KR20010028356A - 저전압 구동용 액정 조성물 및 이를 포함하는 액정표시장치 - Google Patents

저전압 구동용 액정 조성물 및 이를 포함하는 액정표시장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치(LCD)에 사용되는 저전압 구동용 액정 조성물에 관한 것으로서, 광학 이방성이 0.08∼0.10이고, 유전율 이방성이 7.0∼14인 액정 조성물을 제공한다. 이를 위해 상기 물성을 지닌 액정 성분과 이 성분들 사이의 적정한 조성비를 제공한다. 본 발명은 종래의 저전압 구동용 액정에 비해 점도가 낮고, 응답 속도가 빠르며, 잔상이 없는 등 신뢰성이 우수하며, 4.4-4.7 μm 셀 간극 공정에 적용될 수 있다.

Description

저전압 구동용 액정 조성물 및 이를 포함하는 액정표시장치{Liquid crystal compositions operable with low voltages and liquid crystal display device including the same}
본 발명은 액정 표시 장치(LCD)에 사용되는 저전압 구동용 액정 조성물 및 이를 포함하는 액정표시장치에 관한 것이다.
종래의 LCD는 고전압에서 구동되는 액정을 사용함에 따라 고전압 구동 집적회로(IC)를 채용하고 있으며, VGA급(640×480 Pixel), SVGA급(800×600)위주의 해상도를 나타내었다. 고전압 액정은 소비전력이 커서 배터리의 전력 소모가 심하고, 부품간 노이즈 및 외부 노이즈에 민감하게 반응하여 EMI(Electro Magnetic Insulation)가 매우 취약하다. 또한, 고전압 IC는 제조 공정이 저전압 IC 대비하여 매우 복잡하고, 크기가 큰 구조를 하고 있다. 구체적으로 고전압 IC의 크기는 저전압 IC와 비교해서 40%정도 크므로, 저전압 IC를 사용할 경우 Wafer Net Die 당 생산 능력이 30 %이상 증가한다. 따라서 저전압 IC를 사용할 경우, 제조 비용을 크게 낮출 수 있고, LCD 패널을 경박화할 수 있다.
오늘날 CDD(Compact Disk Driver), DVDD(Digital Video Disk Driver), 이미지 스캐너, 디지털 카메라 등의 주변기기의 액세스 시간이 감소하고, 정보량이 증가하는 것과 함께 컴퓨터의 정보를 인간에게 전달하는 인터페이스의 하나인 LCD와 같은 디스플레이의 해상도도 같이 증가하고 있다. 즉, XGA, SXGA, UXGA, SUXGA등으로 해상도가 증가하고 있다. 이에 따라 LCD에서 전극 배선의 길이가 기존에 비해서 기하급수적으로 증가하게 되고, 이것은 액정에 걸리는 유효 전압을 떨어뜨리고 액정 디스플레이의 대비비를 떨어뜨리는 요인이 된다.
신규 LCD의 개발 및 발전방향은 저소비전력화, 고휘도화, 슬림화, 경량화, 고해상도화로 요약된다. 고해상도를 유지하면서 소비전력을 적게 소모하고, 구동 IC를 소형화하고 그 가격을 낮출 수 있는 저소비전력 액정 개발이 현재 급속히 진행되고 있다.
소비전력을 적게 소모하는 저전압 액정을 제조하기 위한 접근 방식은 두가지로 요약된다. 첫째, 액정의 Δε(dielectric anisotropy : 유전율 이방성)을 크게 해서 문턱전압(Threshold Voltage : Vth)을 낮추는 방법과, 둘째, 액정의 Δn(optical anisotropy : 광학 이방성)을 크게 하여 전압-투과도 곡선(V-T Curve)의 스티프니스(Steepness)를 크게 함으로써 낮은 전압에서 블랙 특성이 나타나도록 하는 방식을 사용한다.
그러나 이들 방식은 다음과 같은 문제점을 가지고 있다. 먼저 Δε이 커짐에 따라 나타나는 문제점을 살펴보면 첫째, 액정의 극성이 크게 증가하는 점이다. 액정의 극성이 증가하면 액정 자체의 비저항이 떨어짐은 물론이고, 주변재료인 실(Seal)재와 주입구 경화재, 배향막 등의 입자 또는 하전을 끌어 들여서 휘도를 떨어뜨리며, 다음 프레임의 신호가 올 때까지의 전압 유지율, 즉 VHR(Voltage Holding Ration)을 떨어뜨리게 된다. 둘째, 잔류 직류(Direct Current)가 높아져서 잔상(Image Sticking)의 원인을 제공한다. 셋째, 액정의 점성이 높아져서 응답 속도를 떨어뜨리는 결과를 낳는다. 다음으로 액정의 Δn을 크게 할 경우에는 Δε·d (d : Cell Gap)의 조건을 최적화 하기 위하여 셀 간극을 줄여야 하지만, 셀 간극을 줄이면, 결함(Defect)이 발생할 확률이 커져서 수율이 크게 저하된다.
본 발명은 낮은 유전율 이방성과 광학 이방성을 갖는 액정을 혼합하여 신뢰성이 우수할 뿐만 아니라, 저전압에서 구동이 가능한 액정 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 응답속도가 빠르고 잔상이 없는 등 신뢰성이 우수하고, 4.4-4.7 μm 셀 간극 공정을 적용하는 저전압 구동용 액정 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 각 액정 조성물의 조성비에 따라 액정의 특성이 크게 변하므로 최적의 조성비를 갖는 액정 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 a) 제1 액정 성분으로서 하기 화학식 1 내지 4 (여기서 X, Y는 알킬기임)로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물; b) 제2 액정 성분으로서 하기 화학식 5 내지 8 (여기서 X, Y는 알킬기임)로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물; 및 c) 제3 액정 성분으로서 하기 화학식 9 내지 10 (여기서 X는 알킬기임)로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물을 포함하는 저전압 구동용 액정 조성물을 제공한다.
<화학식 1>
<화학식 2>
<화학식 3>
<화학식 4>
<화학식 5>
<화학식 6>
<화학식 7>
<화학식 8>
<화학식 9>
<화학식 10>
본 발명 액정 조성물의 광학 이방성(Δn)은 0.08∼0.10의 범위가 바람직하고, 유전 이방성(Δε)은 7.0∼14의 범위가 바람직하다. 유전율 이방성은 9.0∼13가 더욱 바람직하다. 본 발명 액정 조성물은 상기 제1 액정 성분이 20∼50 중량%, 상기 제2 액정 성분이 5∼20 중량%, 및 상기 제3 액정 성분이 30∼60 중량% 포함되는 경우 더욱 뛰어난 물성을 갖는다. 또한 본 발명은 상기 액정 조성물을 포함하는 액정 표시 장치도 제공한다.
본 발명에 대해 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 상기 액정 조성물의 광학 이방성(Δn)은 0.08 ∼ 0.10가 바람직하다. 일반적으로 저전압 액정의 경우 Δn을 크게 하고 셀 간극을 줄이는 방법을 사용하는데, 이와 같이 되면 V-T 커브의 스티프니스(Steepness)를 크게 해서 액정의 블랙 특성이 양호해진다. 그러나 계조를 표시할 수 있는 전압의 폭(ΔV)이 크게 줄어서 IC의 출력편차 문제로 그레이 반전(Grey Inversion)이 발생한다. 따라서 Δn의 크기를 0.10 이하로 조절하는 것이 바람직하다. 이를 위해서 종래 기술과 같이 셀 간극을 줄여서 광학 이방성을 크게 하지 않고, 액정의 성분과 이들 성분의 조성을 최적화하여 Vth를 저전압 쪽으로 낮춘다. 한편, Δn을 일정값 이하로 내리면 시야각이 넓어지지만 대비비가 떨어지므로 0.08 이하로 내리는 것은 바람직하지 않다.
유전율 이방성(Δε)은 7.0∼14(25 ℃, 1 kHZ)이 바람직하다. Vth를 저전압 쪽으로 이동시키기 위하여 Δε를 크게 하는 것이 일반적인 접근방법이나, 일정 이상 크면 점도, 전압유지율(Voltage Holding Ration), 잔상 등에 악영향을 미칠 뿐만 아니라 액정의 케퍼시턴스 값이 커져서 TFT 케퍼시턴스 값을 조정해야 하는 필요도 있다. 따라서 본 발명에서는 유전율 이방성이 상기 값으로 조절된다. 특히 잔상 및 Vth를 고려하면 9.0∼13 이 가장 바람직하다.
점도는 액정의 응답 속도와 액정 주입속도에 영향을 미친다. Δε이 커지면 액정 분자들의 극성이 커져서 점성이 올라가고, 이에 따라 액정 분자가 전계 인가에 의한 회전시 저항을 받아서 응답 속도가 떨어지게 된다. 그런데 기존 노트북 액정화면으로 사용하기 위해서는 액정의 응답 속도를 최소한 60 msec 이하로 하는 것이 바람직하며, 이를 위해 액정 성분의 점도는 30 cps 이하가 되는 것이 바람직하다. 본 발명에서는 액정화합물을 최적화해서 55 msec 이하의 응답속도를 가지도록 가진다.
저전압에서 구동되며 상기 물성을 만족시키는 액정 조성물과 그 구체적인 컴포넌트에 대하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 본 발명의 액정 조성물은 Vth를 저전압화하기 위해서 유전율 이방성이 큰 액정화합물로서 그 중심부에 불소 치환기가 있거나, 에스테르기가 붙어 있는 시클로헥산과 벤젠 고리를 포함하는 제1 액정 성분을 포함한다. 바람직하기로는 제1 액정 성분으로서 하기 화학식 1, 2, 3, 4 (여기서 X,Y는 알킬기임)로 표시되는 화합물을 사용한다.
<화학식 1>
<화학식 2>
<화학식 3>
<화학식 4>
사용되는 제1 액정 성분의 양은 Vth를 어느 전압에 맞출 것이냐에 따라 조절될 수 있다. 다만 이러한 액정 성분을 많이 사용하게 되면, Δε이 너무 커져서 극성에 의해서 점도가 증가되고, 주변 이온을 끌어들여서 비저항을 올리게 되며, 잔류 DC가 증가하며, 잔상이 생기게 된다. 따라서 상기 액정 성분은 전체 액정 조성물에 대하여 20∼50 wt%를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 액정의 응답 속도를 빠르게 하기 위해서 분자의 장축 길이가 짧고, 분자의 중심부에 측쇄 치환체가 없어서 입체 장애가 매우 작은 2 개의 시클로헥산 및/또는 벤젠 고리를 포함한 제2 액정 성분을 5 중량% 내지 20중량%, 바람직하기로는 5 - 15중량%를 넣는다. 이 액정 성분은 같이 혼합된 다른 액정 성분들 사이에서 외부 전계가 인가될 때, 윤활유의 역할을 해서 쉽게 다른 액정 성분들이 배열할 수 있도록 도와주는 역할을 수행함으로써 액정의 응답 속도를 빠르게 한다. 응답 속도를 더욱 빠르게 하기 위해서는 10 중량% 이상 넣을 수 있다. 그러나 20중량 %를 초과하여 넣으면 다른 특성을 제어하는 액정 성분을 첨가할 수 없기 때문에 바람직하지 않다. 이와 같은 역할을 수행하는 제2 액정 성분으로는 시클로헥산과 벤젠 고리를 포함한 하기 화학식 5, 6, 7, 8 (여기서 X,Y는 알킬기임)로 표시되는 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.
<화학식 5>
<화학식 6>
<화학식7>
<화학식 8>
또한, 전압 유지율의 유지 등을 위하여 액티브 메트릭스 소자의 기본 액정 성분으로 30∼60 중량% 제3 액정성분을 사용하는데, 바람직한 제3 액정 성분은 하기 화학식 9, 10(여기서 X는 알킬기임)의 액정 성분을 포함한다.
