KR20010044892A - 파워 온 리셋 회로 - Google Patents
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- H03K17/22—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
- H03K17/223—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in field-effect transistor switches
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Abstract
Description
Claims (4)
- 시스템에 전원전압이 인가되면 시스템 초기화를 위한 리셋 신호를 발생시키는 파워 온 리셋 회로에 있어서,상기 전원전압을 입력받아 일정 시간 지연시켜 출력하는 전원전압 지연수단과;상기 전원전압을 그 일단으로 입력받는 캐패시터와;상기 캐패시터의 타단의 전압을 입력받아 2진 논리 레벨의 디지털 신호를 출력하는 펄스 발생수단과;상기 펄스 발생수단의 출력신호를 반전시켜 출력하는 반전수단과;상기 반전수단의 출력신호에 의하여 인에이블되어, 상기 전원전압과 상기 지연된 전원전압의 차에 반비례하는 전압을 출력하는 차동증폭기와;상기 차동증폭기와 상기 반전수단에 의하여 온/오프 제어되어 상기 캐패시터 타단의 전압을 방전시키는 스위칭 방전수단을 포함하여 구성된 것이 특징인 파워 온 리셋 회로.
- 청구항 1에 있어서,상기 펄스 발생수단은 직렬 연결된 두 개의 인버터로 이루어진 것이 특징인 파워 온 리셋 회로.
- 청구항 1에 있어서,상기 스위칭 방전수단은 병렬 연결된 제1스위칭소자 및 제2스위칭소자로 이루어져, 상기 제1스위칭소자는 상기 차동증폭기의 출력에 의하여 온/오프 제어되고 상기 제2스위칭소자는 상기 반전수단의 출력에 의하여 온/오프 제어되도록 구성된 것이 특징인 파워 온 리셋 회로.
- 청구항 3에 있어서,상기 제1 및 제2스위칭소자는 NMOS트렌지스터로 이루어진 것이 특징인 파워 온 리셋 회로.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990047942A KR100349356B1 (ko) | 1999-11-01 | 1999-11-01 | 파워 온 리셋 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019990047942A KR100349356B1 (ko) | 1999-11-01 | 1999-11-01 | 파워 온 리셋 회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR20010044892A true KR20010044892A (ko) | 2001-06-05 |
KR100349356B1 KR100349356B1 (ko) | 2002-08-21 |
Family
ID=19618001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019990047942A KR100349356B1 (ko) | 1999-11-01 | 1999-11-01 | 파워 온 리셋 회로 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100349356B1 (ko) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100396793B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2003-09-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 파워 온 리셋회로 |
US7091758B2 (en) | 2003-05-02 | 2006-08-15 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Power-on reset circuit, semiconductor integrated circuit device including the same and method for generating a power-on reset signal |
US7379356B2 (en) * | 2006-10-03 | 2008-05-27 | Sigmatel, Inc. | Memory, integrated circuit and methods for adjusting a sense amp enable signal used therewith |
KR100901972B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2009-06-08 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Pofr 회로 |
KR100936818B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2010-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 타이밍 컨트롤러의 리셋 회로 |
-
1999
- 1999-11-01 KR KR1019990047942A patent/KR100349356B1/ko active IP Right Grant
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100396793B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2003-09-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 파워 온 리셋회로 |
KR100901972B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2009-06-08 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Pofr 회로 |
KR100936818B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2010-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 타이밍 컨트롤러의 리셋 회로 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR100349356B1 (ko) | 2002-08-21 |
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