KR20010076364A - 발진장치 - Google Patents

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KR20010076364A
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amplifying
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이카라시야스히로
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가타오카 마사타카
알프스 덴키 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 목적은 발진신호레벨을 바꾸도록 구성하여, 적은 기종으로 사용의 다양화를 도모하는 데 있다.
이를 위하여 본 발명은 발진신호를 출력하는 발진부(1)와 발진신호를 증폭하는 증폭부(2)를 구비하여 증폭부(2)의 이득을 2단계로 전환하도록 하였다.

Description

발진장치{OSCILLATOR}
본 발명은 발진부로부터 출력되는 발진신호를 증폭부에서 2단계의 레벨로 전환하여 출력하는 발진장치에 관한 것이다.
종래의 발진장치에는 전압제어발진기만으로 구성된 것과, 전압제어발진기로부터 출력되는 발진신호를 증폭하기 위한 증폭부를 부가하여 구성한 것이 있다. 이와 같은 발진장치는 예를 들어 휴대전화기 등의 송수신회로의 반송파 발진기, 변조기, 국부발진기 등으로서 사용되고 있다.
예를 들어 변조기로서 사용되는 경우, 반송파가 되는 발진신호가 변조신호에 의해 변조되고, 그 출력(피변조신호)은 전력증폭기(도시 생략)에 의해 소정레벨까지 증폭된 후, 송신신호로서 안테나(도시 생략)로부터 송신된다.
안테나로부터 송신되는 송신신호의 송신파워는 전력증폭기의 이득이나 최대출력 가능 전력 등의 성능에 의해 결정되나, 통상 전력증폭기의 이득은 플러스/마이너스 3dB(폭으로 6dB)정도의 불균일함을 가지고 있다. 그 때문에 예를 들어 이득이 낮은 전력증폭기에 대해서는 발진신호레벨이 큰 발진장치를 사용하여 송신파워가 소정치가 되도록 하고 있다.
또 최근에는 다른 2개의 방식(시스템)에 공용가능한 휴대전화기가 실용화되고 있으나, 이와 같은 휴대전화기의 송신파워는 방식에 따라 다르게 규정되어 있기때문에 이득이 다른 2개의 전력증폭기를 사용하여 전환하도록 하고 있다.
이상과 같이 종래의 발진장치를 휴대전화기에 사용하는 경우, 전력증폭기의 이득의 불균일에 대응하여 최적의 발진신호레벨을 가지는 발진장치를 조합시키거나, 2개의 전력증폭기를 사용하고 있었기 때문에 발진장치의 기종이 증가하여 제조관리가 번거롭게 되고, 또 휴대전화기의 형상이 커지는 것을 피할 수 없어 제품가격의 상승을 초래하였다.
따라서 본 발명의 발진장치는 발진신호레벨을 바뀌도록 구성하여 적은 기종으로 사용의 다양화가 도모되도록 하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 발진장치의 구성을 나타내는 회로도,
도 2는 본 발명의 발진장치의 제 1 구체적 구성을 나타내는 회로도,
도 3은 본 발명의 발진장치의 제 2 구체적 구성을 나타내는 회로도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 발진부 2 : 버퍼부
3 : 증폭트랜지스터 4 : 바이어스전압 공급회로
4a : NPN 트랜지스터(제 1 스위치수단)
4b : PNP 트랜지스터(제 2 스위치수단)
4c : 제 1 저항 4d : 제 2 저항
4e : 제 3 저항 4f : 제 4 저항
4g : 제 5 저항 4h : 제 6 저항
5 : 에미터 바이어스저항 6 : 바이패스 콘덴서
7 : 전원단자 8 : 초크인덕터
9 : 결합콘덴서 10 : 출력단자
11 : 이득제어단자
상기한 과제를 해결하는 수단으로서, 본 발명의 발진장치는 발진신호를 출력하는 발진부와, 상기 발진신호를 증폭하는 증폭부를 구비하고, 상기 증폭부의 이득을 2단계로 전환되도록 하였다.
또 본 발명의 발진장치는 상기 발진신호를 증폭하는 증폭용 트랜지스터와 상기 증폭용 트랜지스터의 베이스에 바이어스전압을 공급하는 바이어스전압 공급회로를 상기 증폭부에 설치하고, 상기 발진신호를 상기 증폭용 트랜지스터의 베이스에 입력하여 상기 바이어스전압 공급회로에 의해 상기 증폭트랜지스터의 베이스에 제 1 바이어스전압 또는 제 2 바이어스전압을 공급하고, 상기 제 1 바이어스전압의 값과 상기 제 2 바이어스전압의 값을 서로 다르게 하였다.
