KR20010085443A - 포토 마스크 패턴의 설계 방법, 레지스트 패턴의 형성방법 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

포토 마스크 패턴의 설계 방법, 레지스트 패턴의 형성방법 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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이데이 노부유끼
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Abstract

마스크의 제조에 부하(負荷)를 걸지 않고, 레지스트 패턴의 패턴 밀도에 의한 선폭차(線幅差)를 축소하면서, 노광 허용 범위 및 초점 심도(深度) 등의 리소그래피 프로세스 허용 범위를 충분히 확보한다. 고립 패턴과 L/S 패턴 등의 패턴 밀도가 상이한 패턴이 섞인 레지스트 패턴을 형성할 때에, 고해상도 노광에 사용되는 위상 시프트 마스크의 투광 영역과 바이너리 마스크(binary mask)의 차광 영역과의 중복폭(a1)(고립 패턴), 중복폭(a2)(L/S 패턴), 및 위상 시프트 마스크에서의 선폭(b1)(고립 패턴), 선폭(b2)(L/S 패턴)을 각각 레지스트 패턴의 선폭 교차(較差)가 작아지는 방향으로 보정한다.

Description

포토 마스크 패턴의 설계 방법, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 {PHOTO MASK PATTERN DESIGNING METHOD, RESIST PATTERN FABRICATING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 포토 마스크 패턴의 설계 방법, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이며, 특히 다중 노광을 행하는 리소그래피 프로세스(lithographic process)에 사용되는 포토 마스크 패턴 형상의 보정에 적용하여 바람직한 것이다.
종래, 반도체 디바이스의 제조 등에 있어서, 패턴의 미세화가 진행되는 동시에, 리소그패피 프로세스에서도 광의 파장으로부터 결정되는 해상(解像) 한계를 초과한 고해상도화가 요구되고 있다.
그리고, 최근, 노광 시에 사용되는 광의 파장 이하의 미세한 패턴을 형성하기 위한 기술로서, 위상 시프트 마스크(phase shift mask)가 이용되고 있다. 이 위상 시프트 마스크에서는, 마스크를 투과한 광의 위상차를 이용함으로써, 고해상도를 얻을 수 있다. 그러므로, 인접한 투과광의 위상은 서로 반전(反轉)되어 있을 필요가 있다.
또, 이 위상 시프트 마스크를 사용한 미세 패턴의 형성 기술로서, 위상 시프트 마스크를 사용하여 노광을 행한 후, 이 노광에 의해 발생한 불필요한 패턴을 제거하기 위한 노광을 재차 행하는, 이른바 2회 노광을 행함으로써 패턴을 형성하는 방법이 있다. 이 2회 노광의 기술은 고속 LSI의 제조에서 이미 실용화되고 있다.
그런데, 패턴 밀도가 상이한 패턴 형상을 해상하는 경우, 해상 후에 패턴 밀도에 의해 선폭차가 발생하여 버린다. 그래서, 선폭차를 작게 하기 위해, 고해상도의 노광에 사용되는 위상 시프트 마스크에 대하여, 선폭차를 축소시키는 방향으로 보정을 행하는 포토 마스크 패턴의 설계 방법이 제안되어 있다.
그러나, 이와 같은 보정을 행함으로써, 노광량의 허용 범위 및/또는 초점 심도(深度)의 허용 범위가 축소되어 버려, 노광량의 허용 범위와 초점 심도로 이루어지는 윈도(ED 윈도)가 축소되어 버리는 경우가 있다.
또한, 위상 시프트 마스크는 포토 마스크 제조 기술의 한계 영역에서 제작되고 있다. 그러므로, 포토 마스크 상의 패턴 선폭을 작게 하는 보정은 마스크의 제조에 큰 부하(負荷)가 걸려 버린다.
또, 패턴의 미세화에 따라, 포토 마스크 상의 패턴에서의 소밀차(疏密差)도 보다 확대되는 방향으로 진행되고 있다. 이 소밀차의 확대에 따라, 패턴의 보정량도 더욱 확대되는 방향으로 진행되고 있다.
그러므로, 마스크의 제조 기술에서의 한계 영역을 고려하여 포토 마스크 상의 패턴 축소화를 최소한으로 하고, 리소그래피 공정에서 형성되는, 패턴 밀도가상이하여 소밀을 가지는 레지스트 패턴을 형성할 때에, 그 선폭 교차(較差)를 저감할 수 있는 포토 마스크에 대한 보정 기술의 개발이 요망되고 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 복수회의 노광에 의해, 밀도나 선폭의 상이한 패턴을 가지는 1층의 레지스트 패턴을 형성할 때에 사용되는 포토 마스크 상의 패턴을 보정하는 경우에, 마스크의 제조에 부하를 걸지 않고, 노광에 의해 형성되는 레지스트 패턴의 패턴 밀도에 의한 선폭차를 축소하면서, 노광 허용 범위 및 초점 심도 등의 리소그래피 프로세스 허용 범위를 충분히 확보할 수 있는 포토 마스크 패턴의 설계 방법을 제공하는 것에 있다.
또, 본 발명의 다른 목적은 복수 종류의 포토 마스크를 사용한 복수회의 노광 공정을 거쳐 레지스트 패턴을 형성할 때에, 패턴 밀도나 선폭이 상이한 패턴을 가지는 1층의 레지스트 패턴을 노광 허용 범위 및 초점 심도 등의 리소그래피 프로세스 허용 범위를 충분히 확보하면서, 정밀도 양호하게 형성할 수 있는 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공하는 것에 있다.
또, 본 발명의 또 다른 목적은 패턴 밀도가 상이한 레지스트 패턴을, 노광 허용 범위 및 초점 심도 등의 리소그래피 프로세스 허용 범위를 충분히 확보하면서, 정밀도 양호하게 형성함으로써, 밀도가 상이한 패턴이 섞인 반도체 장치를 제조하고, 또한 양산하는 경우에도, 고신뢰성의 반도체 장치를 제조할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시 형태에 의한 위상 시프트 마스크에 대한 ED 윈도 평가에 사용되는 고립 패턴의 패턴 형상을 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시 형태에 의한 바이너리 마스크(binary mask)에 대한 ED 윈도 평가에 사용되는 L/S 패턴의 패턴 형상을 나타내는 평면도이다.
