KR20010037874A - 코드 분할 다중 접속 시스템의 쌍대역 동시 정합을 위한 증폭기 및 그의 부하 접지 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 코드 분할 다중 접속 시스템의 이동 단말기의 쌍대역 동시 정합을 위한 부하를 접지하는 증폭 장치에 관한 것으로, 증폭 장치는 적어도 하나 이상의 임피던스 네트워크를 구비하는 부하와 다수의 패키지 리드(package lead)들 사이에 서로 다른 주파수 대역에서의 서로 다른 임피던스를 발생하는 온-칩 회로(on-chip)를 구비한다. 그리고 온-칩 회로는 신규한 스위칭 회로와 바이패스(bypass) 캐패시터 및 부가(additional) 인덕터를 포함한다. 따라서 스위칭 회로는 셀룰러 대역에서는 개방되고, PCS 대역에서는 연결되어서 서로 다른 임피던스를 발생시킴으로서 서로 다른 대역에서 사용 가능한 이동 단말기를 구현할 뿐만 아니라, 증폭 장치의 안정성과 부하의 정확한 접지를 구현한다.
Description
본 발명은 고주파용 증폭기(RF IC amplifier)에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 무선 통신 장치(wireless telecommunications)의 쌍대역 동시 정합을 위한 증폭 장치의 임피던스를 조절하기 위한 부하 접지 방법 및 그 장치에 관한 것이다.
오늘날 휴대용 이동 단말기의 보급은 빠른 속도로 진행되고 있다. 그리고 사용자는 점차 소형화, 저소모 전력의 휴대용 이동 단말기를 원하고 있는 실정이다.
현재 CDMA(Code Division Multiple Access) 통신 서비스는 서로 떨어져 있는 2 대역에서 무선 통신이 허용되고 있다. 즉, 이동 단말기의 송신 대역에서 보면, 셀룰러 대역(또는 AMPS 대역)과 PCS 대역으로 구분되는데, 미국의 경우, 각각 824~849 MHz와 1850~1910 MHz의 주파수 송신 대역을 갖는다.
그러므로 사용자들은 하나의 이동 단말기를 이용하여 셀룰러 대역과 PCS 대역에서 무선 통신을 하길 원한다. 이렇게 무선 통신을 위한 서로 다른 두 대역이 상존하고 있으므로, 지역 특성에 따라 다른 한 쪽 대역만이 사용 가능한 지역을 위하여, 핸드오버(handover)가 가능하도록 DBTM(Dual Band Triple Mode) 이동 단말기를 사용한다.
도 1을 참조하면, CDMA 방식의 DBTM 이동 단말기(2)는 안테나를 통하여 양방향 통신을 수행하기 위한 듀플렉서(Duplexer)(4)와 해당 통신 주파수 대역에 따른 신호를 송수신하는 RF 트랜스미터(8) 및 RF 리시버(6)를 포함한다. 그리고 베이스밴드(baseband) 아날로그 및 베이스밴드 디지털 신호를 처리하는 베이스밴드 프로세서(10)를 포함한다. 이 때, DBTM 이동 단말기(2)는 주파수 대역(예컨대, 셀룰러 대역과 PCS 대역 등)에 대응하여 각각 별도의 구성 요소들을 구비하고 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, RF 트랜스미터(8)의 경우 AGC(Automatic Gain Control)(12)와 믹서(mixer)(14) 그리고 셀룰러용(18)의 드라이버 앰프(20) 및 파워 앰프(22)와, PCS용(24)의 드라이버 앰프(26) 및 파워 앰프(28)를 하나의 이동 단말기(2)에 구비하고 있다. 또한 셀룰러 대역 또는 PCS 대역의 동작에 대응하여 해당 드라이버 앰프 및 파워 앰프를 선택하도록 스위칭하는 스위치(16)를 포함한다.
