KR20010029869A - 기판 처리챔버의 서셉터에 인가된 에너지를 반사시키는 장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 7
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 10
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 7
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000005445 natural material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract
기판 처리챔버의 서셉터에 인가된 에너지를 반사하기 위한 장치, 보다 상세히 설명하면 차폐부재는 서셉터의 아래에 배열되어 서셉터의 후면으로부터 방사된 열 에너지를 서셉터로 재반사시키는 하나 이상의 반사부재를 포함한다. 상기 장치는 상기 반사부재에 부착되는 브라켓 부재 및 상기 서셉터 아래에 배열되는 받침대 조립체를 포함한다. 상기 반사부재는 높은 반사율을 갖도록 폴리싱될 수 있는 스테인레스 스틸과 같은 저 방사율 재료로 제조된다. 또한, 상기 제 1 및 제 2 반사 부재는 어닐링 처리될 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼 처리 장치, 특히 기판 지지체에 인가된 에너지를 보유하고 반사시키기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
기판 처리시스템의 기판 처리챔버 내에는 반도체 웨이퍼와 같은 기판이 통상적으로 기판 지지체 또는 서셉터에 의해 처리 중에 지지되게 된다. 상기 서셉터는 받침대 조립체(pedestal assembly)에 의해 차례로 지지된다. 상기 받침대 조립체는 동력 공급장비, 가스 도관 등과 같은 기판 처리에 도움을 주는 부속 부품들을 수용한다. 웨이퍼의 처리를 촉진하기 위해, 서셉터는 하나 이상의 처리단계 중에 웨이퍼의 온도를 상승시키도록 가열된다. 웨이퍼로 또는 웨이퍼로부터의 열전달을 촉진하기 위해, 서셉터는 세라믹 재료로 제작되며 저항 히터소자와 같은 가열부재가 서셉터 내부에 내장되거나 상부에 압착되어 있다. 또한, 액체 냉각식 블록과 같은 히트 싱크가 서셉터 아래에 배열될 수 있다. 가열소자는 일반적으로 텅스텐과 같은 재료로 제작되는 금속화 층 또는 저항 와이어 코일이다. 동력이 와이어 또는 금속화 층에 인가되면, 상기 가열소자는 세라믹 재료를 통해 웨이퍼로 유도되는 열을 발생한다.
일반적으로, 서셉터에 인가된 동력은 1000W 정도이다. 서셉터와 웨이퍼의 초기 가열["램프-업(ramp-up)"이라 칭함] 및 다음 단계의 냉각 중에, 충분한 열 균일성을 갖지 못하거나 너무나 많은 동력이 인가되면 상기 서셉터는 파괴되게 된다. 즉, 동력의 인가에 의한 서셉터 재료상의 열 응력은 서셉터의 균열을 초래하여 교체를 필요로하게 된다.
서셉터의 열 균일성은 서셉터 재료에 의존할뿐만 아니라 서셉터 및 받침대로 공지된 서셉터 지지체의 형상에도 의존한다. 반도체 웨이퍼의 산업 표준양식은 직경이 200㎜ 이며 따라서, 서셉터는 이보다 조금 크다. 이러한 산업분야의 기술 개선 및 자연스런 발전으로 기판의 크기가 확대(직경 300㎜ 정도)되고 있다. 서셉터의 크기와 무관하게, 상기 받침대 조립체는 서셉터보다 직경이 작다. 그로인해, 서셉터의 후면으로부터, 그리고 서셉터가 받침대의 후면 구조물에 걸리게 되는 챔버의 내측으로 상당한 양의 열이 방열되게 되게 된다. 이러한 방열 손실은 서셉터의 중심으로부터 멀어지는 반경방향으로 증가하게 된다. 또한, 서셉터내의 열 변화는 기판상의 성분에도 유사한 결과를 초래한다. 불균일한 기판온도는 기판 상태의 열화(층 형성의 빈약, 또는 층 등의 특성 변화)를 초래한다.
통상적으로, 받침대는 서셉터의 온도를 상승 또는 하락시킴으로써 웨이퍼의 온도 변화를 초래하는 저항 와이어 히터, 유체 채널 등과 같은 온도 조절부재를 포함한다. 받침대가 서셉터 바로 아래에 있는 경우에, 서셉터의 온도는 서셉터의 다로 뒤에 있는 받침대 영역의 온도와 상관관계에 놓이게 된다. 받침대 조립체가 서셉터보다 작기 때문에, 서셉터의 오버행 영역으로의 열 플럭스가 서셉터를 통해 받침대로 또는 받침대로부터 통행하거나, 받침대로부터 직접적으로 방열되기 보다는 받침대의 측면으로부터 방열된다. 이러한 열의 불균일성으로 인한 보다 큰 온도 편차는 서셉터와 받침대가 서로 대항 위치되어 있지 않은 서셉터의 원주에서 발생한다. 또한, 방열 손실은 받침대의 직경은 일정하나 서셉터의 직경은 증가함에 따른 것이라는 것도 인식하게 되었다. 예를들어, 300㎜ 직경 서셉터의 후면 표적의 상당한 부분은 200㎜ 직경 서셉터에 비해 받침대 조립체에 의해 지지되지 않는다. 그러므로, 상당한 양의 열이 300㎜ 직경 서셉터로부터 기판 처리챔버의 후면으로 방열되어 서셉터의 열 손실을 초래하여 웨이퍼의 열 손실까지 초래하게 된다. 이로인해, 소정의 작동온도를 유지하기 위해서는 증가된 양의 동력(전류)이 서셉터에 인가되어야 한다. 동력의 증가는 받침대 조립체/서셉터의 설계한도를 초과하여 돌이킬 수 없는 파손을 초래한다. 가능성 있는 두 가지의 파손형태는 서셉터를 동력 공급원에 연결하는 동력 터미널의 용융, 산화 또는 열화와 세라믹 재료의 균열이다. 또한, 오버행 부분이 온도 변화에 의한 불균일한 필름(층) 특성을 가진다.
그러므로, 본 발명은 직경 전반에 걸쳐 보다 양호한 온도 균일성을 유지하도록 오버행 부분을 따라 열을 보유하기 위한 방법 및 장치를 제공하고자 하는 것이다. 그러한 본 발명의 장치는 일반적인 세라믹 서셉터는 물론, 커다란 방열 표면을 갖는 보다 확대된 서셉터에 있어서의 열 변화를 감소시킴으로써 동일한 양의 방열손실을 보상할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 차폐부재를 갖는 서셉터 및 기판 처리챔버의 부분 횡단면도.
도 2는 차폐부재의 분해 사시도.
도 3은 본 발명에 따른 스페이서 부재의 상세도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 기판 처리챔버 102 : 기판
104 : 서셉터 106 : 받침대 조립체
126 : 샤프트 142 : 히터
200 : 차폐부재 202 : 브라켓 부재
204, 206 : 반사부재 214 : 아치형부
215, 217 : 수직부 216, 218 : 수평부
226, 228, 234, 238, 244, 246 : 플랜지
230 : 플랜지 개구
전술한 종래기술과 관련된 단점들은 기판 처리챔버의 서셉터에 인가된 에너지를 반사시키기 위한 본 발명의 장치에 의해 극복된다. 특히, 본 발명의 장치는 기판 처리챔버 내에 배열된 하나 이상의 반사부재를 포함하는 차폐장치이다. 상기 반사부재는 서셉터 아래에 배열됨으로써 서셉터의 후면으로부터 방열된 열 에너지가 서셉터로 다시 반사된다.
본 발명의 장치는 상기 반사부재의 근처에, 특히 서셉터 아래에 배열된 받침대 조립체에 부착된 브라켓 부재도 포함한다. 상기 브라켓 부재는 복수의 개구들이 제공된 아치형 부분을 가진다. 상기 아치형 부분의 개구(바람직하게는 각각 4 개)와 상기 받침대 조립체는 체결수단과 연통되어 있다.
상기 브라켓 부재는 상기 아치형 부분으로부터 변형된 제 1 및 제 2 수직부를 가진다. 제 1 수평부는 제 1 수직부로부터 변형되며 제 2 수평부는 제 2 수직부로부터 변형된다. 상기 제 1 및 제 2 수평부는 각각 제 1 및 제 2 플랜지를 가진다. 상기 제 1 수평부의 제 1 및 제 2 플랜지들은 제 2 수평부의 제 1 및 제 2 플랜지들과 같이 복수의 플랜지 개구들을 가진다. 바람직하게, 플랜지 당 3 개의 개구가 제공된다.
제 1 반사부재 및 제 2 반사부재는 상기 브라켓 부재에 의해 지지된다. 상기 제 1 및 제 2 반사부재는 각각 제 1 및 제 2 단부를 가진다. 상기 제 1 및 제 2 반사부재의 각각의 제 1 및 제 2 단부는 플랜지를 가진다. 상기 제 1 반사부재의 제 1 단부상에 있는 플랜지는 브라켓 부재의 제 1 수평부의 제 2 플랜지상에 있는 개구와 일치되는 복수의 개구를 가지며, 상기 제 1 반사부재의 제 2 단부상에 있는 플랜지는 브라켓 부재의 제 2 수평부의 제 2 플랜지상에 있는 개구와 일치되는 복수의 개구를 가진다. 유사하게, 상기 제 2 반사부재의 제 1 단부상에 있는 플랜지는 브라켓 부재의 제 1 수평부의 제 1 플랜지상에 있는 복수의 개구와 일치되는 복수의 개구를 가지며, 상기 제 2 반사부재의 제 2 단부상에 있는 플랜지는 브라켓 부재의 제 2 수평부의 제 1 플랜지상에 있는 복수의 개구와 일치되는 복수의 개구를 가진다. 이러한 배열에 의해, 상기 제 1 및 제 2 반사부재는 체결부재와 복수의 개구와의 통행을 통해 브라켓 부재에 부착된다. 상기 체결부재는 개구를 통해 나사결합되는 볼트, 쌍을 이루는 너트 및 볼트, 리벳, 용접 및 맞춤못 등일 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 반사부재는 하나 이상의 리프트 핀 접근 구멍을 가진다. 바람직하게, 제 1 반사부재에는 2 개의 리프트 핀 접근 구멍이 제공되며, 제 2 반사부재에는 1 개의 리프트 핀 접근 구멍이 제공된다. 또한, 상기 제 1 및 제 2 반사부재는 (고 반사율을 갖도록 폴리싱될 수 있는)스테인레스 스틸과 같은 저 방사율 재료로 제조된다. 또한, 상기 제 1 및 제 2 반사부재는 어닐링될 수 있다.
전술한 바와 같은 장치에 있어서는 기판 처리챔버 내의 에너지 보존을 달성할 수 있다. 서셉터에 의해 반사되어 다른 챔버성분에 의해 흡수되는 에너지는 서셉터로 다시 반사될 수 있다. 그로인해, 공정온도로 서셉터를 유지하는데 작은 동력이 필요하게 되며 서셉터 전반에 걸친 불균일한 열 분포가 상당히 감소된다.
본 발명의 사상은 첨부도면을 참조한 다음의 상세한 설명에 의해 더욱 용이하게 이해될 것이다.
이해를 촉진시키기 위해, 도면에 공통으로 사용되는 동일한 구성요소를 지칭하는데에는 동일한 도면부호가 사용되었다.
도 1은 반도체 웨이퍼(102)와 같은 기판을 처리하기 위한 기판 처리챔버(100)의 부분 횡단면도이다. 상기 기판 처리챔버(100)는 반도체 웨이퍼의 가공처리, 특히 물리증착(PVD)을 수행하기 위한 필수적인 하드웨어 및 부품을 포함한다. PVD 기판 처리챔버와 웨이퍼 처리작동에 대한 명확한 이해를 위해, 1993년 7월 20일자로 허여 및 일반 양도되어 본 발명에 참조된 미국 특허 제 5,228,501호의 도면 및 상세한 설명을 참조하는 것이 바람직하다. 상기 공보에는 미국 캘리포니아 산타 클라라 소재의 어플라이드 머티리얼스에 의해 제작된 물리증착 챔버에 사용되는 웨이퍼 지지 조립체가 설명되어 있다. 상기 기판 처리챔버(100)는 처리공정의 수행에 필요한 동력을 감소시키고 부품의 수명을 연장하도록 챔버 부품으로부터 방열된 에너지를 보유하기 위한 신규한 장치를 더 포함한다. 본 발명을 300㎜ 서셉터를 갖는 PVD 기판 처리챔버와 관련하여 설명하지만, 본 발명의 적용은 그러한 장치에만 국한되는 것이 아니다. 또한, 본 발명은 다른 형태의 기판 처리챔버(즉, 에칭 또는 화학 증착 장치(CVD), 상이한 크기의 서셉터(즉, 200㎜), 또는 방열 에너지의 보존을 필요로하는 어떤 유사한 상황에도 사용될 수 있다.
특히, 도 1에 도시한 바와 같이, 공정 챔버(100)는 바닥(118), 측벽(146) 및 리드(144)에 의해 내부 영역(140)을 한정하고 있다. 상기 기판 처리챔버(100)는 기판 지지체 또는 서셉터(104)도 포함한다. 서셉터(104)는 후면(132) 및 상기 서셉터(104) 내부에 배열되는 하나 이상의 고정 전극(112)을 포함한다. 상기 전극(112)은 웨이퍼(102)를 서셉터(104)의 지지 표면(103)에 정전기적으로 고정하기 위해 동력 공급원(124)에 접속된다. 또한, 서셉터(104) 내부에는 히터(142)도 배열되어 있다. 상기 히터(142)는 서셉터(104)의 온도를 상승시켜 PVD 공정에 적합한 온도로 웨이퍼(102)의 온도를 상승시키기 위해 동력 공급원(148)(즉, 120/208V AC 공급원)에 접속된다. 예를들어, 상기 히터(142)는 서셉터 온도를 약 550℃ 로 상승시키기 위한 충분한 열 에너지를 발생시킬 수 있다. 웨이스트 링(108), 커버 링(138) 및 증착 차폐물(134)은 처리 영역(130)을 내부 영역(140)의 나머지 부분으로부터 분리시켜 내부영역(140)의 원치않는 영역의 증착을 방지하도록 서셉터(104)를 한정하고 있다.
상기 서셉터(104)는 그 하부에 배열된 받침대 조립체(106)에 의해 지지된다. 상기 받침대 조립체의 직경은 서셉터의 직경보다 작다. 상기 서셉터(104)는 본 기술분야의 숙련자들에게 공지된 어떤 다수의 수용가능한 접속부재, 예를들면 납땜 및 기계적 체결수단(즉, 볼트, 스크류 등)에 의해 받침대 조립체(106)에 접속된다. 상기 받침대 조립체(106)는 그 아래 배열된 샤프트(126)에 의해 지지된다. 상기 샤프트(126)는 개구(120)를 통해 공정 챔버(100)의 바닥(118)을 관통하여 연장한다. 샤프트(126)는 챔버 분위기와 외측 분위기 사이의 진공 기밀을 제공하도록 벨로우즈(114)로 씌워져 있다. 상기 샤프트(126)에는 가스 도관(136)과 같은 공정수행에 유용한 부품이 제공되어 있다. 상기 가스 도관은 하나 이상의 원격 가스 공급원(도시않음) 및 서셉터(104)내에 배열된 후면 가스포트(110)와 연통되어 있다.
스퍼터링 타겟(116) 또는 증착재료는 서셉터(104) 위에 위치된다. 특히, 타겟(116)은 리드(144)에 부착되거나 리드 및 타겟으로서의 기능을 하는 단일체일 수 있다. 상기 타겟(116)은 보통 알루미늄 또는 티타늄이고 챔버(100)와 전기적으로 절연되어 있다. 동력 공급원(122)은 바람직하게 고전압 DC 동력 공급원이며 웨이퍼(102)를 전자기적으로 스퍼터링하기 위해 타겟(116) 및 서셉터(104)에 전기적으로 연결되어 있다.
또한, 본 발명에 따라 방열 에너지를 보존 및 반사시키기 위한 차폐부재(200)가 서셉터(104) 아래에 배열되어 있다. 특히, 상기 차폐부재(200)는 서셉터의 설계 및 제작분야에 있어서의 숙련자들에게 공지되어 용이하게 이용할 수 있는 복수의 고정부재(208)를 통해서 받침대 조립체(106) 아래에 배열 및 부착된다. 상기 고정부재(208)는 치형 볼트, 리벳, 접착제 부착된 맞춤못 또는 핀 등으로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다. 상기 차폐부재(200)는 받침대 조립체(106)와 차폐부재(200) 사이에 제공된 복수의 스페이서(210)를 통해 받침대 조립체(106)로부터 이격되어 있다. 즉, 상기 스페이서(210)는 차폐부재(200)를 받침대 조립체(106)에 부착할 때 고정부재(208)를 수용한다.
도 3은 스페이서(210)중 하나를 더욱 상세히 도시한다. 특히, 상기 스페이서(210)는 중앙 몸체(302) 및 상기 중앙 몸체(302)로부터 상방향으로 연장하는 복수의 레그(304)를 포함한다. 상기 중앙몸체는 복수의 스페이서 부재(208)가 연통하는 복수의 개구(306)도 포함한다. 본 발명의 양호한 실시예에서는 2 개의 레그(304) 및 2 개의 고정부재(208)와 연통하는 2 개의 개구(306)가 제공된다. 또한, 2 개의 스페이서(210)가 받침대(106)에 상기 차폐부재(200)를 고정하는데 사용된다. 스페이서는 스테인레스 스틸과 같은 고 내열재료로 제조되며 레그(304)에서 받침대 조립체(106)에 용접된다. 스테인레스 스틸이 상당히 낮은 열 전도체이므로, 히터로부터의 열 에너지가 스페이서(210) 또는 차폐부재(200)에 영향을 끼치지 않는다. 또한, 받침대 조립체(106)가 접지되어 있으므로, 미주 전기에너지(stray electrical energy)가 작거나 스페이서(210) 또는 차폐부재(200)에 대한 악영향도 거의 없다.
