KR20010049453A - 플라즈마 화학기상증착 방법을 이용한 탄소나노튜브의합성 방법 - Google Patents
플라즈마 화학기상증착 방법을 이용한 탄소나노튜브의합성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (18)
- 기판상에 촉매 금속막을 형성하는 단계와,식각 가스로부터 발생되는 플라즈마를 이용하여 상기 촉매 금속막을 식각하여 복수의 촉매 미립자를 형성하는 단계와,상기 복수의 촉매 미립자가 형성된 상기 기판상에 탄소 소스 가스를 공급하면서 플라즈마 화학기상증착 방법에 의하여 상기 촉매 미립자 위에 탄소나노튜브를 합성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 합성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판은 글라스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 합성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 촉매 금속막은 코발트, 니켈, 철, 이트륨 또는 이들의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 합성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 촉매 금속막은 3 ∼ 200 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 합성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 촉매 금속막의 식각 단계에서 상기 식각 가스는 암모니아 가스 또는 수소 가스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 합성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 촉매 미립자 형성 단계는 350 ∼ 650℃의 온도에서 행해지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 합성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 촉매 미립자 형성 단계는 0.1 ∼ 수 십 토르(Torr)의 압력하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 합성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 촉매 미립자 형성 단계에서는 100 ∼ 600 W의 RF 파워를 인가하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 합성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 합성 단계는 350 ∼ 650℃의 온도하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 합성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 합성 단계는 0.1 ∼ 수 십 토르의 압력하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 합성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 합성 단계에서는 100 ∼ 600 W의 RF 파워를 인가하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 합성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 합성 단계에서는 상기 탄소 소스 가스로서 아세틸렌 가스, 메탄 가스, 프로판 가스 또는 에틸렌 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 합성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 합성 단계와 인시튜(in-situ)로 상기 탄소나노튜브를 정제하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 합성 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 정제 단계는 상기 탄소나노튜브에 암모니아 가스 또는 수소 가스를 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 합성 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 정제 단계는 350 ∼ 650℃의 온도하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 합성 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 정제 단계는 0.1 ∼ 수 십 토르의 압력하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 합성 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 정제 단계에서는 100 ∼ 600 W의 RF 파워를 인가하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 합성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 합성 단계는 플라즈마가 발생되는 챔버와 연결된 다른 별도의 챔버 내에서 행해지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 합성 방법.
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