Novellus Systems, Inc. Cleaning electroplating substrate holders using reverse current deplating
CN104737283B (zh) * 2012-10-22 2017-06-30 佳能安内华股份有限公司 基板处理装置
US9746427B2 (en) 2013-02-15 2017-08-29 Novellus Systems, Inc. Detection of plating on wafer holding apparatus
US10416092B2 (en) 2013-02-15 2019-09-17 Lam Research Corporation Remote detection of plating on wafer holding apparatus
NL2014625B1 (en) * 2015-04-13 2017-01-06 Suss Microtec Lithography Gmbh Wafer treating device and sealing ring for a wafer treating device.
US10053793B2 (en) 2015-07-09 2018-08-21 Lam Research Corporation Integrated elastomeric lipseal and cup bottom for reducing wafer sticking
CN112864084A (zh) * 2021-03-10 2021-05-28 新阳硅密（上海）半导体技术有限公司 晶圆夹具

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3200468B2 (ja) * 1992-05-21 2001-08-20 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 ウエーハ用めっき装置
US5227041A (en) * 1992-06-12 1993-07-13 Digital Equipment Corporation Dry contact electroplating apparatus
US5421401A (en) * 1994-01-25 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Compound clamp ring for semiconductor wafers
JPH07211724A (ja) * 1994-01-25 1995-08-11 Casio Comput Co Ltd メッキ装置およびメッキ方法と被メッキ処理基板
JP3377849B2 (ja) * 1994-02-02 2003-02-17 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 ウエーハ用メッキ装置
US5660699A (en) * 1995-02-20 1997-08-26 Kao Corporation Electroplating apparatus
DE19781631T1 (de) * 1997-01-02 1999-04-01 Cvc Products Inc Wärmeleitendes Spannfutter für Vakuumbearbeitungsvorrichtung
JP3490238B2 (ja) * 1997-02-17 2004-01-26 三菱電機株式会社 メッキ処理装置およびメッキ処理方法
US6248222B1 (en) * 1998-09-08 2001-06-19 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100600584B1 (ko) * 2004-10-25 2006-07-13 삼성전자주식회사 반도체 제조용 공정챔버

Also Published As

Publication number Publication date
US6569302B1 (en) 2003-05-27
DE19859467C2 (de) 2002-11-28
JP2002540011A (ja) 2002-11-26
DE19859467A1 (de) 2000-07-06
WO2000038222A1 (de) 2000-06-29
EP1145292A1 (de) 2001-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20010086153A (ko) 기판 캐리어
TWI686513B (zh) 晶圓電鍍夾頭組件
JP3955532B2 (ja) 加工物の湿式処理
KR102150997B1 (ko) 전기화학적 프로세서들의 시일 링들
US6773560B2 (en) Dry contact assemblies and plating machines with dry contact assemblies for plating microelectronic workpieces
CN107208299B (zh) 具有适用于凹槽的接触环密封件及窃流电极的电镀设备
KR101587819B1 (ko) 전기화학적 프로세서용 컨택 링
KR20170007167A (ko) 웨이퍼 부착을 감소시키기 위해 통합된 탄성중합체 립시일 및 컵 하단부
TWI762978B (zh) 用於多層之靜電吸盤之接地機構及相關之方法
TWI557279B (zh) 具有屏蔽接觸環之電鍍處理器
JP6994273B2 (ja) めっき用チャック装置
US20060289302A1 (en) Electroprocessing workpiece contact assemblies, and apparatus with contact assemblies for electroprocessing workpieces
JP2023553742A (ja) 基板保持装置のカップ型チャックおよび基板保持装置
US7189313B2 (en) Substrate support with fluid retention band
JPH0313577A (ja) スパッタ装置の基板ホルダ
KR20000001894A (ko) 반도체 장치의 정전척 및 그 제조방법
JPS63226939A (ja) ウエハ保持装置
TW202033837A (zh) 電鍍夾盤
KR20030084370A (ko) 스퍼터링장치의 데포지션 링

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid