KR20010040062A - 2밴드 발진기 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 98
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 81
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
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Abstract
본 발명은 주파수가 떨어진 2개의 주파수밴드에서 각각 안정된 발진신호가 얻어지고, 또한 그 C/N이 양호하고 큰 파워가 얻어지도록 하는 것을 목적으로 한다.
이를 위하여 전압제어 발진회로(1)는 발진트랜지스터(2)의 베이스·에미터 사이 및 에미터·콜렉터 사이에 각각 접속되는 귀환 콘덴서(4, 5)와, 적어도 버랙터 다이오드(13)와 인덕턴스소자(14)를 가지고 콜렉터와 베이스의 사이에 고주파적으로 접속된 공진회로(12)와, 에미터와 그라운드와의 사이를 직류적으로 접속하는 임피던스회로(8)를 가지며, 버퍼회로(30)는 2개의 주파수밴드에 동조가능한 동조증폭회로로 구성하며, 임피던스회로(8)를 2개의 주파수밴드에서 큰 임피던스가 되도록 구성하고, 귀환 콘덴서(4, 5)와 인덕턴스소자(14)를 전환하도록 구성하며, 높은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 귀환 콘덴서(4, 5)의 용량치와 인덕턴스소자 (14)의 인덕턴스치를 작게 하고, 낮은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 용량치와 인덕턴스치를 크게 하였다.
Description
본 발명은 주파수가 2배 정도로 떨어진 2개의 주파수밴드에서 안정되게 발진시키고, 또한 각각의 주파수밴드에서 양호한 C/N을 가지는 발진신호를 얻도록 한 2밴드발진기에 관한 것이다.
도 2는 종래의 2밴드 발진기의 회로구성을 나타낸다. 전압제어 발진회로 (41)는 콜렉터 접지형의 콜피츠 발진회로로서 구성되고, 발진 트랜지스터(42)의 콜렉터는 직류차단 콘덴서(43)에 의해 고주파적으로 접지된다. 또 베이스·에미터 사이와 에미터·콜렉터 사이에는 각각 귀환 콘덴서(44, 45)가 접속되고, 베이스에는 바이어스용 저항(46, 47)에 의해 바이어스전압이 주어지고, 에미터는 저항(48)에 의해 그라운드에 접속된다.
또 베이스는 직류차단 콘덴서(49)에 의해 인덕턴스 소자(50)의 한쪽 끝에 접속된다. 인덕턴스소자(50)는 2개의 인덕턴스소자(50a, 50b)가 서로 직렬 접속되어 구성되고, 그 다른쪽 끝이 접지된다. 그리고, 인덕턴스소자(50a, 50b)의 접속점이 직류차단 콘덴서(51)를 개재하여 스위치 다이오드(52)의 애노드에 접속되고, 그 캐소드가 접지된다. 또 버랙터 다이오드(53)는 직류차단 콘덴서(54)를 개재하여 인덕턴스소자(50)에 병렬접속된다.
버랙터 다이오드(53)의 캐소드에는 급전저항(55)을 개재하여 제어전압(Vc)이 인가되고, 스위치 다이오드(52)의 애노드에는 급전저항(56)을 개재하여 스위치 다이오드(52)를 도통 또는 비도통으로 하기 위한 전환전압(Vs)이 인가된다.
이상의 구성에 의해, 전환전압(Vs)에 의해 스위치 다이오드(52)를 도통하면 인덕턴스소자(50b)의 양쪽 끝이 단락되어 발진주파수는 높아지고, 스위치 다이오드 (52)를 비도통으로 하면 발진주파수는 낮아진다. 그리고 발진주파수는 버랙터 다이오드(53)에 인가하는 제어전압(Vc)에 의해 바뀌어진다.
발진신호는 발진 트랜지스터(42)의 에미터로부터 출력되고, 결합콘덴서(57)를 개재하여 버퍼회로(58)에 입력된다. 버퍼회로(58)는 광대역의 증폭기로서 구성되고, 발진신호를 증폭하여 도시 생략한 회로에 출력한다.
종래의 2밴드 발진기에서는 전압제어 발진회로(41)의 귀환용량(44, 45)이 일정하기 때문에 발진 트랜지스터(42)측의 음성 저항치가 높은 주파수밴드와 낮은 주파수밴드에서 각각 최적으로 할 수 없어 2개의 주파수밴드에서 모두 안정되게 발진시킬 수 없었다.
