KR20010052724A - 193 ｎｍ 포지티브 작용성 포토레지스트 조성물 - Google Patents

193 ｎｍ 포지티브 작용성 포토레지스트 조성물 Download PDF

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데머 얀, 당코 제니아 떼.
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Abstract

본 발명은 적당한 광산 발생체(PAG)와 함께 사용하는 경우, 포지티브 작용 수용성 포토레지스트를 형성하는 중합체에 관한 것이다. 본 발명의 중합체는 타르타르산 폴리무수물 백본 구조물과, 아세탈 보호된 1,2 디올기와 상기 백본기에 현수된 융합 고리 아세탈기로 이루어진다. 아세탈 보호된 α-히드록시 무수물 백본 구조물은 효과적인 광산 촉매화 분해를 진행하여, 수성 현상제 중에 쉽게 용해되는 저분자량 단편들이 생성된다. 이러한 용해도의 높은 콘트라스트는 높은 해상도 이미지를 생성시킨다. 융합 고리는 부식 내성을 제공하며, 아다만타논 또는 노르캄포르 고리 구조로 이루어질 수 있다. 시판하는 광산 발생체를 첨가하면 본 발명의 중합체 제제는 높은 콘트라스트와 해상도를 제공하는 포지티브 작용 포토레지스트를 형성한다.

Description

193 ＮＭ 포지티브 작용성 포토레지스트 조성물{193 NM POSITIVE-WORKING PHOTORESIST COMPOSITION}
컴퓨터 칩 및 집적 회로의 조립에서와 같은 소형 전자 부품을 제조하는 미세석판 인쇄 공정에서는 포토레지스트 조성물을 사용한다. 일반적으로, 이 공정에서는 포토레지스트 조성물로 된 필름의 얇은 피복물을 기판 재료(예, 집적 회로의 제조에 사용되는 실리콘 웨이퍼)에 먼저 도포한다. 그 후, 피복된 기판을 가열하여 포토레지스트 조성물 내 모든 용매를 증발시킴으로써 상기 피복물을 기판에 고착시킨다. 이어서, 기판의 피복면을 가리고, 복사선에 노출시킨다.
이 복사선 노출에 의해 피복 표면의 노출된 영역에서 화학적인 변형이 일어난다. 가시광선, 자외선(UV), 전자빔 및 X-선 복사 에너지는 오늘날 미세 석판 인쇄 공정에서 통용되는 복사 유형이다. 이 가림 노출 후, 피복된 기판을 현상제 용액으로 처리하여 기판의 피복면의 복사선에 노출된 영역 또는 복사선에 노출되지 않은 영역 중 어느 하나를 용해하여 제거한다.
포토레지스트 조성물에는 두가지 유형, 즉 네가티브 작용성 및 포지티브 작용성이 있다. 네가티브 작용성 포토레지스트 조성물을 복사선에 노출시키는 경우, 복사선에 노출된 레지스트 조성물의 영역은 현상제 용액에 잘 용해되지 않는 반면, 포토레지스트 피복물의 노출되지 않은 영역은 현상제 용액에 용해된다. 따라서, 노출된 네가티브 작용성 레지스트를 현상제로 처리하면, 포토레지스트 피복물의 노출되지 않은 영역이 제거되어 네가티브 이미지가 피복물 중에 형성된다. 이로 인해 포토레지스트 조성물이 침착되었던 하부 기판 표면의 목적하는 부분이 드러난다.
이에 반해, 포지티브 작용성 포토레지스트 조성물을 복사선에 노출시키는 경우, 복사선에 노출된 상기 포토레지스트 조성물 영역은 현상제 용액에 더 잘 용해되는 반면, 노출되지 않은 영역은 상기 현상제 용액에 용해되지 않는다. 따라서, 노출된 포지티브 작용성 포토레지스트를 현상제로 처리하면, 피복물의 노출된 영역이 제거되어 포지티브 이미지가 포토레지스트 피복물 중에 형성된다. 다시 말하면, 하부 기판 표면의 목적하는 부분이 드러난다.
