KR20100028895A - 혼합 공급형 탄소나노튜브 형성장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 열화학 기상증착법(TCVD:Thermal Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 탄소나노튜브(CNT:Carbon Nano Tube)를 기판상에 연속 성장시키기 위한 혼합 공급형 탄소나노튜브 형성장치에 관한 것으로서, 반응공간을 제공하는 챔버와 상기 챔버에 반응가스와 분위기가스를 공급하는 가스공급부를 구비하고, 상기 챔버 내측에는 2차 씨드(seed) 역할을 하는 2차 촉매금속이 액상으로 저장된 촉매금속저장부를 설치하되, 상기 챔버 내부를 상기 촉매금속저장부가 구비되는 촉매금속공급구역과 탄소나노튜브성장구역 및 버퍼구역으로 분할하여 각각 가열시키는 가열부를 구비함으로써, 2차 촉매금속을 공급하는 촉매금속저장부가 챔버 자체에 구비되어 있어 설비 비용을 절감할 수 있고, 또한 가열부가 챔버를 다수의 가열구역으로 분할하여 개별적으로 가열함으로써, 공정의 효율성 향상은 물론 장치 및 공정의 단순화를 얻을 수 있는 혼합 공급형 탄소나노튜브 형성장치에 관한 것이다.
챔버, 탄소나노튜브, 가스공급부

Description

혼합 공급형 탄소나노튜브 형성장치 {Co-feeding chemical reactor for carbon nano tube}
본 발명은 열화학 기상증착법(TCVD:Thermal Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 탄소나노튜브(CNT:Carbon Nano Tube)를 기판상에 연속 성장시키기 위한 혼합 공급형 탄소나노튜브 형성장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 챔버 자체에 2차 촉매금속을 공급하는 촉매금속저장부를 구비하고, 가열부가 챔버 내부를 촉매금속공급구역과 탄소나노튜브성장구역 및 버퍼구역으로 분할하여 각각 가열할 수 있게 구비됨으로써, 공정의 효율성 항상은 물론 장치 및 공정의 단순화를 얻을 수 있는 혼합 공급형 탄소나노튜브 형성장치에 관한 것이다.
일반적으로 탄소나노튜브는 전기방전법을 이용하여 흑연 음극상에 형성시킨 탄소생성물을 분석하는 과정에서 최초로 발견된 것으로서, 하나의 탄소원자가 3개의 다른 탄소원자와 육각형 벌집무늬로 결합되어 속이 비어 있는 튜브형태를 이루고 있다.
탄소나노튜브는 튜브의 직경이 보통 1나노미터 수준으로 자연계에서 가장 작 은 튜브를 형성하며, 튜브의 직경이나 배향각에 따라 전기적 성질이 상이하게 나타나기 때문에 반도체 공정 등에 응용될 수 있다.
이러한 탄소나노튜브는 도체 특성 또는 반도체 특성을 선택적으로 가질 수도 있으며, 기계적, 전기적, 화학적 성질이 우수하여 차세대 평면 디스플레이인 전계방출 소자(FED:Field Emission Display), 2차전지 전극 또는 자동차, 항공, 복합재료 등으로 다양하게 응용될 수 있다.
탄소나노튜브를 성장시켜 제조하는 방법은 전기 방전법(Arc-Discharge), 레이저 증착법(Laser Vaporization), 열화학 기상증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 기상증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 다양한 방법이 있다.
상기와 같은 전기 방전법이나 레이저 증착법은 탄소나노튜브의 합성 수율이 비교적 낮고, 합성속도가 떨어질 뿐 아니라, 합성과정에서 불순물이 포함되기 때문에 별도의 정제과정이 필요하여 대량생산이 곤란한 문제점이 있다.
또한 플라즈마 화학 기상증착법은 양 전극에 인가되는 고주파 전원에 의하여 챔버 또는 반응로 내에 글로우 방전을 발생시키는 것으로서, 불순물이 거의 발생하지 않고, 비교적 저온에서 탄소나노튜브를 합성할 수 있으나, 고가의 진공장비가 필요할 뿐 아니라, 탄소나노튜브를 성장시키는데 많은 시간이 소요되는 문제점이 있다.