또 발진 트랜지스터(42)의 에미터와 그라운드의 사이에 접속된 저항(48)은 귀환 콘덴서(45)와 병렬로 접속되어 있기 때문에, 직류 바이어스전류 외에도 발진전류가 흐르기 때문에 발진파워가 저하하여 발진신호의 C/N이 악화되어 있었다.
또한 버퍼회로(58)는 2개의 주파수밴드의 발진신호를 증폭하기 위하여 광대역 증폭기로서 구성하였기 때문에, 발진신호를 충분한 레벨까지 증폭할 수 없었다.
따라서 본 발명의 2밴드 발진기는 주파수가 떨어진 2개의 주파수밴드에서 각각 안정된 발진신호가 얻어지고, 또한 그 C/N이 양호하여 큰 파워가 얻어지도록 하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 2밴드 발진기의 회로 구성도,
도 2는 종래의 2밴드 발진기의 회로 구성도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 전압제어 발진회로 2 : 발진트랜지스터
3 : 직류차단 콘덴서 4 : 입력측 귀환 콘덴서
4a : 제 1 귀환 콘덴서 4b : 제 3 귀환 콘덴서
5 : 출력측 귀환 콘덴서 5a : 제 2 귀환 콘덴서
5b : 제 4 귀환 콘덴서 6, 7 : 바이어스저항
8 : 임피던스회로 8a : 바이어스저항
8b : 제 1 병렬 공진회로 8c : 제 1 병렬 공진회로
11 : 제 1 스위치 다이오드 12 : 공진회로
13 : 버랙터 다이오드 14 : 인덕턴스소자
14a : 제 1 인덕턴스소자 14b : 제 2 인덕턴스소자
15 : 결합콘덴서 16 : 급전저항
17 : 직류차단 콘덴서 18 : 제 2 스위치 다이오드
19 : 직류차단 콘덴서 20, 21, 22 : 바이어스저항
23 : 결합콘덴서 30 : 버퍼회로
31 : 증폭트랜지스터 32 : 인덕턴스소자
33 : 제 1 동조 콘덴서 34 : 제 3 스위치 다이오드
35 : 제 2 동조 콘덴서
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 2밴드 발진기는 높고 낮은 2개의 주파수밴드에서 발진하는 전압제어 발진회로와, 상기 전압제어 발진회로가 출력하는 발진신호를 증폭하는 버퍼회로를 구비하고, 상기 전압제어 발진회로는 콜렉터가 고주파적으로 접지된 발진 트랜지스터와, 상기 발진 트랜지스터의 베이스·에미터 사이 및 에미터·콜렉터 사이에 각각 접속되는 귀환 콘덴서와, 적어도 버랙터 다이오드와 인덕턴스소자를 가지고 상기 발진 트랜지스터의 콜렉터와 베이스의 사이에 고주파적으로 접속된 공진회로와, 상기 발진 트랜지스터의 에미터와 그라운드의 사이를 직류적으로 접속하는 임피던스회로를 가지며, 상기 버퍼회로는 상기 2개의 주파수밴드에 동조가능한 동조 증폭회로로 구성하고, 상기 임피던스회로를 상기 2개의 주파수밴드에서 큰 임피던스가 되도록 구성하며, 상기 귀환 콘덴서와 상기 인덕턴스소자를 전환되도록 구성하고, 상기 전압제어 발진회로를 높은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 상기 귀환 콘덴서의 용량치와 상기 인덕턴스소자의 인덕턴스치를 작게 하고, 낮은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 상기 용량치와 상기 인덕턴스치를 크게 하였다.