도 2는 받침대 조립체(106)에 부착되지 않은 경우의 차폐부재(200)를 도시하는 부분 분해 사시도이다. 상기 차폐부재는 하나 이상의 반사부재(2,4206)에 연결된 브라켓 부재(202)를 포함한다. 상기 브라켓 부재(202)는 아치형 부분(214)도 포함한다. 상기 아치형 부분(214)에은 복수의 개구(212)가 제공되어 있다. 상기 고정부재(208)는 브라켓 부재(202)를 받침대 조립체(106)에 고정하도록 개구(212)를 통해 연통되어 있다. 본 발명의 양호한 실시예에서, 아치형 부분(214)은 반원형이며 상기 복수의 개구(212)는 4 개이다. 상기 아치형 부분(214)은 제 1 수직부(215)와 제 2 수직부(217)로 변형된다. 각각의 수직부(215,217)는 상기 아치형 부분(214)에 수직하게 수직 상방향으로 상승된다. 제 1 수직부(215)는 제 1 수평부(216)로, 그리고 제 2 수직부(217)는 제 2 수평부(218)로 변형된다. 상기 수평부(216,218) 각각은 각각의 수직부(215,217)에 수직하고 공동 평면상에 있으며 아치형 부분(214)에 평행하다.
제 1 수평부(216)는 제 1 플랜지(220) 및 제 2 플랜지(222)도 포함한다. 상기 각각의 플랜지(220,222)는 제 1 수평부(216)로부터 수직 하방향으로 연장한다. 또한, 상기 각각의 플랜지(220,222)는 복수의 플랜지 개구(224)를 포함한다(플랜지(222) 및 상기 플랜지(222) 내의 개구들의 일부분이 도 2에 다소 불분명하지만 점선으로 표시했음). 본 발명의 양호한 실시예에서는 각각의 플랜지(220,222)상에 3 개의 플랜지 개구가 제공되어 있다.
상기 제 1 수평부(216)와 유사하게, 제 2 수평부(218)도 제 1 플랜지(226) 및 제 2 플랜지(228)를 포함하며 이들 각각은 제 2 수평부(218)로부터 수직 하방향으로 연장한다. 또한, 각각의 상기 플랜지(226,228)에는 플랜지 개구(230)도 제공되어 있다. 플랜지(228) 및 제 2 플랜지(228)내의 개구(230)들의 일부분이 다소 불분명하지만 점선으로 표시했다. 본 발명의 양호한 실시예에서는 각각의 플랜지(226,228)에 3 개의 개구(230)가 제공되어 있다. 또한, 상기 제 2 수평부(218)는 복수의 절개부(232)도 가진다. 바람직하게, 상기 절개부(232)는 수평부(218)로부터 플랜지(226,228)로 연장한다.
상기 브라켓 부재(202)는 하나 이상의 반사부재(204,206)와 결합한다. 즉, 제 1 및 제 2 반사부재(204,206)는 브라켓 부재(202)에 연결되어 있다. 특히, 제 1 반사부재(204)는 아치형이며 바람직하게는 제 1 및 제 2 단부(240,242)를 갖는 반원형이다. 제 1 반사부재(204)의 제 1 단부(240)는 플랜지(234)를 가진다. 상기 플랜지(234)는 제 1 단부(240)로부터 수직 하방향으로 연장한다. 플랜지(234)는 브라켓 부재(202)의 제 1 수평부(216)의 제 2 플랜지(222)상에 있는 개구(224)와 일치되는 복수의 개구(236)도 포함한다. 유사하게, 제 2 단부(242)도 플랜지(238)를 포함한다. 플랜지(238)는 제 2 단부로부터 수직 하방향으로 연장한다. 플랜지(238)도 복수의 개구(2361)를 포함한다. 상기 개구(2361)는 브라켓 부재(202)의 제 2 수평부(218)의 제 2 플랜지(228)상에 있는 복수의 개구(230)와 일치된다. 결과적으로, 본 발명의 양호한 실시예에서 각각의 제 1 반사부재 플랜지(234,238)상에 있는 복수의 개구(2361)는 3 개이다.