<화학식 9>
<화학식 10>
필요에 따라 다른 특정한 특성을 부여하고자 할 때는 상기 액정 성분의 비율을 줄이면서 다른 특성의 액정 분자를 일정 비율로 블렌딩하거나, 액정분자를 개질함에 의해서 특성을 제어할 수 있다. 예를 들어, Tni(네마틱 페이즈에서 이소트로픽 페이즈로 변하는 온도)온도를 상승시키기 위해서 시클로헥산과 벤젠 고리를 포함하는 화합물로서 그 중심부에 메틸렌기를 가지는 화합물을 액정 성분으로 사용할 수 있다. 이때 많은 양을 사용하면, 분자의 장축 길이가 길기 때문에 점도가 상승하여 응답 속도가 길어질 수 있다.
본 발명의 비한정적인 실시예는 다음과 같다.
<실시예 1>
X가 메틸기인 화학식 1의 액정 30중량%와 X, Y가 모두 메틸기인 화학식 5의 화합물 10중량%와 X가 에틸기인 화학식 9의 화합물 60중량%를 혼합하여 액정 조성물을 형성한 다음, 상기 액정 조성물을 ITO로 코팅된 한 쌍의 유리판(20 cm * 20 cm) 사이에 주입하여 셀을 만들었다. 상기 셀의 셀간격은 4.5μm였다.
<실시예 2>
X가 메틸기이고 Y가 에틸기인 화학식 2의 액정 40중량%와 X가 메틸기인 화학식 6의 화합물 10중량%와 X가 에틸기인 화학식 9의 화합물 50중량%를 혼합하여 액정 조성물을 형성한 다음, 상기 액정 조성물을 ITO로 코팅된 한 쌍의 유리판(20 cm * 20 cm) 사이에 주입하여 셀을 만들었다. 상기 셀의 셀간격은 4.7μm였다.
<실시예 3>
X가 메틸기인 화학식 4의 액정 50중량%와 X가 메틸기인 화학식 6의 화합물 10중량%와 X가 에틸기인 화학식 9의 화합물 40중량%를 혼합하여 액정 조성물을 형성한 다음, 상기 액정 조성물을 ITO로 코팅된 한 쌍의 유리판(20 cm * 20 cm) 사이에 주입하여 셀을 만들었다. 상기 셀의 셀간격은 4.7μm였다.
본 발명에서는 낮은 광학 이방성과 유전율을 가진 액정 화합물을 이용하여 저전압 구동용 액정을 제공한다. 본 발명은 종래의 저전압 구동용 액정에 비해 점도가 낮고, 응답 속도가 빠르며, 잔상이 없는 등 신뢰성이 우수하며, 4.4-4.7 μm 셀 간극 공정에 적용될 수 있다.

Claims (5)

  1. a) 제1 액정 성분으로서 하기 화학식 1 내지 4 (여기서 X, Y는 알킬기임)로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물;
    <화학식 1>
    <화학식 2>
    <화학식 3>
    <화학식 4>
    b) 제2 액정 성분으로서 하기 화학식 5 내지 8 (여기서 X, Y는 알킬기임)로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물; 및
    <화학식 5>
    <화학식 6>
    <화학식 7>
    <화학식 8>
    c) 제3 액정 성분으로서 하기 화학식 9 내지 10(여기서 X는 알킬기임)로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물
    <화학식 9>
    <화학식 10>
    을 포함하는 저전압 구동용 액정 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 저전압 구동용 액정 조성물의 광학 이방성(Δn)이 0.08∼0.10의 범위이고, 유전율 이방성(Δε)이 7.0∼14인 조성물.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 저전압 구동용 액정 조성물의 유전율 이방성이 9.0∼13인 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 액정 성분을 20∼50 중량%, 상기 제2 액정 성분을 5∼20 중량%, 및 상기 제3 액정 성분을 30∼60 중량%를 포함하는 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항 기재에 의한 액정 조성물을 포함하는 액정 표시 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2016021956A1 (ko) * 2014-08-07 2016-02-11 주식회사 동진쎄미켐 액정 조성물

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