또 본 발명의 2밴드 발진기는 상기 귀환 콘덴서는 서로 직렬로 접속됨과 더불어 서로의 접속점이 에미터에 접속되고 양쪽 끝이 베이스와 콜렉터에 고주파적으로 접속된 제 1 및 제 2 귀환 콘덴서와, 서로 직렬로 접속됨과 더불어 서로의 접속점이 제 1 스위치 다이오드에 의해 상기 발진 트랜지스터의 에미터에 접속되고 양쪽 끝이 베이스와 콜렉터에 고주파적으로 접속된 제 3 및 제 4 귀환 콘덴서로 이루어지고, 상기 전압제어 발진회로를 상기 낮은 주파수밴드에서 발진하는 경우에는 상기 제 1 스위치 다이오드를 도통시켜 상기 제 1 귀환 콘덴서와 상기 제 3 귀환 콘덴서를 병렬로 접속함과 더불어 상기 제 2 귀환 콘덴서와 상기 제 4 콘덴서를 병렬로 접속하고, 상기 높은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 상기 제 1 스위치 다이오드를 비도통으로 하였다.
또 본 발명의 2밴드 발진기는 상기 임피던스회로는 적어도 제 1 병렬 공진회로와 상기 제 1 병렬 공진회로에 직렬 접속된 제 2 병렬 공진회로를 가지고, 상기제 1 병렬 공진회로의 공진 주파수를 상기 낮은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 설정하고, 상기 제 2 병렬 공진회로의 공진 주파수를 상기 높은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 설정하였다.
또 본 발명의 2밴드 발진기는 상기 인덕턴스소자를 제 1 인덕턴스소자와, 상기 제 1 인덕턴스소자에 직렬 접속된 제 2 인덕턴스소자로 구성하고, 상기 제 2 인덕턴스소자의 양쪽 끝을 서로 단락하는 제 2 스위치 다이오드를 설치하고, 상기 전압제어 발진회로를 상기 낮은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 상기 제 2 스위치 다이오드를 비도통으로 하고, 상기 높은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 상기 제 2 스위치 다이오드를 도통으로 하였다.
또 본 발명의 2밴드 발진기에서, 상기 버퍼회로는, 증폭 트랜지스터와 상기 증폭 트랜지스터의 콜렉터에 한쪽 끝이 접속되고 다른쪽 끝이 고주파적으로 접지된 병렬 동조회로를 가지며, 콜렉터와 그라운드의 사이에 서로 직렬 접속된 콘덴서와 제 3 스위치 다이오드를 설치하고, 상기 병렬 동조회로의 동조 주파수를 상기 높은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 설정하고, 상기 전압제어 발진회로를 상기 낮은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 상기 제 3 스위치 다이오드를 도통하여 상기 콘덴서를 상기 병렬 동조회로에 병렬 접속하여 그 동조 주파수를 상기 낮은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 되도록 하였다.
도 1은 본 발명의 2밴드 발진기의 회로구성을 나타낸다. 전압제어 발진회로 (1)는 콜렉터 접지형 콜피츠 발진회로로 구성되고, 0.9 GHz 대와 1.9 GHz 대의 높고 낮은 2개의 주파수밴드에서 발진한다. 발진 트랜지스터(2)의 콜렉터는 전원전압(Vb)이 인가됨과 더불어 직류차단 콘덴서(3)에 의해 고주파적으로 접지된다. 또 베이스·에미터 사이에는 입력측 귀환 콘덴서(4)가 되는 제 1 귀환 콘덴서(4a)가 접속되고, 에미터·콜렉터(그라운드) 사이에는 출력측 귀환 콘덴서(5)가 되는 제 2 귀환 콘덴서(5a)가 접속된다. 베이스에는 바이어스저항(6, 7)에 의해 바이어스전압이 주어진다.
에미터는 서로 직렬로 접속된 바이어스저항(8a)과 제 1 병렬 공진회로(8b)와 제 2 병렬 공진회로(8c)로 이루어지는 임피던스회로(8)에 의해 그라운드에 직류적으로 접속된다.
여기서 제 1 병렬 공진회로(8b)의 공진 주파수는 낮은 주파수밴드의 주파수에 대략 일치시키고, 제 2 병렬 공진회로(8c)의 공진 주파수는 높은 주파수밴드의 주파수에 대략 일치시키고 있다.
또한 베이스·그라운드 사이에는 서로 직렬 접속된 제 3 귀환 콘덴서(4b)와 제 4 귀환 콘덴서(5b)가 접속되고, 제 3 귀환 콘덴서(4b)와 제 4 귀환 콘덴서(5b)의 접속점이 제 1 스위치 다이오드(11)를 개재하여 발진 트랜지스터(2)의 에미터에 접속된다. 제 3 귀환 콘덴서(4b)는 입력측 귀환 콘덴서(4)를 구성하고, 제 4 귀환 콘덴서(5b)는 출력측 귀환 콘덴서(5)를 구성한다.