열화학 기상증착법은 기판상에 촉매금속으로서 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co) 등의 금속을 증착시킨 후, CVD 장치의 반응로(챔버)에 설치하고, 상기 반응 로 내에 탄소함유 화합물을 투입하여 고온에서 탄소나노튜브를 기판상에 성장시키는 방법으로서, 불순물이 거의 없을 뿐 아니라, 대면적의 기판에도 적용될 수 있는 방법이다.
한편 열화학 기상증착법을 이용하여 탄소나노튜브를 혼합 성장시키는 CNTs co-feeding growth system은 기판에 증착되어 탄소나노튜브의 반응미립자로 사용되는 1차 씨드인 1차 촉매금속과 별도로 2차 씨드로 사용되는 액상의 2차 촉매금속을 공급하여 탄소나노튜브를 성장시키는 것으로서, 이때 2차 촉매금속은 별도의 공급장치에 의해 챔버에 공급되고, 가열부는 일체형으로 형성되어 챔버 전체를 가열하게 된다.
그러나 상기와 같은 종래의 탄소나노튜브 형성장치는 다음과 같은 문제점들이 있었다.
첫째, 2차 촉매금속을 별도로 구비되는 공급장치를 이용하여 공급함으로써, 설치 장비의 구성이 복잡해질 뿐 아니라, 설비 비용이 증가되는 문제점이 있었고, 둘째, 챔버를 가열하는 가열장치가 일체형으로 구비되어 챔버 전체를 동시에 가열함으로써, 챔버 내부에 대한 효율적인 온도 조절이 곤란하여 공정의 효율성이 저하될 뿐 아니라, 공정이 복잡해지는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 챔버 자체에 2차 촉매금속을 공급하는 촉매금속저장부를 구비하여 챔버 자체에서 2차 촉매금속이 공급되게 함으로써, 설치 장비를 단순화할 뿐 아니라, 설비 비용을 현저히 절감할 수 있게 하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 챔버 내부를 3개의 구역으로 분할하여 각 구역이 최적의 온도로 가열될 수 있도록 가열부를 분할 구비함으로써, 공정의 효율성을 향상시키고, 또한 공정을 단순화시킬 수 있을 뿐 아니라, 공정의 재현성을 향상시킬 수 있게 하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 내부에 일정 크기의 반응공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버에 소스가스와 분위기가스를 공급할 수 있게 가스공급관이 구비되는 가스공급부와, 상기 챔버에 촉매금속이 공급될 수 있게 챔버 내부에 설치하되, 상기 촉매금속이 액상으로 저장되는 촉매금속저장부 및 상기 챔버 내부를 적정 온도로 가열하는 가열부를 포함하여 구성된다.
또한 본 발명의 상기 촉매금속저장부는 상기 챔버 하측부에 착탈 가능하게 설치되는 상부가 개방된 저장용기에 액상의 촉매금속이 저장되게 하여 챔버 자체에서 촉매금속이 공급되게 할 수 있다.
또 상기 가열부는 상기 챔버를 상기 촉매금속저장부가 구비되는 촉매금속공급구역과 탄소나노튜브성장구역 및 버퍼구역으로 분할하여 각각 가열시킬 수 있게 설치될 수 있다.
또 본 발명의 상기 가열부는 상기 챔버의 촉매금속공급구역과 탄소나노튜브성장구역 및 버퍼구역의 외주면을 개별적으로 가열시킬 수 있게 상기 구역의 챔버 외주면을 따라 각각 설치되는 제1히터와 제2히터 및 제3히터로 각각 구성될 수 있다.
또한 본 발명의 상기 촉매금속공급구역은 150℃ ~ 800℃의 온도가 유지되도록 하고, 상기 탄소나노튜브성장구역은 600℃ ~ 1200℃의 온도가 유지되도록 하며, 상기 버퍼구역은 300℃ ~ 800℃의 온도가 유지될 수 있게 한다.
또 상기 촉매금속은 철(Fe)과 탄소(C)의 화합물인 페로신(ferrocene)이 사용될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 첫째, 챔버 자체에 2차 촉매금속을 공급하는 촉매금속저장부를 구비함으로써, 별도의 2차 촉매금속 공급장치를 구비할 필요가 없어 설치 장비의 단순화는 물론 설비 비용의 절감을 통해 탄소나노튜브의 제조단가를 절감할 수 있는 효과가 있다.
