KR20010050866A - New metamorphic heterojunction bipolar transistor having material structure for low cost fabrication on large size gallium arsenide wafers - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 일반적으로 헤테로 접합 바이폴러 트랜지스터(이하 MHBT로 표기함)에 관한 것으로 특히 큰 크기의 갈륨 비화물(GaAs) 웨이퍼 상에 저비용 재작물용 물질 구조를 갖는 MHBT에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention generally relates to heterojunction bipolar transistors (hereinafter referred to as MHBTs), and more particularly to MHBTs having a low cost rework material structure on large size gallium arsenide (GaAs) wafers.
최근, 고주파수로 신호를 조작할 수 있는 디지털 컴퓨터, 원격 통신 시스템 및 진보된 전자 시스템에 군사용 및 상업용을 위해 필수적인 양호한 작동 트랜지스터에 기초한 증폭기를 발전에 대한 관심이 증가하고 있다. 이들 증폭기들은 IMPATT들과 TWTA들 보다 높은 신뢰성으로 저비용, 고소득, 낮은 소음 및 높은 작동 효율을 위한 가능성을 갖는다.In recent years, there has been a growing interest in developing amplifiers based on good operating transistors essential for military and commercial applications in digital computers, telecommunication systems and advanced electronic systems capable of manipulating signals at high frequencies. These amplifiers have the potential for low cost, high income, low noise and high operating efficiency with higher reliability than IMPATTs and TWTAs.
상기 용어가 암시하는 것처럼 헤테로 접합 바이폴러 트랜지스터(HBT)는 다른 구성의 반도체와 밴드 갭(band gap) 사이에 형성되는 헤테로 접합을 갖는다. 넓은 밴드 갭 이미터와 낮은 밴드 갭 베이스의 사용은 이미터 안으로 홀 주사를 저지하는 반면 n-p-n 트랜지스터에서 베이스로 전자 주사하는 헤테로 인터페이스에 밴드 잔류 편차를 제공한다. 또한, 에너지 장벽을 극복하는 전자가 고속으로 베이스 안에 주입되어 베이스 통과시간을 줄이기 때문에 고속 작동의 장점이 제공된다.As the term suggests, heterojunction bipolar transistors (HBTs) have heterojunctions formed between bandgaps and semiconductors of other configurations. The use of a wide band gap emitter and a low band gap base prevents hole scanning into the emitter while providing band residual variation in the hetero interface that electron scans from the n-p-n transistor to the base. In addition, the advantages of high speed operation are provided because electrons that overcome the energy barrier are injected into the base at high speed to reduce the base passage time.
따라서, AlGaAs(또는 InGaP)/GaAs 물질구조에 기초한 GaAs HBT들은 특히 휴대폰 출력 증폭기(PA) 적용을 위해 고주파수, 선형성 및 작은 다이 크기, 그리고 단지 하나의 파워 서플라이가 요구되는 그런 장점을 나타내는 넓은 호환성을 갖는다. 하여간 GaAs HBT들의 높은 작동 전압은 특히 휴대폰이 사용될 때 3.0 내지 3.6V의 범위로 장치의 작동을 제한한다.Thus, GaAs HBTs based on AlGaAs (or InGaP) / GaAs material structures offer broad compatibility, showing such advantages that high frequency, linearity and small die size, and only one power supply are required, especially for cell phone output amplifier (PA) applications. Have However, the high operating voltage of GaAs HBTs limits the operation of the device to the range of 3.0 to 3.6V, especially when cell phones are used.