따라서 입력측 귀환 콘덴서(4)는 제 1 스위치 다이오드(11)의 비도통 또는 도통에 의해 제 1 귀환 콘덴서(4a)만으로 되거나 또는 제 1 귀환 콘덴서(4a)와 제 3 귀환 콘덴서(4b)의 쌍방으로 전환된다.
마찬가지로 출력측 귀환 콘덴서(5)는 제 1 스위치 다이오드(11)의 비도통 또는 도통에 의해 제 2 귀환 콘덴서(5a)만으로 되거나 또는 제 2 귀환 콘덴서(5a)와 제 4 귀환 콘덴서(5b)의 쌍방으로 전환된다.
또 발진 트랜지스터(2)의 베이스와 그라운드의 사이, 따라서 고주파적으로는 베이스와 콜렉터의 사이에는 공진회로(12)가 접속된다.
공진회로(12)는 서로 직렬로 접속된 버랙터 다이오드(13)와 인덕턴스소자 (14)를 적어도 가지며, 인덕턴스소자(14)의 한쪽 끝이 버랙터 다이오드(14)의 애노드에 접속되고, 다른쪽 끝이 접지된다. 그리고 버랙터 다이오드(13)의 캐소드가 결합 콘덴서(15)에 의해 발진 트랜지스터(2)의 베이스에 접속된다. 또 버랙터 다이오드(13)의 캐소드에는 급전저항(16)을 개재하여 제어전압(Vc)이 인가된다.
제 1 인덕턴스소자(14a)와 제 2 인덕턴스소자(14b)의 접속점은 임피던스가 낮은 직류차단 콘덴서(17)를 개재하여 제 2 스위치 다이오드(18)의 애노드에 접속되고, 그 캐소드가 직류차단 콘덴서(19)에 의해 고주파적으로 접지됨과 더불어, 바이어스저항(20)에 의해 직류적으로 접지된다.
그리고 제 2 스위치 다이오드(18)의 애노드에는 바이어스저항(21, 22)에 의해서 바이어스전압이 주어지고, 제 1 스위치 다이오드(11)의 애노드와 제 2 스위치 다이오드(18)의 캐소드에는 이들 스위치 다이오드를 도통 또는 비도통으로 하기 위한 전환전압(Vs)이 인가된다.
이상의 구성에 있어서 전압제어 발진회로(1)를 높은 주파수밴드에서 발진시키기 위해서는 전환전압(Vs)을 저레벨로 함으로써 제 1 스위치 다이오드(11)를 비도통으로 한다. 그렇게 하면, 입력측 귀환 콘덴서(4)로서는 제 1 귀환 콘덴서(4a)만이 유효하게 되고, 또 출력측 귀환 콘덴서(5)로서는 제 2 귀환 콘덴서(5a)만이 유효하게 되어 높은 주파수밴드에 최적의 음성 저항이 얻어진다. 또 제 2 스위치 다이오드(18)가 도통이 되어 제 2 인덕턴스소자(14b)의 양쪽 끝이 단락되어 인덕턴스소자(14)로서는 제 1 인덕턴스소자(14a)만이 유효하게 된다. 따라서 전압제어 발진회로(1)는 높은 주파수밴드에서 발진한다.
이 때 제 2 병렬 공진회로(8c)는 높은 주파수밴드에서 높은 임피던스가 되기때문에, 발진전류가 바이어스저항(8a)을 흐르지 않아, 파워의 소비가 없어 발진신호의 C/N 이 좋아진다.
한편, 낮은 주파수밴드에서 발진시키기 위해서는 전환전압(Vs)을 하이레벨로 함으로써 제 1 스위치 다이오드(11)를 도통한다. 그렇게 하면, 제 1 귀환 콘덴서 (4a)와 제 3 귀환 콘덴서(4b)가 병렬로 접속되어 입력측 귀환 콘덴서(4)의 용량치가 증가하고, 제 2 귀환 콘덴서(5a)와 제 4 귀환 콘덴서(5b)가 병렬로 접속되어 출력측 귀환 콘덴서(5)의 용량치가 증가하여 낮은 주파수밴드에 최적의 음성 저항이 얻어진다. 또 제 2 스위치 다이오드(18)가 오프가 되어 제 1 및 제 2 인덕턴스소자(14a, 14b)가 유효하게 된다. 따라서 전압제어 발진회로(1)는 낮은 주파수밴드에서 발진한다.