이러한 현상 과정후, 부분적으로 보호되지 않은 기판을 기판 부식 용액 또는 플라스마 가스 등으로 처리할 수 있다. 부식 용액 또는 플라스마 가스는 현상 과정에서 포토레지스트 피복물이 제거된 바로 그 기판 부분을 부식시킨다. 포토레지스트 피복물이 여전히 남아있는 기판 영역은 보호되므로, 부식 패턴이 기판 재료에 형성된다. 이 패턴은 복사선 노출에 사용되는 포토마스크의 패턴과 동일하다. 이후, 포토레지스트 피복물이 남아 있는 부분을 스트리핑 조작으로 제거할 수 있으며 이로써 깨끗한 부식 기판 표면을 얻게 된다. 경우에 따라서는, 상기 현상 단계 후, 그리고 부식 단계 전에, 남아 있는 포토레지스트 층을 열처리하여 하부 기판에 대한 접착성 및 부식 용액에 대한 내성을 증가시키는 것이 바람직하다.
포토레지스트 해상도란 노출 및 현상 후에 레지스트 조성물이 높은 이미지 에지 명료도(image edge acuity)로 포토마스크로부터 기판에 전달할 수 있는 최소의 상으로 정의된다. 오늘날 많은 제조 용도에서, 약 1 ㎛ 미만의 레지스트 해상도가 요구된다. 소위 서브미크론 규모의 해상도를 제공하기 위해, 석판술 공정에서는 점차 더 짧은 파장의 광선을 사용하여 왔다. 석판술 공정은 가시광선에서, 자외선(l-라인), 원자외선(248 ㎚), 아르곤/플루오르화물 레이저에 의해 생성될 수 있는 193 nm 파장까지 진보되어 왔다. 또한, 현상된 포토레지스트 월 프로파일(wall profile)은 기판에 대해 거의 수직인 것이 대체로 바람직하다. 포토레지스트 피복물의 현상된 영역과 현상되지 않은 영역간의 이같은 경계(demarcation)는 기판에 대한 마스크 이미지의 정확한 패턴 전달로 해석된다.
반도체 제조 공정이 점점 더 높은 해상도를 요구함에 따라 종래 사용 가능했던 많은 포토레지스트 조성물이 쓸모 없게 되었다. 페놀기를 함유하는, 노볼락 수지 및 알콕시 스티렌류와 같은 많은 포토레지스트 조성물은 240 nm 미만의 파장 광선을 투과시키지 못하며, 다른 것들도 필수의 해상도를 제공하기에 충분할 정도로 깨끗하게 용해되지 않는다. 본 발명의 중합체 배합 성분들은 180 nm 이상의 파장을 충분히 투과시키므로 이러한 파장에서의 포토레지스트 조성물에 사용 가능하다. 또한, 광산 촉매화 분해 메카니즘의 결과, 중합체의 용해도 변화만을 일으키는 종래의 수지 방법에 비해 더 높은 콘트라스트 이미지를 제공하는 높은 용해도의 소형 분자 단편이 효율적으로 생성된다. 활성 아세탈 보호된 α-히드록시 무수물기를 함유하는 본 발명의 중합체는, 적당한 광산 발생체와 함께 사용되는 경우, 아세탈과 무수물의 양 부위에서 분할되면서 일련의 저분자량 수용성 단편으로 분해된다. 이러한 광산 분할을 통해 얻어진 생성물은 극성이 현저히 크고, 중합체와 생성물 간 용해도 차가 커서 높은 콘트라스트와 높은 해상도를 얻게된다.
발명의 개요
본 발명은 적당한 광산 발생체(PAG)와 함께 사용하는 경우, 포지티브 작용 수용성 포토레지스트를 형성하는 중합체에 관한 것이다. 본 발명의 중합체는 180 nm 이상의 스펙트럼 구간에서 투명한 화학 구조를 가짐에 따라 상기 파장 구간에서 사용 가능하다. 이 중합체는 후술한 화학식으로 표시된 전체 사슬 길이에 화학적으로 부착된 융합 고리 구조를 갖는 폴리무수물 백본으로 이루어진다. 광산 발생체를 첨가하고 스핀 주조 용매에 용해시킴으로써, 중합체 배합 성분은 포지티브 작용성 포토레지스트 조성물을 형성한다.
