KR20010058193A - 프린지 필드 구동 액정표시 장치의 제조방법 - Google Patents
프린지 필드 구동 액정표시 장치의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010058193A KR20010058193A KR1019990061704A KR19990061704A KR20010058193A KR 20010058193 A KR20010058193 A KR 20010058193A KR 1019990061704 A KR1019990061704 A KR 1019990061704A KR 19990061704 A KR19990061704 A KR 19990061704A KR 20010058193 A KR20010058193 A KR 20010058193A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- bus line
- opaque metal
- pixel electrode
- film
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 17
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 72
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
Claims (8)
- 하부 기판상에 투명 도전층과 불투명 금속막을 순차적으로 적층한다음, 소정 부분 패터닝하여, 게이트 버스 라인, 카운터 전극 구조물 및 하부 기판 가장자리에 게이트 패드를 형성하는 단계;상기 게이트 버스 라인 및 카운터 전극이 형성된 하부 기판 상부에 게이트 절연막, 채널용 비정질 실리콘층 및 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층을 순차적으로 적층하고, 도핑된 비정질 실리콘층 및 채널용 비정질 실리콘층을 상기 게이트 버스 라인을 덮도록 패터닝하여, 액티브 영역을 형성하는 단계;상기 노출된 카운터 전극 구조물 상의 불투명 금속막을 제거하여 카운터 전극을 형성하는 단계;상기 하부 기판 결과물 상부에 절연막을 증착하고, 게이트 패드 부분 및 상기 액티브 영역의 소정 부분이 오픈되도록 절연막을 패터닝하는 단계;상기 게이트 패드 부분과 콘택되도록 절연막 상부에 투명 도전층 및 불투명 금속막을 순차적으로 적층한후, 게이트 버스 라인과 교차하고, 액티브 영역 양측에 존재하면서 상기 카운터 전극과 빗살 형태로 오버랩되도록 상기 투명 도전층 및 불투명 금속막을 패터닝, 데이타 버스 라인, 소오스 및 드레인 전극 및 화소 전극 구조물을 형성하는 단계;상기 하부 기판 결과물 상부에 보호막을 증착하고, 상기 보호막을 상기 화소 전극 구조물 영역이 노출되도록 패터닝하는 단계; 및상기 노출된 화소 전극 구조물 영역의 불투명 금속막을 제거하여 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 화소 전극 및 카운터 전극의 사이에 전압차 발생시 프린지 필드가 형성되는 것을 특징으로 하는 프린지 필드 구동 액정 표시 장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 투명 도전층은 ITO막인 것을 특징으로 하는 프린지 필드 구동 액정 표시 장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 버스 라인용 불투명 금속막은 Mo, Cr, Al, MoW 중 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 프린지 필드 구동 액정 표시 장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 데이타 버스 라인용 불투명 금속막은 Mo, Al, Mo/Al/Mo 중 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 프린지 필드 구동 액정 표시 장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 절연막은 유전상수가 2 내지 4 정도의 절연막인 것을 특징으로 하는 프린지 필드 구동 액정 표시 장치의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 절연막은 폴리이미드막인 것을 특징으로 하는 프린지 필드 구동 액정 표시 장치의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 절연막을 패터닝하는 단계는, 상기 패터닝될 절연막을 노광한 후, 현상하여 패터닝하는 것을 특징으로 하는 프린지 필드 구동 액정 표시 장치의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 절연막을 패터닝하는 단계와, 상기 데이타 버스 라인을 형성하는 단계 사이에 절연막을 경화하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 프린지 필드 구동 액정 표시 장치의 제조방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990061704A KR100322970B1 (ko) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 프린지 필드 구동 액정표시 장치의 제조방법 |
US09/738,157 US6486934B2 (en) | 1999-12-24 | 2000-12-15 | Method for manufacturing fringe field switching mode liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990061704A KR100322970B1 (ko) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 프린지 필드 구동 액정표시 장치의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010058193A true KR20010058193A (ko) | 2001-07-05 |
KR100322970B1 KR100322970B1 (ko) | 2002-02-02 |
Family
ID=19629288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019990061704A KR100322970B1 (ko) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 프린지 필드 구동 액정표시 장치의 제조방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6486934B2 (ko) |
KR (1) | KR100322970B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100500684B1 (ko) * | 1999-12-29 | 2005-07-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 4-마스크 공정을 이용한 액정 디스플레이의 제조 방법 |
KR100507276B1 (ko) * | 2001-05-07 | 2005-08-09 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 구동모드 액정표시장치 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW498178B (en) * | 2000-05-02 | 2002-08-11 | Hannstar Display Corp | Manufacturing method and structure for in-plane switching mode liquid crystal display unit |
KR100587217B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2006-06-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계 방식의 액정표시장치용 어레이기판 및 그제조방법 |
KR100527195B1 (ko) * | 2003-07-25 | 2005-11-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 |
KR100653474B1 (ko) * | 2003-09-26 | 2006-12-04 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 |
CN100376934C (zh) * | 2004-02-14 | 2008-03-26 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 液晶显示装置 |
KR20060038079A (ko) * | 2004-10-29 | 2006-05-03 | 삼성전자주식회사 | 다중 도메인 액정 표시 장치 |
KR101107245B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2012-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101085132B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2011-11-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101107246B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2012-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101107265B1 (ko) | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