도 3 (A) 및 3 (B)는 본 발명의 한 실시 형태에 의한 위상 시프트 마스크 및 바이너리 마스크에서의 ED 윈도를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 한 실시 형태에 의한 포토 마스크 패턴의 설계 방법을 설명하기 위한 프로 차트이다.
도 5 (A)는 본 발명의 한 실시 형태의 고립 패턴에서의 최적 노광량의 중복폭 의존성을 나타내는 그래프이며, 도 5 (B)는 선폭(線幅) 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 한 실시 형태에 의한 보정 후의 고립 패턴에서의 위상 시프트 마스크 및 바이너리 마스크의 패턴 형상을 나타내는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 한 실시 형태에 의한 보정 후의 L/S 패턴에서의 위상 시프트 마스크 및 바이너리 마스크의 패턴 형상을 나타내는 평면도이다.
도 8 (A) 및 8 (B)는 본 발명의 한 실시 형태에 의한 보정 후의 위상 시프트 마스크 및 바이너리 마스크의 ED 윈도를 나타낸다.
도 9는 본 발명의 한 실시 형태에 의한 고립 패턴의 ED 윈도와 L/S 패턴의 ED 윈도와의 공통 ED 윈도를 나타낸다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1 발명은
기판 상에 도포된 레지스트에 대하여 복수회의 노광을 행하여 패턴 형상을 전사(轉寫)함으로써 1층의 레지스트 패턴을 형성할 때에 사용되는 복수 종류의 포토 마스크 중, 최소한 1종류의 포토 마스크의 패턴 형상에 대하여 보정을 행하도록 하는 포토 마스크 패턴의 설계 방법으로서,
복수회의 노광 중, 광의 간섭을 이용한 노광에 사용되는 제1 포토 마스크가, 서로 인접하는 제1 차광 영역과 제1 투광 영역을 가지며,
광의 간섭을 이용한 노광을 행하기 전 또는 광의 간섭을 이용한 노광을 행한 후에 행해지는 노광에 사용되는 제2 포토 마스크가, 서로 인접하는 제2 차광 영역과 제2 투광 영역을 가지며,
제1 차광 영역과 제2 차광 영역이 각각 제1 포토 마스크와 상기 포토 마스크에서 서로 거의 대응한 위치에 형성되며,
제1 투광 영역과 제2 투광 영역이 각각 제1 포토 마스크와 제2 포토 마스크에서 서로 거의 대응한 위치에 형성되며,
제1 차광 영역에 대하여, 제1 차광 영역과 제1 투광 영역이 인접한 방향에서의 폭의 보정을 행하며,
제2 차광 영역에 대하여, 제2 차광 영역과 제2 투광 영역이 인접한 방향에서의 폭의 보정을 행하도록 하는
것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 제2 발명은
기판 상에 도포되는 레지스트에 대하여, 제1 포토 마스크를 사용하고 광의간섭을 이용한 제1 노광과 제2 포토 마스크를 사용한 제2 노광을 가지는 복수회의 노광을 행함으로써, 1층의 레지스트 패턴을 형성하도록 하는 레지스트 패턴의 형성 방법으로서,
제1 포토 마스크에 형성된 제1 차광 영역과, 제2 포토 마스크에 형성된 제2 차광 영역이 각각 제1 포토 마스크와 제2 포토 마스크에서 서로 거의 대응한 위치에 형성되고,
제1 포토 마스크에 형성된 제1 투광 영역과, 제2 포토 마스크에 형성된 제2 투광 영역이 각각 제1 포토 마스크와 제2 포토 마스크에서 서로 거의 대응한 위치에 형성되고,
제1 차광 영역에 대하여, 제1 차광 영역과 제1 투광 영역이 인접한 방향에서의 폭의 보정이 행해진 제1 포토 마스크를 사용하여 제1 노광을 행하는 공정,
제2 차광 영역에 대하여, 제2 차광 영역과 제2 투광 영역이 인접한 방향에서의 폭의 보정이 행해진 제2 포토 마스크를 사용하여 제2 노광을 행하는 공정을 가지는
것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 제3 발명은
반도체 기판 상에 도포된 레지스트에 대하여, 제1 포토 마스크를 사용하고 광의 간섭을 이용한 제1 노광과 제2 포토 마스크를 사용한 제2 노광을 가지는 복수회의 노광을 행함으로써, 레지스트 패턴을 형성한 후, 레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 반도체 기판을 처리하도록 하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
제1 포토 마스크에 형성된 제1 차광 영역과, 제2 포토 마스크에 형성된 제2 차광 영역이 각각 제1 포토 마스크와 제2 포토 마스크에서 서로 거의 대응한 위치에 형성되고,
제1 포토 마스크에 형성된 제1 투광 영역과, 제2 포토 마스크에 형성된 제2 투광 영역이 각각 제1 포토 마스크와 제2 포토 마스크에서 서로 거의 대응한 위치에 형성되고,
제1 차광 영역에 대하여, 제1 차광 영역과 제1 투광 영역이 인접한 방향에서의 폭의 보정이 행해진 제1 포토 마스크를 사용하여 제1 노광을 행하는 공정,
제2 차광 영역에 대하여, 제2 차광 영역과 제2 투광 영역이 인접한 방향에서의 폭의 보정이 행해진 제2 포토 마스크를 사용하여 상기 제2 노광을 행하는 공정을 가지는
것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에서, 제2 포토 마스크의 제2 차광 영역에 대한 보정의 마스크 제조 에러가 주는 영향이 제1 포토 마스크에서의 제1 차광 영역에 대한 보정의 마스크 제조 에러가 주는 영향에 비해 작기 때문에, 바람직하게는, 제2 포토 마스크의 제2 차광 영역에 대한 보정을 우선하여 행하도록 한다. 또, 본 발명에서, 제1 차광 영역에 대한 보정으로서는, 그 보정량이 결과적으로 0인 경우도 포함하는 것이다.