본 수지의 고유한 특징은 백본 구조가 아세탈 보호된 α-히드록시 무수물을 함유하는 것이다. 산에 노출시키면, 이 무수물은 아세탈 사이드기가 분해됨에 따라 효과적인 분해를 진행하여, 현상제에 잘 용해되는 저분자량 단편들이 생성된다. 이 반응은 종래의 레지스트에 사용된 에스테르 분할 반응보다 더 쉽게 일어난다. 또한, 광생성물의 빠른 용해성 및 수지와 생성물간 용해도 콘트라스트 양자는 콘트라스트가 높고 해상도가 높은 이미지의 형성에 기여한다.
본 발명은 적당한 광산 발생체(PAG)와 함께 사용하는 경우, 193 nm의 극히 짧은 파장에서 사용하기에 특히 적합한 포지티브 작용성 포토레지스트를 형성하는 중합체에 관한 것이다.
본 발명은 포토레지스트로서 사용하기에 특히 적합한 중합체에 관한 것이다. 이 중합체는 후술한 화학식으로 표시된 바와 같이, 전체 사슬 길이에 화학적으로 부착된 융합 고리 구조를 갖는 폴리무수물 백본으로 이루어진다. 광산 발생체를 첨가하고 스핀 주조 용매에 용해시킴으로써, 중합체 배합 성분은 포지티브 작용성 포토레지스트 조성물을 형성한다. 복사선 노출은 아세탈기의 광산 촉매화 탈보호 및 무수물 연결의 분할을 일으키므로 수성 현상제에 용해되는 저몰량의 재료가 얻어진다. 이 중합체는 180 nm 이상의 파장을 투과시키므로 193 nm의 ArF 엑시머 레이저 파장 및 248 nm의 KrF 파장에서 작동하는 레지스트로 유용하게 된다. 또한, 융합된 고리 구조는 향상된 내부식성을 제공하는 반면, 분해 생성물은 노출된 구간과 노출되지 않은 구간 사이에 높은 용해도 콘트라스트를 제공하여 높은 해상도 이미지를 낳는다.
중합체 구조는 하기 화학식 1과 화학식 2로 나타낸다. 이 중합체는 아세탈 보호된 1,2 디올기를 갖는 타르타르산 무수물로 이루어진다. 아세탈 현수기는 아다만톤 융합 고리 구조 또는 노르캄포르 융합 고리 구조이다.
아다만탄 타르타르산 폴리무수물
노르캄포르 타르타르산 폴리무수물
본 발명의 중합체는 일반적으로 고체 분말의 형태이다. 그러나, 포토레지스트 배합물은 상기 중합체, PAG 및 용매의 액상 용액이다. 일반적으로, 포토레지스트로서 유용한 용액은 1 내지 30 중량%의 중합체와, 복사선 노출 시 상기 중합체의 활성기를 분해시키는 데 유효한 분량의 광산 발생체를 포함하며, 그 나머지는 용매로 이루어진다. 본 발명의 중합체와 함께 사용하는 적당한 용매는 PGMEA(폴리프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트)이다. 기타 적당한 용매들도 시판된다. 본 발명의 중합체와 함께 사용할 수 있는 광산 발생체는 시중에서 구입할 수 있다. 광산 발생체는 적당한 파장의 복사선에 노출 시, 아세탈 부위와 무수물 부위를 분할시키기에 충분한 산을 발생시켜야 한다. 적당한 광산 발생체로는 오늄염, 히드록시말레이미드 트리필레이트 및 디아조늄 설포네이트를 들 수 있다. 서로 다른 광산 발생체는 서로 다른 파장의 광선에 의해 활성화되므로, 광산 발생체는 미세 석판 인쇄술의 해상도 요건을 토대로 하여 선택할 수 있다. 다양한 공정들이 이 광산 발생체의 해상도 및 감도를 변경시킬 수 있다. 예컨대, 오늄염 또한 i-라인 미세 석판 인쇄술용 안트라센으로 감작(sensitized)될 수 있다. 기타 광산 발생체의 목록은 1996년 12월 17일자로 특허 허여된 미국 특허 제5,585,223(프레쉐트(Frechet) 등)의 칼럼 3에 기술되어 있으며, 그 전문을 본 명세서에서 참고로 인용한다.