또 본 발명의 발진장치는 상기 바이어스전압 공급회로는 서로 직렬로 접속됨과 동시에 전원과 상기 증폭트랜지스터의 베이스 사이에 접속된 제 1 스위치수단 및 제 1 저항과, 서로 직렬로 접속됨과 동시에 상기 전원과 상기 증폭트랜지스터의베이스 사이에 접속된 제 2 스위치수단 및 제 2 저항과, 상기 증폭트랜지스터의 베이스와 그라운드의 사이에 접속된 제 3 저항을 가지며, 상기 제 1 저항의 저항치와 상기 제 2 저항의 저항치를 서로 다르게 하여 상기 제 1 스위치수단을 온시킴과 동시에 상기 제 2 스위치수단을 오프시키고, 또는 상기 제 1 스위치수단을 오프시킴과 동시에 상기 제 2 스위치수단을 온시켰다.
또 본 발명의 발진장치는 상기 제 1 스위치수단을 NPN 트랜지스터로 구성함과 함께, 상기 제 2 스위치수단을 PNP 트랜지스터로 구성하고, 상기 NPN 트랜지스터의 콜렉터를 상기 전원에 접속함과 동시에 에미터를 상기 제 1 저항을 거쳐 상기증폭트랜지스터의 베이스에 접속하고, 상기 PNP 트랜지스터의 에미터를 상기 전원에 접속함과 동시에 콜렉터를 상기 제 2 저항을 거쳐 상기 증폭트랜지스터의 베이스에 접속하고, 상기 NPN 트랜지스터를 온시킴과 동시에 상기 PNP 트랜지스터를 오프시키는 제 1 전압 또는 상기 NPN 트랜지스터를 오프시킴과 동시에 상기 PNP 트랜지스터를 온시키는 제 2 전압을 상기 NPN 트랜지스터의 베이스 및 상기 PNP 트랜지스터의 베이스에 함께 인가하였다.
또 본 발명의 발진장치는 상기 바이어스전압 공급회로는 서로 직렬로 접속됨과 동시에 상기 증폭트랜지스터의 베이스와 그라운드 사이에 접속된 제 1 스위치수단 및 제 4 저항과, 서로 직렬로 접속됨과 동시에 상기 증폭트랜지스터의 베이스와 그라운드 사이에 접속된 제 2 스위치수단 및 제 5 저항과, 상기 전원과 상기 증폭트랜지스터의 베이스 사이에 접속된 제 6 저항을 가지며, 상기 제 4 저항의 저항치와 상기 제 5 저항의 저항치를 서로 다르게 하여 상기 제 1 스위치수단을 온시킴과동시에 상기 제 2 스위치수단을 오프시키고, 또 상기 제 1 스위치수단을 오프시킴과 동시에 상기 제 2 스위치수단을 온시켰다.
또 본 발명의 발진장치는 상기 제 1 스위치수단을 NPN 트랜지스터로 구성함과 동시에 상기 제 2 스위치수단을 PNP 트랜지스터로 구성하고, 상기 NPN 트랜지스터의 에미터를 그라운드에 접속함과 동시에 콜렉터를 상기 제 4 저항을 거쳐 상기증폭트랜지스터의 베이스에 접속하고, 상기 PNP 트랜지스터의 콜렉터를 그라운드에 접속함과 동시에 에미터를 상기 제 5 저항을 거쳐 상기 증폭트랜지스터의 베이스에 접속하고, 상기 NPN 트랜지스터를 온시킴과 동시에 상기 PNP 트랜지스터를 오프시키는 제 1 전압 또는 상기 NPN 트랜지스터를 오프시킴과 동시에 상기 PNP 트랜지스터를 온시키는 제 2 전압을 상기 NPN 트랜지스터의 베이스 및 상기 PNP 트랜지스터의 베이스에 함께 인가하였다.
또 본 발명의 발진장치는 상기 증폭부의 이득을 적어도 3dB 내지 4dB 바뀌도록 하였다.
이하, 본 발명의 발진장치를 도면에 따라 설명한다. 도 1은 본 발명의 발진장치의 구성을 나타내는 회로도, 도 2는 본 발명의 발진장치의 제 1 구체적 구성을 나타내는 회로도, 도 3은 본 발명의 발진장치의 제 2 구체적 구성을 나타내는 회로도이다.