그러므로 해당 주파수 대역에 각각 대응하여 드라이버 앰프 및 파워 앰프 등을 하나의 이동 단말기에 구비함으로서 이동 단말기의 생산 비용이 증가하게 되고, 이동 단말기의 크기가 증가하게 된다. 이러한 고비용, 비효율을 줄이기 위하여 이동 단말기는 다수의 내부 구성 요소들을 하나의 블록(block)으로 구비하고, 셀룰러 대역과 PCS 대역에서 동시에 동작시키는 방법이 제안되었다.
즉, 하나의 블록에 셀룰러 대역과 PCS 대역을 동시에 동작시키기 위하여 도 3에 도시된 바와 같이, 오프-칩(off-chip) 회로를 이용해서 쌍대역 동시 정합을 위한 부하를 접지한다.
도 3을 참조하면, 이동 단말기 내부에 구비된 RF IC 증폭 장치(30)는 쌍대역 동시 정합을 위하여 오프-칩 회로(40)를 이용하여 부하(52)를 접지하고 있다.
RF IC 증폭 장치(30)는 칩(chip)(50) 내부에 구성되는 적어도 하나 이상의 임피던스 네트워크(미도시됨)를 포함하는 부하(52)를 구비하고 있다. 그리고 외부 PCB(Printed Circuit Board) 상의 다른 소자들과 상호 연결하기 위한 다수의 패키지 리드(package lead)(34)를 구비하고 있다.
칩(50)은 부하(52)의 일단에 구비된 패드(54)와 패키지 리드(34) 사이를 본딩 와이어(bonding wire)(32)로 연결된다. 그리고 부하(52)는 임피던스 네트워크에 의한 특정 임피던스 값(Lload)을 갖는다.
오프-칩(off-chip) 회로(40)는 하나의 인덕터(L1)와 두 개의 캐패시터(CGNG1, CGND2)를 포함하고 있다. 그리고 전원 전압(Vdd)을 받아들이고 이들(L1, CGNG1, CGND2)을 통하여 RF IC 증폭 장치(30)의 부하(52)를 접지한다.
그러나 이 경우에 있어서도 다음과 같은 여러 가지 문제점이 발생된다.
즉, 종래 기술의 증폭 장치의 부하를 접지하는 방법에 의하면, 이동 단말기를 PCS 대역에서 사용하는 경우에 셀룰러 대역에 의한 불필요한 부하가 발생되어, 증폭 장치의 안정성(stability) 결여 및 누출(leakage) 현상이 나타나는 문제점이 있다. 그 반대의 경우에도 즉, 셀룰러 대역에서 사용하는 경우에 PCS 대역에서도 위와 같은 문제가 발생된다. 또한 PCS 대역과 같은 고주파 대역의 경우 패드(pad), 본딩 와이어(bonding wire), 패키지 리드(package lead) 및 PCB(Printed Circuit Board)에서의 연결선 모양(trace) 등의 정확한 예측이 불가능하므로서 튜닝(tuning)이 필요하며, 대량 생산에 적합하지 않다.
또한 오프-칩(off-chip) 회로를 이용하므로서 PCB 상에서 여러 개의 부품들이 필요하고, 이에 따라 PCB의 크기가 증가하게 되어 PCB 제작(artwork)이 복잡해지는 문제점이 있다. 따라서 불필요한 제작 과정이 증가하게 되고, 이로 인하여 이동 단말기의 제작 비용이 증가하게 된다.