본 발명에서, 제1 차광 영역에 다하여 행하는 보정 및 제2 차광 영역에 대하여 행하는 보정은 제1 포토 마스크 및 제2 포토 마스크를 사용한 최소한 2회의 노광에 의해 형성되는 1층의 레지스트 패턴에서의 선폭 교차를 저감하는 방향으로 행해진다.
본 발명에서, 전형적으로는, 제1 포토 마스크에서의 서로 인접한 제1 투광 영역과 제1 차광 영역에서, 제1 차광 영역을 사이에 두고, 또한 제3 투광 영역이 형성되어 있으며, 이들 제1 투광 영역과 제3 투광 영역을 통과하는 광의 위상은 서로 180°정도 어긋나 있다.
본 발명에서, 광의 간섭을 이용한 고해상도 노광을 행할 필요가 있기 때문에, 전형적으로는, 제1 포토 마스크는 위상 시프트 마스크이다. 또, 본 발명에서는, 위상 시프트 마스크는 전형적으로는 레벤손(Revenson) 위상 시프트 마스크이기 때문에, 필요에 따라 하프 톤(half-tone) 위상 시프트 마스크, 보조 패턴 마스크, 에지 강조 위상 시프트 마스크, 또는 크롬레스(chromeless) 위상 시프트 마스크 등을 사용하는 것도 가능하다.
본 발명에서, 제1 포토 마스크를 사용하고 광의 간섭을 이용한 노광을 행한 후의 노광에서는, 통상의 노광을 행하기 때문에, 전형적으로는, 제2 포토 마스크는 바이너리 마스크(binary mask)이다.
전술한 바와 같이 구성된 본 발명에 의한 포토 마스크 패턴의 설계 방법, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 제1 차광 영역의 선폭을 보정하는 동시에, 제2 차광 영역의 폭을 보정하도록 하고 있으므로, 마스크의 제조 한계를 고려한 보정을 행할 수 있는 동시에, 충분한 범위의 노광량의 허용 범위와 초점 심도로 이루어지는 ED 윈도를 확보할 수 있다.
이하, 본 발명의 한 실시 형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 그리고, 이하의 한 실시 형태의 전 도면에 대해서는, 동일 또는 대응하는 부분에는 동일 부호를 붙인다.
먼저, 본 발명의 한 실시 형태에 의한 레지스트 패턴의 형성 방법에 대하여 설명한다. 그리고, 이 실시 형태에서 레지스트 패턴이 형성되는 기반(基盤)은, 예를 들면, 실리콘(Si) 기판 상에 스핀 코트법에 의해, 예를 들면 70nm 막 두께의 유기계 반사 방지막이 형성된 기반이다.
먼저, 레지스트 도포 장치를 사용하여, 예를 들면 스핀 코트법에 의해, 기반 상에 막 두께가, 예를 들면 400nm 정도의 화학 증폭형 포지티브 레지스트를 도포한 후, 예를 들면 110℃의 온도에서 90초 간의 프리 베이크(pre-bake) 처리를 행한다.
그 후, 예를 들면 KrF 엑시머 레이저 스테퍼를 사용한 2회 노광을 행한다. 여기에서, 이 실시 형태에 의한 2회 노광에 대하여 다음에 설명한다.
먼저, 이 실시 형태에 의한 레지스트 패턴의 노광 방법에 사용되는 포토 마스크에 대하여 설명한다. 도 1 및 도 2에 이 실시 형태에서 사용되는 DRAM 혼재(混載) 로직(DRAM-incorporated logic) LSI의 게이트를 상정한 포토 마스크에서의 패턴 형상의 일례를 나타낸다. 그리고, 이 실시 형태에서는, 예를 들면, 게이트 길이가 0.10㎛의 DRAM 혼재 로직 LSI의 게이트 패턴을 제작하기 위한 레지스트 패턴의 형성을 행한다.
도 1은 로직부에서의 게이트를 상정한 게이트 길이가, 예를 들면 0.10㎛인 고립 라인 패턴 형상의 레지스트 패턴을 형성하기 위한 고립 패턴을 나타낸다. 또, 도 1 (A)에 나타내는 패턴 형상이 위상 시프트 마스크(1)에서의 패턴 형상을 나타내고, 도 1 (B)에 나타내는 패턴 형상이 바이너리 마스크(2)에서의 패턴 형상을 나타낸다. 여기에서, 도 1 (A) 및 도 1 (B)에서, 사선부가 차광 영역, 그 이외의 부분이 투광 영역이며, 이들 차광 영역과 투광 영역은 위상 시프트 마스크(1) 및 바이너리 마스크(2)에서, 서로 대응하는 위치에 형성되어 있다. 또, 도 1 (A)에 나타내는 위상 시프트 마스크(1)의 차광 영역(마스크 패턴)(11)의 양측에서의 차광 영역(12) 및 투광 영역(13)에서는, 각각의 영역을 투과하는 각각의 광의 위상이 서로 180°정도 어긋나도록 구성되어 있다. 또, 도 1 (B)에 나타내는 차광 영역(21)이 인접하는 투광 영역(22) 방향으로의 폭은 위상 시프트 마스크(1)의 차광 영역(11)보다 크게 형성되어 있다. 또, 위상 시프트 마스크(1)의 투광 영역(12)과 바이너리 마스크(2)의 차광 영역(21)과의 중복폭(a1), 위상 시프트 마스크(1)의 차광 영역(11)에서의 차광 영역(11)과 인접하는 투광 영역(12)으로의 방향의 선폭(b1), 동 방향의 투광 영역(12)의 폭(c1)은 목적으로 하는 레지스터 패턴에서의 선폭에 따라, 최적의 크기로 설정된다. 그리고, 이 최적의 크기로 설정하기 위한 보정 방법은 후술한다.