본 발명의 발진장치는 도 1에 나타내는 바와 같이 발진부(1), 증폭부(2)를 가지며, 발진부(1)는 전압제어발진기 등에 의해 구성되어 있다. 증폭부(2)는 증폭트랜지스터(3)와 이 증폭트랜지스터(3)의 베이스에 바이어스전압을 공급하는 바이어스전압 공급회로(4)를 가지고 있다. 증폭트랜지스터(3)의 에미터는 에미터 바이어스저항(5)과 바이어스콘덴서(6)에 의해 접지되고, 콜렉터에는 전원단자(7)로부터 초크인덕터(8) 등을 거쳐 전원전압이 공급된다. 그리고 발진부(1)로부터 출력되는 발진신호는 증폭트랜지스터의 베이스에 입력된다. 증폭된 발진신호는 콜렉터에 나타나고 결합콘덴서(9)를 거쳐 출력단자(10)로 인출된다.
바이어스전압 공급회로(4)로부터 증폭트랜지스터(3)의 베이스에 공급되는 바이어스전압은 2단계로 전환된다. 베이스의 바이어스전압이 전환되면, 그에 대응하여 증폭트랜지스터(3)의 콜렉터전류가 변하고, 그에 의하여 이득이 3dB 내지 4dB 변하게 되어 있다. 따라서 발진장치로부터 출력되는 발진신호레벨도 3dB 내지 4dB 변한다.
바이어스전압 공급회로(4)의 제 1 구체적 구성을 도 2에 나타낸다. 바이어스전압 공급회로(4)는 전원단자(7)에 콜렉터가 접속된 NPN 트랜지스터(제 1 스위치수단)(4a)와, 전원단자(7)에 에미터가 접속된 PNP 트랜지스터(4b)(제 2 스위치수단)과, NPN 트랜지스터(4a)의 에미터와 증폭트랜지스터(3)의 베이스 사이에 접속된 제 1 저항(4c)과, PNP 트랜지스터(4b)의 콜렉터와 증폭트랜지스터(3)의 베이스 사이에 접속된 제 2 저항(4d)과, 증폭트랜지스터(3)의 베이스와 그라운드 사이에 접속된 제 3 저항(4e)을 가지고 있다.
따라서 NPN 트랜지스터(4a)와 제 1 저항(4c)이 서로 직렬로 접속되고, PNP 트랜지스터(4b)와 제 2 저항(4d)이 서로 직렬로 접속된다.
그리고 NPN 트랜지스터(4a)의 베이스와 PNP 트랜지스터(4b)의 베이스가 서로접속됨과 동시에 이득제어단자(11)에 접속되고, 이득제어단자(11)에는 하이레벨의 제어전압(제 1 전압) 또는 로우레벨의 제어전압(제 2 전압)이 인가되게 되어 있다. 제 1 전압은 NPN 트랜지스터(4a)를 온으로 함과 동시에 PNP 트랜지스터(4b)를 오프로 하기 위한 것으로, 예를 들어 전원전압과 동일한 전압으로 되어 있다. 또 제 2 전압은 NPN 트랜지스터(4a)를 오프로 함과 동시에 PNP 트랜지스터(4b)를 온으로 하기 위한 것으로, 예를 들어 0 볼트로 되어 있다.
또한 제 1 저항(4c)의 저항치와 제 2 저항(4d)의 저항치는 서로 다르게 하고 있고, 예를 들어 제 1 저항(4c)의 저항치를 제 2 저항(4d)의 저항치보다도 작게 하고 있다.
그 결과, 이득제어단자(11)에 제 1 전압을 인가하면 NPN 트랜지스터(4a)만이 온하여 제 1 저항(4c)과 제 3 저항(4e)에 의해 증폭트랜지스터(3)의 베이스에 제 1 바이어스전압이 인가된다.
한편, 이득제어단자(11)에 제 2 전압을 인가하면 PNP 트랜지스터(4b)만이 온하여 제 2 저항(4c)과 제 3 저항(4e)에 의해 증폭트랜지스터(3)의 베이스에 제 2 바이어스전압이 인가된다.
제 1 바이어스전압은 제 2 바이어스전압보다도 높기 때문에, 증폭트랜지스터 (3)의 콜렉터전류는 제 2 바이어스전압이 인가된 경우보다 제 1 바이어스전압이 인가된 경우에 커지고 이득도 커진다.