본 발명의 목적은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, CDMA 통신 서비스의 DBTM 이동 단말기의 RF IC 증폭 장치에서 온-칩 상의 임피던스를 조정하도록 구비하여 쌍대역 동시 정합을 위한 부하를 선택적으로 접지하는 방법 및 그 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 일반적인 CDMA 시스템의 DBTM 이동 단말기의 개략적인 구성을 도시한 블록도;
도 2는 도 1에 도시된 RF 트랜스미터의 개략적인 구성을 보여주는 블록도;
도 3은 종래 기술의 일 실시예에 따른 CDMA 시스템의 RF IC에서 쌍대역 동시 정합을 위한 부하 접지 회로를 보여주는 도면;
도 4는 본 발명에 따른 RF 트랜스미터의 개략적인 구성을 보여주는 블록도;
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 CDMA 시스템의 RF IC 증폭기의 쌍대역 동시 정합을 위한 부하 접지 회로를 보여주는 도면;
도 6는 도 5에 도시된 RF IC 증폭기의 AC 등가 회로를 도시한 도면;
도 7a는 도 5에 도시된 스위치가 연결될 때의 AC 등가 회로도;
도 7b는 도 5에 도시한 스위치가 개방될 때의 AC 등가 회로도;
도 8는 도 4에 도시된 RF 트랜스미터의 일부 구성을 보여주는 회로도;
도 9a 내지 도 9b는 주파수 변화에 따른 이상적인 이득과 반사 손실을 나타내는 파형도;
도 10는 도 5의 실시예에 따른 스위칭 회로가 연결될 때의 PCS 대역에서 동작을 위한 이상적인 이득을 보여 주는 파형도;
도 11은 도 5의 실시예에 따른 스위칭 회로가 개방될 때의 셀룰러 대역에서 동작을 위한 이상적인 이득을 보여 주는 파형도;
도 12a 내지 도 12b는 도 5의 실시예에 따른 스위칭 회로의 연결/개방에 의한 이득에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내는 파형도; 및
도 13a 내지 도 13b는 도 5의 실시예에 따른 스위칭 회로의 연결/개방에 의한 출력 반사 손실에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내는 파형도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
100 : 증폭 장치 110 : 칩
112, 114 : 리드 116 : 본딩 와이어
120 : 부하 122, 124 : 패드
140 : 오프-칩 회로 200 : RF 트랜스미터
230 : RF 트랜스미터 증폭 장치
SW : 스위칭 회로 Cby: 바이패스 캐패시터
Lby: 바이패스 인덕터 Lbw: 본딩 와이어 인덕터
Ladd: 부가(additional) 인덕터
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 특징에 의하면, 제 1 주파수 대역 또는 제 2 주파수 대역의 주파수 신호를 증폭하는 증폭 장치에 있어서: 제 1 임피던스를 갖는 부하와; 상기 부하와 접지 사이에 구비되고, 제 2 임피던스를 발생하는 제 1 임피던스 회로와; 상기 제 1 임피던스 회로와 상호 병렬로 구비되고, 제 3 임피던스를 발생하는 제 2 임피던스 회로 및; 상기 제 1 및 상기 제 2 임피던스 회로 사이에 구비되어, 상기 제 1 주파수 대역에서 동작될 때 상기 제 1 임피던스를 발생시키고, 상기 제 2 주파수 대역에서 동작될 때 상기 제 1 및 상기 제 2 임피던스를 발생하도록 스위칭하는 스위칭 회로를 포함하여 상기 부하를 접지한다.
이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 제 1 임피던스 회로는: 상기 부하와 상기 접지 사이에 연결되어 제 4 임피던스를 갖는 본딩 와이어와; 상기 부하와 상기 본딩 와이어 사이에 구비되어 제 5 임피던스를 갖는 인덕터를 포함하되; 상기 제 2 임피던스는 상기 제 4 및 제 5 임피던스의 합이다.
이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 제 2 임피던스 회로는: 상기 부하와 상기 접지 사이에 연결되어 상기 제 3 임피던스를 갖는 본딩 와이어들과; 상기 스위칭 회로와 상기 본딩 와이어들 사이에 구비되는 캐패시터를 포함한다.
이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 스위칭 회로는 전계 효과 트랜지스터(FET : Field Effect Transister)로 구비된다.
이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 증폭 장치는 온-칩(on-chip) 회로로 구비된다.
이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 증폭 장치는 외부 전원 단자와 접지 사이에 캐패시터 회로를 더욱 구비하여 상기 부하를 접지한다.
따라서 본 발명에 의하면, 증폭 장치는 상기 스위칭 회로의 온/오프에 대응하여 서로 다른 임피던스를 발생한다. 스위칭 회로(SW)가 온이 되면, 증폭 장치는 PCS 대역에 적합한 임피던스를 발생한다. 이 때, 바이패스 캐패시터와 다중 본딩 와이어에 의한 바이패스 인덕터는 직렬 공진을 발생시킴으로서 부하에 의한 임피던스만이 발생된다.