둘째, 가열부가 챔버를 3개의 구역으로 분할하여 각 구역을 최적의 온도로 효율적으로 가열할 수 있어 공정의 효율성 향상은 물론 공정을 단순화시킬 수 있을 뿐 아니라, 고품질의 탄소나노튜브를 성장시킬 수 있는 효과가 있다.
이하 본 발명에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 혼합 공급형 탄소나노튜브 형성장치의 일 실시 예의 개략적인 구성도를 나타낸 것이고, 도 2는 챔버의 탄소나노튜브성장구역의 개략적인 단면도를 나타낸 것이다.
도시된 바와 같이, 본 발명은 챔버(1), 가스공급부(20), 촉매금속저장부(30) 및 가열부(40)로 구성된다.
챔버(1)는 외부와 격리되어 밀폐될 수 있게 내부에 일정 공간을 형성하여 반응공간을 제공하는 것으로서, 일측에는 개폐 가능한 도어(2)가 구비된다.
이때 챔버(1) 내부에는 탄소나노튜브(130)(도4에 도시함)가 성장되는 기판(100)을 지지하는 기판장착부(10)가 구비되고, 기판(100)은 상기 기판장착부(10) 위에 안착되게 된다.
기판장착부(10)는 도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(1) 내주면 하측부에 서로 대향되게 돌출 형성된 지지대(7)에 의해 지지되도록 설치된다.
기판장착부(10)는 상기와 같이 지지대(7)에 의해 지지되는 구성으로 한정되는 것은 아니며, 별도의 슬라이드 레일(도시하지 않음)을 챔버(1) 내에 설치하여 슬라이딩 가능하게 설치될 수도 있을 것이다.
한편 기판(100)상에는 탄소나노튜브(130)가 성장될 수 있게 1차 씨드(seed) 역할을 하는 1차 촉매금속(110)(Fe, Ni 등)이 증착되게 된다.
1차 촉매금속(110)은 열 증착법이나 스퍼터링법 또는 스프레이법 등에 의해 기판(100) 표면에 증착됨으로써, 탄소나노튜브(130)가 성장될 수 있는 나노 크기의 미세한 금속 파티클의 반응미립자를 기판(100) 표면에 형성하게 되는 것이다.
한편 챔버(1)의 일측부에 구비된 도어(2)에는 스크러버(scrubber)(5)가 구비될 수 있다.
스크러버(5)는 유해가스를 제거하기 위해 사용되는 것으로서, 유해가스를 집진 처리하는 통상적인 구조의 스크러버(5)가 사용될 수 있다.
따라서 스크러버(5)는 챔버(1) 내의 유해 잔류가스를 제거하는 역할을 하게 되는 것이다.
한편 촉매금속저장부(30)는 챔버(1) 내의 일측에 구비된다.
촉매금속저장부(30)는 챔버(1) 내에 2차 씨드(seed) 역할을 하는 2차 촉매금속(120)을 제공할 수 있게 설치되는 것으로서, 저장용기(35) 내에 액상의 2차 촉매금속(120)이 저장된다.
액상의 2차 촉매금속(120)은 일반적으로 철(Fe)과 탄소(C)의 화합물인 페로신(ferrocene)이 사용될 수 있으며, 페로신은 대략 175℃ 이상에서 액상으로 존재할 수 있다.
따라서 하기에서 설명하는 가열부(40)의 제1히터(41)는 촉매금속(120)으로 페로신(ferrocene)이 사용되는 경우에는 챔버(1)의 촉매금속공급구역(1a)을 175℃ 이상으로 가열시키게 되는 것이다.
한편 도 3은 챔버(1)의 촉매금속공급구역(1a)의 개략적인 단면도를 나타낸 것으로서, 도시된 바와 같이, 저장용기(35)는 상부가 개방된 일정 높이로 형성되는 일반적인 용기 형상으로서 원형, 사각형 등 다양한 형태로 형성될 수 있고, 또한 챔버(1)의 내주면 하측부에 형성되는 지지대(32)에 의해 지지되도록 설치되나, 이에 한정되는 것은 아니며 별도의 슬라이드 레일(도시하지 않음)을 구비하여 슬라이딩 가능하게 설치될 수도 있을 것이다.