제 2 반사부재(206)는 제 1 반사부재(204)와 설계 및 레이아웃이 유사하다. 특히, 제 2 반사부재(206)는 아치형이고 바람직하게는 제 1 및 제 2 단부(250,252)를 갖는 반원형이다. 제 1 단부(250)는 플랜지(244)를, 그리고 제 2 단부(252)는 플랜지(246)를 포함한다. 상기 각각의 플랜지(244,246)는 각각의 단부(250,252)로부터 수직 하방향으로 연장한다. 또한, 상기 각각의 플랜지는 복수의 개구(2362)도 포함한다. 특히, 플랜지(244)에 제공된 개구(2362)는 브라켓 부재(202)의 제 1 수평부(216)의 제 1 플랜지(220)에 제공된 개구(244)와 일치되게 결합된다. 유사하게, 플랜지(246)에 제공된 개구(2362)는 브라켓 부재(202)의 제 1 수평부(218)의 제 1 플랜지(226)에 제공된 개구(230)와 일치되게 결합된다. 제 1 및 제 2 반사부재(204,206)는 본 기술분야에 공지된 어떤 체결수단에 의해 브라켓 부재(202)에 부착된다. 예를들어, 반사 부재(204,206) 및 브라켓 부재(202)상에 있는 모든 개구(2361,2362,224,230)에는 볼트(248)와 연통되도록 각각 치형이 형성되어 있다. 이와는 달리, 제 1 반사부재(204), 제 2 반사부재(206) 및 브라켓 부재(202)상에 제공된 모든 개구(2361,2362,224,230)에는 볼트(254), 너트(256), 리벳, 스폿 용접, 맞춤못 등이 각각 관통할 수 있다.
제 1 반사부재(204)에는 하나 이상의 리프트 핀 구멍(2581,2582)도 제공되어 있다. 바람직하게, 원점("0")에서 측정했을 때 가상 y-축선(262)에 대해 약 +60° 및 -60°의 각도로 배열되는 2 개의 리프트 핀 접근 구멍이 제공된다. 가상 x-축선(264)이 기준 프레임을 완전히 하기 위해 도시되어 있다. 유사하게, 제 2 반사부재(206)는 하나 이상의 리프트 핀 접근구멍(260)을 포함한다. 바람직하게, y-축선에 대해 약 180°의 각도로 제공된 하나의 리프트 핀 접근 구멍이 제공되어 있다.
상기 브라켓 부재(202)는 받침대 조립체(106)에 부착되고 반사부재(204)를 지지하는데 적합한 재료로 구성되어야 한다. 그러한 재료는 고 내열강도를 갖는 스테인레스 스틸 또는 니켈 또는 티타늄계 합금(예를들어, 인코넬(등록상표))과 같은 합금으로 제조되나 이에 한정되지 않으며, 스테인레스 스틸이 바람직하다.
서셉터(104) 및 받침대 조립체(106)로부터 방열되는 열 에너지의 상당한 부분을 반사시키기 위한 반사부재(204)에 적합한 재료를 선택하는 3 가지 설계규정이 있다. 첫째, 상기 반사부재는 고 내열강도의 재료로 제조되어야 한다. 둘째, 상기 재료들은 어닐링가능해야 한다. 세째, 상기 재료들은 저 방사율 특성을 가져야 한다. 천연재료가 충분한 방사율을 갖지 않는 경우에는 코팅 또는 폴리싱에 의해 재료의 바람직한 방사율을 얻을 수 있다. 폴리싱은 재료의 반사 특성을 증대시키는 반면에, 코팅은 반사표면의 산화를 방지한다. 방사율은 특정재료로부터 방사된 에너지 비율 대 동일한 온도에서 흑색을 갖는 물질로부터 방사된 에너지의 비율로 정의된다. (서셉터와 같은)세라믹 재료는 반사기로서 바람직하지 않게 하는 0.6 내지 0.7 정도의 일반적으로 높은 방사율을 가진다. 이는 높은 방사율을 갖는 재료가 높은 비율의 에너지를 흡수하고 방출하나 이러한 에너지를 반사시키지 않는다는 것을 의미한다. 높은 방사율을 갖는 챔버성분은 챔버내에 열손실을 초래한다. (0.1 내지 0.4 정도의)낮은 방사율 재료는 흡수된 에너지의 일부를 흡수 및 방출하는 대신에 상당한 양의 에너지를 반사한다. 따라서, 폴리싱 처리된 스테인레스 스틸 또는 티타늄, 니켈 도금된 인코넬, 로듐(Rh) 또는 팔라듐(Pd) 및 바람직하게는 폴리싱 처리된 스테인레스 스틸과 같은 저 방사율 재료가 반사부재로 바람직하다. 반사 부재는 반사 특성을 개선하기 위해 또다른 처리가 가능하다. 예를들어, 스테인레스 스틸 반사부재는 더 높은 반사조건을 갖도록 더욱 더 폴리싱 처리될 수 있으며 높은 반사표면의 산화 또는 오염이나 상기 표면의 왜곡을 방지하기 위해 어닐링과 같은 열 응력 제거 공정이 수행될 수 있다.