그리고 스위칭 회로가 오프되면, 증폭 장치는 셀룰러 대역에 적합한 임피던스를 발생하게 된다. 이 경우에도 증폭 장치는 부하와 본딩 와이어 및 부가 인덕터에 의한 임피던스가 발생된다.
(실시예)
이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 CDMA 통신 서비스를 지원하는 DBTM 이동 단말기의 RF 트랜스미터의 개략적인 구성을 나타내고 있다.
도면을 참조하면, 상기 RF 트랜스미터(200)는 AGC(210)와 믹서(220) 및 신규한 증폭 장치(amplifying apparatus)(230)를 포함한다. 그리고 상기 증폭 장치(230)는 드라이버 앰프(240)와 파워 앰프(250)를 각각 하나씩 구비된다. 상기 드라이버 앰프(240)와 상기 파워 앰프(250)는 도면에 도시된 바와 같이 스위칭 회로를 구비하고 있다.
구체적으로 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 증폭 장치의 일부를 도시한 것으로, 상기 증폭 장치는 쌍대역 동시 정합을 위하여 신규한 온-칩 회로로 구비하고, 이를 통해 부하를 접지하고 있다.
도면을 참조하면, 상기 증폭 장치(100)는 칩(110)과 다수의 패키지 리드(lead)들(112, 114)을 구비한다. 예를 들어, 상기 증폭 장치(100)는 RF 트랜스미터의 드라이버 앰프, 파워 앰프 또는 RF 리시버의 저잡음 증폭기(low noise amplifier) 등에 적용 가능하다.
상기 칩(110)은 적어도 하나 이상의 임피던스 네트워크(미도시됨)를 구비하여 특정 임피던스를 갖는 부하(120)와, 그리고 칩(chip) 내부에 구비되는 스위칭 회로(SW)와 바이패스(bypass)용 캐패시터(Cby) 및 부가 인덕터(Ladd)를 포함한다. 또한 상기 칩(110)의 패드(122, 124)와 리드(112, 114) 사이를 각각 연결하는 하나 이상의 본딩 와이어(116)를 구비하고 있다.
상기 스위칭 회로(SW)는 제조 공정에 따라서 전계 효과 트랜지스터(FET : Field Effect Transister)로 구비된다. 예를 들어, 플로팅 MOS(floating Metal Oxide Semicondutor) FET, MESFET(MEtal Semiconductor FET) 또는 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT : High Electron Mobiltty Transister) 등으로 구비되고, 그의 게이트 전압에 의해서 온, 오프된다.
그리고 상기 증폭 장치(100)는 상기 부하(120)를 접지하기 위한 캐패시터(CGND)를 오프-칩 회로(140)로 구비하고 있다. 상기 캐패시터(CGND)는 상기 부하(120)의 일단(122)에 연결되는 전원 단자(Vdd)와 접지에 연결된다.
그러므로 상기 스위칭 회로(SW)의 온, 오프에 대응하여 상기 증폭 장치(100)는 셀룰러 대역 또는 PCS 대역에서의 서로 다른 임피던스를 발생한다.
구체적으로 상기 증폭 장치(100)의 AC 등가 회로가 도 6에 도시되어 있다.
도 6을 참조하면, 상기 증폭 장치(100)는 본 발명에 따른 신규한 스위칭 회로(SW)와 상기 스위칭 회로(SW)의 온/오프에 대응하여 서로 다른 임피던스를 발생하는 제 1 임피던스 회로(130)와 제 2 임피던스 회로(132) 및 부하(Lload)를 포함하고 있다.
상기 제 1 임피던스 회로(130)는 본딩 와이어(116)에 의한 인덕터(Lbw)와 부가 인덕터(additional inductor)(Ladd)를 포함한다. 그리고 상기 부가 인덕터(Ladd)는 셀룰러 대역에서의 이득과 정합을 위하여 조정되는 값으로, 인덕턴스가 '0'일 수도 있다.