저장용기(35)는 일반적으로 고온에도 견딜 수 있는 유리나 석영 또는 세라믹 등이 사용될 수 있다.
한편 가스공급부(20)는 챔버(1) 내에 소스가스(20a)와 분위기가스1,2(20b,20c) 및 캐리어가스(carrier gas)(20d)를 공급하는 부분으로서, 챔버(1) 내에 소스가스(20a)와 분위기가스1,2(20b,20c) 및 캐리어가스(20d)를 공급할 수 있게 챔버(1)의 일측부와 연결되는 다수개의 가스공급관(25a,25b,25c,25d)이 구비된다.
소스가스(20a)는 기판(100)상에 탄소나노튜브(130)를 성장시키기 위하여 챔버(1) 내에 공급되는 가스로서, 기판(100)상의 1차 촉매금속(110)과 반응하여 탄소나노튜브(130)를 성장시키게 된다.
따라서 소스가스(20a)는 탄소 분자가 함유된 탄소화합물로 이루어지게 되며 일반적으로 C₂H₂, C₂H₄ 등의 탄소화합물이 사용될 수 있다.
소스가스(20a)는 가스공급관(25a)을 통해 챔버(1) 내로 분사된 후, 고온 상태에서 기판(100)상의 1차 촉매금속(110)과 반응하여 탄소나노튜브(130)를 성장시 키게 되는 것이다.
한편 가스공급부(20)는 별도의 가스공급관(25b,25c)을 통해 분위기가스1,2(20b,20c)를 챔버(1) 내에 각각 공급하여 탄소나노튜브(130)의 성장을 촉진시키게 된다.
분위기가스1(20b)은 소스가스(20a)의 비율을 일정하게 유지시켜 주기 위하여 상대적으로 공급되는 inert gas로서, 일반적으로 헬륨(He), 네온(Ne)이나 아르곤(Ar) 등의 불활성 가스가 사용되며, 분위기가스2(20c)는 탄소나노튜브(130)의 성장을 방해하는 불순물과 선택적으로 반응하여 제거하거나, 1,2차 촉매금속(110.120)이 탄소나노튜브(130)가 성장되는 씨드(seed) 역할을 하도록 1,2차 촉매금속(110,120)의 표면을 에칭(etching)하여 나노 크기의 반응미립자를 형성하는 가스로서, 일반적으로 수소(H)나 암모니아(NH3) 가스가 사용될 수 있다.
또한 가스공급부(20)는 별도의 가스공급관(25d)을 통해 챔버(1) 내에 캐리어가스(20d)를 공급한다.
캐리어가스(20d)는 챔버(1) 내의 촉매금속저장부(30)에 저장된 액상의 2차 촉매금속(120)을 기판(100)이 위치한 곳으로 운반하는 가스로서 일반적으로 헬륨(He), 네온(Ne) 또는 아르곤(Ar) 등의 불활성 가스가 사용된다.
따라서 가스공급부(20)는 가스공급관(25a,25b,25c,25d)을 통해 상기와 같은 소스가스(20a)와 분위기가스1,2(20b,20c) 및 캐리어가스(20d)를 챔버(1) 내에 동시에 공급하게 되는 것이다.
한편 가열부(40)는 탄소나노튜브(130)가 기판(100)상에 성장될 수 있도록 챔 버(1) 내를 적정온도로 가열할 수 있게 설치되는 것으로서, 챔버(1)를 촉매금속저장부(30)가 구비되는 촉매금속공급구역(1a)과 기판(100)이 위치하는 탄소나노튜브성장구역(1b) 및 버퍼구역(1c)으로 분할하여 각각 가열시킬 수 있게 설치된다.
즉 가열부(40)는 챔버(1) 내부 공간이 촉매금속공급구역(1a)과 탄소나노튜브성장구역(1b) 및 버퍼구역(1c)으로 분할되어 각각 최적의 온도로 가열될 수 있도록 챔버(1)의 각 구역의 외주면에 개별적으로 각각 설치된다.