도 2는 DRAM부에서의 게이트를 상정한, 게이트 길이가 예를 들면 0.10㎛, 게이트 피치가 예를 들면 0.34㎛인 라인 앤드 스페이스 패턴(L/S 패턴) 형상의 레지스트 패턴을 형성하기 위한, L/S 패턴을 나타낸다. 그리고, 도 2 (A)에 나타내는 패턴 형상이 위상 시프트 마스크(1)에서의 패턴 형상을 나타내고, 도 2 (B)에 나타내는 패턴 형상이 바이너리 마스크(2)에서의 패턴 형상을 나타낸다. 여기에서, 도2 (A) 및 도 2 (B)에서, 사선부가 차광 영역, 그 이외의 부분이 투광 영역이며, 도 2 (A)에 나타내는 차광 영역(마스크 패턴)(14)의 양측에서의 투광 영역(15) 및 투광 영역(16)을 투과하는 각각의 광의 위상이 서로 180°정도 어긋나도록 구성된다. 또, 도 2 (B)에 나타내는 차광 영역(23)에 있어서의, 인접하는 투광 영역(24) 방향으로의 폭은 위상 시프트 마스크(1)의 차광 영역(14)에서보다 크게 형성되어 있다. 또, 이 실시 형태에 있어서, 이 위상 시프트 마스크(1)의 투광 영역(16)과 바이너리 마스크(2)에서의 차광 영역(23)과의 중복폭(a2), 위상 시프트 마스크(1)의 차광 영역(14)에서의 투광 영역(15) 방향의 선폭(b2), 동 방향의 투광 영역(15)의 폭(c2)은 목적으로 하는 레지스트 패턴에서의 선폭에 따라, 최적의 크기로 설정된다. 그리고, 이 최적의 크기로 설정하기 위한 보정 방법은 후술한다.
그런데, 이상과 같이 구성된 포토 마스크를 사용하여 행하는 2회 노광에서는, 먼저, 1회째의 노광으로서, 개구수(NA)를 0.60으로 고정하고, 도 1 (A) 및 도 2 (A)에 나타내는 패턴을 가지는 위상 시프트 마스크(1)를 이용하여, 각각 레지스트에 대하여, 소정의 노광을 행한다. 계속해서, 도 1 (B) 및 도 2 (B)에 나타내는 패턴을 가지는 바이너리 마스크(2)를 이용하여 2회째의 노광을 행한다. 그리고, 이 2회째의 노광에서의 광학 조건의 일례를 들면, 부분 코히어런스 팩터(patial coherence factor)(σ)를 0.53으로 하고, 노광량을 26m/㎠, 포커스를 -0.1㎛로 한다. 그리고, 이 2회째의 노광에서는, 1/2 존(zone) 조명 등의 변형 조명을 이용하여 행하는 것도 가능하다.
이와 같이 하여 2회 노광을 행한 후, 예를 들면 100℃의 온도에서 90초 간, 포스트 엑스포저 베이크 처리(post-baking processing)를 행한다. 계속해서, 예를 들면 2.38% 농도의 테트라메틸 암모늄 하이드로옥사이드(TMAH)로 이루어지는 현상액을 사용하여, 예를 들면 60초 간 패들(paddle) 현상을 행한다. 다음에, 순수 린스를 행한 후, 예를 들면 100℃의 온도에서 90초 간 포스트 베이크 처리를 행한다.
이상과 같이 하여, 로직부의 게이트를 상정한 고립 패턴 및 DRAM부의 게이트를 상정한 L/S 패턴을 가지는 레지스트 패턴(도시하지 않음)이 형성된다.
다음에, 전술한 방법에 의해 기반 상에 형성된 레지스트 패턴에 대하여, 노광량의 허용 범위 및 초점 심도로 이루어지는 ED 윈도를 사용하여, 고립 패턴 및 L/S 패턴의 평가를 행한다. 그리고, 이 평가는 도 1에 나타내는 중복폭(a1)을 60nm, 차광 영역(11)의 선폭(b1)을 130nm, 투광 영역(12)의 폭(c1)을 500nm로 하고, 도 2에 나타내는 중복폭(a2)을 60nm, 차광 영역(14)의 선폭(b2)을 130nm, 차광 영역(15)의 폭(c2)을 210nm로 한 것에 대하여 행한다. 또, 부분 코히어런스 팩터(σ)는 2회째의노광에서와 동일한 0.53으로 하고, 선폭 규격으로서는 0.10㎛ ±0.01㎛를 허용 범위로 한다. 여기에서, 이 ED 윈도 평가에 의해 얻어진 윈도를 도 3에 나타낸다. 그리고, 도 3 (A)가 고립 패턴에서의 윈도, 도 3 (B)가 L/S 패턴에서의 윈도를 나타낸다.
도 3 (A)에 나타내는 윈도로부터, 레지스트 패턴 중의 고립 패턴에서, 레지스트 패턴의 선폭이 0.09~0.11㎛의 범위 내에 수납되는 ED 윈도로서, 노광량의 범위가 30~32mJ/㎠, 또한 포커스가 -0.3~0.1㎛의 ED 윈도가 얻어지는 것을 알 수 있다. 그리고, 도 3 (A)로부터, 고립 패턴에서의 노광량의 허용 범위가 ((32-30)/31=)6.5%이며, 초점 심도가 (0.1-(-0.3)=)0.4㎛인 것을 알 수 있다.
한편, 도 3 (B)에 나타내는 윈도로부터, 레지스트 패턴 중의 L/S 패턴에서, 레지스트 패턴의 선폭이 0.09~0.11㎛의 범위 내에 수납되는 ED 윈도로서, 노광량의 범위가 48~52mJ/㎠, 또한 포커스가 포커스가 -0.2~0.3㎛의 ED 윈도가 얻어지는 것을 알 수 있다. 그리고, 도 3 (B)로부터, 고립 패턴에서의 노광량의 허용 범위가 ((52-48)/50=)8%이며, 초점 심도가 (0.3-(-0.2)=)0.5㎛인 것을 알 수 있다.
그리고, 도 3 (A)에 나타내는 고립 패턴의 ED 윈도와 도 3 (B)에 나타내는 L/S 패턴의 ED 윈도에서는, 고립 패턴과 L/S 패턴에서 최적 노광량이 크게 상이한 것을 알 수 있다. 즉, 이 ED 윈도에서는, L/S 패턴에서의 최적 노광량은 고립 패턴에서의 최적 노광량에 비해 19mJ/㎠만큼 커, 공통된 ED 윈도를 얻을 수 없는 것을 알 수 있다.