이 때는 제 1 병렬 공진회로(8b)는 낮은 주파수밴드에서 높은 임피던스가 되기 때문에 발진전류가 바이어스저항(8a)을 흐르지 않아, 발진신호의 C/N 이 좋아진다.
발진주파수는 버랙터 다이오드(13)에 인가하는 제어전압(Vc)에 의해 바뀌어진다. 그리고 발진트랜지스터(2)의 에미터로부터 발진신호가 출력되어 결합 콘덴서(23)를 개재하여 버퍼회로(30)에 입력된다.
버퍼회로(30)는 에미터 접지형 동조 증폭회로로 구성되고, 증폭 트랜지스터 (31)의 베이스에 발진신호가 입력된다. 콜렉터에는 인덕턴스소자(32)를 개재하여 전원전압(Vb)이 인가된다. 인덕턴스소자(32)에는 제 1 동조 콘덴서(33)가 병렬로 접속되어 병렬 동조회로가 구성된다. 이 동조 주파수는 높은 주파수밴드의 주파수가 되도록 설정되어 있다.
또 캐소드가 그라운드에 접속된 제 3 스위치 다이오드(34)와, 제 3 스위치 다이오드(34)의 애노드와 증폭 트랜지스터(31)의 콜렉터 사이에 접속된 제 2 동조 콘덴서(35)가 설치되고, 제 3 스위치 다이오드(34)의 애노드에 전환전압(Vs)이 인가되도록 되어 있다.
그리고 전환전압(Vs)이 저레벨이면 제 3 스위치 다이오드(34)는 비도통이 되어 인덕턴스소자(32)와 제 1 동조 콘덴서(33)로 동조회로가 형성되고, 전환전압 (Vs)이 고레벨이면 제 3 스위치 다이오드(34)는 도통하여 제 1 동조 콘덴서(33)에 제 2 동조 콘덴서(35)가 병렬로 접속되어 동조 주파수는 낮아진다. 이 주파수가 낮은 주파수밴드의 주파수에 대략 일치하도록 제 2 동조 콘덴서(35)의 용량치를 설정하고 있다.
따라서 버퍼회로(30)는 2개의 주파수밴드의 주파수에 각각 동조하기 때문에 모두 큰 레벨의 발진신호를 얻을 수 있다.
이상과 같이 본 발명의 2밴드 발진기는 발진 트랜지스터의 베이스·에미터 사이 및 에미터·콜렉터 사이에 각각 접속되는 귀환 콘덴서와, 적어도 버랙터 다이오드와 인덕턴스소자를 가지고 발진 트랜지스터의 콜렉터와 베이스의 사이에 고주파적으로 접속된 공진회로와, 에미터와 그라운드의 사이를 직류적으로 접속하는 임피던스회로를 가지고, 버퍼회로는 2개의 주파수밴드에 동조가능한 동조 증폭회로로구성하고, 임피던스회로를 2개의 주파수밴드에서 큰 임피던스가 되도록 구성하며, 귀환 콘덴서와 인덕턴스소자를 전환되도록 구성하고, 전압제어 발진회로를 높은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 귀환 콘덴서의 용량치와 인덕턴스소자의 인덕턴스치를 작게 하고, 낮은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 용량치와 인덕턴스치를크게 하였기 때문에, 어느 쪽의 주파수밴드이더라도 최적의 음성 저항을 가지는 발진회로로 할 수 있어 안정되게 발신시킬 수 있으며, 또한 임피던스회로에 의해 어느 쪽의 발진신호도 그 C/N이 좋아진다. 또한 레벨이 큰 발진신호가 얻어진다.