시스템 수준 해석에 뻗치는 이동 통신의 추세는 1.2 내지 1.5V의 단일 셀 리듐 베터리 디자인을 지지할 것이다(3.5V에서 떨어진). 이것은 무선 핸드세트의 전체 무게의 약 60%를 차지하는 베터리 팩의 크기와 무게의 감소에 기인한다. 반대로 상기 InP HBT는 전압에 있어 낮은 변환을 갖기 때문에 1.5V 작동을 위한 이상적인 대체물이고, 또한 높은 유동성, 더 빠른 불균형 전송 속도 및 낮은 표면 재결합의 본질적인 장점에 의한 GaAs HBT 보다 높은 이득과 높은 효율을 제공한다.The trend in mobile communications for system-level analysis will support single-cell lithium battery designs of 1.2 to 1.5V (away from 3.5V). This is due to the size and weight reduction of the battery pack, which accounts for about 60% of the total weight of the wireless handset. In contrast, the InP HBT is an ideal substitute for 1.5V operation because of its low conversion in voltage, and also offers higher gain and higher efficiency than GaAs HBT due to the inherent advantages of higher fluidity, faster unbalanced transfer rates, and lower surface recombination. do.
InAlAs(또는 거래되는 AlInGaAs)/InGaAs 헤테로 접합 물질 구조에 기초한 InP HBT는 InP 기판 상에 가공된다. 도 1을 참조하면, 선행 기술에서 InP 기초 HBT인 물질 구조의 일례를 도시한 개략적인 단면도가 도시된다. 도면에서 알 수 있는 것과 같이 에피텍시얼(epitaxial)하게 성장되는 물질 구조는 반도체 InP 기판(10); 상기 InP 기초 HBT의 컬렉터용 옴 접촉을 형성하는 두껍게 도포된 n-형 InGaAs 층(12); 상기 InP 기초 HBT의 컬렉터를 형성하는 얇게 도포된 n-형 InGaAs 층(13); 상기 InP 기초 HBT의 베이스와 베이스용 옴 접촉을 형성하는 두껍게 도포된 p-형 InGaAs 층(14); 상기 InP 기초 HBT의 이미터를 형성하는 n-형 InAlAs(또는 거래되는 AlInGaAs) 층(15); 및 상기 InP 기초 HBT의 이미터용 옴 접촉을 형성하는 두껍게 도포된 n-형 InGaAs 층(16)을 포함한다.InP HBTs based on InAlAs (or AlInGaAs traded) / InGaAs heterojunction material structures are processed on InP substrates. Referring to FIG. 1, there is shown a schematic cross-sectional view showing an example of a material structure that is InP based HBT in the prior art. As can be seen in the figure, the epitaxially grown material structure includes a semiconductor InP substrate 10; A thickly coated n-type InGaAs layer 12 forming ohmic contact for the collector of the InP based HBT; A thinly coated n-type InGaAs layer (13) forming a collector of said InP based HBT; A thickly coated p-type InGaAs layer (14) forming ohmic contact for the base with the base of the InP based HBT; An n-type InAlAs (or AlInGaAs traded) layer 15 forming an emitter of the InP based HBT; And a thickly coated n-type InGaAs layer 16 forming an ohmic contact for the emitter of the InP based HBT.
따라서 InP 기초 HBT는 더 높은 최대 작동 주파수와 현저히 낮은 소음 형태를 위한 차단 주파수를 제공하고, 높은 이득과 베터리 효율을 제공하는 장점을 갖는다. 이것은 InP 기초 HBT가 높은 인듐 함유량을 갖는 다는 사실에 기인하고, 그래서 높은 전자 속도, 전류 밀도 및 트랜스컨덕턴스를 갖는다. InP HT들은 휴대폰의 PA들을 사용함에 특히 낮은 전압과 높은 작동 효율을 일으키지만, 하여간 제조하기가 어렵다(주로 InP 기판에 기인하여). 더욱이, InP 웨이퍼는 매우 약하고, 비싸며(약 GaAs의 10배), 현재로는 크기가 3인치로 제한된다. 반대로 GaAs HBT들의 제조 기술은 웨이퍼가 6인치로 사용된다면 높은 항복점과 낮은 비용(현재 40% 이하)을 갖는다.Thus, InP-based HBTs have the advantage of providing higher maximum operating frequencies and cutoff frequencies for significantly lower noise patterns, and higher gain and battery efficiency. This is due to the fact that InP based HBTs have a high indium content, so they have a high electron velocity, current density and transconductance. InP HTs produce particularly low voltages and high operating efficiency when using PAs in cell phones, but are difficult to manufacture (primarily due to InP substrates). Moreover, InP wafers are very weak and expensive (about 10 times that of GaAs) and are currently limited to 3 inches in size. In contrast, GaAs HBTs fabrication technology has a high yield point and low cost (currently below 40%) if the wafer is used at 6 inches.