상기 제 2 임피던스 회로(132)는 바이패스용 캐패시터(Cby)와 다중 본딩 와이어(118)에 의한 바이패스용 인덕터(Lby)를 포함한다.
따라서 상기 스위칭 회로(SW)가 온(on)이 되면, 상기 증폭 장치(100)는 상기 부하(Lload)와 상기 제 2 임피던스 회로(132)에 의해서 PCS 대역에 적합한 임피던스를 발생한다. 이 때, 상기 바이패스용 캐패시터(Cby)와 다중 본딩 와이어(118)에 의한 바이패스용 인덕터(Lby)는 직렬 공진(serial resonance)을 발생시킴으로서 상기 부하(120 : Lload)에 의한 임피던스(Zload)만이 발생된다.
그리고 상기 스위칭 회로(SW)가 오프(off)되면, 상기 증폭 장치(100)는 상기 상기 부하(Lload)와 상기 제 1 임피던스 회로(130)에 의해서 셀룰러 대역에 적합한 임피던스를 발생하게 된다. 이 때, 상기 증폭 장치(100)는 상기 부하(120 : Lload)에 의한 임피던스(Zload)와 본딩 와이어(116)에 의한 인덕터(Lbw) 성분의 임피던스(Zbw) 및 상기 부가 인덕터(Ladd)에 의한 임피던스(ZLadd)를 합한 임피던스가 발생된다. 여기서 상기 부가 인덕터(Ladd)의 인덕턴스는 본 발명의 기술적인 사상을 벋어 나지 않는 범위에서 변동 가능하다. 예컨대, 상기 부가 인덕터(Ladd)의 인덕턴스는 '0'일 수도 있다.
좀 더 구체적으로 살펴보면, 도 7a 및 도 7b는 상기 스위칭 회로(SW)의 온/오프에 따른 AC 등가 회로를 도시한 것으로, 상기 스위칭 회로(SW)의 온/오프에 관계없이 부하(120 : Lload)는 특정 임피던스(Zload= jωLload)를 갖고 있다.
즉, 도 7a의 등가 회로는 상기 스위칭 회로(SW)가 연결(on)될 때 PCS 대역에서 동작된다. 이 때, 상기 바이패스 캐패시터(Cby)와 상기 다중 본딩 와이어(118)에 의한 인덕터(Lby)는 직렬 공진(serial resonance)이 발생되어 이들에 의한 임피던스(Zby)는 "0"가 된다. 따라서 상기 증폭 장치(100)는 상기 스위칭 회로(SW)가 연결되면, 도면에 도시된 바와 같이 상기 부하(120: Lload)에 의한 임피던스(Zload)만을 갖게 된다.
그리고 도 7b의 등가 회로는 상기 스위칭 회로(SW)가 개방(off)될 때, 셀룰러 대역에서 동작되며, 상기 부하(120)와 상기 본딩 와이어(116) 및 상기 부가 인덕터(Ladd)에 의한 임피던스(Zload+ ZLadd+ Zbw)를 가지게 된다.
이 실시예에서 상기 스위칭 회로(SW)가 연결될 때 즉, PCS 대역을 선택할 때, 셀룰러 대역의 이득을 줄이기 위하여 바이패스 캐패시터(Cby)와 다중 본딩 와이어(118)에 의한 인덕터(Lby) 및 본딩 와이어(116)에 의한 인덕터(Lbw)는 다음의 수학식 1을 만족하도록 한다.
[수학식 1]
여기서 fSR는 직렬 공진(serial resonance) 주파수를, fPR은 병렬 공진(parallel resonance) 주파수를 나타내며, fPCS, fCELLULAR는 각각 PCS 대역과 셀룰러 대역의 주파수를 나타낸다.
그리고 상기 수학식 1을 만족하기 위해서는 상기 본딩 와이어(118)에 의한 인덕터(Lby)는 다중 본딩(multiple bonding)이 바람직하다.