따라서 이득제어단자(11)에 인가하는 제어전압에 의해 증폭트랜지스터(3)로부터 출력되는 발진신호의 레벨을 바꿀 수 있다.
도 3은 바이어스전압 공급회로(4)의 제 2 구체적 구성을 나타낸다. 바이어스전압 공급회로(4)는 그라운드에 에미터가 접속된 NPN 트랜지스터(4a)(제 1 스위치수단)와, 그라운드에 콜렉터가 접속된 PNP 트랜지스터(4b)(제 2 스위치수단)와, 증폭트랜지스터(3)의 베이스와 NPN 트랜지스터(4a)의 콜렉터 사이에 접속된 제 4 저항(4f)과, 증폭트랜지스터(3)의 베이스와 PNP 트랜지스터(4b)의 에미터 사이에 접속된 제 5 저항(4g)과, 전원단자(7)와 증폭트랜지스터(3)의 베이스 사이에 접속된 제 6 저항(4h)을 가지고 있다.
따라서 NPN 트랜지스터(4a)와 제 4 저항(4f)이 서로 직렬로 접속되고, PNP 트랜지스터(4b)와 제 5 저항(4g)이 서로 직렬로 접속된다.
그리고 NPN 트랜지스터(4a)의 베이스와 PNP 트랜지스터(4b)의 베이스가 서로 접속됨과 동시에 이득제어단자(11)에 접속되고, 이득제어단자(11)에는 하이레벨의 제어전압(제 1 전압) 또는 로우레벨의 제어전압(제 2 전압)이 인가되도록 되어 있다. 제 1 전압은 NPN 트랜지스터(4a)를 온으로 함과 동시에 PNP 트랜지스터(4b)를 오프로 하기 위한 것으로, 예를 들어 전원전압과 동일한 전압으로 되어 있다. 또제 2 전압은 NPN 트랜지스터(4a)를 오프로 함과 동시에 PNP 트랜지스터(4b)를 온으로 하기 위한 것으로, 예를 들어 0 볼트로 되어 있다.
또한 제 4 저항(4f)의 저항치와 제 5 저항(4g)의 저항치는 서로 다르게 하고 있고, 예를 들어 제 4 저항(4f)의 저항치를 제 5 저항(4g)의 저항치보다도 크게 하고 있다.
그 결과, 이득제어단자(11)에 제 1 전압을 인가하면, NPN 트랜지스터(4a)만이 온하여 제 6 저항(4h)과 제 4 저항(4f)에 의해 증폭트랜지스터(3)의 베이스에 제 1 바이어스전압이 인가된다.
한편, 이득제어단자(11)에 제 2 전압을 인가하면 PNP 트랜지스터(4b)만이 온하여 제 6 저항(4h)과 제 5 저항(4g)에 의해 증폭트랜지스터(3)의 베이스에 제 2 바이어스전압이 인가된다.
제 1 바이어스전압은 제 2 바이어스전압보다도 높기 때문에 증폭트랜지스터 (3)의 콜렉터전류는 제 2 바이어스전압이 인가된 경우보다 제 1 바이어스전압이 인가된 경우에 커지고 이득도 커진다.
따라서 제어단자(11)에 인가되는 제어전압에 의해 증폭트랜지스터(3)로부터 출력되는 발진신호의 레벨을 바꿀 수 있다.
또한 도 2, 도 3에 있어서의 NPN 트랜지스터(4a), PNP 트랜지스터(4b)를 대신하여 각각 제 1 스위치다이오드, 제 2 스위치다이오드를 사용하여 이들 스위치다이오드의 온동작과 오프동작을 서로 반대의 관계가 되도록 하여도 좋음은 물론이다.
이상과 같이 본 발명의 발진장치는 발진신호를 출력하는 발진부와 발진신호를 증폭하는 증폭부를 구비하고, 증폭부의 이득을 2단계로 전환하도록 하였기 때문에 증폭부로부터 출력되는 발진신호레벨을 바꿀 수 있어 방식이 다른 휴대전화기에 사용하는 것이 가능해진다. 따라서 발진장치의 기종의 표준화와 생산성의 향상이 도모됨과 동시에 휴대전화기의 소형화와 가격저감에 기여할 수 있다.