제조된 포토레지스 조성물 용액을 포토레지스트 분야에 사용된 임의의 종래 방법(예, 침지법, 분무법, 와동법 및 스핀 피복법)에 따라 기판에 도포할 수 있다. 예를 들면, 스핀 피복법을 사용하는 경우, 고형분 함량%(소정 두께의 피복물을 제공하기 위한 것), 사용된 스핀 장치의 소정 유형 및 스핀 공정에 허용되는 시간에 따라 레지스트 용액을 조절할 수 있다. 적당한 기판으로는 규소, 알루미늄, 중합체 수지, 이산화규소, 도핑 이산화규소, 질화규소, 탄탈륨, 구리, 폴리실리콘, 세라믹, 알루미늄/구리 혼합물, 비소화갈륨 및 기타 주기율표 III/V 족 화합물을 들 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 피복물은 마이크로프로세서 및 기타 소형 집적회로 부품의 제조시에 사용되는 것과 같이, 열적으로 성장시킨 규소/이산화 규소 피복 웨이퍼에 도포하기에 특히 적합하다. 알루미늄/산화알루미늄 웨이퍼 또한 사용할 수 있다. 기판은 또한 다양한 중합체 수지, 특히 폴리에스테르와 같은 투명한 중합체를 포함할 수 있다. 기판은 적당한 조성의 접착 촉진층, 예를 들면 헥사알킬 디실라잔을 함유하는 접착 촉진층을 포함할 수 있다.
포토레지스트 조성물 용액으로 기판을 피복하고, 기판을 약 70℃ 내지 약 200℃의 온도로 고온 플레이트상에서 약 30 초 내지 약 180 초 동안 또는 대류 오븐에서 약 15 분 내지 약 90 분동안 처리하거나 또는 "연소성(soft bake)"시킨다. 이 온도 처리는 포토레지스트 내에 잔류한 용매의 농도를 감소시키기 위해 수행되는 것으로, 감광제의 실질적인 열분해를 일으키지 않아야 한다. 일반적으로, 용매 농도를 최소화할 것이 요구되며, 이 첫번째 온도 처리는 실질적으로 모든 용매가 증발되어 포토레지스트 조성물의 얇은 피복물 약 1 ㎛ 두께가 기판상에 남게 될 때까지 수행된다. 이 처리는 용매 제거 변화 속도가 비교적 무시할 수 있을 정도가 될 때까지 수행된다. 이 연소성을 위한 온도와 시간의 선택은 사용자가 요구하는 포토레지스트 특성 뿐아니라 사용된 장치 및 상업적으로 요구되는 피복 시간에 좌우된다.
그 후, 피복 기판을 마스크, 네가티브(negative), 스텐실, 템플레이트 등을 적당히 사용하여 원하는 임의의 패턴으로 활성 복사선, 예를 들면 약 180 ㎚ 내지 약 500 ㎚ 파장 범위의 자외선, X-선, 전자빔, 이온빔 또는 레이저 복사선에 노출시킬 수 있다. 복사선 노출은 광산 발생체를 활성화시키며 아세탈기의 광산 촉매화 탈보호와 무수물 분할을 일으킨다. 그 후, 현상 전 또는 현상 후에, 포토레지스트를 노출후 제2 가소 처리 또는 열 처리할 수 있다. 가열 온도는 약 90℃ 내지 약 120℃, 바람직하게는 약 100℃ 내지 약 110℃이다.
노출된 포토레지스트 피복된 기판을 수성 알칼리 현상 용액 중에 침지하여 노출시킨 영역을 제거함으로써 현상하거나 또는 분무 현상 공정에 의해 현상한다. 상기 용액은 질소 방출 진탕(nitrogen burst agitation)과 같은 방법으로 진탕시키는 것이 바람직하다. 기판은 포토레지스트 피복물 전부 또는 거의 전부가 노출된 영역으로부터 용해될 때까지 현상제 중에 두어야 한다. 현상제는 수산화암모늄 또는 알칼리 금속 수산화물의 수용액을 포함할 수 있다. 바람직한 한 수산화물은 테트라메틸 수산화암모늄이다. 피복된 웨이퍼를 현상제 용액으로부터 제거한 후, 임의로 현상 후 열 처리 단계 또는 가소 단계를 수행하여 피복물의 접착성 및 부식 용액과 기타 기판에 대한 내약품성을 증가시킨다.