작동시, 상기 반사부재(204,206)는 이들 부재에 의해 흡수될 수 있는 서셉터(104) 및 받침대 조립체(106)의 후면(132)으로부터 방사되는 에너지를 반사한다. 반사된 에너지는 임계 작동영역내에 서셉터(및 받침대 조립체)의 온도를 유지한다. 이와 같이, 낮은 동력이 하나 이상의 챔버 동력 공급원(122,124)에 필요하게 되므로 작동비용이 감소하게 된다. 또한, 열에너지가 서셉터로 일정하게 재순환 또는 반사되므로, 서셉터 재료에 작용하는 열 응력이 현저히 감소하게 된다. 환언하면, 상기 차폐부재(200)는 열 에너지를 저장하고 서셉터로 공급할 수 있는 열 커패시터로서의 기능을 한다. 상기 차페부재가 없다면, 서셉터의 가장자리가 너무나 빠르게 에너지를 방출함으로써 열 응력을 유도하여 서셉터(104)의 파괴를 초래한다. 이러한 장점은 세정, 수선 또는 일반적인 보수작업과 같은 보조작업을 수행하기 위해 챔버의 동력을 중단할 필요가 있을 때 특히 유용하다. 상기 차폐부재(200)는 서셉터의 실온으로의 냉각시에도 서셉터의 수명감소를 초래하지 않을 정도의 허용가능한 수치로 방사 열손실을 줄인다. 물론, 재차 웨이퍼 가공의 시작을 위해 서셉터의 온도를 램프-업(ramp-up)할 때라도 동일한 양의 에너지를 유지한다. 즉, 서셉터 전반에 걸쳐 램프-업되는 열 에너지는 균일하다.
이와 같이, 저항 히터에 의해 가열된 세라믹 서셉터 내부의 열 에너지를 보존하고 방열시키기 위한 신규한 장치를 설명하고 도시하였다. 그러나, 본 발명의 실시예들을 설명한 상세한 설명 및 도면들을 숙고한 본 기술분야의 숙련자들에게는 본 발명에 따른 다수의 변경, 변형, 및 적용예들이 있을 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를들어, 본 발명은 처리부품에 대한 양호한 열 제어를 필요로하는 진공 처리환경뿐만 아니라 PVD 챔버에도 적용할 수 있다. 상기 환경에는 CVD 및 ETCH 챔버 또는 세라믹 서셉터를 고온 적용에 사용하는 기타 챔버 등이 포함된다. 본 발명의 사상 및 범주로부터 이탈함이 없는 이러한 모든 변경, 변형 및 적용예들은 다음 특허청구범위에 의해 다만 한정되어 있는 본 발명내에 포함된다고 이해해야 한다.