이때 가열부(40)는 챔버(1)의 각 구역의 외주면을 개별적으로 가열시킬 수 있도록 챔버(1)의 외주면을 따라 각각 설치되는 제1히터(41)와 제2히터(42) 및 제3히터(43)로 구성된다.
이때 촉매금속공급구역(1a)은 일반적으로 사용되는 액상의 2차 촉매금속(120)을 기화시키기 위해 약 150℃ ~ 800℃의 온도를 유지하는 것이 바람직하고, 탄소나노튜브성장구역(1b)은 고품질의 탄소나노튜브(130) 합성을 위해 약 600℃ ~ 1200℃의 온도를 유지하는 것이 바람직하며, 버퍼구역(1c)은 유해 잔류가스를 스크러버(5)를 이용하여 제거하기 위한 구역이기 때문에 탄소나노튜브 성장구역(1b)보다 상대적으로 낮은 300℃ ~ 800℃ 정도의 온도를 유지하는 것이 바람직하다.
따라서 가열부(40)의 제1,2,3히터(41,42,43)는 챔버(1) 내의 분할구역이 최적의 온도로 각각 유지될 수 있게 챔버(1)의 외주면을 동시에 가열시키게 되는 것이다.
제1,2,3히터(41,42,43)는 일반적인 열선과 같은 발열체가 설치된 가열장치 등 다양한 형태의 가열장치가 적용될 수 있는 것으로서, 코일히터나 판히터 또는 밴드히터 등이 사용될 수 있을 것이다.
이하 본 발명의 혼합 공급형 탄소나노튜브 형성장치의 작동과정을 상세히 설명한다.
먼저 챔버(1) 내에는 표면에 1차 씨드인 1차 촉매금속(110)이 증착된 기판(100)이 기판장착부(10)에 안착된 상태로 설치되게 된다.
가스공급부(20)는 가스공급관(25a,25b,25c,25d)을 통해 챔버(1) 내부로 소스가스(20a)와 분위기가스1,2(20b,20c) 및 캐리어가스(20d)를 동시에 공급하게 된다.
이때 가열부(40)는 챔버(1)의 각 분할구역을 동시에 가열시키게 되며, 제1히터(41)는 촉매금속공급구역(1a)을 가열하여 저장용기(35)에 저장된 액상의 2차 촉매금속(120)을 기화시키게 되고, 제2히터(42)는 탄소나노튜브성장구역(1b)을 탄소나노튜브(130)가 성장 가능한 온도로 가열시키게 되며, 제3히터(43)는 버퍼구역(1c)을 적정온도로 가열시키게 된다.
따라서 분위기가스1,2(20b,20c) 및 캐리어가스(20d)와 동시에 챔버(1) 내로 분사된 소스가스(20a)는 기판(100)상의 1차 촉매금속(110)과 반응하여 탄소나노튜브(130)를 1차 촉매금속(110)상에 연속 성장시키게 되고, 이와 동시에 기화된 2차 촉매금속(120)도 탄소나노튜브성장구역(1b)으로 이동하여 기판(100)이나 합성된 탄소나노튜브(130) 상에 불규칙적으로 증착됨과 동시에 소스가스(20a)와 반응하여 탄소나노튜브(130)를 성장시키게 되는 것이다.
즉 소스가스(20a)의 탄소원자가 고온에서 분리되어 1,2차 촉매금속(110,120)에 부착됨으로써, 나노 크기의 탄소나노튜브(130)가 성장되는 것이다.
도 4는 기판(100)상에 탄소나노튜브(130)가 성장된 상태의 이해를 돕기 위한 개략적인 확대도를 나타낸 것으로서, 도시된 바와 같이, 기판(100)상에 미리 증착된 1차 촉매금속(110)에 탄소나노튜브(130)가 성장됨과 동시에, 불규칙적으로 기판(100) 및 합성된 탄소나노튜브(130) 상에 증착되는 2차 촉매금속(120)에도 소스가스(20a)에 의해 탄소나노튜브(130)가 성장됨으로써, 탄소나노튜브(130)는 불규칙적인 복잡한 구조로 성장되게 되는 것이다.