여기서 PCS 대역 사용시, 셀룰러 대역의 출력을 줄이기 위하여 전체 임피던스( ZGND·Zby/(ZGND+ Zby) )를 오픈(open)으로 만들어서 출력 정합이 안되도록 한다. 즉, 본딩 와이어에 의한 인덕터들의 비와 부가 인덕터(Ladd)를 조절하여 출력 정합이 않되도록 한다. 또한 상기 다중 본딩 와이어(118)에 의해 인덕터(Lby)가 감소하면, 직렬 공진이 일어나는 주파수 대역을 증가시킴으로서 제품 수율을 향상시킬 수 있다.
계속해서 도 8은 도 5의 실시예를 적용한 RF 트랜스미터 증폭 장치의 개략적인 구성을 도시하고 있다.
도면을 참조하면, 상기 RF 트랜스미터 증폭 장치(230)는 드라이버 앰프와 파워 앰프로 구비되어 있으며, 이들은 각각 도 5의 증폭 장치(100)를 이용하여 쌍대역 동시 정합을 위한 부하를 접지하고 있다.
도 9a 및 도 9b는 주파수 대역에 따른 이상적인 이득(gain)과 이에 따른 반사 손실(reflection attenuation, return loss)에 대한 파형을 나타내고 있다. 즉, 도 9a는 셀룰러 대역(또는 AMPS 대역)에서 동작되는 증폭 장치(100)의 이상적인 이득(S21)과 반사 손실(S11, S22)을 도시하고 있으며, 도 9b는 PCS 대역에서 동작되는 증폭 장치(100)의 이상적인 이득(S21)과 반사 손실(S11, S21)을 도시하고 있다.
도 10은 도 5의 실시예에 따른 스위칭 회로(SW)가 연결될 때의 PCS 대역에서 이상적인 동작을 위한 이득을 보여 주는 파형도이다. 여기서 도 5의 실시예를 이용하여 도면을 설명한다.
도면을 참조하면, PCS 대역의 주파수(fPCS)는 상기 제 2 임피던스 회로(132)의 임피던스(Zby)가 쇼트(short)되는 직렬 공진 주파수(fSR)를 갖는다. 즉, 직렬 공진 주파수(fSR)는 직렬 L-C 회로인 바이패스 캐패시터(Cby)와 다중 본딩 와이어(118)의 인덕터(Lby)에 의한 직렬 공진으로 인하여 다음의 수학식 2와 같이 나타낼 수 있다.
[수학식 2]
그리고 셀룰러 대역의 주파수(fCELLULAR)는 전체 임피던스( ZGND·Zby/(ZGND+ Zby) )가 오픈(open)이 되는 병렬 공진 주파수(fPR)가 되도록 다음의 수학식 3과 같이 나타낸다.
[수학식 3]
따라서 PCS 대역 사용시, 셀룰러 대역에서 병렬 공진을 발생시켜서 불필요한 잡음을 줄일 수 있다.
그리고 도 11은 도 5의 실시예에 따른 상기 스위칭 회로(SW)가 개방될 때의 셀룰러 대역에서 이상적인 동작을 위한 이득을 보여 준다.
계속해서 도 12a 내지 도 12b는 도 5의 실시예에 따른 스위칭 회로의 연결/개방에 의한 이득을 시뮬레이션한 결과를 도시하고 있다. 즉, 도 12a는 스위칭 회로(SW)가 연결(on)될 때, PCS 대역의 주파수 증폭을 위한 이득을 도시하고 있으며, 도 12b는 스위칭 회로(SW)가 개방(off)될 때, 셀룰러 대역의 주파수 증폭을 위한 이득을 도시하고 있다.
따라서 도 12a는 도 10의 스위칭 회로(SW) 연결시의 이상적인 이득과 일치하며, 도 12b는 도 11의 스위칭 회로(SW) 개방시의 이상적인 이득과 일치하고 있음을 알 수 있다.
또한 도 13a 내지 도 13b는 도 5의 실시예에 따른 스위칭 회로의 연결/개방에 의한 출력 반사 손실에 대한 시뮬레이션 결과를 도시하고 있다.