또 본 발명의 2밴드 발진기는 제 1 및 제 2 귀환 콘덴서와, 제 3 및 제 4 귀환 콘덴서를 가지며, 전압제어 발진회로를 낮은 주파수밴드에서 발진하는 경우에는 제 1 스위치 다이오드에 의해 제 1 귀환 콘덴서와 제 3 귀환콘덴서를 병렬로 접속함과 더불어 제 2 귀환 콘덴서와 제 4 콘덴서를 병렬로 접속하고, 높은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 제 1 스위치 다이오드를 비도통으로 하였기 때문에 귀환 콘덴서에 의한 귀환 용량을 간단하게 전환할 수 있다.
또 본 발명의 2밴드 발진기는 임피던스회로는 적어도 제 1 병렬 공진회로와 직렬 접속된 제 2 병렬 공진회로를 가지며, 제 1 병렬 공진회로의 공진 주파수를 낮은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 설정하고, 제 2 병렬 공진회로의 공진 주파수를 높은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 설정하였기 때문에 어느쪽의 주파수밴드에 있어서도 에미터의 바이어스저항에 발진전류가 흐르지 않고, 발진신호의 C/N이 좋아진다.
또 본 발명의 2밴드 발진기는 인덕턴스소자를 제 1 인덕턴스소자와 제 2 인덕턴스소자로 구성하고, 제 2 인덕턴스소자의 양쪽 끝을 서로 단락하는 제 2 스위치다이오드를 설치하고, 이 스위치 다이오드를 주파수밴드에 의해 도통 또는 비도통으로 하였기 때문에 용이하게 발진주파수를 전환할 수 있다.
또 본 발명의 2밴드 발진기에 있어서, 버퍼회로는, 증폭 트랜지스터의 콜렉터에 접속된 병렬 동조회로를 가지고, 콜렉터와 그라운드의 사이에 서로 직렬 접속된 콘덴서와 제 3 스위치 다이오드를 설치하여, 병렬 동조회로의 동조 주파수를 높은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 설정하고, 전압제어 발진회로를 낮은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 제 3 스위치 다이오드를 도통하여 콘덴서를 병렬 동조회로에 병렬 접속하여 그 동조 주파수를 낮은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 되도록 하였기 때문에 2개의 주파수밴드의 발진신호를 모두 크게 증폭할 수 있다.
Claims (5)
- 높고 낮은 2개의 주파수밴드에서 발진하는 전압제어 발진회로와, 상기 전압제어 발진회로가 출력하는 발진신호를 증폭하는 버퍼회로를 구비하고, 상기 전압제어 발진회로는 콜렉터가 고주파적으로 접지된 발진 트랜지스터와, 상기 발진 트랜지스터의 베이스·에미터 사이 및 에미터·콜렉터 사이에 각각 접속되는 귀환 콘덴서와, 적어도 버랙터 다이오드와 인덕턴스소자를 가지고 상기 발진 트랜지스터의 콜렉터와 베이스의 사이에 고주파적으로 접속된 공진회로와, 상기 발진 트랜지스터의 에미터와 그라운드의 사이를 직류적으로 접속하는 임피던스회로를 가지며, 상기 버퍼회로는 상기 2개의 주파수밴드에서 동조가능한 동조 증폭회로로 구성하고, 상기 임피던스회로를 상기 2개의 주파수밴드에서 큰 임피던스가 되도록 구성하고, 상기 귀환 콘덴서와 상기 인덕턴스소자를 2 방식으로 전환되도록 구성하여, 상기 전압제어 발진회로를 높은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 상기 귀환 콘덴서의 용량치와 상기 인덕턴스소자의 인덕턴스치를 작게 하고, 낮은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 상기 용량치와 상기 인덕턴스치를 크게 한 것을 특징으로 하는 2밴드 발진기.