이와 같이 최적 노광량이 크게 상이해져 버리면, 동일한 레이어(layer)에 고립 패턴과 L/S 패턴이 섞인 레지스트 패턴을 형성하는 경우, 노광량을 고립 패턴에서의 최적 노광량 또는 L/S 패턴에서의 최적 노광량 중 어느 하나에 맞추면, 패턴 밀도의 차에 의한 선폭차가 확대되어 버리는 것이 예상된다.
그래서, 이 실시 형태에서는, 도 3 (A) 및 도 3 (B)에 나타내는 ED 윈도로부터, 2회 노광에서 이용되는 위상 시프트 마스크(1) 및 바이너리 마스크(2)의 2종류의 마스크에 대하여, 최적 노광량이 거의 일치되는 방향으로 보정을 행한다.
여기에서, 이 실시 형태에 의한 포토 마스크 패턴의 설계 방법에 대하여, 다음에 설명한다. 도 4에 이 실시 형태에 의한 포토 마스크의 보정 방법의 플로 차트를 나타낸다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 이 실시 형태에 의한 포토 마스크 패턴의 설계 방법에서는, 먼저, 스텝 ST1에서, 형성해야 할 1층의 레지스트 패턴의 패턴 형상을 동일 선폭 및/또는 동일 피치로 되는 복수의 패턴 형상으로 분할한다. 이 실시 형태에서는, 이 스텝 ST1에서의 분할에 의해 얻어진 패턴 형상의 일례를, 도 1에 나타내는 고립 패턴 형상(제1 패턴) 및 도 2에 나타내는 L/S 패턴 형상(제2 패턴)으로 한다.
다음에, 스텝 ST2에서, 스텝 ST1에서 분할된 동일 선폭 및 동일 피치의 각각의 패턴에서, 최적 노광량을 구한다. 이 실시 형태에서는, 도 1에 나타내는 고립 패턴에서의 최적 노광량과, 도 2에 나타내는 L/S 패턴에서의 최적 노광량을 구한다. 도 1에 나타내는 고립 패턴에서의 최적 노광량은 도 3 (A)의 ED 윈도에 나타내는 바와 같이, 30~32mJ/㎠이며, 도 2에 나타내는 L/S 패턴에서의 최적 노광량은 도 3 (B)의 ED 윈도에 나타내는 바와 같이, 48~52mJ/㎠이다. 즉, 이 스텝 ST2에서 구해진 고립 패턴 및 L/S 패턴에서의 최적 노광량은 19mJ/㎠만큼 어긋나 있다.
그래서, 스텝 ST3에서, 스텝 ST1에서 분할된 모든 패턴에서의 최적 노광량을 일치시키도록 위상 시프트 마스크(1)의 패턴 형상 및 바이너리 마스크(2)의 패턴 형상의 보정을 행한다. 이 실시 형태에서는, L/S 패턴에서의 최적 노광량은 고립 패턴에서의 최적 노광량에 비해 크기 때문에, L/S 패턴에서 최적 노광량이 감소하는 방향으로, 또한 고립 패턴에서 최적 노광량이 증가하는 방향으로 패턴 형상을 보정하여, 최적 노광량을 그들이 서로 거의 일치하도록 맞춘다.
여기에서, 도 5 (A) 및 도 5 (B)에 최적 노광량의 포토 마스크 패턴 선폭 의존성을 나타낸다. 도 5 (A)는 도 1 (A)에 나타내는 위상 시프트 마스크(1)에서의 고립 패턴의 선폭(b1)을 130nm로 고정하고, 도 1에 나타내는 위상 시프트 마스크(1)의 투광 영역(13)과 바이너리 마스크(2)의 차광 영역(21)과의 중복폭(a1)을 변화시킨 경우의 최적 노광량을 a1이 60nm인 때의 최적 노광량으로 규격화한 그래프를 나타낸다. 또, 5 (B)는 도 1에 나타내는 위상 시프트 마스크(1)의 투광 영역(13)과 바이너리 마스크(2)의 차광 영역(21)과의 중복폭(a1)을 60nm에 고정하고, 위상 시프트 마스크(1)에서의 고립 패턴의 선폭(b1)을 변화시킨 경우의 최적 노광량을 b1이 130nm인 때의 최적 노광량으로 규격화한 그래프를 나타낸다. 도 5 (A)로부터, a1의 증가에 따라 최적 노광량이 증가하는 것을 알 수 있다. 또, 도 5 (B)로부터, b1의 증가에 따라 최적 노광량이 증가하는 것을 알 수 있다. 또한, a1의 증가량에 따르는 최적 노광량의 증가량이 b1의 증가에 따르는 최적 노광량의 증가량보다 작은 것을 알 수 있다.
그리고, 도 1 (A)에 나타내는 위상 시프트 마스크(1)에서의 고립 패턴에 대한 최적 노광량을 증가시키기 위해, 위상 시프트 마스크(1)의 차광 영역(13)과 바이너리 마스크(2)의 차광 영역(21)과의 중복폭(a1)에 대하여 보정을 행한 후, 고립 패턴에서의 위상 시프트 마스크(1)의 패턴 선폭(b1)에 대하여 보정을 행한다. 이 실시 형태에서는, 예를 들면, 도 6에 나타내는 바와 같이, 위상 시프트 마스크(1)의 투광 영역(13)과 바이너리 마스크(2)의 차광 영역(21)과의 중복폭을 a1=60nm로부터 a1'=100nm로 증가시키는 보정을 행하는 동시에, 위상 시프트 마스크(1)의 패턴 선폭을 b1=130nm로부터 b1'=150nm로 증가시키는 보정을 행한다. 전술한 바와 같이, a1의 증가량에 따르는 최적 노광량의 증가량은 b1의 증가에 따르는 최적 노광량의 증가량보다 작다. 이것은 중복폭(a1)의 마스크 제조 에러가 주는 영향이 선폭(b1)의 마스크 제조 에러가 주는 영향보다 작은 것을 의미한다. 즉, 포토 마스크의 제조 관점에서는, 중복폭(a1)에서의 보정을 선폭(b1)에서의 보정보다 우선시키는 것이 바람직하다. 또한, 위상 시프트 마스크(1)의 패턴 선폭(b1)은 마스크의 제조 한계 부근의 선폭인 것이 많기 때문에, 선폭(b1)을 감소시키는 보정은 중복폭(a1)을 감소시키는 보정에 비해 곤란한 점에서도, 중복폭(a1)에 대한 보정을 우선시키는 것이 바람직하다. 즉, 도 5에 나타내는 그래프에 의해, 중복폭(a1)의 보정을 최적 노광량의 증가량이 수속(收束)되는 부근까지 행하고, 또한 최적 노광량을 증가시킬 필요가 있는 경우, 선폭(b1)의 보정을 행한다. 그리고, 최적 노광량을 감소시키는 방향으로 보정을 행하는 경우에는, 위상 시프트 마스크(1)의 투광 영역(13)과 바이너리 마스크(2)의 차광 영역(21)과의 중복폭(a1) 및 위상 시프트 마스크(1)의 패턴 선폭(b1) 중의 최소한 한 쪽의 양을 감소시키는 방향으로 보정을 행한다.