도 13a를 참조하면, 출력 반사 손실(output return loss)은 상기 스위칭 회로(SW)가 연결되면, PCS 대역에서 줄어들고, 셀룰러 대역에서는 증가함을 나타낸다. 그리고 도 13b를 참조하면, 상기 스위칭 회로(SW)가 개방될 경우, 출력 반사 손실은 셀룰러 대역과 PCS 대역에서 동시에 감소됨을 나타낸다.
이상에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 이용하여 본 발명의 기술적 사상을 설명하였지만, 본 발명이 여기에 한정되지 않음을 이해해야 할 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명은, 다중 대역의 주파수에서 동작되는 증폭 장치의 쌍대역 동시 정합을 위한 부하를 접지함으로서 PCS 대역을 사용하는 경우에 셀룰러 대역에 의한 이득을 줄일 수 있다. 그리고 PCS 대역을 사용하는 경우에 AC 접지를 위해 바이패스 캐패시터를 온-칩 회로로 구비하여 안정성과 정확한 접지가 가능하다.
마찬가지로 셀룰러 대역을 사용하는 경우에도 스위치를 개방함으로서 안정하고 정확한 접지를 가능하게 한다.
또한 PCB 상에서 오프-칩 회로를 단순화함으로서 설계, 제작이 용이해지고 이로 인한 생산 비용을 줄일 수 있다.
Claims (6)
- 제 1 주파수 대역 또는 제 2 주파수 대역의 주파수 신호를 증폭하는 증폭 장치에 있어서:제 1 임피던스를 갖는 부하와;상기 부하와 접지 사이에 구비되고, 제 2 임피던스를 발생하는 제 1 임피던스 회로와;상기 제 1 임피던스 회로와 상호 병렬로 구비되고, 제 3 임피던스를 발생하는 제 2 임피던스 회로 및;상기 제 1 및 상기 제 2 임피던스 회로 사이에 구비되어, 상기 제 1 주파수 대역에서 동작될 때 상기 제 1 임피던스를 발생시키고, 상기 제 2 주파수 대역에서 동작될 때 상기 제 1 및 상기 제 2 임피던스를 발생하도록 스위칭하는 스위칭 회로를 포함하여 상기 부하를 접지하는 것을 특징으로 하는 증폭 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 임피던스 회로는:상기 부하와 상기 접지 사이에 연결되어 제 4 임피던스를 갖는 본딩 와이어와;상기 부하와 상기 본딩 와이어 사이에 구비되어 제 5 임피던스를 갖는 인덕터를 포함하되;상기 제 2 임피던스는 상기 제 4 및 제 5 임피던스의 합인 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 임피던스 회로는:상기 부하와 상기 접지 사이에 연결되어 상기 제 3 임피던스를 갖는 본딩 와이어들과;상기 스위칭 회로와 상기 본딩 와이어들 사이에 구비되는 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 스위칭 회로는 전계 효과 트랜지스터(FET : Field Effect Transister)로 구비되는 것을 특징으로 하는 증폭 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 증폭 장치는 온-칩(on-chip) 회로로 구비되는 것을 특징으로 하는 증폭 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 증폭 장치는 외부 전원 단자와 접지 사이에 캐패시터 회로를 더욱 구비하여 상기 부하를 접지시키는 것을 특징으로 하는 증폭 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019990045610A KR20010037874A (ko) | 1999-10-20 | 1999-10-20 | 코드 분할 다중 접속 시스템의 쌍대역 동시 정합을 위한 증폭기 및 그의 부하 접지 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1019990045610A KR20010037874A (ko) | 1999-10-20 | 1999-10-20 | 코드 분할 다중 접속 시스템의 쌍대역 동시 정합을 위한 증폭기 및 그의 부하 접지 방법 |
Publications (1)
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ID=19616161
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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KR (1) | KR20010037874A (ko) |
-
1999
- 1999-10-20 KR KR1019990045610A patent/KR20010037874A/ko not_active Application Discontinuation
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WITN | Withdrawal due to no request for examination |