- 제 1항에 있어서,상기 귀환 콘덴서는 서로 직렬로 접속됨과 동시에 서로의 접속점이 에미터에 접속되고, 양쪽 끝이 베이스와 콜렉터에 고주파적으로 접속된 제 1 및 제 2 귀환 콘덴서와, 서로 직렬로 접속됨과 동시에 서로의 접속점이 제 1 스위치 다이오드에 의해 상기 발진 트랜지스터의 에미터에 접속되며 양쪽 끝이 베이스와 콜렉터에 고주파적으로 접속된 제 3 및 제 4 귀환 콘덴서로 이루어지고, 상기 전압제어 발진회로를 상기 낮은 주파수밴드에서 발진하는 경우에는 상기 제 1 스위치 다이오드를 도통시켜 상기 제 1 귀환 콘덴서와 상기 제 3 귀환 콘덴서를 병렬로 접속하는 동시에 상기 제 2 귀환 콘덴서와 상기 제 4 콘덴서를 병렬로 접속하고, 상기 높은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 상기 제 1 스위치 다이오드를 비도통으로 한 것을 특징으로 하는 2밴드 발진기.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 임피던스회로는 적어도 제 1 병렬 공진회로와 상기 제 1 병렬 공진회로에 직렬 접속된 제 2 병렬 공진회로를 가지며, 상기 제 1 병렬 공진회로의 공진 주파수를 상기 낮은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 설정하고, 상기 제 2 병렬 공진회로의 공진 주파수를 상기 높은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 설정한 것을 특징으로 하는 2밴드 발진기.
- 제 1항 내지 제 3항중 어느 한 항에 있어서,상기 인덕턴스소자를 제 1 인덕턴스소자와 상기 제 1 인덕턴스소자에 직렬 접속된 제 2 인덕턴스소자로 구성하고, 상기 제 2 인덕턴스소자의 양쪽 끝을 서로 단락하는 제 2 스위치 다이오드를 설치하고, 상기 전압제어 발진회로를 상기 낮은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 상기 제 2 스위치 다이오드를 비도통으로 하고, 상기 높은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 상기 제 2 스위치 다이오드를 도통으로 한 것을 특징으로 하는 2밴드 발진기.
- 제 1항 내지 제 4항중 어느 한 항에 있어서,상기 버퍼회로는 증폭 트랜지스터와, 상기 증폭 트랜지스터의 콜렉터에 한쪽 끝이 접속되고 다른쪽 끝이 고주파적으로 접지된 병렬 동조회로를 가지며, 콜렉터와 그라운드의 사이에 서로 직렬 접속된 콘덴서와 제 3 스위치 다이오드를 설치하고, 상기 병렬 동조회로의 동조 주파수를 상기 높은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 설정하고, 상기 전압제어 발진회로를 상기 낮은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 상기 제 3 스위치 다이오드를 도통하여 상기 콘덴서를 상기 병렬 동조회로에 병렬 접속하여 그 동조주파수를 상기 낮은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 되도록 한 것을 특징으로 하는 2밴드 발진기.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-292188 | 1999-10-14 | ||
| JP29218899A JP2001111342A (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | ２バンド発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010040062A true KR20010040062A (ko) | 2001-05-15 |
| KR100372057B1 KR100372057B1 (ko) | 2003-02-11 |
Family
ID=17778701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0059963A KR100372057B1 (ko) | 1999-10-14 | 2000-10-12 | 2밴드 발진기 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001111342A (ko) |
| KR (1) | KR100372057B1 (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261543A (ja) | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Alps Electric Co Ltd | ２バンド発振器 |
| TW569518B (en) * | 2001-09-18 | 2004-01-01 | Alps Electric Co Ltd | Voltage-controlled oscillator |
| CN109995361B (zh) * | 2017-12-29 | 2024-02-02 | 海能达通信股份有限公司 | 宽频带低相噪频综电路及电子设备 |
| CN117713812B (zh) * | 2024-02-04 | 2024-04-26 | 安徽矽磊电子科技有限公司 | 一种用于锁相环的宽带振荡器 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2589531B2 (ja) * | 1988-03-17 | 1997-03-12 | 富士通株式会社 | 電圧制御発振器 |
| US5852384A (en) * | 1996-04-25 | 1998-12-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dual band oscillator circuit using strip line resonators |
| JPH10163750A (ja) * | 1996-11-27 | 1998-06-19 | Tdk Corp | 電圧制御発振器 |
| JPH10178316A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-06-30 | Iwaki Electron Corp Ltd | 発振器 |
| JP3648979B2 (ja) * | 1998-04-07 | 2005-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 発振器とこれを用いた高周波モジュール |
-
1999
- 1999-10-14 JP JP29218899A patent/JP2001111342A/ja active Pending
-
2000
- 2000-10-12 KR KR10-2000-0059963A patent/KR100372057B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100372057B1 (ko) | 2003-02-11 |
| JP2001111342A (ja) | 2001-04-20 |
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