또, 도 2 (A)에 나타내는 L/S 패턴의 위상 시프트 마스크(1)에서의 최적 노광량을 감소시키기 위해, 위상 시프트 마스크(1)의 선폭(b2), 및 위상 시프트 마스크(1)의 투광 영역(16)과 바이너리 마스크(2)의 투광 영역(23)과의 중복폭(a2) 중 최소한 한 쪽의 양에 대하여 보정을 행한다. 즉, L/S 패턴의 위상 시프트 마스크(1)의 선폭을 작게 하는 보정을 행한다. 이 실시 형태에서는, 구체적으로는, 도 7에 나타낸 바와 같이, 위상 시프트 마스크(1)의 패턴 선폭을 b2=130nm로부터 b2'=110nm로 감소시키는 보정을 행한다. 그리고, 최적 노광량을 증가시키는 방향으로 보정을 행하는 경우에는, 위상 시프트 마스크(1)의 투광 영역(16)과 바이너리 마스크(2)의 차광 영역(24)과의 중복폭(a2), 및 위상 시프트 마스크(1)의 차광 영역(14)의 선폭(b2) 중 최소한 한 쪽의 양을 감소시키는 방향으로 보정을 행한다.
그후, 도 4에 나타내는 스텝 ST4에서, 전술한 보정에서의 보정량이 위상 시프트 마스크(1) 및 바이너리 마스크(2)의 제조 한계 범위 내인지 여부의 판단을 행한다.
스텝 ST4에서, 보정량이 제조 한계의 범위 외인 경우, 스텝 ST3으로 이행하고, 도 1에 나타내는 중복폭(a1), 위상 시프트 마스크의 고립 패턴 선폭(b1), 도 2에 나타내는 중복폭(a2) 및 위상 시프트 마스크의 L/S 패턴 선폭(b2)을 각각의 최적 노광량이 일치되는 방향으로 보정을 행한다.
한편, 스텝 ST4에서, 보정량이 제조 한계의 범위 내인 경우, 스텝 ST5로 이행한다.
스텝 ST5에서, 최적 노광량을 일치시킨 보정 후의 포토 마스크를 사용하여 형성된 레지스트 패턴에 대하여, ED 윈도의 확인을 행한다. 여기에서, 이 보정 후의 고립 패턴에서의 ED 윈도를 도 8 (A)에 나타내고, L/S 패턴에서의 ED 윈도를 도 8 (B)에 나타낸다.
도 8 (A)로부터, 이 실시 형태에 의한 보정 후의 고립 패턴에서의 ED 윈도에서는, 최적 노광량이 42~44mJ/㎠, 최적의 포커스가 -0.3~0.1㎛로 되는 것을 알 수 있다. 이 때, 노광량의 허용 범위에서, ((44-42)/43=)4.7%, 초점 심도에서, 0.4㎛가 확보된다.
또, 도 8 (B)에서, 이 실시 형태에 의한 보정 후의 L/S 패턴에서의 ED 윈도에서 노광량의 허용 범위의 확보를 중시한 관점에서는, 최적 노광량이 40~44mJ/㎠, 최적의 포커스가 -0.2~0.2㎛로 되는 것을 알 수 있다. 이 때, 노광량의 허용 범위는 ((44-40)/42=)9.5%, 초점 심도는 0.4㎛가 확보되어 있다. 한편, 도 8 (B)에 나타내는 ED 윈도에서, 초점 심도의 확보를 중시한 관점에서는, 최적 노광량이 40~43mJ/㎠, 최적의 포커스가 -0.3~0.2㎛로 되어 있는 것을 알 수 있다. 이 때, 노광량의 허용 범위에서, ((43-40)/42=)7.2%, 초점 심도에서, 0.5㎛가 확보된다.
이들 도 8 (A) 및 도 8 (B)에 나타내는 ED 윈도로부터, 공통의 윈도를 추출한 것을 도 9에 나타낸다. 도 9에 나타내는 공통 ED 윈도(31)로부터 고립 패턴과 L/S 패턴이 섞인 경우에서의 최적 노광량이 42~44mJ/㎠, 최적의 포커스가 -0.2~0.1㎛로 되는 것을 알 수 있고, 도 1 (A)에 나타내는 고립 패턴 및 도 2 (A)에 나타내는 L/S 패턴이 섞인 레지스트 패턴의 노광을 행할 때에, 그 노광량을 42~44mJ/㎠, 포커스를 -0.2~0.1㎛로 하는 것이 바람직한 것을 알 수 있다. 이 때, 노광 허용 범위로서, ((44-42)/43=)4.7%, 초점 심도로서, 0.3㎛가 확보되어, 실용 상 충분한 크기의 ED 윈도가 얻어지고, 충분한 리소그래피 프로세스 허용 범위를 확보하는 것이 가능하게 되는 것을 알 수 있다. 또, 도 8 (A) 및 도 8 (B)에 나타내는 각각의 ED 윈도에서의 노광량의 허용 범위 및 초점 심도와 비교해도, 거의 동일한 노광량의 허용 범위가 확보되어 있는 것을 알 수 있어, 노광량의 허용 범위 및 초점 심도의 축소를 초래하지 않고, 리소그래피 프로세스 허용 범위를 충분히 확보하는 것이 가능하게 된다.