일반적인 세라믹 서셉터는 물론, 커다란 방열 표면을 갖는 보다 큰 서셉터에 있어서, 열 변화를 감소시킴으로써 동일한 양의 방열손실을 보상할 수 있음으로써 서셉터의 수명을 연장할 수 있다
Claims (27)
- 기판 처리챔버의 서셉터에 인가된 에너지를 반사시키는 장치로서,상기 기판 처리챔버 내에 하나 이상의 반사부재가 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반사부재는 서셉터 아래에 배열되는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 반사부재는 서셉터의 후면으로부터 방사된 열 에너지를 반사시키는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반사부재에 근접된 브라켓 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 4 항에 있어서, 상기 브라켓 부재는 서셉터 아래에 배열된 받침대 조립체에 부착되는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 5 항에 있어서, 상기 브라켓 부재는 아치형부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 6 항에 있어서, 상기 아치형부에는 복수의 개구가 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 아치형부의 개구 및 상기 받침대 조립체와 연통하는 복수의 체결수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 8 항에 있어서, 상기 아치형부의 복수의 개구는 4 개이고 복수의 체결부재는 4 개인 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 6 항에 있어서, 상기 브라켓 부재는 상기 아치형부로부터 변형되는 제 1 수직부 및 상기 아치형부로부터 변형되는 제 2 수직부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 10 항에 있어서, 상기 브라켓 부재는 상기 제 1 수직부로부터 변형되는 제 1 수평부 및 상기 제 2 수직부로부터 변형되는 제 2 수평부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 수평부는 제 1 및 제 2 플랜지를 더 포함하며 상기 제 2 수평부는 제 1 및 제 2 플랜지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 수평부의 제 1 및 제 2 플랜지는 복수의 플랜지 개구를 더 포함하며 상기 제 2 수평부의 제 1 및 제 2 플랜지는 복수의 플랜지 개구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 13 항에 있어서, 상기 복수의 플랜지 개구는 플랜지 당 3 개인 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 4 항에 있어서, 상기 브라켓 부재에 의해 지지된 제 1 반사부재 및 상기 브라켓 부재에 의해 지지된 제 2 반사부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제 1 반사부재는 제 1 및 제 2 단부를 가지며 상기 제 2 반사부재는 제 1 및 제 2 단부를 갖는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 16 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 반사부재의 각각의 제 1 및 제 2 단부는 플랜지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 17 항에 있어서, 상기 제 1 반사부재의 제 1 단부상에 있는 플랜지는 브라켓 부재의 제 1 수평부의 제 2 플랜지상에 있는 복수의 개구와 일치하는 복수의 개구를 더 포함하며, 상기 제 1 반사부재의 제 2 단부상에 있는 플랜지는 브라켓 부재의 제 2 수평부의 제 2 플랜지상에 있는 복수의 개구와 일치하는 복수의 개구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 18 항에 있어서, 상기 제 2 반사부재의 제 1 단부상에 있는 플랜지는 브라켓 부재의 제 1 수평부의 제 1 플랜지상에 있는 복수의 개구와 일치하는 복수의 개구를 더 포함하며, 상기 제 2 반사부재의 제 2 단부상에 있는 플랜지는 브라켓 부재의 제 2 수평부의 제 1 플랜지상에 있는 복수의 개구와 일치하는 복수의 개구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 19 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 반사부재는 상기 복수의 개구와 서로 일치되는 체결수단에 의해 상기 브라켓 부재에 부착되는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 20 항에 있어서, 상기 체결수단은 볼트, 너트 및 볼트 쌍, 리벳, 용접 및 맞춤못으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 15 항에 있어서, 각각의 상기 제 1 및 제 2 반사부재에 제공된 하나 이상의 리프트 핀 접근구멍을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 22 항에 있어서, 상기 제 1 반사부재에는 2 개의 리프트 핀 접근구멍이 제공되며 상기 제 2 반사부재에는 1 개의 리프트 핀 접근구멍이 제공되는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 반사부재는 저 방사율 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 24 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 반사 부재는 스테인레스 스틸인 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 25 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 반사부재는 높은 반사율을 갖도록 폴리싱되는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
- 제 25 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 반사부재는 어닐링되는 것을 특징으로 하는 에너지 반사장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/346,073 US6485603B1 (en) | 1999-07-01 | 1999-07-01 | Method and apparatus for conserving energy within a process chamber |
| US9/346,073 | 1999-07-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010029869A true KR20010029869A (ko) | 2001-04-16 |
Family
ID=23357825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020000036933A KR20010029869A (ko) | 1999-07-01 | 2000-06-30 | 기판 처리챔버의 서셉터에 인가된 에너지를 반사시키는 장치 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6485603B1 (ko) |
| EP (1) | EP1065700A2 (ko) |
| JP (1) | JP2001057342A (ko) |
| KR (1) | KR20010029869A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150140226A (ko) * | 2014-06-05 | 2015-12-15 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 다중-웨이퍼 캐러셀 ａｌｄ에서 통합된 2-축 리프트-회전 모터 중심 페디스털 |
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| US9962796B2 (en) * | 2015-06-26 | 2018-05-08 | Data Point Targets LLC | Pipe locating system |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3713471A (en) * | 1970-08-26 | 1973-01-30 | Sperry Rand Corp | Knife bracket for forage harvester cutterhead |
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- 2000-06-30 EP EP00113164A patent/EP1065700A2/en not_active Withdrawn
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6485603B1 (en) | 2002-11-26 |
| EP1065700A2 (en) | 2001-01-03 |
| JP2001057342A (ja) | 2001-02-27 |
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