따라서 높은 효율과 낮은 작동 전압 및 낮은 제조비용을 갖는 새로운 장치가 필요하다.Thus, there is a need for new devices with high efficiency, low operating voltages and low manufacturing costs.
본 발명의 주요 목적은 높은 효율과 낮은 작동 전압을 갖는 물질 구조로 된 새로운 변형 헤테로 접합 바이폴러 트랜지스터를 제공하는 것이다.It is a main object of the present invention to provide a novel modified heterojunction bipolar transistor of material structure with high efficiency and low operating voltage.
본 발명의 다른 목적은 낮은 제조 비용을 갖는 새로운 변형 헤테로 접합 바이폴러 트랜지스터를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a novel modified heterojunction bipolar transistor having a low manufacturing cost.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 낮은 제조비용을 위해 큰 갈륨 비화물(GaAs) 웨이퍼 위에 반도체 GaAs 기판; AlGaAsSb 또는 AlInGaAs 버퍼와 같은 얇게 도포된 변형 버버층; 상기 MHBT의 컬렉터용 옴 접합을 형성하는 두껍게 도포된 n-형 InGaAs 층; 상기 MHBT의 컬렉터용 옴 접합을 형성하는 두껍게 도포된 n-형 InGaAs 층; 상기 MHBT의 컬렉터를 형성하는 가볍게 도포된 n-형 InGaAs 층 또는 InP 또는 InAlAs 층; 상기 MHBT의 베이스와 베이스용 옴 접촉을 형성하는 두껍게 도포된 p-형 InGaAs 층; 상기 MHBT의 이미터를 형성하는 n-형 InAlAs 층 또는 분류된 AlInGaAs 또는 InP 층; 및 상기 MHBT의 이미터용 옴 접촉을 형성하는 두껍게 도포된 n-형 InGaAs 층으로 구성된 물질 구조를 갖는 변형 헤테로 접합 바이포러 트랜지스터(MHBT)를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor GaAs substrate on a large gallium arsenide (GaAs) wafer for low manufacturing cost; Thinly applied strained bubbling layers such as AlGaAsSb or AlInGaAs buffers; A thickly coated n-type InGaAs layer forming an ohmic junction for the collector of the MHBT; A thickly coated n-type InGaAs layer forming an ohmic junction for the collector of the MHBT; A lightly coated n-type InGaAs layer or an InP or InAlAs layer forming a collector of the MHBT; A thickly coated p-type InGaAs layer forming ohmic contact for the base with the base of the MHBT; An n-type InAlAs layer or classified AlInGaAs or InP layer forming an emitter of the MHBT; And a modified heterojunction bipolar transistor (MHBT) having a material structure composed of a thickly coated n-type InGaAs layer forming an ohmic contact for the emitter of the MHBT.
상기 물질 구조는 6인치 또는 그 이상의 직경으로 큰 GaAs 웨이퍼에서 에피텍시얼하게 성장되는 것이 바람직하다.The material structure is preferably epitaxially grown on a large GaAs wafer with a diameter of 6 inches or more.