KR101167304B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-07-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법 |
KR101125254B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법과, 그를 이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
KR101166577B1 (ko) * | 2005-05-20 | 2012-07-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR101137861B1 (ko) * | 2005-06-20 | 2012-04-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조방법 |
TWI280666B (en) * | 2005-08-24 | 2007-05-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Thin film transistor array substrate and repairing method thereof |
KR101298424B1 (ko) * | 2008-12-08 | 2013-08-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 타입의 액정표시장치 |
US20110085121A1 (en) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | Hydis Technologies Co., Ltd. | Fringe Field Switching Mode Liquid Crystal Display Device and Method of Fabricating the Same |
DE112016004099T5 (de) * | 2015-09-11 | 2018-05-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Dünnschichttransistorsubstrat und Verfahren zum Produzieren desselben |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10221704A (ja) * | 1997-02-07 | 1998-08-21 | Sharp Corp | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
US20010055074A1 (en) * | 1997-07-22 | 2001-12-27 | Hiroshi Komatsu | In-plane switching mode lcd with specific arrangement of common bus line, data electrode, and common electrode |
KR20000039794A (ko) * | 1998-12-16 | 2000-07-05 | 김영환 | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법 |
-
1999
- 1999-12-24 KR KR1019990061704A patent/KR100322970B1/ko active IP Right Grant
-
2000
- 2000-12-15 US US09/738,157 patent/US6486934B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100500684B1 (ko) * | 1999-12-29 | 2005-07-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 4-마스크 공정을 이용한 액정 디스플레이의 제조 방법 |
KR100507276B1 (ko) * | 2001-05-07 | 2005-08-09 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 구동모드 액정표시장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100322970B1 (ko) | 2002-02-02 |
US20010005238A1 (en) | 2001-06-28 |
US6486934B2 (en) | 2002-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100322970B1 (ko) | 프린지 필드 구동 액정표시 장치의 제조방법 | |
KR100325079B1 (ko) | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법 | |
KR100299381B1 (ko) | 고개구율 및 고투과율을 갖는 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
US7935579B2 (en) | Thin film transistor array substrate and method for fabricating the same | |
US8199301B2 (en) | Horizontal electric field switching liquid crystal display device | |
US6562645B2 (en) | Method of fabricating fringe field switching mode liquid crystal display | |
US7599034B2 (en) | Thin film transistor substrate of a horizontal electric field type LCD and fabricating method thereof | |
KR100322968B1 (ko) | 프린지 필드 구동 액정 표시 장치의 제조방법 | |
US20050046762A1 (en) | Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof | |
EP1646076B1 (en) | Manufacturing method of a thin film transistor array panel | |
KR20010092358A (ko) | 액정표시장치 | |
KR100886241B1 (ko) | 액정표시소자의 제조방법 | |
KR100464204B1 (ko) | 그레이톤 마스크 및 이를 이용한 액정디스플레이 제조방법 | |
KR100325072B1 (ko) | 고개구율및고투과율액정표시장치의제조방법 | |
JP2001244473A (ja) | 薄膜トランジスタ、これを利用した液晶表示装置およびそれらの製造方法 | |
KR20000039794A (ko) | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법 | |
JP2678044B2 (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法 | |
KR100658058B1 (ko) | 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치 및 그 제조방법 | |
US7737446B2 (en) | Thin films transistor array substrate and fabricating method thereof | |
KR100551725B1 (ko) | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법 | |
KR100599958B1 (ko) | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법 | |
KR100341124B1 (ko) | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치의 제조방법 | |
KR100417915B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조방법 | |
KR20020028014A (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 | |
KR20010109682A (ko) | 프린지 필드 구동 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121207 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131217 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141217 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151228 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161226 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180102 Year of fee payment: 17 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181224 Year of fee payment: 18 |