따라서 본 발명은 챔버(1) 자체에 2차 촉매금속(120)을 공급하는 촉매금속저장부(30)가 구비됨으로써, 설치 장비를 단순화시킬 수 있을 뿐 아니라, 설비 비용을 현저히 절감할 수 있게 되고, 또한 챔버(1)를 3개의 구역으로 분할하여 각 구역을 최적의 온도로 가열할 수 있게 되어 공정의 효율성을 향상시키고, 또한 공정을 단순화시킬 수 있을 뿐 아니라, 고품질의 탄소나노튜브(130)를 성장시킬 수 있게 되는 것이다.
이상, 상기의 실시 예는 단지 설명의 편의를 위해 예시로서 설명한 것에 불과하므로 특허청구범위를 한정하는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 혼합 공급형 탄소나노튜브 형성장치의 개략적인 구성도,
도 2는 챔버의 탄소나노튜브성장구역의 개략적인 단면도,
도 3은 챔버의 촉매금속공급구역의 개략적인 단면도,
도 4는 도 1의 실시예에 의해 형성된 탄소나노튜브의 개략적인 확대도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 챔버 2 : 도어
1a : 촉매금속공급구역 1b : 탄소나노튜브성장구역
1c : 버퍼구역 5 : 스크러버
7,32 : 지지대 10 : 기판장착부
20 : 가스공급부 20a : 소스가스
20b : 분위기가스1 20c : 분위기가스2
20d : 캐리어가스
25a,25b,25c,25d : 가스공급관
30 : 촉매금속저장부 35 : 저장용기
40 : 가열부 41 : 제1히터
42 : 제2히터 43 : 제3히터
100 : 기판 110,120 : 촉매금속
130 : 탄소나노튜브

Claims (6)

  1. 내부에 일정 크기의 반응공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버에 소스가스와 분위기가스를 공급할 수 있게 가스공급관이 구비되는 가스공급부;
    상기 챔버에 촉매금속이 공급될 수 있게 챔버 내부에 설치하되, 상기 촉매금속이 액상으로 저장되는 촉매금속저장부; 및
    상기 챔버 내부를 적정 온도로 가열하는 가열부;
    를 포함하여 구성되는 혼합 공급형 탄소나노튜브 형성장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 촉매금속저장부는 상기 챔버 하측부에 착탈 가능하게 설치되는 상부가 개방된 저장용기에 액상의 촉매금속이 저장된 것을 특징으로 하는 혼합 공급형 탄소나노튜브 형성장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 가열부는 상기 챔버를 상기 촉매금속저장부가 구비되는 촉매금속공급구역과 탄소나노튜브성장구역 및 버퍼구역으로 분할하여 각각 가열시킬 수 있게 설치되는 것을 특징으로 하는 혼합 공급형 탄소나노튜브 형성장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 가열부는 상기 챔버의 촉매금속공급구역과 탄소나노튜브성장구역 및 버퍼구역의 외주면을 개별적으로 가열시킬 수 있게 상기 구역의 챔버 외주면을 따라 각각 설치되는 제1히터와 제2히터 및 제3히터로 각각 구성되는 것을 특징으로 하는 혼합 공급형 탄소나노튜브 형성장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 촉매금속공급구역은 150℃ ~ 800℃의 온도가 유지되도록 하고, 상기 탄소나노튜브성장구역은 600℃ ~ 1200℃의 온도가 유지되도록 하며, 상기 버퍼구역은 300℃ ~ 800℃의 온도가 유지될 수 있게 한 것을 특징으로 하는 혼합 공급형 탄소나노튜브 형성장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 촉매금속은 페로신(ferrocene)이 사용되는 것을 특징으로 하는 혼합 공급형 탄소나노튜브 형성장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101287890B1 (ko) * 2011-06-17 2013-07-19 (주) 디에이치홀딩스 액상촉매전구체를 사용하여 탄소나노튜브를 제조하는 방법
KR101364143B1 (ko) * 2012-01-10 2014-02-18 (주) 디에이치홀딩스 보트 트레이 추출장치 및 이 장치가 적용된 탄소나노튜브 제조 장치
KR101368984B1 (ko) * 2011-11-21 2014-03-03 (주) 디에이치홀딩스 탄소나노튜브 제조용 보트트레이

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