도 1은 선행 기술에서 InP 기초 HBT의 물질 구조의 일례를 도시한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the material structure of InP based HBT in the prior art.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 MHBT의 물질구조의 일례를 도시한 개략적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the material structure of the MHBT according to the preferred embodiment of the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 설명** Description of the main parts of the drawings *
10 ... 반도체 InP 기판 12 ...n-형 InGaAs 층10 ... semiconductor InP substrate 12 ... n-type InGaAs layer
13 ... n-형 InGaAs 층 14 ... p-형 InGaAs 층13 ... n-type InGaAs layer 14 ... p-type InGaAs layer
15 ... n-형 InAlAs층 16 ... n-형 InGaAs 층15 ... n-type InAlAs layer 16 ... n-type InGaAs layer
20 ... 반도체 GaAs 기판 21 ... AlGaAsSb 또는 AlInGaAs 버퍼 층20 ... semiconductor GaAs substrate 21 ... AlGaAsSb or AlInGaAs buffer layer
22 ... n-형 InGaAs 층22 ... n-type InGaAs layer
23 ... n-형 InGaAs 또는 InP 또는 InAlAs 층23 ... n-type InGaAs or InP or InAlAs layer
24 ... p-형 InGaAs 층 25 ... n-형 InAlAs 층24 ... p-type InGaAs layer 25 ... n-type InAlAs layer
26 ... n-형 InGaAs 층26 ... n-type InGaAs layer
도 2를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 MHBT의 물질 구조의 일례를 도시한 개략적인 단면도가 도시되어 있다. 도면에 도시된 것과 같이 에피텍시얼하게 성장된 물질 구조는 반도체 GaAs 기판(20); AlGaAsSb 또는 AlInGaAs 버퍼 층(21)과 같은 도포 되지 않은 변형 버퍼층; 상기 MHBT의 컬렉터용 옴 접촉을 형성하는 두껍게 도포된 n-형 InGaAs 층(22); 상기 MHBT의 컬렉터를 형성하는 얇게 도포된 n-형 InGaAs 또는 InP 또는 InAlAs 층(23); 상기 MHBT의 베이스용 베이스와 옴 접촉을 형성하는 두껍게 도포된 p-형 InGaAs 층(24); 상기 MHBT의 이미터를 형성하는 n-형 InAlAs(또는 거래되는 AlInGaAs 또는 InP) 층(25); 및 상기 MHBT의 이미터용 옴 접촉을 형성하는 두겁게 도포된 n-형 InGaAs 층(26)을 포함한다.2, there is shown a schematic cross sectional view showing an example of the material structure of the MHBT according to a preferred embodiment of the present invention. As shown in the figure, the epitaxially grown material structure includes a semiconductor GaAs substrate 20; An uncoated strain buffer layer such as AlGaAsSb or AlInGaAs buffer layer 21; A thickly coated n-type InGaAs layer 22 forming an ohmic contact for the collector of the MHBT; A thinly coated n-type InGaAs or InP or InAlAs layer 23 forming the collector of the MHBT; A thickly coated p-type InGaAs layer 24 forming ohmic contact with the base for the base of the MHBT; An n-type InAlAs (or AlInGaAs or InP traded) layer 25 forming the emitter of the MHBT; And a thickly coated n-type InGaAs layer 26 forming an ohmic contact for the emitter of the MHBT.
버퍼 층(21)을 이루는 MHBT 물질 구조가 기판(20)과 컬렉터 접촉 층(22) 사이에 겹쳐지는 것은 주목할만하다. 이것은 상기 버퍼 층(21)이 GaAs 기판(20)과 InP(10)에 격자로 겹치는 에피텍시얼하게 성장하는 층(22 내지 26)인 높은 인듐 사이에서 일정한 격자 변환을 이루기 때문에 MHBT가 GaAs 기판(20)에서 InP 기초 HBT 활성 구조체(22 내지 26)를 수용하도록 한다.It is noteworthy that the MHBT material structure constituting the buffer layer 21 overlaps between the substrate 20 and the collector contact layer 22. This is because MHBT is a GaAs substrate because the buffer layer 21 achieves a constant lattice transformation between the GaAs substrate 20 and the high indium epitaxially grown layers 22 to 26 overlapping the lattice on the InP 10. 20 to accommodate InP based HBT active structures 22-26.
