JPH0313577A - スパッタ装置の基板ホルダ - Google Patents

スパッタ装置の基板ホルダ

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JPH0313577A
JPH0313577A JP14628089A JP14628089A JPH0313577A JP H0313577 A JPH0313577 A JP H0313577A JP 14628089 A JP14628089 A JP 14628089A JP 14628089 A JP14628089 A JP 14628089A JP H0313577 A JPH0313577 A JP H0313577A
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JP
Japan
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substrate
holder
groove
substrate holder
holding part
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JP14628089A
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JPH0541704B2 (ja
Inventor
Masahiro Aoyanagi
昌宏 青柳
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
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Publication date
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、スパッタ装置の基板ホルダに関し、詳しくは
スパッタ装置において薄膜を形成する基板を低圧容器中
に保持するために使用される基板ホルダに関する。
［従来の技術］ 低圧容器中に設けられた２つの電極間に高電圧をかけ、
陰極側に置かれた金属等を微粒子にして飛散させ陽極側
の基板に付着させるスパッタ装置は、薄膜形成装置とし
て近年広く電子工業技術の分野で採用されてきた。なお
、このようなスパッタ装置は周知のものであり、その構
成についての説明を省略するが、陽極側に飛散してくる
金属の粒子を付着堆積させるための基板を保持させるた
めに、従来、第３Ａ図および第３Ｂ図に示すような基板
ホルダが用いられてきた。すなわち、回転可能な円板状
のホルダ１はその上面中央部に同心に凹せて形成された
基板保持部２を有し、このような基板保持部２に不図示
のウェハー基板が保持されるもので、一般にはこのよう
なホルダ１を低圧容器中で回転させながら薄膜成形が行
われる。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上述したような従来の基板ホルダでは、
長時間使用しているうちに基板を保持している基板保持
部２の基板周辺部に飛散してきた原子の膜が厚く堆積す
るために、基板の大力が基板保持部２から浮上がってし
まい、基板の周縁部だけがホルダ１と接触を保つ形とな
って物理的接触、特に熱接触が十分に得られない状態と
なり、成膜技術上好ましくない点があった。
本発明の目的は、上述した従来の問題点に着目し、その
解決を図るべく、常に安定した物理的条件で基板が保持
されるようにしたスパッタ装置の基板ホルダを提供する
ことにある。
［課題を解決するための手段］ かかる目的を達成するために、本発明は、基板上に薄膜
を形成するために、基板を平坦な基板保持部に保持する
スパッタ装置の基板ホルダにおいて、基板保持部の基板
の周縁部と対応する部位に溝を周設したことを特徴とす
るものである。
［作　用］ 本発明によれば、平坦に形成された基板保持部の基板の
周縁部に対応する部分に溝を周設したことによって基板
の周囲から基板の下にまわり込もうとする粒子飛散物が
溝に落ち込むことにより、基板の下面周縁部が堆積物に
よって浮上がるようなことがなく、基板とホルダの基板
保持部との間に確実な物理的接触状態を保たせることが
できる。
「実施例］ 以下に、図面に基づいて本発明の実施例を詳細かつ具体
的に説明する。
第１八図および第１Ｂ図は本発明の一実施例を示す。こ
こで、３は凹型に形成された。基板保持部２の周囲に沿
って周設した溝であり、溝３自体の断面形状については
特に規制はなく、基板保持部２の底面との間に段差さえ
あればよい。
そこで、このような溝３を基板保持部２の周縁に沿って
周設した基板ホルダｌＯにあっては、飛散して基板上に
堆積される金属や化合物が基板の周りから基板保持部２
に侵入しても、これらが溝３に堆積されることになり、
堆積物により基板が基板保持部２から浮上がるようなこ
とがない。
第２図に本発明を適用した２インチウェハー基板用ホル
ダの一例を各部寸法と共に示す。なお、ここで、４はホ
ルダ１０を回転させるための軸周孔である。
［発明の効果］ 以上説明してきたように、本発明によれば、基板上に薄
膜を形成するために、基板を平坦な基板保持部に保持し
回転自在なスパッタ装置の基板ホルダにおい・て、基板
保持部に基板の周縁部に対応して溝を周設したので、ス
パッタにより飛散した粒子が基板の周囲部と基板保持部
とのすき間に入り込んで双方間の物理的接触状態を劣化
させる虞がなくなり、従って従来のように頻繁にホルダ
を交換しなくてすみ、効率のよい経済的なスパッタ装置
を提供することができるようになった。
【図面の簡単な説明】
第１Ａ図および第１８図は本発明スパッタ装置の基板ホ
ルダの一例を示す平面図および断面図、第２図は本発明
の一実施例における寸法を示す断面図、 第３Ａ図および第３Ｂ図は従来の基板ホルダの一例を示
す平面図および断面図である。 ２・・・基板保持部、 ３・・・溝、 １０・・・ホルダ。 第３Ｂ図 、ア＝扁７７．・

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）　基板上に薄膜を形成するために、該基板を平坦な
    基板保持部に保持するスパッタ装置の基板ホルダにおい
    て、 前記基板保持部の前記基板の周縁部と対応する部位に溝
    を周設したことを特徴とするスパッタ装置の基板ホルダ
    。 （以下余白）
JP14628089A 1989-06-08 1989-06-08 スパッタ装置の基板ホルダ Granted JPH0313577A (ja)

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JPH0313577A true JPH0313577A (ja) 1991-01-22
JPH0541704B2 JPH0541704B2 (ja) 1993-06-24

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JPH0541704B2 (ja) 1993-06-24

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