한편, 고립 패턴 및 L/S 패턴의 보정을 행한 후의 각각의 ED 윈도에 있어서, 공통된 ED 윈도가 얻어지지 않은 경우에는, 스텝 ST3으로 이행하고, 전술한 바와 같이 동일하게 하여, 재차 위상 시프트 마스크(1) 및 바이너리 마스크(2)의 보정을 행한다.
이상과 같이 하여, a1, a2, b1및 b2)의 보정을 행함으로써, 최종적인 패턴밀도에 따른 위상 시프트 마스크(1) 및 바이너리 마스크(2)에서의 보정량이 결정된다. 그리고, 리소그래피 프로세스 허용 범위를 충분히 확보하는 것이 가능한, 위상 시프트 마스크(1)에서의 패턴 선폭(b1, b2)의 조건 설정, 및 바이너리 마스크(2)와의 중복폭(a1, a2)에 따르는 바이너리 마스크(2)의 패턴 선폭의 조건 설정을 효율 양호하게 행할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 이 실시 형태에 의하면, 최소한 2회의 노광을 행함으로써, 레지스트 패턴을 형성하는 경우, 동일 선폭, 및/또는 동일 피치의 패턴으로 분할한 후, ED 윈도를 사용하여 위상 시프트 마스크(1) 및 바이너리 마스크(2)에서의 보정량을 결정하도록 하고 있음에 따라, 고립 패턴이나 L/S 패턴 등의 복수 종류의 패턴이 섞인 레지스트 패턴의 형성에 이용되는 포토 마스크를 효율 양호하게 보정하고, 그들의 선폭을 용이하게 설정할 수 있고, 또한, 레지스트 패턴 형성 시의 노광에서의 초점 심도와 노광 허용 범위를 확대하는 것이 가능하게 된다. 또, 이 실시 형태에서는, 위상 시프트 마스크(1)에 비해 비교적 패턴 사이즈가 큰 2회째 노광에 이용되는 바이너리 마스크(2)의 차광 영역(21)에 대하여 보정을 행하고 있으므로, 패턴 사이즈를 작게 하는 보정을 최소한으로 억제할 수 있는 동시에, 패턴 사이즈의 축소화가 엄격한 위상 시프트 마스크(1)의 보정량을 최소한으로 억제할 수 있다. 구체적으로는, 보정 후에도 가장 작은 선폭으로 되는 L/S 패턴의 차광 영역에서의 선폭(b2)이 110nm 정도이며, 0.13㎛ 세대에 대응한 마스크 제작 기술에서 충분히 작성 가능하다. 또, 마스크의 제조에 관해서도, 그 제조 한계를 고려하도록 하고 있음에 따라, 포토 마스크 제조 기술의 향상에 의해, 마스크에서의 제조 가능한 패턴 선폭이 축소화된 경우에도, 그 제조 가능한 패턴 선폭에 따라, 고해상도로 충분한 노광 허용 범위, 초점 심도 및 맞춤 정밀도를 확보하는 것이 가능하게 된다. 그리고, 이와 같이 노광량의 허용 범위 및 초점 심도를 확대하는 것이 가능하게 되기 때문에, 반도체 장치의 양산 공정으로의 적용도 용이하게 행할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대하여 구체적을 설명했지만, 본 발명은 전술한 실시 형태에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상에 따르는 각종의 변형이 가능하다.
예를 들면, 전술한 실시 형태에서 든 수치는 어디까지나 예에 불과하고, 필요에 따라 이와 상이한 수치를 이용해도 된다. 예를 들면, 전술한 실시 형태에서 든 a1, a2, b1, b2, c1및 c2의 수치는 목적으로 하는 레지스트 패턴의 선폭에 따라 적시(適時)에 결정되는 수치이므로, 목적으로 하는 레지스트 패턴이나 제조 가능한 패턴 선폭의 한계에 의해, 전술한 수치 이외의 수치로 하는 것도 가능하며, 전술한 수치에 한정되지는 않는다.
또, 예를 들면, 레지스트 패턴을 형성할 때의 기반으로서 반도체 소자 등이 형성된 Si 기판이나 GaAs 기판 등의 반도체 기판을 사용하여, 예를 들면 DRAM 혼재로직 LSI를 제조하는 경우에는, 레지스트 패턴의 형성이 종료된 후, 종래의 공지 방법에 의해 반도체 기판에 형성된 도전막이나 절연막에 대하여, 이 레지스트 패턴을 마스크로서 에칭이나 불순물 도핑을 행하고, 차례로 소정의 프로세스를 거쳐,목적으로 하는 DRAM 혼재 로직 LSI를 제조한다.
또, 예를 들면 본 발명에 의한 레지스트 패턴을 형성하는 기반으로서는, 반도체 소자가 형성된 반도체 기판, 배선이 형성된 기반, 반도체 소자가 형성된 반도체 기판 상에 층간 절연막이 형성된 기반 등, 여러가지의 기반을 사용하는 것이 가능하다. 그리고, 본 발명에 의한 레지스트 패턴의 형성 방법은 반복 패턴과 랜덤 패턴을 가지는 레지스트 패턴의 형성을 요하는 모든 경우에 적용하는 것이 가능하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 제1 발명에 의하면, 패턴 밀도가 상이한 레지스트 패턴을, 노광 허용 범위 및 초점 심도 등의 리소그래피 프로세스 허용 범위를 충분히 확보하면서, 정밀도 양호하게 형성하는 것이 가능한 포토 마스크 패턴의 보정을 행할 수 있다.
본 발명의 제2 발명에 의하면, 패턴 밀도가 상이한 레지스트 패턴을, 노광 허용 범위 및 초점 심도 등의 리소그래피 프로세스 허용 범위를 충분히 확보하면서, 정밀도 양호하게 형성할 수 있다.
또, 본 발명의 제3 발명에 의하면, 패턴 밀도가 상이한 레지스트 패턴을, 노광 허용 범위 및 초점 심도 등의 리소그래피 프로세스 허용 범위를 충분히 확보하면서, 정밀도 양호하게 형성할 수 있다. 따라서, 패턴 밀도가 상이한 패턴이 섞인 반도체 장치의 양산 프로세스에 적용하는 것이 가능하게 되며, 이 경우에도 고신뢰성의 반도체 장치를 제조하는 것이 가능하게 된다.