본 발명의 포토레지스트는 착색제, 염료, 찰흔 방지제, 증감제, 균전제, 가소제, 접착 촉진제, 속도 강화제, 용매와 같은 기타 임의 성분도 함유할 수 있으며, 비이온 계면활성제와 같은 상기 계면활성제는 포토레지스트 조성물을 기판에 피복하기 전에, 중합체 수지, 증감제 및 용매로 된 용액에 첨가할 수 있다.
용매는 조성물의 고형물 중량을 기준으로 95 중량% 이하의 분량으로 전체 조성물에 존재할 수 있다. 물론 용매는 포토레지스트 용액을 기판에 피복하고, 이를 건조시킨 후에 실질적으로 제거된다. 사용할 수 있는 비이온계 계면활성제의 예로는 노닐페녹시 폴리(에틸렌옥시)에탄올, 옥틸페녹시 에탄올이 있다.
다음은 구체적인 실시예들을 참조하여 본 발명의 조성물을 제조하고 사용하는 방법을 상세히 설명한다. 그러나, 이들 실시예는 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니며 본 발명을 실시하는 배타적인 조건, 변수 또는 값들을 제공하는 것으로 이해하여서는 안된다.
하기 실시예에서, 실시예 1 내지 3은 무수물 백본 및 아다만톤 함유 융합 고리 아세탈 현수기를 함유하는 중합체 형성을 기술한 것이다. 실시예 4 내지 6은 무수물 백본 및 노르캄포르 함유 융합 고리 아세탈 현수기를 함유하는 중합체 형성을 기술한 것이다.
실시예 1
디에틸 2,3-아다만타논-L-타르트레이트의 제조
디메틸 L-타르트레이트(9.18 g, 0.0051 mol), 2-아다만타논(7.59 g, 0.05 mol) 및 p-톨루엔설폰산(250 ㎎)의 톨루엔(100 ㎖) 혼합물을 48 시간동안 환류시켰다(Dean-Stark 수분 분리기, 0.6 ㎖의 물). 그 용액을 냉각시키고 중탄산나트륨 수용액(5%, 2x100 ㎖), 물(100 ㎖) 및 염수(100 ㎖)로 세척하였다. 유기층을 건조시키고(MgSO4), 여과한 뒤, 감압하에서 용매를 제거하여 무색 액체 상태의 디에틸 2,3-아다만타논-L-타르트레이트(15.9 g)를 94% 수율로 얻었다.1H NMR(200 MHz, CDCl3, δppm): 4.75[s, 2H, -COCH(O)CHCO-], 1.6∼2.1[m, 14H, H-b∼H-j, 아다만타논], 1.25(s, 3H, -OCH3),13C NMR(200 MHz, CDCl3, δppm): 169(-CO2-), 117[-O(R)C(R)O-], 77[-CHCH(O)CO2-], 37-j, 36-b, f, 34-c, e, g, h, 26-d, i(C-b∼C-j, 아다만타논), 14(-OCH3).
실시예 2
디에틸 2,3-아다만타논-L-타르타르산의 제조
실시예 1에서 제조한 아다만타논 타르타르산 에스테르(3.4 g, 0.01 mol)를 NMP(20 ㎖) 및 30 중량%의, 물(10 g) 중의 수산화칼륨(3 g) 용액의 혼합물에 용해하였다. 반응 혼합물을 6 시간 동안 환류시킨 뒤, 묽은 HCl을 첨가하여 그 혼합물을 조심스럽게 중화시켰다. 생성물인, 2,3-아다만타논-L-타르타르산을 컬럼 크로마토그래피법(에틸 아세테이트 용리액)으로 분리하여 다음 실시예에 직접 사용되는 백색 왁스상 고체를 얻었다.
실시예 3
폴리(2,3-아다만타논-L-타르타르산 무수물)의 제조
실시예 2에서 제조한 타르타르산 아세탈(2.8 g, 0.01 mol) 및 4-디메틸아미노 피리딘(12 ㎎, 0.1 mmol)을 아세트산 무수물(5 g, 0.05 mol)중에 용해한 뒤, 반응 혼합물을 130℃에서 6 시간 동안 교반하였다. 이후, 온도를 10 시간동안 190℃로 상승시키고 감압하여 아세트산을 분리하였다. 냉각과 동시에 고형 중합체 생성물을 DMSO에 용해하고, 톨루엔 중에 침전시킴으로써 정제하였다.