또 본 발명의 발진장치는 발진신호를 증폭하는 증폭용 트랜지스터와 증폭용트랜지스터의 베이스에 바이어스전압을 공급하는 바이어스전압 공급회로를 증폭부에 설치하고, 발진신호를 증폭용 트랜지스터의 베이스에 입력하여 바이어스전압 공급회로에 의해 증폭트랜지스터의 베이스에 제 1 바이어스전압 또는 제 2 바이어스전압을 공급하고, 제 1 바이어스전압의 값과 제 2 바이어스전압의 값을 서로 다르게 하였기 때문에 증폭트랜지스터의 이득을 간단하게 바꿀 수 있다.
또 본 발명의 발진장치는 바이어스전압 공급회로는 서로 직렬로 접속됨과 동시에 전원과 증폭트랜지스터의 베이스 사이에 접속된 제 1 스위치수단 및 제 1 저항과, 서로 직렬로 접속됨과 동시에 전원과 증폭트랜지스터의 베이스 사이에 접속된 제 2 스위치수단 및 제 2 저항과, 증폭트랜지스터의 베이스와 그라운드 사이에 접속된 제 3 저항을 가지며, 제 1 저항의 저항치와 제 2 저항의 저항치를 서로 다르게 하여 제 1 스위치수단을 온시킴과 동시에 제 2 스위치수단을 오프시키고, 또는 제 1 스위치수단을 오프시킴과 동시에 제 2 스위치수단을 온시켰기 때문에 제 1 바이어스전압과 제 2 바이어스전압을 서로 다르게 할 수 있다.
또 본 발명의 발진장치는 제 1 스위치수단을 NPN 트랜지스터로 구성함과 동시에 제 2 스위치수단을 PNP 트랜지스터로 구성하고, NPN 트랜지스터를 온시킴과 동시에 PNP 트랜지스터를 오프시키는 제 1 전압 또는 NPN 트랜지스터를 오프시킴과 동시에 PNP 트랜지스터를 온시키는 제 2 전압을 NPN 트랜지스터의 베이스 및 PNP 트랜지스터의 베이스에 함께 인가하였기 때문에 NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터를 간단하게 온, 오프시킬 수 있다.
또 본 발명의 발진장치는 바이어스전압 공급회로는 서로 직렬로 접속됨과 동시에 증폭트랜지스터의 베이스와 그라운드 사이에 접속된 제 1 스위치수단 및 제 4 저항과, 서로 직렬로 접속됨과 동시에 증폭트랜지스터의 베이스와 그라운드 사이에 접속된 제 2 스위치수단 및 제 5 저항과, 전원과 증폭트랜지스터의 베이스 사이에 접속된 제 6 저항을 가지며, 제 4 저항의 저항치와 제 5 저항의 저항치를 서로 다르게 하여 제 1 스위치수단을 온시킴과 동시에 제 2 스위치수단을 오프시키고, 또는 제 1 스위치수단을 오프시킴과 동시에 제 2 스위치수단을 온시켰기 때문에 제 1 바이어스전압과 제 2 바이어스전압을 서로 다르게 할 수 있다.
또 본 발명의 발진장치는 제 1 스위치수단을 NPN 트랜지스터로 구성함과 동시에 제 2 스위치수단을 PNP 트랜지스터로 구성하고, NPN 트랜지스터를 온시킴과 동시에 PNP 트랜지스터를 오프시키는 제 1 전압 또는 NPN 트랜지스터를 오프시킴과 동시에 PNP 트랜지스터를 온시키는 제 2 전압을 NPN 트랜지스터의 베이스 및 PNP 트랜지스터의 베이스에 함께 인가하였기 때문에 NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터를 간단하게 온, 오프시킬 수 있다.
또 본 발명의 발진장치는 증폭부의 이득을 적어도 3dB 내지 4dB 바뀌도록 하였기 때문에 휴대전화기에 사용되는 전력증폭기의 이득의 불균일에 대해서도 송신파워를 일정한 범위로 수용할 수 있다.