그러므로, MHBT는 단지 GaAs 웨이퍼(20) 공정 비용으로 InP 기초 HBT를 얻는다. 특히 MHBT에서 GaAs 기판의 사용은 매우 낮은 기판과 웨이퍼 고정 비용으로 매우 높은 수행 장치/MMIC들의 제작을 허용한다. MHBT들의 적은 비용은 큰 GaAs 웨이퍼가 예를 들어 6인치로 사용될 때 더 감소될 수 있다. GaAs 웨이퍼는 6-인치에서 이용 가능하지만, InP 웨이퍼는 단지 3-인치에서 이용 가능하다는 것은 잘 알려져 있다. MHBT에서 피요로하는 격자 접촉 시프트 버퍼 성장 기술은 현재 상업적으로 이용할 수 있다(예를 들어 미국에 있는 IQE와 프랑스에 있는 피코지가(Picogiga)와 같은 에피 하우스(epi houses)).Therefore, the MHBT obtains InP based HBT at only GaAs wafer 20 process cost. In particular, the use of GaAs substrates in MHBTs allows the fabrication of very high performance devices / MMICs at very low substrate and wafer holding costs. The low cost of MHBTs can be further reduced when large GaAs wafers are used, for example 6 inches. It is well known that GaAs wafers are available at 6-inch, while InP wafers are available only at 3-inch. The lattice contact shift buffer growth technology pioneered by MHBT is currently commercially available (e.g., epi houses such as IQE in the United States and Picogiga in France).
변형 기술은 또한 일반적인 InP 기초 HBT의 것 보다 더 높은 파손과 효율성과 같은 고성능을 위한 양호한 가능성을 제공하는 물질 구조에 더 넓은 Al과 In 혼합 범위를 허용한다.The deformation technique also allows for a wider Al and In mixing range in the material structure, which offers good possibilities for higher performance, such as higher breakage and efficiency than that of conventional InP based HBTs.
요약하면, 이미 알려진 기술과 본 발명을 보면, 우리는 표 1에서 새로운 MHBT의 장점은 이하를 포함하는 것을 알 수 있다.In summary, looking at the known technologies and the present invention, we can see from Table 1 that the advantages of the new MHBT include the following.
(1) 동일 크기에서 10배 더 낮은 기판 비용(1) 10 times lower substrate cost at same size
(2) 개선된 라인 생산에 대한 약한 기판의 적음(2) Low substrate weakness for improved line production
(3) 공정에서 비용 절감을 40%로 전환하여 웨이퍼의 뒤쪽 면 공정의 용이(3) Easy to process backside of wafer by converting cost savings to 40% in process
(4) 매우 낮은 비용 칩 공정을 위한 더 큰 웨이퍼 크기의 이용 가능성(4) Larger wafer size availability for very low cost chip processes
상기와 같은 본 발명에 따르면, 동일한 크기의 기판에서 더 낮은 비용의 기판을 제조할 수 있고, 생산에 있어 불량률이 감소된다. 또한 본 발명에 따른 변형 헤테로 접합 바이폴러 트랜지스터는 높은 효율과 낮은 작동 전압을 갖는다.According to the present invention as described above, lower cost substrates can be produced from substrates of the same size, and the defective rate in production is reduced. In addition, the modified heterojunction bipolar transistor according to the present invention has high efficiency and low operating voltage.
따라서 본 발명은 바람직한 실시예에 관련하여 설명되고 도시되었으며, 수반된 원리는 변형 또는 변화가 많은 실시예로 이용될 수 있다는 것은 본 발명의 사상과 범위를 벗어남이 없이 기술분야의 숙련된 자득에게 명백할 것이다.Thus, the present invention has been described and illustrated in connection with the preferred embodiments, and it is apparent to those skilled in the art that the accompanying principles may be used in many variations or embodiments without departing from the spirit and scope of the invention. something to do.
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| JP2000150529A (en) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Epitaxial wafer for hetero junction bi-polar transistor |
| JP2000223498A (en) * | 1999-01-28 | 2000-08-11 | Sharp Corp | Fabrication of semiconductor device and heterojunction bipolar transistor, and amplifier |
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