실시예 4
디메틸 2,3-노르캄포르-L-타르트레이트의 제조
디메틸 L-타르트레이트(17.79 g, 0.11 mol), 노르캄포르(11.24 g, 0.1 mol) 및 p-톨루엔설폰산(500 ㎎)의 톨루엔(150 ㎖) 혼합물을 48 시간동안 환류시켰다(Dean-Stark 수분 분리기, 1.6 ㎖의 물). 그 용액을 냉각시키고 중탄산나트륨 수용액(5%, 2x100 ㎖), 물(100 ㎖) 및 염수(100 ㎖)로 세척하였다. 유기층을 건조시키고(MgSO4), 여과한 뒤, 감압하에서 용매를 제거하여 무색 액체 상태의 디메틸 2,3-노르캄포르-L-타르트레이트(24 g)를 89% 수율로 얻었다.1H NMR(200 MHz, CDCl3, δppm): 4.55∼4.65[m, 2H, -COCH(O)CH(O)CO-], 1.5∼2.5(m, 10H, H-b∼H-g, 노르캄포르), 1.40(s, 3H, -OCH3),13C NMR(200 MHz, CDCl3, δppm): 169(-CO2-), 121[-O(R)C(R)O-], 77[-CHCH(O)CO2-], 45, 44, 37, 35, 28, 22 (C-b∼C-g, s노르캄포르), 14(-OCH3).
실시예 5
2,3-노르캄포르-L-타르타르산의 제조
실시예 4에서 제조한 노르캄포르 타르타르산 에스테르(2.7 g, 0.01 mol)를 -γ-부티로락톤(20 ㎖) 및 30 중량%의, 물(10 g) 중의 수산화칼륨(3 g) 용액의 혼합물에 용해하였다. 반응 혼합물을 10 시간 동안 환류시킨 뒤, 트리플루오로아세트산을 첨가하여 그 혼합물을 중화시켰다. 생성물인, 2,3-노르캄포르-L-타르타르산을 컬럼 크로마토그래피법(에틸 아세테이트 용리액)으로 분리하여 흡습성 백색 고체를 얻었으며, 이것을 감압하에 건조시켜서 다음 실시예에 직접 사용하였다.
실시예 6
폴리(2,3-노르캄포르-L-타르타르산 무수물)의 제조
실시예 5에서 제조한 타르타르산 아세탈(2.4 g, 0.01 mol) 및 4-디메틸아미노 피리딘(12 ㎎, 0.1 mmol)을 아세트산 무수물(5 g, 0.05 mol) 중에 용해한 뒤, 반응 혼합물을 130℃에서 6 시간 동안 교반하였다. 이후, 온도를 10 시간동안 190℃로 상승시키고 감압하여 아세트산을 분리하였다. 냉각과 동시에 고형 중합체 생성물을 DMSO에 용해하고, 톨루엔 중에 침전시킴으로써 정제하였다.
본 발명은 다음 바람직한 실시태양을 참조하여 기술하였다. 그러나, 당업자라면 설명 및 예시된 구체적인 상술에 있어서의 변경 및 수정이 첨부된 청구범위에 정의된 본 발명의 범위 및 정신을 벗어나지 않는 한 본 발명에 속하는 것으로 인식할 수 있을 것이다.

Claims (7)

  1. 포토레지스트로서 사용하기에 특히 적합한 하기 화학식 1의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 중합체:
    화학식 1
  2. 제1항에 있어서, 포토레지스트를 형성하도록 광산 발생체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 중합체.
  3. (a) 폴리타르타르산 무수물 백본과,
    (b) 아세탈 보호된 1,2 디올기와,
    (c) 상기 백본에 현수된 융합 고리 아세탈 기
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트로서 사용하기에 특히 적합한 중합체.
  4. 제3항에 있어서, 상기 현수된 아세탈기는 아다만타논기인 것을 특징으로 하는 중합체.
  5. 제7항에 있어서, 상기 아세탈 현수기는 노르캄포르기인 것을 특징으로 하는 중합체.
  6. 포토레지스트로서 사용하기에 특히 적합한 하기 화학식 2의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 중합체:
    화학식 2
  7. 제6항에 있어서, 포토레지스트를 형성하도록 광산 발생체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 중합체.
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