이상, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 구체적으로 설명하였으나, 본 발명은 전술한 실시 형태에 한정되지 않고, 이 기술 분야에서 숙련된 자는 다음의 특허 청구의 범위에 정의된 범위 및 기술적 사상을 일탈하지 않고 여러가지 변형 및 변경이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다

Claims (13)

  1. 기판 상에 도포된 레지스트에 대하여 복수회의 노광(露光)을 행하여 패턴 형상을 전사(轉寫)함으로써 1층의 레지스트 패턴을 형성할 때에 사용되는 복수 종류의 포토 마스크 중, 최소한 1종류의 패턴 형상에 대하여 보정을 행하도록 하는 포토 마스크 패턴의 설계 방법으로서,
    상기 복수회의 노광 중, 광의 간섭을 이용한 노광에 사용되는 제1 포토 마스크가, 서로 인접하는 제1 차광 영역과 제1 투광 영역을 가지며,
    상기 광의 간섭을 이용한 노광을 행하기 전 또는 상기 광의 간섭을 이용한 노광을 행한 후에 행해지는 노광에 사용되는 제2 포토 마스크가, 서로 인접하는 제2 차광 영역과 제2 투광 영역을 가지며,
    상기 제1 차광 영역과 상기 제2 차광 영역이 각각 상기 제1 포토 마스크와 상기 제2 포토 마스크에서 서로 거의 대응한 위치에 형성되며,
    상기 제1 투광 영역과 상기 제2 투광 영역이 각각 상기 제1 포토 마스크와 상기 제2 포토 마스크에서 서로 거의 대응한 위치에 형성되며,
    상기 제1 차광 영역에 대하여, 상기 제1 차광 영역과 상기 제1 투광 영역이 인접한 방향에서의 폭의 보정을 행하며,
    상기 제2 차광 영역에 대하여, 상기 제2 차광 영역과 상기 제2 투광 영역이 인접한 방향에서의 폭의 보정을 행하도록 하는
    것을 특징으로 하는 포토 마스크 패턴의 설계 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 포토 마스크에서의 상기 제2 차광 영역에 대한 보정을 우선하여 행하도록 하는 포토 마스크 패턴의 설계 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 포토 마스크가 위상 시프트 마스크(phase shift mask)인 포토 마스크 패턴의 설계 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 포토 마스크가 바이너리 마스크(binary mask)인 포토 마스크 패턴의 설계 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 1층의 레지스트 패턴의 상기 패턴 형상을 서로 거의 동일한 선폭(線幅)및 거의 동일한 피치를 가지는 패턴 형상으로 분류하도록 하는 포토 마스크 패턴의 설계 방법.
  6. 기판 상에 도포되는 레지스트에 대하여 제1 포토 마스크 및 광의 간섭을 이용한 제1 노광과 제2 포토 마스크를 사용한 제2 노광을 가지는 복수회의 노광을 행함으로써, 1층의 레지스트 패턴을 형성하도록 하는 레지스트 패턴의 형성 방법으로서,
    상기 제1 포토 마스크에 형성된 제1 차광 영역과, 상기 제2 포토 마스크에 형성된 상기 제2 차광 영역이 각각 상기 제1 포토 마스크와 제2 포토 마스크에서 서로 거의 대응한 위치에 형성되고,
    상기 제1 포토 마스크에 형성된 제1 투광 영역과, 상기 제2 포토 마스크에 형성된 상기 제2 투광 영역이 각각 상기 제1 포토 마스크와 상기 제2 포토 마스크에서 서로 거의 대응한 위치에 형성되고,
    상기 제1 차광 영역에 대하여, 상기 제1 차광 영역과 상기 제1 투광 영역이 인접한 방향에서의 폭의 보정이 행해진 상기 제1 포토 마스크를 사용하여 상기 제1 노광을 행하는 공정,
    상기 제2 차광 영역에 대하여, 상기 제2 차광 영역과 상기 제2 투광 영역이 인접한 방향에서의 폭의 보정이 행해진 상기 제2 포토 마스크를 사용하여 상기 제2 노광을 행하는 공정을 가지는
    것을 특징으로 하는 레지스트 패턴의 형성 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 포토 마스크에서의 상기 제2 차광 영역에 대한 보정을 우선하여 행하도록 하는 레지스트 패턴의 형성 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 포토 마스크가 위상 시프트 마스크인 레지스트 패턴의 형성 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제2 포토 마스크가 바이너리 마스크인 레지스트 패턴의 형성 방법.
  10. 반도체 기판 상에 도포된 레지스트에 대하여, 제1 포토 마스크 및 광의 간섭을 이용한 제1 노광과 제2 포토 마스크를 사용한 제2 노광을 가지는 복수회의 노광을 행함으로써, 레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 반도체 기판을 처리하도록 하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    상기 제1 포토 마스크에 형성된 제1 차광 영역과, 상기 제2 포토 마스크에 형성된 상기 제2 차광 영역이 각각 상기 제1 포토 마스크와 상기 제2 포토 마스크에서 서로 거의 대응한 위치에 형성되고,
    상기 제1 포토 마스크에 형성된 제1 투광 영역과, 상기 제2 포토 마스크에 형성된 상기 제2 투광 영역이 각각 상기 제1 포토 마스크와 상기 제2 포토 마스크에서 서로 거의 대응한 위치에 형성되고,
    상기 제1 차광 영역에 대하여, 상기 제1 차광 영역과 상기 제1 투광 영역이 인접한 방향에서의 폭의 보정이 행해진 상기 제1 포토 마스크를 사용하여 상기 제1 노광을 행하는 공정,
    상기 제2 차광 영역에 대하여, 상기 제2 차광 영역과 상기 제2 투광 영역이인접한 방향에서의 폭의 보정이 행해진 상기 제2 포토 마스크를 사용하여 상기 제2 노광을 행하는 공정을 가지는
    것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2 포토 마스크에서의 상기 제2 차광 영역에 대한 보정을 우선하여 행하도록 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1 포토 마스크가 위상 시프트 마스크인 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제2 포토 마스크가 바이너리 마스크인 반도체 장치의 제조 방법.
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