Claims (7)

  1. 발진신호를 출력하는 발진부와, 상기 발진신호를 증폭하는 증폭부를 구비하고, 상기 증폭부의 이득을 2단계로 전환하도록 한 것을 특징으로 하는 발진장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 발진신호를 증폭하는 증폭용 트랜지스터와 상기 증폭용 트랜지스터의 베이스에 바이어스전압을 공급하는 바이어스전압 공급회로를 상기 증폭부에 설치하고, 상기 발진신호를 상기 증폭용 트랜지스터의 베이스에 입력하여 상기 바이어스전압 공급회로에 의해 상기 증폭트랜지스터의 베이스에 제 1 바이어스전압 또는 제 2 바이어스전압을 공급하고, 상기 제 1 바이어스전압의 값과 상기 제 2 바이어스전압의 값을 서로 다르게 한 것을 특징으로 하는 발진장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 바이어스전압 공급회로는 서로 직렬로 접속됨과 동시에 전원과 상기 증폭트랜지스터의 베이스 사이에 접속된 제 1 스위치수단 및 제 1 저항과, 서로 직렬로 접속됨과 동시에 상기 전원과 상기 증폭트랜지스터의 베이스 사이에 접속된 제 2 스위치수단 및 제 2 저항과, 상기 증폭트랜지스터의 베이스와 그라운드 사이에 접속된 제 3 저항을 가지며, 상기 제 1 저항의 저항치와 상기 제 2 저항의 저항치를 서로 다르게 하여 상기 제 1 스위치수단을 온시킴과 동시에 상기 제 2 스위치수단을 오프시키고, 또는 상기 제 1 스위치수단을 오프시킴과 동시에 상기 제 2 스위치수단을 온시킨 것을 특징으로 하는 발진장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제 1 스위치수단을 NPN 트랜지스터로 구성함과 동시에 상기 제 2 스위치수단을 PNP 트랜지스터로 구성하고, 상기 NPN 트랜지스터의 콜렉터를 상기 전원에 접속함과 동시에 에미터를 상기 제 1 저항을 거쳐 상기 증폭트랜지스터의 베이스에 접속하고, 상기 PNP 트랜지스터의 에미터를 상기 전원에 접속함과 동시에 콜렉터를 상기 제 2 저항을 거쳐 상기 증폭트랜지스터의 베이스에 접속하고, 상기 NPN 트랜지스터를 온시킴과 동시에 상기 PNP 트랜지스터를 오프시키는 제 1 전압 또는 상기 NPN 트랜지스터를 오프시킴과 동시에 상기 PNP 트랜지스터를 온시키는 제 2 전압을 상기 NPN 트랜지스터의 베이스 및 상기 PNP 트랜지스터의 베이스에 함께 인가한 것을 특징으로 하는 발진장치.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 바이어스전압 공급회로는 서로 직렬로 접속됨과 동시에 상기 증폭트랜지스터의 베이스와 그라운드 사이에 접속된 제 1 스위치수단 및 제 4 저항과, 서로 직렬로 접속됨과 동시에 상기 증폭트랜지스터의 베이스와 그라운드 사이에 접속된 제 2 스위치수단 및 제 5 저항과, 상기 전원과 상기 증폭트랜지스터의 베이스 사이에 접속된 제 6 저항을 가지며, 상기 제 4 저항의 저항치와 상기 제 5 저항의 저항치를 서로 다르게 하고, 상기 제 1 스위치수단을 온시킴과 동시에 상기 제 2 스위치수단을 오프시키고, 또는 상기 제 1 스위치수단을 오프시킴과 동시에 상기 제 2 스위치수단을 온시킨 것을 특징으로 하는 발진장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제 1 스위치수단을 NPN 트랜지스터로 구성함과 동시에 상기 제 2 스위치수단을 PNP 트랜지스터로 구성하고, 상기 NPN 트랜지스터의 에미터를 그라운드에 접속함과 동시에 콜렉터를 상기 제 4 저항을 거쳐 상기 증폭트랜지스터의 베이스에 접속하고, 상기 PNP 트랜지스터의 콜렉터를 그라운드에 접속함과 동시에 에미터를 상기 제 5 저항을 거쳐 상기 증폭트랜지스터의 베이스에 접속하고, 상기 NPN 트랜지스터를 온시킴과 동시에 상기 PNP 트랜지스터를 오프시키는 제 1 전압 또는 상기 NPN 트랜지스터를 오프시킴과 동시에 상기 PNP 트랜지스터를 온시키는 제 2 전압을 상기 NPN 트랜지스터의 베이스 및 상기 PNP 트랜지스터의 베이스에 함께 인가한 것을 특징으로 하는 발진장치.
  7. 제 1항 내지 제 6항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 증폭부의 이득을 적어도 3dB 내지 4dB 바뀌도록 한 것을 특징으로 하는 발진장치.
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